什么是可控硅(晶閘管)
可控硅是硅可控整流器的簡(jiǎn)稱(chēng),縮寫(xiě)為SCR又稱(chēng)為晶閘管。
自從20世紀(jì)50年代問(wèn)世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管,等等。今天大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管,它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,有三個(gè)PN結(jié),對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2(a)〕:第一層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A,第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2(b)〕可以看到,它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?,關(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。
要使晶閘管導(dǎo)通,一是在它的陽(yáng)極A與陰極K之間外加正向電壓,二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電壓。晶閘管導(dǎo)通后,松開(kāi)按鈕開(kāi)關(guān),去掉觸發(fā)電壓,仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。
晶閘管的特點(diǎn): 是“一觸即發(fā)”。但是,如果陽(yáng)極或控制極外加的是反向電壓,晶閘管就不能導(dǎo)通。控制極的作用是通過(guò)外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通,卻不能使它關(guān)斷。那么,用什么方法才能使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷呢?使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷,可以斷開(kāi)陽(yáng)極電源(圖3中的開(kāi)關(guān)S)或使陽(yáng)極電流小于維持導(dǎo)通的最小值(稱(chēng)為維持電流)。如果晶閘管陽(yáng)極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動(dòng)直流電壓,那么,在電壓過(guò)零時(shí),晶閘管會(huì)自行關(guān)斷。
可控硅的結(jié)構(gòu):內(nèi)部有相互交疊的4層PN區(qū)組成,有三個(gè)PN結(jié),三個(gè)電極, 即陽(yáng)極A 陰極K 控制極G .三個(gè)PN結(jié)實(shí)際構(gòu)成了兩個(gè)相互連接的三極管。一個(gè)是PNP,一個(gè)是NPN ,每個(gè)管子的集電極連接導(dǎo)另一個(gè)管子的基極,形成正反饋。
可控硅按其電流容量可分,50A以上的為大功率管,5A以下的為小功率管, 兩者之間的則為中功率管。
可控硅的主要參數(shù)定義如下:
可控硅的額定正向平均電流:在規(guī)定條件下,陽(yáng)極和陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50HZ正旋半波電流的平均值。
可控硅的維持電流:在規(guī)定條件下維持可控硅導(dǎo)通的最小正向電流。
可控硅的漏源飽和電流:在柵源短路,漏源電壓足夠大時(shí)的漏源電流。
可控硅的正向跨導(dǎo):在共源電路中,柵源輸入電壓每增加1V所引起的漏源輸出電流的變化量。
可控硅的最大柵源電壓:MOS管因?yàn)槠鋿艠O有很高的絕緣電阻,因此柵極開(kāi)路時(shí),很容易使管子損壞,存放時(shí)應(yīng)注意將三個(gè)管腳短接。
例:N 溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管:3DJ6D
飽和漏源電流:《0.35ma 夾斷電壓:<4V(-4V) 柵源絕緣電阻:10(8)ohm 正向跨導(dǎo):>1000 輸入電容:<5pf 電容反饋:<2pf 低頻噪聲:<5db 高頻功率增益:>10db最高震蕩頻率:>30mhz最大漏源電壓:20V 最大柵源電壓:20V 最大耗散功率:100mw 最大漏源電流:15ma
可控硅的正向(反向)阻斷電壓: 定義為轉(zhuǎn)折電壓減去100V后的電壓值,使用時(shí)正向電壓不允許超過(guò)此值。
可控硅的控制極觸發(fā)電壓電流:在規(guī)定條件下使可控硅導(dǎo)通所必須的最小控制極直流電壓電流值,一般情況,控制極電壓不的超過(guò)10V電流不超過(guò)1A
