wlcsp封裝技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)與未來(lái)

　　WLCSP即晶圓級(jí)芯片封裝方式，英文全稱是Wafer-Level Chip Scale Packaging Technology，不同于傳統(tǒng)的芯片封裝方式(先切割再封測(cè)，而封裝后至少增加原芯片20%的體積)，此種最新技術(shù)是先在整片晶圓上進(jìn)行封裝和測(cè)試，然后才切割成一個(gè)個(gè)的IC顆粒，因此封裝后的體積即等同IC裸晶的原尺寸。它號(hào)稱是封裝技術(shù)的未來(lái)主流，已投入研發(fā)的廠商包括FCT、Aptos、卡西歐、EPIC、富士通、三菱電子等。

　　它在結(jié)束前端晶圓制作流程的晶圓上直接完成所有的操作。在封裝過(guò)程中再將芯片從晶圓上分離，從而使WLCSP可以實(shí)現(xiàn)與芯片尺寸相同的最小的封裝體積，這幾乎是最終的封裝縮微技術(shù)。

　　晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝技術(shù)，融合薄膜無(wú)源器件技術(shù)及大面積規(guī)格制造技術(shù)能力，不僅提供節(jié)省成本的解決辦法，而且提供與現(xiàn)存表面貼裝組裝過(guò)程相符合的形狀因素。芯片規(guī)模封裝技術(shù)既提供性能改進(jìn)路線圖，又降低了集成無(wú)源器件的尺寸。

　　自1998年可行性的WLCSP技術(shù)宣布以來(lái)，近年市場(chǎng)上已經(jīng)出現(xiàn)了各種不同類型的WLCSP。這種技術(shù)已經(jīng)使用在移動(dòng)電子設(shè)備中，比如用于移動(dòng)電話的電源供給芯片，并且延伸到邏輯產(chǎn)品的應(yīng)用中。

　　WLCSP是倒裝芯片互連技術(shù)的一個(gè)變種。借助WLCSP技術(shù)，裸片的有源面被倒置，并使用焊球連接到PCB。這些焊球的尺寸通常足夠大(在0.5mm間距、預(yù)回流焊時(shí)有300μm)，可省去倒裝芯片互連所需的底部填充工藝。如圖1所示，

　　圖1：WLCSP封裝。

　　封裝結(jié)構(gòu)

　　WLCSP可以被分成兩種結(jié)構(gòu)類型：直接凸塊和重分布層(RDL)

　　直接凸塊

　　直接凸塊WLCSP包含一個(gè)可選的有機(jī)層(聚酰亞胺)，這個(gè)層用作有源裸片表面上的應(yīng)力緩沖器。聚酰亞胺覆蓋了除連接焊盤(pán)四周開(kāi)窗區(qū)域之外的整個(gè)裸片面積。在這個(gè)開(kāi)窗區(qū)域之上濺射或電鍍凸塊下金屬層(UBM)。UBM是不同金屬層的堆疊，包括擴(kuò)散層、勢(shì)壘層、潤(rùn)濕層和抗氧化層。焊球落在UBM之上(因此叫落球)，然后通過(guò)回流焊形成焊料凸塊。直接凸塊WLCSP的結(jié)構(gòu)如圖2所示。

　　圖2：直接凸塊WLCSP。

　　重分布層(RDL)

　　圖3是一種重分布層(RDL)WLCSP。這種技術(shù)可以將為邦定線(邦定焊盤(pán)安排在四周)而設(shè)計(jì)的裸片轉(zhuǎn)換成WLCSP。與直接凸塊不同的是，這種WLCSP使用兩層聚酰亞胺層。第一層聚酰亞胺層沉積在裸片上，并保持邦定焊盤(pán)處于開(kāi)窗狀態(tài)。RDL層通過(guò)濺射或電鍍將外圍陣列轉(zhuǎn)換為區(qū)域陣列。隨后的結(jié)構(gòu)類似直接凸塊——包括第二個(gè)聚酰亞胺層、UBM和落球。

圖3：重分布層(RDL)WLCSP

　　WLCSP的優(yōu)點(diǎn)：

　　WLCSP的封裝方式，不僅明顯地縮小內(nèi)存模塊尺寸，而符合行動(dòng)裝置對(duì)于機(jī)體空間的高密度需求;另一方面在效能的表現(xiàn)上，更提升了數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣扰c穩(wěn)定性。無(wú)需底部填充工藝，可以使用標(biāo)準(zhǔn)的SMT組裝設(shè)備。

　　1原芯片尺寸最小封裝方式：

　　WLCSP晶圓級(jí)芯片封裝方式的最大特點(diǎn)便是有效地縮減封裝體積，封裝外形更加輕薄。故可搭配于行動(dòng)裝置上而符合可攜式產(chǎn)品輕薄短小的特性需求。