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電子發(fā)燒友網(wǎng)>控制/MCU>單片機RAM(隨機存取存儲器)

單片機RAM(隨機存取存儲器)

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fram是什么存儲器_FRAM技術(shù)特點

鐵電存儲器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機存取存儲器,它將動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣,如只讀存儲器和閃存)結(jié)合起來。
2020-12-03 11:53:166107

UG-1755:評估ADG5401F故障保護(hù),6Ω隨機存取存儲器,帶0.6kΩ反饋通道的單刀單擲開關(guān)

UG-1755:評估ADG5401F故障保護(hù),6Ω隨機存取存儲器,帶0.6kΩ反饋通道的單刀單擲開關(guān)
2021-03-23 00:21:254

ADG7421F:低壓故障保護(hù)和檢測,20?隨機存取存儲器,雙單擲開關(guān)數(shù)據(jù)表

ADG7421F:低壓故障保護(hù)和檢測,20?隨機存取存儲器,雙單擲開關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-05-14 18:27:144

雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器

作者:Robert Taylor1? 德州儀器 雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器。哇!真夠拗口的。很多人甚至可能都不認(rèn)識這個全稱;它通常縮寫為 DDR 存儲器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR
2021-11-23 14:53:451981

ram和rom的區(qū)別之處

存儲器是數(shù)字系統(tǒng)中用以存儲大量信息的設(shè)備或部件,是計算機和數(shù)字設(shè)備中的重要組成部分。存儲器可分為隨機存取存儲器ram)和只讀存儲...
2022-02-07 11:20:280

富士通推出12Mbit電阻式隨機存取存儲器MB85AS12MT

富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機存取存儲器)MB85AS12MT,這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品。
2022-04-24 16:06:021133

隨機存取存儲器VDSR4M08xS44xx1V12用戶手冊

VDSR4M08XS44XX1V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造,由一個SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口。可以選擇塊單獨配備專用的#CE。
2022-06-08 14:33:241

隨機存取存儲器VDSR32M32xS68xx8V12-Ⅱ用戶手冊

VDSR32M322XS68XX8V12-II是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造,可堆疊八個采用CMOS工藝
2022-06-08 14:27:150

隨機存取存儲器VDSR32M32xS68xx8V12用戶手冊

VDSR32M322xS68XX8V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造,可堆疊八個采用CMOS工藝(6晶體管
2022-06-08 14:24:161

隨機存取存儲器VDSR20M40xS84xx6V12用戶手冊

VDSR20M40XS84XX6V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器20Mbit。該芯片采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造,堆疊六個SRAM芯片,采用CMOS工藝(6晶體管存儲單元)。它被組織為兩個256Kx40bit寬的獨立塊數(shù)據(jù)接口。可以使用專用的#CSn單獨選擇每個塊。
2022-06-08 14:22:580

隨機存取存儲器VDSR16M32xS64xx4V12用戶手冊

VDSR16M32XS64XX4V12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器包含16777216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造,可堆疊四個采用CMOS工藝(6晶體管存儲單元)的4-Mbit SRAM芯片。它分為兩部分512K x 32位寬數(shù)據(jù)接口的獨立塊。
2022-06-08 14:20:001

隨機存取存儲器VDSR16M32xS64xx4C12用戶手冊

VDSR16M32XS64XX4C12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器包含6.777.216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術(shù)制造,可堆疊四層采用CMOS工藝(6晶體管存儲單元)的4-Mbit SRAM組。它分為兩部分512Kx32bit寬數(shù)據(jù)接口的獨立塊。
2022-06-08 14:18:520

隨機存取存儲器VDSR8M16xS54xx2C12用戶手冊

VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的產(chǎn)品。靜態(tài)隨機存取存儲器8.388.608位。它由兩個4Mbit的銀行組成。
2022-06-08 11:48:581

隨機存取存儲器VDSR4M08xS44xx1C12用戶手冊

VDSR4M08XS44XX1C12是一種高速存取時間、高密度靜態(tài)隨機存取存儲器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術(shù)制造,由一個SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數(shù)據(jù)接口??梢赃x擇塊單獨配備專用的#CE
2022-06-08 11:47:382

隨機存取存儲器VDMR64M08xS54xx4V35用戶手冊

VDMR64M08XS54XX4V35是一款4×16777216位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù),該模具堆疊四個16 Mbit MRAM模具。它被組織為四個2Mx的獨立模具8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:32:292

隨機存取存儲器VDMR20M40xS84xx5V35用戶手冊

VDMR20M40XS84XX5V35是一款5×4194304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的五個獨立模具。
2022-06-08 10:31:022

隨機存取存儲器VDMR16M08xS54xx4V35用戶手冊

VDMR16M08XS54XX4V35是一款4 x 4194304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SIP制造技術(shù),該設(shè)備堆疊4個4-Mbit MRAM模具。它由四個512K x的獨立模具組成8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:28:211

隨機存取存儲器VDMR16M08xS44xx1V35用戶手冊

VDMR16M08XS44XX1V35是一款1 x 16777216位磁阻隨機存取存儲器。該器件采用VDIC高密度SiP技術(shù)制造,可堆疊16 Mbit MRAM芯片。它是有組織的作為一個2M x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的獨立模具。
2022-06-08 10:26:541

