時(shí)間{write_ds(0,0); //秒write_ds(2,43); //分write_ds(4,3); //時(shí)} //初始化時(shí)鐘void DS_init(){DS_AS=0;DS_DS=0;DS_RW=0
2016-02-24 11:19:45
0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
DS1243, DS1243Y資料介紹,64k NV SRAM，帶有隱含時(shí)鐘DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
保持新鮮一般說(shuō)明DS1553是一個(gè)全功能、符合2000年（Y2KC）標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷（RTC），帶有RTC警報(bào)、看門(mén)狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)視器和8k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS
2020-09-17 17:24:23
特征?集成NV SRAM、實(shí)時(shí)時(shí)鐘（RTC）、晶體、電源故障控制電路和鋰能源?時(shí)鐘寄存器與靜態(tài)RAM訪問(wèn)相同；這些寄存器位于16個(gè)頂級(jí)RAM位置?世紀(jì)字節(jié)寄存器（即符合Y2K）?完全不易揮發(fā)，在斷電
2020-09-16 17:17:42
?在引導(dǎo)閃存之間選擇 ?設(shè)置ASIC配置/配置文件 ?服務(wù)器 ?網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ) ?路由器 ?電信設(shè)備 ?PC外圍設(shè)備 一般說(shuō)明 DS4520是一個(gè)9位非易失性（NV）I/O擴(kuò)展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
1內(nèi)核，32位，168M FPU（浮點(diǎn)數(shù)處理單元）一般會(huì)選用DSP 做浮點(diǎn)數(shù)處理。2.IO口，輸入輸出端口。144個(gè)IO引腳(大部分5V）3.內(nèi)存。 1024K flash, 192k SRAM
2021-07-23 08:02:43
電路,周期中斷/方波選擇電路,14字節(jié)時(shí)鐘和控制單元,114字節(jié)用戶非易失RAM,十進(jìn)制/二進(jìn)制累加器,總線接口電路,電源開(kāi)關(guān)寫(xiě)保護(hù)單元和內(nèi)部鋰電池等部分組成。DS12887引腳分配如圖1：Vcc
2008-10-08 11:18:25
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
2020-12-10 07:20:20
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來(lái)測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問(wèn)題：非易失性內(nèi)存有寫(xiě)入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫(xiě)入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
特征?符合ACPI的每月一日警報(bào)?千年蟲(chóng)世紀(jì)比特?直接時(shí)鐘/日歷替換IBM?AT兼容計(jì)算機(jī)和其他應(yīng)用程序?2個(gè)索引陰影寄存器?2.7–5.5V操作?240字節(jié)的一般非易失性存儲(chǔ)器?專用
2020-09-16 17:18:59
bq4011是一個(gè)非易失性262144位靜態(tài)RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標(biāo)準(zhǔn)SRAM的無(wú)限寫(xiě)入周期相結(jié)合?？刂齐娐烦掷m(xù)監(jiān)測(cè)單個(gè)5V電源是否超出公差條件。當(dāng)
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)和時(shí)序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來(lái)自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會(huì)忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過(guò)這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級(jí)，您可以放心，因?yàn)樵谑覝叵拢臄?shù)據(jù)保留時(shí)間為 150 年，無(wú)需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
大家好：關(guān)于PSoC6SRAM在DS模式下的保留，我有一些問(wèn)題要問(wèn)：1：如果我想在DS模式中只保留64K的SRAM，應(yīng)該設(shè)置哪種模式，“保留模式”？如果在上電后將pWRYL模式控制位設(shè)置為0x02
2018-09-26 10:01:35
集成了許多增強(qiáng)特性，例如硅序列號(hào)，電源開(kāi)/關(guān)控制電路，和2K、4K或8K字節(jié)的電池備份NV SRAM。DS17287，DS17487和DS17887 (下文以DS17x87代替)在24引腳DIP模塊
2018-11-29 12:15:00
，從而保持20ns的SRAM讀取時(shí)間（2 * 10ns），而不是系統(tǒng)邏輯的其余部分嗎？我的想法是，通過(guò)讀操作，SRAM時(shí)鐘（100MHz）的上升沿與系統(tǒng)時(shí)鐘（50MHz）的上升沿一致將在總線上具有虛擬地址
2019-07-03 12:51:27
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數(shù)的可變數(shù)字電阻，提供256級(jí)用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內(nèi)工作，通過(guò)I2C兼容的串行接口與該器件通信。內(nèi)部地址設(shè)置功能通過(guò)編程使DS3902從地址置為128個(gè)可用地址之
2021-05-17 07:29:10
（RTC）是低功耗、全二-十進(jìn)制碼（BCD碼）、帶56字節(jié)非易失SRAM的時(shí)鐘/日歷芯片。地址與數(shù)據(jù)通過(guò)2線雙向總線串行傳送。時(shí)鐘/日歷可以提供秒、分、時(shí)、日、星期、月、年信息。對(duì)于少于31天的月份
2013-07-30 17:35:35
SRAM2 都充滿了垃圾（當(dāng)然我的數(shù)組填充了非零值）。停下，停下，停下！SPI 沒(méi)有收到任何數(shù)據(jù)，DMA 中斷沒(méi)有啟用，什么也沒(méi)做。我認(rèn)為原因是啟用了 D2 域的時(shí)鐘（DMA 控制器與 SRAM2 共享時(shí)鐘
2022-12-14 07:16:54
DESCRIPTIONThe DS1746 is a full-function, year-2000-compliant (Y2KC), real-time clock/calendar (RTC
2008-08-10 10:39:53
16 GENERAL DESCRIPTIONThe DS1501/DS1511 are full-function, year 2000-compliant real-time clock
2008-08-10 10:40:4924 具有 CPU 監(jiān)控器和外部 NVSRAM 控制的符合 Y2K 的并行 RTC，3V Vcc Iq (Typ) (uA) 0.5 Features External SRAM
2022-12-02 13:48:32
具有 CPU 監(jiān)控器和外部 NVSRAM 控制的符合 Y2K 的并行 RTC，5V Vcc Iq (Typ) (uA) 0.5 Features External SRAM
2022-12-02 13:48:32
DS1558為完備的、2000年兼容(Y2KC)的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC報(bào)警、看門(mén)狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控以及NV SRAM控制器。用戶訪問(wèn)DS1558中所有寄存器都通過(guò)
2023-04-19 17:25:07
DeepCover?嵌入式安全方案采用多重先進(jìn)的物理安全機(jī)制保護(hù)敏感數(shù)據(jù)，提供最高等級(jí)的密鑰存儲(chǔ)安全保護(hù)。DeepCover安全管理器(DS3605)集成非易失(NV) SRAM控制器、實(shí)時(shí)時(shí)鐘
2023-07-14 15:15:30
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:13:33
DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:18:27
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC報(bào)警、看門(mén)狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個(gè)32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:44:47
