描述dcreg12v3a mj2955 lm78122955 MJ晶體管的作用是作為電流放大器，使輸出電流達(dá)到安培單位，通常如果沒(méi)有晶體管這個(gè)電路只能達(dá)到毫安單位。出于電源的目的，晶體管必須不斷地
2022-09-05 06:18:39
控制流過(guò)發(fā)射極-集電極電路的電流?！ 」枘Ｐ汀 ∠?050這樣的硅晶體管通常在基極電壓比發(fā)射極高0.65伏時(shí)接通。發(fā)射極基極電路通常設(shè)置為提供接近觸發(fā)點(diǎn)的預(yù)設(shè)電壓。這稱為偏差。當(dāng)晶體管導(dǎo)通時(shí)，輸出遵循
2023-02-16 18:22:30
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒(méi)有問(wèn)題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過(guò)每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極管，mos管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)?。?！
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)
2012-04-19 06:47:38
通。晶體管導(dǎo)通時(shí)，開(kāi)關(guān)就導(dǎo)通，并且允許電流通過(guò)該管。晶體管開(kāi)關(guān)工作方式的電路通常采用集電極開(kāi)路的連接方式晶體管作為電子開(kāi)關(guān)使用時(shí)，能夠?qū)Ρ豢貙?duì)象進(jìn)行控制，諸如LED、電動(dòng)機(jī)、繼電器線圈等。應(yīng)為此時(shí)晶體管
2017-03-28 15:54:24
晶體管圖示儀器是用來(lái)測(cè)量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實(shí)驗(yàn)、教學(xué)和工程中通過(guò)使用圖示儀，可以獲得晶體管的實(shí)際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
管的E極接A點(diǎn)，C極接B點(diǎn)；NPN管的E有接B點(diǎn)，C極接A點(diǎn)）后，調(diào)節(jié)電源電壓，當(dāng)發(fā)光二極管LED點(diǎn)亮?xí)r，A、B兩端之間的電壓值即是晶體管的反向擊穿電壓。(本文由Cogo商城-IC元器件在線采購(gòu)平臺(tái)
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
供應(yīng)晶圓芯片，型號(hào)有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號(hào)晶體管，開(kāi)關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請(qǐng)聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書(shū)籍！`
2016-11-08 14:12:33
2．1．1 5倍的放大 2．1．2 基極偏置電壓 2．1．3 基極-發(fā)射極間電壓為0．6V 2．1．4 兩種類型的晶體管 [hide]晶體管電路設(shè)計(jì).pdf[/hide]
2009-11-20 09:41:18
，故穩(wěn)定性較好。由于硅管ICEO很小，故一般已不作為主要參數(shù)。(6) 集電極反向電流ICBOICBO是指晶體管發(fā)射極開(kāi)路時(shí)的集電極反向電流。晶體管的ICEO約為ICBO的β倍，故ICEO要明顯大于ICBO。(7) 特征頻率FT FT越高，晶體管的高頻性能越好，也就是可工作的頻率越高。
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-04-10 06:20:24
不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結(jié)構(gòu)和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中，分功率型和小信號(hào)型，IGBT原本是為處理大功率而開(kāi)發(fā)
2018-11-28 14:29:28
和小信號(hào)型，IGBT原本是為處理大功率而開(kāi)發(fā)的晶體管，因此基本上僅有功率型。 順便提一下，MOSFET為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
2020-06-09 07:34:33
即是內(nèi)置了電阻的晶體管。數(shù)字晶體管有諸多優(yōu)點(diǎn)如：1. 安裝面積減少 2. 安裝時(shí)間減 3. 部件數(shù)量減少 等等。數(shù)字晶體管是ROHM的專利。內(nèi)置電阻的晶體管是由ROHM最早開(kāi)發(fā)并取得專利的。5. 基極
2019-07-23 00:07:18
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開(kāi)關(guān)有很多優(yōu)點(diǎn)，主要是；(1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，(2)開(kāi)關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
