mig接口的讀寫時序

1 mig接口說明

對于mig與DDR3/DDR2 SDRAM的讀寫時序我們不需要了解太多，交給mig就可以了。我們需要做的是控制好User Interface，寫出正確的User logic。想要寫好Userlogic，我們就必須清楚每一個用戶控制接口的含義：

a. app_addr［ADDR_WIDTH – 1:0］：此輸入指示當(dāng)前提交給UI的請求的地址。 UI聚合外部SDRAM的所有地址字段，并為您提供平面地址空間（Rank，bank，row，colum）。

b. app_cmd［2:0］：此輸入指定當(dāng)前提交給UI的請求的命令。

c. app_en：此輸入在請求中變化。您必須將所需的值應(yīng)用于app_addr ［］和app_cmd ［2：0］，然后斷言app_en以將請求提交給UI。這會通過斷言app_rdy來啟動UI確認(rèn)的握手。

d. app_wdf_data［APP_DATA_WIDTH – 1:0］：該總線提供當(dāng)前正在寫入外部存儲器的數(shù)據(jù)。

e. app_wdf_end：此輸入指示當(dāng)前周期中app_wdf_data ［］總線上的數(shù)據(jù)是當(dāng)前請求的最后一個數(shù)據(jù)。

f. app_wdf_wren：此輸入表示app_wdf_data ［］總線上的數(shù)據(jù)有效。

g. app_wdf_rdy：此輸出表示寫數(shù)據(jù)FIFO已準(zhǔn)備好接收數(shù)據(jù)。當(dāng)app_wdf_rdy和app_wdf_wren都被聲明時，接受寫入數(shù)據(jù)。

h. app_wdf_mask［APP_MASK_WIDTH – 1:0］：該總線指示app_wdf_data ［］的哪些字節(jié)寫入外部存儲器以及哪些字節(jié)保持其當(dāng)前狀態(tài)。通過將值1設(shè)置為app_wdf_mask中的相應(yīng)位來屏蔽字節(jié)。例如，如果應(yīng)用程序數(shù)據(jù)寬度為256，則掩碼寬度取值為32. app_wdf_data的最低有效字節(jié)［7：0］使用app_wdf_mask的Bit ［0］屏蔽，app_wdf_data的最高有效字節(jié)［255：248］使用app_wdf_mask的Bit ［31］屏蔽。因此，如果必須屏蔽最后一個DWORD，即app_wdf_data的字節(jié)0，1，2和3，則app_wdf_mask應(yīng)設(shè)置為32‘h0000_000F。

i. app_rdy：此輸出指示您是否接受當(dāng)前提交給UI的請求。如果在確認(rèn)app_en后UI未聲明此信號，則必須重試當(dāng)前請求。如果出現(xiàn)以下情況，則不會聲明app_rdy輸出：

1》PHY /內(nèi)存初始化尚未完成;

2》所有bank都被占用（可以看作命令緩沖區(qū)已滿）;

3》請求讀取并且讀取緩沖區(qū)已滿;

4》請求寫入，沒有可用的寫緩沖區(qū)指針;

5》正在插入定期讀取。

j. app_rd_data［APP_DATA_WIDTH – 1:0］：此輸出包含從外部存儲器讀取的數(shù)據(jù)。

k. app_rd_data_end：此輸出表示當(dāng)前周期中app_rd_data ［］總線上的數(shù)據(jù)是當(dāng)前請求的最后一個數(shù)據(jù)。

l. app_rd_data_valid：此輸出表明app_rd_data ［］總線上的數(shù)據(jù)有效。

m. ui_clk_sync_rst：reset信號來自于UI，與ui_clk同步。

n. ui_clk：這是UI的輸出時鐘。它必須是輸出到外部SDRAM的時鐘頻率的一半或四分之一，這取決于在GUI中選擇的2：1或4：1模式。

o. init_calib_complete：校準(zhǔn)完成后，PHY將init_calib_complete置‘1’。在將命令發(fā)送到內(nèi)存控制器之前，應(yīng)用程序無需等待init_calib_complete。

p. app_ref_req：置位時，此高電平有效輸入請求內(nèi)存控制器向DRAM發(fā)送刷新命令。它必須在一個周期內(nèi)進(jìn)行脈沖以發(fā)出請求，直到app_ref_ack信號被置位以確認(rèn)請求并指示它已被發(fā)送，然后置為無效。

q. app_ref_ack：置位時，此高電平有效輸入確認(rèn)刷新請求，并指示該命令已從存儲器控制器發(fā)送到PHY。

r. app_zq_req：置位時，此高電平有效輸入請求存儲器控制器向DRAM發(fā)送ZQ校準(zhǔn)命令。它必須在一個周期內(nèi)進(jìn)行脈沖以發(fā)出請求，直到app_zq_ack信號被置位以確認(rèn)請求并指示它已被發(fā)送，然后取消置位。

s. app_zq_ack：置位時，此高電平有效輸入確認(rèn)ZQ校準(zhǔn)請求，并指示該命令已從存儲器控制器發(fā)送到PHY。

了解了每個信號的作用我們來講解mig 用戶邏輯的讀寫時序。

2 命令與地址

如上圖所示①，②，③情況，只有在③時刻app_en和app_rdy同時為高電平app_cmd（命令）和（app_addr）地址才有效，所以當(dāng)需要app_cmd，app_addr有效時app_en必須保持到app_rdy為高電平才有效。

3寫時序

如上圖所示①，②，③種情況，寫命令和寫數(shù)據(jù)直接存在三種邏輯關(guān)系。

1，①表示寫命令（app_cmd），寫當(dāng)前地址（app_addr）和寫數(shù)據(jù)（app_wdf_data）以及寫控制信號（app_en，app_rdy，app_wdf_rdy，app_wdf_wren，app_wdf_end）同時有效。

2，②表示寫數(shù)據(jù)（app_wdf_data）和寫控制信號（app_wdf_wren，app_wdf_end）先于寫命令（app_cmd）和寫當(dāng)前地址（app_addr）以及其他寫控制信號（app_en，app_rdy，app_wdf_rdy）一個用戶時鐘（ui_clk）。

3，③表示寫數(shù)據(jù)（app_wdf_data）和寫控制信號（app_wdf_wren，app_wdf_end）遲于寫命令（app_cmd）和寫當(dāng)前地址（app_addr）以及其他寫控制信號（app_en，app_rdy，app_wdf_rdy）。最多兩個用戶時鐘（ui_clk）。

4讀時序

如上圖所示，當(dāng)讀命令（app_cmd）和當(dāng)前讀地址（app_addr）以及讀控制信號（app_en，app_rdy）同時有效時，等待讀數(shù)據(jù)有效信號（app_rd_data_valid）有效時讀數(shù)據(jù)（app_rd_data）有效。