太陽(yáng)能光伏術(shù)語(yǔ)和名詞解釋(齊全)

　　A, Ampere的縮寫(xiě), 安培

　　a-Si, amorphous silicon的縮寫(xiě), 含氫的, 非結(jié)晶性硅。

　　Absorption, 吸收。

　　Absorption of the photons:光吸收;當(dāng)能量大于禁帶寬度的光子入射時(shí)，太陽(yáng)電池內(nèi)的電子能量從價(jià)帶遷到導(dǎo)帶，產(chǎn)生電子——空穴對(duì)的作用，稱為光吸收。

　　Absorptionscoefficient, 吸收系數(shù), 吸收強(qiáng)度。

　　AC, 交流電。

　　Ah, 安培小時(shí)。

　　Acceptor, 接收者, 在半導(dǎo)體中可以接收一個(gè)電子。

　　alternating current, 交流電，簡(jiǎn)稱“交流. 一般指大小和方向隨時(shí)間作周期性變化的電壓或電流. 它的最基本的形式是正弦電流. 我國(guó)交流電供電的標(biāo)準(zhǔn)頻率規(guī)定為50赫茲。交流電隨時(shí)間變化的形式可以是多種多樣的。不同變化形式的交流電其應(yīng)用范圍和產(chǎn)生的效果也是不同的。以正弦交流 電應(yīng)用最為廣泛，且其他非正弦交流電一般都可以經(jīng)過(guò)數(shù)學(xué)處理后，化成為正弦交流電的迭加。

　　AM, air mass的縮寫(xiě), 空氣質(zhì)量。

　　直射陽(yáng)光光束透過(guò)大氣層所通過(guò)的路程，以直射太陽(yáng)光束從天頂?shù)竭_(dá)海平面所通過(guò)的路程的倍數(shù)來(lái)表示。

　　當(dāng)大氣壓力P=1.013巴，天空無(wú)云時(shí)，海平面處的大氣質(zhì)量為1。

　　amorphous silicon solar cell:非晶硅太陽(yáng)電池(a—si太陽(yáng)電池)

　　用非晶硅材料及其合金制造的太陽(yáng)電池稱為非晶硅太陽(yáng)電池，亦稱無(wú)定形硅太陽(yáng)電池，簡(jiǎn)稱a—si太陽(yáng)電池。

　　Angle of inclination, 傾斜角，即電池板和水平方向的夾角，0-90度之間。

　　Anode, 陽(yáng)極, 正極。

　　B

　　Back Surface Field, 縮寫(xiě)B(tài)SF, 在晶體太陽(yáng)能電池板背部附加的電子層, 來(lái)提高電流值。

　　Bandbreak, 在半導(dǎo)體中, 價(jià)帶和導(dǎo)帶之間的空隙,對(duì)于半導(dǎo)體的吸收特性有重要意義。

　　Becquerel, Alexandre-Edmond, 法國(guó)物理學(xué)家, 在1839年發(fā)現(xiàn)了電池板效應(yīng)。

　　BSF, back surface field的縮寫(xiě)。

　　Bypas-Diode, 與太陽(yáng)能電池并聯(lián)的二極管, 當(dāng)一個(gè)太陽(yáng)能電池被擋住, 其他太陽(yáng)能電池產(chǎn)生的電流可以從它處通過(guò)。

　　C

　　Cadmium-Tellurid, 縮寫(xiě)CdTe; 位于II/VI位的半導(dǎo)體, 帶空隙值為1,45eV, 有很好的吸收性, 應(yīng)用于超薄太陽(yáng)能電池板, 或者是連接半導(dǎo)體。

　　Cathode, 陰極，或負(fù)極，是在電池板電解液里的帶負(fù)電的電極，是電池板電解液里帶電粒子和導(dǎo)線里導(dǎo)電電子的過(guò)渡點(diǎn)。

　　C-Si, crystalline-silicon的縮寫(xiě)。

　　Cell temperature:電池溫度 。系指太陽(yáng)電池中P-n結(jié)的溫度。

　　charge control, 充電控制器，在電池板設(shè)備和電池之間聯(lián)接。它控制并監(jiān)控充電的過(guò)程。其他的功能如MPP(最大功率點(diǎn)跟蹤)和保護(hù)電池不過(guò)多放電而損壞。