即是內(nèi)置了電阻的晶體管。數(shù)字晶體管有諸多優(yōu)點(diǎn)如：1. 安裝面積減少 2. 安裝時(shí)間減 3. 部件數(shù)量減少 等等。數(shù)字晶體管是ROHM的專利。內(nèi)置電阻的晶體管是由ROHM最早開(kāi)發(fā)并取得專利的。5. 基極
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多，不同的電子設(shè)備與不同的電子電路，對(duì)晶體管各項(xiàng)性能指標(biāo)的要求是不同的。所以，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求來(lái)選擇不同用途，不同類型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號(hào)處理（例如
2012-01-28 11:27:38
強(qiáng)弱?？刂颇芰?b class="flag-6" style="color: red">強(qiáng)，則放大大。但如果要從晶體管內(nèi)部的電子、空穴在PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)的作用下，電子、空穴是如何運(yùn)動(dòng)的、晶體管的內(nèi)電場(chǎng)對(duì)電子、空穴是如何控制的等一些物理過(guò)程來(lái)看，就比較復(fù)雜了。對(duì)這個(gè)問(wèn)題，許多
2012-02-13 01:14:04
分為硅管和鍺管兩類。 晶體管內(nèi)部結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是發(fā)射區(qū)的摻雜濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于基區(qū)摻雜濃度，并且基區(qū)很薄，集電結(jié)的面積比發(fā)射結(jié)面積大。這是晶體管具有放大能力的內(nèi)部條件。 2. 電流分配與放大作用 體管具有放大能力
2021-05-13 06:43:22
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒(méi)有問(wèn)題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
一臺(tái)晶體管測(cè)試儀，能測(cè)到5千伏就行。但是這兩種東西網(wǎng)上搜了一下成品的安捷倫吉時(shí)利太貴了，其他的好像都需要定制。所以想來(lái)問(wèn)一下有沒(méi)有用過(guò)類似的，或者國(guó)內(nèi)有哪家比較靠譜的。
2022-04-02 14:39:37
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
晶體管配對(duì)
2017-08-24 18:48:13
AM81214-030晶體管產(chǎn)品介紹AM81214-030報(bào)價(jià)AM81214-030代理AM81214-030咨詢熱線AM81214-030現(xiàn)貨,王先生深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司ASI為UHF，航空
2018-07-17 15:08:03
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過(guò)壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見(jiàn)晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
變化的β倍， 也就是說(shuō)，電流變化放大了β倍，所以我們稱之為β晶體管的放大倍率（β一般遠(yuǎn)大于1）。如果我們?cè)诨鶚O和發(fā)射極之間增加一個(gè)變化的小信號(hào)，它會(huì)導(dǎo)致基極電流Ib的變化。Ib的變化被放大后，會(huì)導(dǎo)致
2023-02-08 15:19:23
NPT2020射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPT2020報(bào)價(jià)NPT2020代理NPT2020咨詢熱線NPT2020現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司, MACOM公司的開(kāi)關(guān)和衰減器專用PIN二極管
2018-09-26 09:04:23
發(fā)射極始終偏置為負(fù)，因此基極和發(fā)射極（VBE）之間的電壓現(xiàn)在在基極為負(fù)，在發(fā)射極為正。此外，發(fā)射極電源電壓相對(duì)于集電極（VCE）為正。因此，要使PNP晶體管導(dǎo)通，發(fā)射極必須始終比基極和集電極更正。如圖所示
2023-02-03 09:44:48
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
最高的晶體管密度。超微縮指的是英特爾在14納米和10納米制程節(jié)點(diǎn)上提升2.7倍晶體管密度的技術(shù)。在此次“英特爾精尖制造日”活動(dòng)上，英特爾“Cannon Lake”10納米晶圓全球首次公開(kāi)亮相。馬博還演示
2017-09-22 11:08:53