隨機存取存儲器VDMR8M32xS68xx8V35用戶手冊

VDMR8M32XS68XX8V35是一款8×1048576位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù),該模具堆疊八個1-Mbit MRAM模具。它由八個128K的獨立模具組成8比特寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:25:441

隨機存取存儲器VDMR4M08xS44xx4V35用戶手冊

VDMR4M08XS44XX4V35是一款4×1048576位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù),該模具堆疊四個1-Mbit MRAM模具。它由四個128K x的獨立模具組成8位寬的數(shù)據(jù)接口。
2022-06-08 10:20:131

隨機存取存儲器VDMR4M08xS44xx1V35用戶手冊

VDMR4M08XS44XX1V35是一款4、194、304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為512K x 8bit寬數(shù)據(jù)接口的一個獨立模塊。
2022-06-07 16:04:271

隨機存取存儲器VDMR2M16xS54xx2V35用戶手冊

VDMR2M16XS54XX2V35是一款2.097.152位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術(shù)它被組織為一個128K x 16位寬數(shù)據(jù)接口的獨立模塊。
2022-06-08 10:18:481

W9825G6KH高速同步動態(tài)隨機存取存儲器英文手冊

W9825G6KH是一種高速同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM),由4M字×4組×16位組成。W9825G6KH提供高達(dá)每秒200兆字的數(shù)據(jù)帶寬。為了完全符合個人計算機行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),W9825G6KH
2022-09-29 11:42:060

易失性存儲器(VM)

在過去幾十年內(nèi),易失性存儲器沒有特別大的變化,主要分為DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)。它在任何時候都可以讀寫,RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運行程序的臨時存儲介質(zhì)(可稱作系統(tǒng)內(nèi)存)。
2022-11-29 15:56:463115

相變隨機存取存儲器(PCRAM)制造工藝

相變隨機存取存儲器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點。
2023-02-01 10:16:15699

淺析動態(tài)隨機存儲器DRAM集成工藝

在當(dāng)前計算密集的高性能系統(tǒng)中,動態(tài)隨機存儲器(DRAM)和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:39546

聊聊RAM和ROM

Memory用來存儲和讀寫的大量的二進(jìn)制數(shù)據(jù)。其中又有兩個相對應(yīng)的概念:只讀存儲器(ROM)和隨機存取存儲器RAM)。
2023-02-15 17:46:571800

FPGA雙端口RAM的使用簡述

RAM隨機存取存儲器(random access memory,RAM)又稱作“隨機存儲器”。
2023-04-25 15:58:205064

隨機存取存儲器的誕生

無論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲,還是單純地瀏覽數(shù)碼照片,你的電腦都會定期進(jìn)入內(nèi)存獲取指令。沒有隨機存取存儲器RAM),今天的計算機甚至無法啟動。
2023-05-30 15:19:55317

單片機RAM和ROM有什么區(qū)別?

隨機存取存儲器RAM)用于實時存儲CPU正在使用的程序和數(shù)據(jù)。隨機存取存儲器上的數(shù)據(jù)可以被多次讀取、寫入和擦除。RAM存儲當(dāng)前使用的數(shù)據(jù)的硬件元素。它是一種易失性存儲器
2023-07-06 14:22:271950

FPGA學(xué)習(xí)筆記:RAM IP核的使用方法

我們知道除了只讀存儲器外還有隨機存取存儲器,這一篇將介紹另一種 存儲類IP核 ——RAM的使用方法。RAM隨機存取存儲器 (Random Access Memory),是一個易失性存儲器,斷電丟失。RAM工作時可以隨時從任何一個指定的地址寫入或讀出數(shù)據(jù)。
2023-08-29 16:46:071660

動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的相關(guān)知識

本文將介紹芯片設(shè)計中動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的相關(guān)知識,包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34818

簡單認(rèn)識靜態(tài)隨機存取存儲器

,VM)兩大類。例如,人們熟知的閃速存儲器 ( Flash Memory,簡稱 Flash)就屬于 NVM,靜態(tài)隨機存取存儲器 (Static Random Access Memory, SRAM)和動態(tài)隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413

簡單認(rèn)識動態(tài)隨機存取存儲器

20世紀(jì)70 年代到 90年代中期,動態(tài)隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ,DRAM) 采用的是異步接口,這樣它可以隨時響應(yīng)控制輸入信號的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27381

低功耗雙倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器介紹

低功耗雙倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR,是DDR SDRAM 的一種,由于廣泛用于移動
2023-11-21 09:37:36257

ram存儲的數(shù)據(jù)在斷電后是否會丟失?

當(dāng)電源斷開時,隨機存取存儲器RAM)中的數(shù)據(jù)通常會丟失。這是因為RAM是一種易失性存儲器,它必須以恒定的電源供應(yīng)來維持存儲的數(shù)據(jù)。在斷電時,RAM中的電荷會逐漸耗盡,導(dǎo)致其中的數(shù)據(jù)丟失。在這
2024-01-16 16:30:19861

英飛凌推出新型抗輻射異步靜態(tài)隨機存取存儲器

英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布,擴展其集成嵌入式糾錯碼(ECC)的抗輻射異步靜態(tài)隨機存取存儲器RAM)產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設(shè)計初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計算需求。
2024-01-24 17:11:39359

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