簡稱光刻膠或抗蝕劑,指光照后能改變抗蝕能力的高分子化合物。光蝕劑分為兩大類。①正性光致抗蝕劑:受光照部分發(fā)生降解反應而能為顯影液所溶解。留下的非曝光部分的圖形與掩模版一致。正性抗蝕劑具有分辨率高、對駐波效應不敏感、曝光容限大、針孔密度低和無毒性等優(yōu)點,適合于高集成度器件的生產。②負性光致抗蝕劑:受光照部分產生交鏈反應而成為不溶物,非曝光部分被顯影液溶解,獲得的圖形與掩模版圖形互補。負性抗蝕劑的附著力強、靈敏度高、顯影條件要求不嚴,適于低集成度的器件的生產。
半導體器件和集成電路對光刻曝光技術提出了越來越高的要求,在單位面積上要求完善傳遞圖像的信息量已接近常規(guī)光學的極限。光刻曝光的常用波長是3650~4358 埃,預計實用分辨率約為1微米。幾何光學的原理,允許將波長向下延伸至約2000埃的遠紫外波長,此時可達到的實用分辨率約為0.5~0.7微米。微米級圖形的光復印技術除要求先進的曝光系統(tǒng)外,對抗蝕劑的特性、成膜技術、顯影技術、超凈環(huán)境控制技術、刻蝕技術、硅片平整度、變形控制技術等也有極高的要求。因此,工藝過程的自動化和數(shù)學模型化是兩個重要的研究方向。
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