`內(nèi)容簡(jiǎn)介：《晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書(shū)”之一，共分上下二冊(cè)?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)作為上冊(cè)主要內(nèi)容有晶體管工作原理，放大電路的性能、設(shè)計(jì)與應(yīng)用，射極跟隨器的性能與應(yīng)用電
2017-07-25 15:29:55
輸出;還可以把基極電流lb放大β倍，然后在集電極以Ic形式輸出。（2）場(chǎng)效應(yīng)晶體管含義：原件要比晶體管小得多晶體管就是一個(gè)小硅片 但是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)要比晶體管的要復(fù)雜場(chǎng)效應(yīng)管的溝道一般是幾個(gè)納米
2019-04-09 11:37:36
Nano-Proprietary旗下的Applied Nanotech公司與Funai Electric先進(jìn)應(yīng)用技術(shù)研究所日前宣布，雙方將針對(duì)一個(gè)研究項(xiàng)目進(jìn)行合作，共同開(kāi)發(fā)基于酶涂層碳納米管
2018-11-19 15:20:44
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
的晶體管。隨著半導(dǎo)體刻蝕技術(shù)的發(fā)展，大規(guī)模集成電路的集成度越來(lái)越高。以動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）為例，其集成度正以每?jī)赡杲?b class="flag-6" style="color: red">倍的速度增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)單電子晶體管將是最終目標(biāo)。目前，平均存儲(chǔ)器包含
2023-02-03 09:36:05
晶體管通道完全閉合；二維過(guò)渡金屬二硫化物受損于其比透明導(dǎo)電氧化物還低的載流子遷移率?！ ≡谛录悠?麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟，正在先行研發(fā)一種有前景的替代材料：GaN。從光學(xué)角度看，GaN的帶隙為
2020-11-27 16:30:52
摻雜水平的p型半導(dǎo)體材料制成。發(fā)射器摻雜的供體雜質(zhì)比收集器高得多，而收集物的摻雜水平遠(yuǎn)低于發(fā)射器。NPN晶體管的偏置排列與PNP晶體管的偏置排列相反。電壓已反轉(zhuǎn)。電子具有比空穴更高的遷移率，是NPN類型
2023-02-03 09:50:59
，這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負(fù)載失配。但這些晶體管真的無(wú)懈可擊嗎？這種耐用性適用于哪些類型的應(yīng)用？
2019-08-22 08:14:59
功率設(shè)計(jì)通常與集成電路 （IC） 邏輯一起使用，以驅(qū)動(dòng)螺線管、發(fā)光二極管 （LED） 顯示器和其他小負(fù)載?！ ∨c使用標(biāo)準(zhǔn)單晶體管相比，達(dá)林頓晶體管設(shè)計(jì)具有多個(gè)優(yōu)勢(shì)。該對(duì)中每個(gè)晶體管的增益相乘，從而產(chǎn)生
2023-02-16 18:19:11
FinFET成為它們的替代品。鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管比平面 MOSFET 更好地阻斷短通道效應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)晶體管縮放?！ ∑矫嬖O(shè)計(jì)不會(huì)超出 30 nm 的柵極長(zhǎng)度。柵極氧化物停止密封源頭上的柵極控制，漏極較弱
2023-02-24 15:25:29
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
請(qǐng)教：?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置，有人說(shuō)是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
做了一個(gè)單結(jié)晶體管仿真（電力電子技術(shù)的初學(xué)者）。有個(gè)問(wèn)題請(qǐng)教于各位高手。1：開(kāi)關(guān)初始時(shí)刻是閉合的時(shí)候，點(diǎn)擊仿真，發(fā)光二極管不亮 。:2：初始時(shí)刻，開(kāi)關(guān)打開(kāi)，點(diǎn)擊仿真后，點(diǎn)擊開(kāi)關(guān)閉合，二極管開(kāi)始閃爍。按照道理來(lái)說(shuō)。情境1與情境2不應(yīng)該是一樣的嗎，為什么會(huì)有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽(yáng)極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
。場(chǎng)效應(yīng)晶體管有時(shí)被稱為單極性晶體管，以它的單載流子型作用對(duì)比雙極性晶體管（bipolar juncTIon transistors，縮寫(xiě)：BJT）。盡管由于半導(dǎo)體材料的限制，以及曾經(jīng)雙極性晶體管比
2019-05-08 09:26:37