可控硅的導(dǎo)通時(shí)間:從控制極加上信號(hào)到陽(yáng)極電流上升到最終值的90%所需要的時(shí)間。他包括延遲時(shí)間,為陽(yáng)極電流上升到10%的時(shí)間,上升時(shí)間,為從10%-90%所需要的時(shí)間。
可控硅的關(guān)斷時(shí)間: 從切斷正向電流到控制極恢復(fù)控制能力所需要的時(shí)間。
例:3CT061(小電流單向管)電流:1A觸發(fā)電壓:《2V
可控硅的觸發(fā)電流:0.01-30ma導(dǎo)通時(shí)間<80us
可控硅的關(guān)斷時(shí)間:<2.5us瞬時(shí)電流:9.5A
3CTS5(小電流雙向管)電流:5A觸發(fā)電壓:《3V
觸發(fā)電流:50ma瞬時(shí)電流:42A
可控硅主要應(yīng)用于無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān),調(diào)速, 調(diào)光,穩(wěn)壓,變頻等方面。
可控硅在自動(dòng)控制控制,機(jī)電領(lǐng)域,工業(yè)電氣及家電等方面都有廣泛的應(yīng)用??煽毓枋且环N有源開(kāi)關(guān)元件,平時(shí)它保持在非道通狀態(tài),直到由一個(gè)較少的控制信號(hào)對(duì)其觸發(fā)或稱(chēng)“點(diǎn)火”使其道通,一旦被點(diǎn)火就算撤離觸發(fā)信號(hào)它也保持道通狀態(tài),要使其截止可在其陽(yáng)極與陰極間加上反向電壓或?qū)⒘鬟^(guò)可控硅二極管的電流減少到某一個(gè)值以下。
可控硅二極管可用兩個(gè)不同極性(P-N-P和N-P-N)晶體管來(lái)模擬,如圖G1所示。當(dāng)可控硅的柵極懸空時(shí),BG1和BG2都處于截止?fàn)顟B(tài),此時(shí)電路基本上沒(méi)有電流流過(guò)負(fù)載電阻RL,當(dāng)柵極輸入一個(gè)正脈沖電壓時(shí)BG2道通,使BG1的基極電位下降,BG1因此開(kāi)始道通,BG1的道通使得BG2的基極電位進(jìn)一步升高,BG1的基極電位進(jìn)一步下降,經(jīng)過(guò)這一個(gè)正反饋過(guò)程使BG1和BG2進(jìn)入飽和道通狀態(tài)。電路很快從截止?fàn)顟B(tài)進(jìn)入道通狀態(tài),這時(shí)柵極就算沒(méi)有觸發(fā)脈沖電路由于正反饋的作用將保持道通狀態(tài)不變。如果此時(shí)在陽(yáng)極和陰極加上反向電壓,由于BG1和BG2均處于反向偏置狀態(tài)所以電路很快截止,另外如果加大負(fù)載電阻RL的阻值使電路電流減少BG1和BG2的基電流也將減少,當(dāng)減少到某一個(gè)值時(shí)由于電路的正反饋?zhàn)饔?,電路將很快從道通狀態(tài)翻轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài),我們稱(chēng)這個(gè)電流為維持電流。在實(shí)際應(yīng)用中,我們可通過(guò)一個(gè)開(kāi)關(guān)來(lái)短路可控硅的陽(yáng)極和陰極從而達(dá)到可控硅的關(guān)斷。
應(yīng)用舉例
可控硅在實(shí)際應(yīng)用中電路花樣最多的是其柵極觸發(fā)回路,概括起來(lái)有直流觸發(fā)電路,交流觸發(fā)電路,相位觸發(fā)電路等等。
1。直流觸發(fā)電路:如圖G2是一個(gè)電視機(jī)常用的過(guò)壓保護(hù)電路,當(dāng)E+電壓過(guò)高時(shí)A點(diǎn)電壓也變高,當(dāng)它高于穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)壓值時(shí)DZ道通,可控硅D受觸發(fā)而道通將E+短路,使保險(xiǎn)絲RJ熔斷,從而起到過(guò)壓保護(hù)的作用。
2。相位觸發(fā)電路:相位觸發(fā)電路實(shí)際上是交流觸發(fā)電路的一種,如圖G3,這個(gè)電路的方法是利用RC回路控制觸發(fā)信號(hào)的相位。當(dāng)R值較少時(shí),RC時(shí)間常數(shù)較少,觸發(fā)信號(hào)的相移A1較少,因此負(fù)載獲得較大的電功率;當(dāng)R值較大時(shí),RC時(shí)間常數(shù)較大,觸發(fā)信號(hào)的相移A2較大,因此負(fù)載獲得較少的電功率。這個(gè)典型的電功率無(wú)級(jí)調(diào)整電路在日常生活中有很多電氣產(chǎn)品中都應(yīng)用它。
評(píng)論
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