　　CIGS, Copper Indium Gallium Diselenide 的縮寫(xiě)。

　　CIS, Copper-Indium-Diselenide的縮寫(xiě)。

　　Concentrator solarcell, 濃縮電池板，借助反光鏡或是透鏡使陽(yáng)光匯聚在電池板上，缺點(diǎn)是要不停地控制它的焦點(diǎn)一直在電池板上，因?yàn)樘?yáng)在不停地動(dòng)。

　　Concentration? ratio:聚光率;聚光器接收到的陽(yáng)光光通量與太陽(yáng)電池接收到的光通量之比叫聚光率。

　　Conductibility, 當(dāng)金屬或半導(dǎo)體加上電磁場(chǎng)后，將會(huì)有一個(gè)和電磁場(chǎng)成比例增加的電流存在，該電流可以用電流密度來(lái)描述，即單位面積的電流強(qiáng)度。該電流強(qiáng)度越大，則說(shuō)明該物質(zhì)的導(dǎo)電能力越強(qiáng)，單位是S/cm2。西門子每平方厘米

　　Conduction band, 導(dǎo)帶，通過(guò)許多原子的交換效應(yīng)，在半導(dǎo)體內(nèi)部會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)帶和價(jià)帶，之間通過(guò)帶溝隔開(kāi)，電子可以運(yùn)動(dòng)到空穴里，空穴可以運(yùn)行到價(jià)帶里，例如在電磁場(chǎng)的作用下或通過(guò)傳播，空穴電子對(duì)等。

　　Connection semiconductor, 連接半導(dǎo)體，指由兩個(gè)或多個(gè)化學(xué)元素組成的半導(dǎo)體，如鎵砷，鎘碲，銅銦等。

　　Copper-Indium, 銅銦化合物，因?yàn)樵诒与姵匕謇锼哂泻芨叩奈漳芰Γ~的電子價(jià)帶具有1.0電子伏特，所以該化合物組成的電池板可以達(dá)到15.4%的效率。

　　Copper-Indium-Galium, 銅銦化合物化合物，因?yàn)樵诒与姵匕謇锼哂泻芨叩奈漳芰?，在摻雜鎵的銅的電子價(jià)帶具有1.0到2.7電子伏特，所以該化合物組成的電池板可以達(dá)到17.7%的效率。

　　Corn border, 多晶硅每個(gè)晶體之間的邊界，阻礙電荷的移動(dòng)，因此單晶硅的效率總的來(lái)說(shuō)比多晶硅高。

　　Crystal silicon, 晶體硅

　　Current, 電流，電流是指電荷的定向移動(dòng)。電流的大小稱為電流強(qiáng)度(簡(jiǎn)稱電流，符號(hào)為I)，是指單位時(shí)間內(nèi)通過(guò)導(dǎo)線某一截面的電荷量，每秒通過(guò)一庫(kù)侖的電量稱為一「安培」(A)。安培是國(guó)際單位制中所有電性的基本單位。 除了A，常用的單位有毫安(mA)及微安(μA) 。

　　Czochralsky-Procedure, 制造單晶體硅的方法, 從硅中熔煉出來(lái)。

　　D

　　DC, 直流電的縮寫(xiě)。

　　Degradation, 太陽(yáng)能電池板的效率會(huì)隨著光照時(shí)間增加而降低。

　　Diffusion, 電荷擴(kuò)散, 產(chǎn)生一個(gè)濃度層。

　　Diode, 二極管, 電流只能朝一個(gè)方向流動(dòng)。 太陽(yáng)能電池其實(shí)理論上就是一個(gè)大面積, 被照射的二極管, I/U曲線特性。

　　Donator, 捐贈(zèng)者, 在半導(dǎo)體中可給出一個(gè)電子。 對(duì)于硅, 原則上磷可作為捐贈(zèng)者。

　　Duennschichtsolarzelle, 一種不用晶片, 而是才用超薄技術(shù)生產(chǎn)出來(lái)的超薄太陽(yáng)能電池板, 其材料為a-Si:H, CdTe, CIS, GaAs。

　　Duennschichttechnik, 生產(chǎn)超薄太陽(yáng)能電池板的技術(shù), 直接從便宜的基層材料制作, 比如玻璃, 金屬層, 塑料層。 優(yōu)點(diǎn)是省材料, 能源, 可制作大面積的太陽(yáng)能電池板。 使用金屬為a-Si:H, CdTe, CIS, GaAs。

　　E