、漏極電流等參數(shù)。選用音頻功率放大器推挽輸出用VMOS大功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管時(shí)，要求兩管的各項(xiàng)參數(shù)要一致（配對(duì)），要有一定的功率余量。所選大功率管的最大耗散功率應(yīng)為放大器輸出功率的0.5~1倍,漏源擊穿電壓應(yīng)為功放工作電壓的2倍以上。
2021-05-13 07:10:20
載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。（4）場(chǎng)效應(yīng)管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51
）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
晶體管開(kāi)關(guān)對(duì)電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開(kāi)關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級(jí)的特性和配置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開(kāi)關(guān)對(duì)于低直流開(kāi)/關(guān)開(kāi)關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
們測(cè)量NPN管時(shí)，正極測(cè)試引線連接到發(fā)射極，負(fù)極測(cè)試引線連接到集電極。測(cè)得的電阻一般應(yīng)超過(guò)幾千歐姆?！ ∪缓笤诨鶚O和集電極之間串聯(lián)一個(gè)100kΩ電阻。此時(shí)，萬(wàn)用表測(cè)量的電阻值應(yīng)顯著降低。變化越大，晶體管
2023-02-14 18:04:16
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開(kāi)關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
，這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于65.0:1的電壓駐波比(VSWR)的負(fù)載失配。但這些晶體管真的無(wú)懈可擊嗎？這種耐用性適用于哪些類型的應(yīng)用？
2019-08-22 06:13:27
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過(guò)什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
發(fā)光二極管(OLED)的有機(jī)層比液晶顯示器(lcd)和發(fā)光二極管(led)中使用的晶體層更薄，也更輕。目前，oled 的厚度小于2毫米，而 LCD 的厚度為4-6毫米。有機(jī)發(fā)光二極管的厚度可能會(huì)進(jìn)一步下降
2022-04-04 10:31:10
CN5711是一款電流調(diào)制集成電路，恒定輸出電流可達(dá)1.5A，可以用來(lái)驅(qū)動(dòng)包括白色發(fā)光二極管在內(nèi)的各類發(fā)光二極管。CN5711的LED端電流通過(guò)一個(gè)外部的電阻設(shè)置，電流范圍為30mA到1.5A。芯片
2015-05-06 17:16:52
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計(jì)算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2，使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流Iomax大?！?Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基礎(chǔ)上計(jì)算將R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V這一組最差數(shù)值代入式子②計(jì)算。根據(jù)下面的式子選擇數(shù)字晶體管的電阻R1、R2，使數(shù)字晶體管的IC比使用設(shè)備上的最大輸出電流
2019-04-09 21:49:36
急需一種流動(dòng)性更強(qiáng)的新材料來(lái)替代硅。三五族材料砷化銦鎵就是候選半導(dǎo)體之一，普渡大學(xué)通過(guò)這種材料做出了全球首款3D環(huán)繞閘極(gate-all-around)晶體管。此外，三五族合金納米管將把閘極長(zhǎng)度
2011-12-08 00:01:44
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
，LLC初級(jí)側(cè)電流ILr由次級(jí)側(cè)電流除以變壓器匝數(shù)比n和磁化電流ILm的疊加組成。磁化電流不會(huì)傳遞到輸出端，而是需要對(duì)晶體管的寄生輸出電容以及變壓器繞組內(nèi)和繞組間電容的組合放電，從而實(shí)現(xiàn)晶體管導(dǎo)通的零
2023-02-27 09:37:29
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
如何用晶體管搭建一個(gè)放大電路，要求輸入為1V，輸出至少放大一倍，這么大的輸入怎么做到不失真呢？
2016-06-11 16:17:59
