常見的復位電路 單片機復位電路的原理

對于復位電路大家應該都很熟悉，那么關于復位電路的原理和常見的復位電路你知道多少呢？本文將帶你探討復位電路的原理以及常見的復位電路都有哪些？

復位電路

復位電路由電容串聯(lián)電阻構成,由圖并結合"電容電壓不能突變"的性質,可以知道,當系統(tǒng)一上電,RST腳將會出現(xiàn)高電平,并且,這個高電平持續(xù)的時間由電路的RC值來決定.典型的51單片機當RST腳的高電平持續(xù)兩個機器周期以上就將復位,所以,適當組合RC的取值就可以保證可靠的復位.一般教科書推薦C 取10u,R取8.2K.當然也有其他取法的,原則就是要讓RC組合可以在RST腳上產(chǎn)生不少于2個機周期的高電平.至于如何具體定量計算,可以參考電路分析相關書籍. 晶振電路:典型的晶振取11.0592MHz(因為可以準確地得到9600波特率和19200波特率,用于有串口通訊的場合)/12MHz(產(chǎn)生精確的uS級時歇,方便定時操作)

常見的復位電路

80C51單片機復位電路

單片機的復位有上電復位和按鈕手動復位兩種。如圖2（a）所示為上電復位電路，圖（b）所示為上電按鍵復位電路。

上電復位是利用電容充電來實現(xiàn)的，即上電瞬間RST端的電位與VCC相同，隨著充電電流的減少，RST的電位逐漸下降。圖2（a）中的R是施密特觸發(fā)器輸入端的一個10K?下拉電阻，時間常數(shù)為10×10-6×10×103=100ms。只要VCC的上升時間不超過1ms，振蕩器建立時間不超過10ms，這個時間常數(shù)足以保證完成復位操作。上電復位所需的最短時間是振蕩周期建立時間加上2個機器周期時間，在這個時間內RST的電平應維持高于施密特觸發(fā)器的下閾值。

上電按鍵復位2（b）所示。當按下復位按鍵時，RST端產(chǎn)生高電平，使單片機復位。復位后，其片內各寄存器狀態(tài)見表，片內RAM內容不變。

c51單片機復位電路

如S22復位鍵按下時：RST經(jīng)1k電阻接VCC，獲得10k電阻上所分得電壓，形成高電平，進入“復位狀態(tài)”

當S22復位鍵斷開時：RST經(jīng)10k電阻接地，電流降為0，電阻上的電壓也將為0，RST降為低電平，開始正常工作。

單片機上電復位電路

AT89C51的上電復位電路如圖2所示，只要在RST復位輸入引腳上接一電容至Vcc端，下接一個電阻到地即可。對于CMOS型單片機，由于在RST端內部有一個下拉電阻，故可將外部電阻去掉，而將外接電容減至1μF。上電復位的工作過程是在加電時，復位電路通過電 容加給RST端一個短暫的高電平信號，此高電平信號隨著Vcc對電容的充電過程而逐漸回落，即RST端的高電平持續(xù)時間取決于電容的充電時間。為了保證系統(tǒng)能夠可靠地復位，RST端的高電平信號必須維持足夠長的時間。上電時，Vcc的上升時間約為10ms，而振蕩器的起振時間取決于振蕩頻率，如晶振頻率為10MHz，起振時間為1ms；晶振頻率為1MHz，起振時間則為10ms。在圖2的復位電路中，當Vcc掉電時，必然會使RST端電壓迅速下降到0V以下，但是，由于內部電路的限制作用，這個負電壓將不會對器件產(chǎn)生損害。另外，在復位期間，端口引腳處于隨機狀態(tài)，復位后，系統(tǒng)將端口置為全“l(fā)”態(tài)。如果系統(tǒng)在上電時得不到有效的復位，則程序計數(shù)器PC將得不到一個合適的初值，因此，CPU可能會從一個未被定義的位置開始執(zhí)行程序。

積分型上電復位：

常用的上電或開關復位電路如圖3所示。上電后，由于電容C3的充電和反相門的作用，使RST持續(xù)一段時間的高電平。當單片機已在運行當中時，按下復位鍵K后松開，也能使RST為一段時間的高電平，從而實現(xiàn)上電或開關復位的操作。

