模塊控制 - 常用at命令簡要說明

本文主要對電路設(shè)計常用接口類型進(jìn)行了簡要說明，下面一起來學(xué)習(xí)一下。

射隨，射極跟隨器的簡稱，也就是共集電極放大器。電路形式有以下兩種。

作為后端開發(fā)，這些常用命令不得不會，掌握這些命令，工作上會事半功倍，提供工作效率。

本文對eMMC 5.1協(xié)議定義的命令做一個簡單的說明，以便在使用具體的命令時有個參考。

為了方便用戶使用，這里列出了常用的API，并給出了相關(guān)的使用說明。

今天總結(jié)幾個非常常用的Linux命令，其中有幾個在面試中很可能問相關(guān)命令的原理，比如后臺運行命令。希望對大家有所幫助，最好自己去嘗試在Linux操作系統(tǒng)中實踐一下。

當(dāng)我們提起NMOS的可靠性的時候，大家隨口就說HCI (Hot Carrier Injection)，她主要是由于短溝道效應(yīng)導(dǎo)致的電子碰撞產(chǎn)生電子空穴對，而空穴被垂直柵極電場推進(jìn)了substrate就成了Isub，而電子被Inject到gate端，與Si/SiO2的界面Si-H鍵碰撞使得Si-H鍵破裂重新產(chǎn)生界面陷阱電荷(Dit)，但是NMOS的Dit是產(chǎn)生在靠近Drain端的Gate OX哦，因為那里是pinch-off點，載流子最多碰撞幾率最高。當(dāng)然HCI只適用于NMOS，因為只有電子才有足夠的動能(E=1/2*mV^2，公式里面速度比重量更重要)，所以只有熱電子撞擊晶格才能產(chǎn)生電子空穴對(Impact Ionization)，而她的表征參數(shù)就是Isub。(留給大家兩個問題，第一個為什么Isub總是約等于1/2Vdd？第二個問題為什么Isub-Vg曲線總是先上升，然后再下降？甚至LDMOS還有有第二個峰？)那么PMOS呢？難道她就不會decade？當(dāng)然不是！雖然PMOS沒有熱電子，但是PMOS也有g(shù)ate垂直電場，當(dāng)PMOS工作在反型區(qū)(Vgs Si-H鍵破裂 -> "H"擴散到SiO2或Bulk ->Dit的產(chǎn)生。所以類似氧化的模型剛開始是Si-H破裂主導(dǎo)，后來到H/H2擴散主導(dǎo)。公式我就不講了，也講不清楚。根據(jù)定性的模型講解，NBTI和什么東西有關(guān)？首先是溝道長度L，長度越長越嚴(yán)重。其次是Idsat比Idlin嚴(yán)重，第三個是薄GOX比厚的嚴(yán)重。大家自己想一下吧，我也是自己想的。NBTI的恢復(fù)特性，一般情況下，當(dāng)應(yīng)力結(jié)束(Vg為正)的時候，退化特性又會恢復(fù)，時間越長恢復(fù)越徹底，這主要是剛剛裂解的“H”又過來填補了Dit，但是如果那個H跑太遠(yuǎn)了就回不來了也就無法恢復(fù)了，所以溫度越高越難恢復(fù)。NBTI的影響因素？氮元素會降低Si-H的激活能，主要是Stress問題，所以界面盡量減少"N"濃度不過等離子氮化制程是例外哦，她是可以抑制NBTI的。另外還有“F”也會改善NBTI，她主要是釋放界面應(yīng)力，切Si-F鍵比Si-H鍵更穩(wěn)定。另外一個比“Si-H”鍵更穩(wěn)定的是Si-D (氘/dāo, 氫的二價同位素)，氘因為有一個中子，所以她質(zhì)量更大更穩(wěn)定，理論上用她來alloy會更好，只是她不適合用在process里。另外boron penetration也會使得NBTI更不好，因為GOX也會吸硼排磷進(jìn)入到GOX的boron使得GOX生長的Si-O鍵不完整產(chǎn)生Dit。原作者：芯苑

SPI，全稱 Serial Peripheral Interface ，即 串行外設(shè)接口 的意思，其作為一種同步、全雙工、主從模式通訊接口，廣泛應(yīng)用于各種片上微控制器與外設(shè)之間的通訊。本文簡要說明

簡要設(shè)計命令，希望能幫到你?。?/div>