用IBM43RF0100EV評(píng)估板評(píng)估IBM43RF0100 SiGe晶體管性能
2009-05-12 11:46:34
Ib放大β倍，然后在集電極以Ic形式輸出。二、場(chǎng)效應(yīng)晶體管：原件要比晶體管小得多.晶體管就是一個(gè)小硅片.但是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)要比晶體管的要復(fù)雜.場(chǎng)效應(yīng)管的溝道一般是幾個(gè)納米,也就是說(shuō)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2019-03-27 11:36:30
CoolGaN?晶體管特性設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)電路如圖1所示。為確保柵極驅(qū)動(dòng)正常，驅(qū)動(dòng)電壓VS的峰值需要超過(guò)VF的兩倍（通常使用8V～10V），通過(guò)Ron提供了一條瞬態(tài)低阻抗高速AC路徑來(lái)為Con和CGS充電，然后
2021-01-19 16:48:15
碳納米管/ TiO2 電極光電催化測(cè)定耐蘭方法探討摘要:自合成二氧化鈦2碳納米管( TiO22CN T) 復(fù)合催化劑,用Nafion 溶液把CN T2TiO2 固定到玻碳電極上制成CN T2TiO2
2009-08-08 09:44:34
碳納米管針尖
2019-10-18 09:36:45
并采用CST進(jìn)行仿真，結(jié)果表明納米管束比單根納米管的天線效率提高了30-40dB，文中把納米管束作為電導(dǎo)率與納米管根數(shù)成正比的單根天線來(lái)研究，在理論上不夠準(zhǔn)確，而且鑒于納米管束的尺寸，采用中點(diǎn)饋電
2019-05-28 07:58:57
用LED做某種顯示時(shí)，要在一批發(fā)光二極管，經(jīng)過(guò)篩選找出其亮度接近的使用。用最簡(jiǎn)單的方法，搭一檢測(cè)電路，完成發(fā)光二極管亮度篩選。 提示：指針式萬(wàn)用表、光電二極管等。。。。。。。
2017-12-01 22:22:43
用。（2）橫向PNP管： 這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的水平方向運(yùn)動(dòng)的，故稱為橫向PNP管。由于受工藝限制，基區(qū)寬度不可能很小，所以它的值相對(duì)較低，一般為十幾倍到二、三十倍。橫向PNP管的優(yōu)點(diǎn)
2019-04-30 06:00:00
見(jiàn)證者，肖克萊在這本筆記上鄭重地簽了名。1948年，肖克萊發(fā)明了“結(jié)型晶體管 ”。1948年7月1日，美國(guó)《紐約時(shí)報(bào)》只用了8個(gè)句子的篇幅，簡(jiǎn)短地公開(kāi)了貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明晶體管的消息?！耙皇て?b class="flag-6" style="color: red">千層浪”，它就像顆重磅***，在全世界電子行業(yè)“引爆”出強(qiáng)烈的沖擊波。電子計(jì)算機(jī)終于就要大步跨進(jìn)第二代的門(mén)檻！
2012-08-02 23:55:11
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
來(lái)自IBM、蘇黎世理工學(xué)院和美國(guó)普渡大學(xué)的工程師近日表示，他們構(gòu)建出了首個(gè)10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管
2012-02-04 09:45:29
843 FinFET的芯片。在2月份舉行的這次Common Platform 2013技術(shù)論壇上，IBM除了展示FinFET這種3D晶體管技術(shù)外，還展示了諸如硅光子晶體管，碳納米管等前沿技術(shù)。
2013-02-20 23:04:307798 米特拉表示，“如果利用碳
納米管晶體管取代硅
晶體管，效能比可提高1000倍?！?/div>
2016-08-22 14:03:54986 但是，這并不代表著對(duì)碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)會(huì)一帆風(fēng)順。1998年首個(gè)碳納米管晶體管研發(fā)至今，碳納米管半導(dǎo)體技術(shù)一直遭遇材料上的瓶頸。長(zhǎng)期以來(lái)，最小碳納米管CMOS器件的柵長(zhǎng)停滯在20nm（2014年 IBM）。
2020-08-31 15:00:503526 新的制造工藝，該工藝可以更好地控制碳納米管晶體管。這種控制對(duì)于確保在邏輯電路中充當(dāng)晶體管的晶體管完全關(guān)閉時(shí)至關(guān)重要。
2020-12-15 15:22:131610 碳納米管具有高穩(wěn)定性和卓越的電子特性，已成為替代晶體管中硅的主要候選材料。在11 月 17 日發(fā)表于《科學(xué)》雜志的一篇評(píng)論文章中，西北大學(xué)的Mark Hersam及其合作者概述了碳納米管在高性能 IC 以及適用于物聯(lián)網(wǎng)的低成本/低性能電子產(chǎn)品中的機(jī)遇和剩余挑戰(zhàn)
2022-11-25 10:03:361104 已全部加載完成
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