根據(jù)實際操作的經(jīng)驗，下面給出這種復位電路的電容、電阻參考值。

圖3中：C：＝1uF，Rl＝lk，R2＝10k

積分型上電復位電路圖

專用芯片復位電路

上電復位電路 在控制系統(tǒng)中的作用是啟動單片機開始工作。但在電源上電以及在正常工作時電壓異?；蚋蓴_時，電源會有一些不穩(wěn)定的因素，為單片機工作的穩(wěn)定性可能帶來嚴重的影響。因此，在電源上電時延時輸出給芯片輸出一復位信號。上復位電路另一個作用是，監(jiān)視正常工作時電源電壓。若電源有異常則會進行強制復位。復位輸出腳輸出低電平需要持續(xù)三個（12/fc s）或者更多的指令周期，復位程序開始初始化芯片內部的初始狀態(tài)。等待接受輸入信號（若如遙控器的信號等）。

高低電平復位電路

51單片機要求的是：高電平復位。上圖是51單片機的復位電路。在上電的瞬間，電容器充電，充電電流在電阻上形成的電壓為高電平（可按照歐姆定律來分析）；幾個毫秒之后，電容器充滿，電流為0，電阻上的電壓也就為低電平了，這時，51單片機將進入正常工作狀態(tài)。圖1是用來產(chǎn)生低電平復位信號的。

單片機復位電路的原理

復位電路的目的就是在上電的瞬間提供一個與正常工作狀態(tài)下相反的電平。一般利用電容電壓不能突變的原理,將電容與電阻串聯(lián),上電時刻,電容沒有充電,兩端電壓為零,此時,提供復位脈沖,電源不斷的給電容充電,直至電容兩端電壓為電源電壓,電路進入正常工作狀態(tài)。

關于單片機復位電路，以前做的一點小筆記和文摘，在這里做一個綜述，一方面，由于我自己做的面包板上的復位電路按鍵無效，于是又回過頭來重新整理了一下，供自己復習，另一方面大家一起交流學習。在我看來，讀書，重在交流，不管你學什么，交流，可以讓你深刻的理解你所思考的問題，可以深化你的記憶，更會讓你識得人生的朋友。

最近在學ARM，ARM處理器的復位電路比單片機的復位電路有講究，比起單片機可靠性要求更高了。先讓我自己來回憶一下單片機復位電路吧。

先說原理。上電復位POR(Pmver On Reset)實質上就是上電延時復位，也就是在上電延時期間把單片機鎖定在復位狀態(tài)上。 為什么在每次單片機接通電源時，都需要加入一定的延遲時間呢?分析如下。

上電復位時序

在單片機及其應用電路每次上電的過程中，由于電源同路中通常存在一些容量大小不等的濾波電容，使得單片機芯片在其電源引腳VCC和VSS之間所感受到的電源電壓值VDD，是從低到高逐漸上升的。該過程所持續(xù)的時間一般為1～100ms。上電延時的定義是電源電壓從lO％VDD上升到90％VDD所需的時間。在單片機電壓源電壓上升到適合內部振蕩電路運行的范圍并且穩(wěn)定下來之后，時鐘振蕩器開始了啟動過程(具體包括偏置、起振、鎖定和穩(wěn)定幾個過程)。該過程所持續(xù)的時間一般為1～50 ms。起振延時的定義是時鐘振蕩器輸出信號的高電平達到10％VDD所需的時間。例如，對于常見的單片機型號AT和AT89S，廠家給出的這個值為0．7VDD～VDD+0．5V。從理論上講，單片機每次上電復位所需的最短延時應該不小于treset。從實際上講，延遲一個treset往往還不夠，不能夠保障單片機有一個良好的工作開端。在單片機每次初始加電的時候，首先投入工作的部件是復位電路。復位電路把單片機鎖定在復位狀態(tài)上并且維持一個延時，以便給予電源電壓從上升到穩(wěn)定的一個等待時間；在電源電壓穩(wěn)定之后，再插入一個延時，給予始終振蕩器從起振到穩(wěn)定的一個等待時間；在單片機開始進入運行狀態(tài)之前，還要至少推遲2個及其周期的延時。

結語

單片機復位電路就好比電腦的重啟部分，當電腦在使用中出現(xiàn)死機，按下重啟按鈕電腦內部的程序從頭開始執(zhí)行。單片機也一樣，當單片機系統(tǒng)在運行中，受到環(huán)境干擾出現(xiàn)程序跑飛的時候，按下復位按鈕內部的程序自動從頭開始執(zhí)行。?

本文只要介紹了復位電路的原理以及4類常見的復位電路，希望通過本文能你對復位電路有更深的了解。