干貨：嵌入式中參數存儲的一種方式詳細教程

如果有幾個設置參數需要存儲到Flash中，我們一般會怎么存儲呢？將不同的參數都存儲到不同的頁中，還是將這幾個參數捆綁成一種結構體，每次修改都同時寫入一次呢？

將參數存儲到固定的地址，則每個參數都將占用Flash的一個塊。而將全部參數捆綁一起存入Flash塊中，那么只有一個參數修改時，也需要將全部參數一起存一遍。那么有什么更好的方法嗎？

前段時間學習Msos，看到其中使用的參數存儲的方法設計的很好，它將參數的變量地址與值，一同存儲入Flash中。出彩之處是使用參數的變量地址來標記不同的變量。

一、數據結構

這種存儲方式使用兩個數據結構：

typedef struct

{

uint Address; //參數變量的地址

uint Data; //參數變量的值

}CellStruct;

要存儲某個變量，需要將這個變量的地址和它的值一同存儲到存儲區(qū)。這種存儲方式的核心就是這個數據結構。這樣就可以使用*（（uint *）（Address）） = Data 直接將存儲值賦值給對應的變量。簡單的說就是根據地址值來標記各個不同的參數。

2.存儲區(qū)的數據結構

typedef struct {

二、代碼解析

這種存儲方式的使用兩個函數：

讀取存儲區(qū)中的變量值并更新變量的值

變量的存儲函數

2.1 參數的讀取

流程圖如上，主要步驟如下：

根據Flash中存寫的變量地址，更新變量的值；

將Flash中存寫的地址值存入臨時數組中，并根據地址值判斷是否存在重復存儲的無效數據，并將無效數組失效；

清空Flash存儲區(qū)，將臨時數組中有效的變量重新存入Flash中。

通過這些步驟，將存儲區(qū)中存儲的變量讀出，并將存儲區(qū)中的重復的無效數據清除。下面是源代碼：

#define pUint（address） *（（uint *）（address）） #define PageSize 1024 //Stm32F103R8T6 1Page=1024Byte #define ParameterAddress （FLASH_BASE + （63 * 1024）） #define ParameterSpace PageSize / 4 / 2 static void ReadAllParameter（void） { bool CleanFlag; int i， j;

2.2 參數的寫入

參數的寫入就很簡單了，根據數據結構中的寫入點，將變量的地址與值寫入Flash中。

static bool WriteParameter（void * dataPointer） {

2.3 使用方法

使用方法：

每次上電啟動時，調用讀取全部變量的函數；

修改某個參數的時候，調用寫參數函數；

三、注意事項

在讀取參數時，需要在RAM中建立一個ParameterSpace大小的數組，如果這個值太大，會超過棧的大小，使得內存溢出。因此存儲區(qū)不能開辟的太大。

四、總結

這種方式使用簡便，尤其是在更新變量值時，根據存儲的變量地址更新相應的值。其實其本質與我們使用變量名來標記不同的變量是一樣的。不過也有缺點：

首先其同時存儲變量的地址與變量的值，相當于多使用一倍的存儲空間；

像上面的注意事項中說的，存儲區(qū)不能開辟的過大，否則會使臨時數組超過棧的大小。