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC報(bào)警、看門(mén)狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個(gè)32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:48:54
具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 16:58:16
DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過(guò)如完整數(shù)據(jù)資料中的圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對(duì)DS1744內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行
2023-07-21 17:11:57
具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-24 09:29:49
具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-24 09:32:13
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過(guò)如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對(duì)DS1747內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行訪問(wèn)。RTC
2023-07-24 09:41:00
DS3234 高精度、SPI總線RTC，集成晶體和SRAM
DS3234是一款低成本、超高精度、采用SPI™總線的實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)，集成了溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)和晶體
2008-11-27 18:01:34
2659 
DS3650 NV SRAM控制器、RTC及監(jiān)控電路，帶有篡改檢測(cè)
DS3650是一款4線兼容控制器，滿足支付卡行業(yè)(PCI)以及其他數(shù)據(jù)保護(hù)和安全性能很關(guān)鍵的設(shè)備的溫度和電
2009-03-02 14:53:11716 摘要：本應(yīng)用筆記說(shuō)明怎樣配置DS325X、DS316X、DS317X和DS318X器件中的時(shí)鐘速率適配器(CLAD)來(lái)產(chǎn)生多種時(shí)鐘源。在具體應(yīng)用中，這些時(shí)鐘源可用作LIU參考時(shí)鐘或發(fā)送時(shí)鐘。
2009-04-18 11:57:04738 
DS1643, DS1643P 非易失時(shí)鐘RAM
概述
DS1643 is an 8K x 8 nonvolatile static RAM with a full function Real Time Clock (RTC) that a
2009-12-19 12:50:451037 
該DS1557是一個(gè)全功能實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC的同一個(gè)RTC報(bào)警，看門(mén)狗定時(shí)器，上電復(fù)位，電池監(jiān)控)，以及512K的× 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶訪問(wèn)DS1557內(nèi)部所有寄存器完成了一個(gè)字節(jié)寬
2010-09-15 09:51:32730 
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過(guò)如圖1所示的單字節(jié)寬
2010-09-28 08:58:301105 
DS1554是一個(gè)全功能的，2000年兼容(Y2KC)，實(shí)時(shí)時(shí)鐘RTC的鬧鐘，看門(mén)狗定時(shí)器/日歷(RTC)上電復(fù)位，電池監(jiān)控，和32K × 8非易失
2010-09-28 09:11:081395 
DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態(tài)非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路
2010-10-20 09:04:421192 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM，
2010-10-21 09:01:27888 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-21 09:03:59888 DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控
2010-10-21 09:06:321002 DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:38925 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581417 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制
2010-10-22 09:04:04998 
DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態(tài)非易失RAM，按照
2010-11-03 09:26:231511 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51770 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:28976 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:53:311843 
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011420 
DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)、CPU監(jiān)控電路和溫度傳感器，可以為加密交易終端和其它安全敏感應(yīng)用提供篡改保護(hù)
2011-04-27 10:23:37879 DS1346/DS1347的SPI?兼容的實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)含有一個(gè)實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷和31 × 8位靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)。
2011-08-19 09:55:331600 
DS1338串行實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)是低功耗、全二進(jìn)制編碼的十進(jìn)制(BCD)時(shí)鐘/日歷，外加56字節(jié)NV SRAM。
2011-10-18 14:42:486683 
DS1500為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有報(bào)警、看門(mén)狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)內(nèi)置非易失(NV) SRAM、為備份外圍SRAM提供NV控制以及一個(gè)32.768kHz頻率的輸出
2011-12-19 11:08:181741 
DS1244,DS1244P具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘
2011-12-19 11:15:391685 
具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。
2012-01-04 10:41:50905 
具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。
2012-01-04 10:49:181184 
DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時(shí)鐘是一個(gè)內(nèi)置的實(shí)時(shí)時(shí)鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性內(nèi)存 。
2012-01-04 10:53:261255 
DS1746是一個(gè)全功能的，2000年的兼容(Y2KC)，實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和128K×8非易失性靜態(tài)RAM
2012-03-19 16:28:12822 
FEATURES Integrated NV SRAM, Real-Time Clock (RTC), Crystal, Power-Fail Control Circuit
2012-03-19 17:01:1615 DS3232M是成本低，非常準(zhǔn)確，，I2C實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)，具有236字節(jié)電池供電的SRAM。該器件集成了一個(gè)電池輸入和設(shè)備的主電源中斷時(shí)保持精確的計(jì)時(shí)。
2012-03-23 11:09:292813 描述 幻影的時(shí)鐘和套接字提供電池備份SRAM的SmartWatch NV或NV SRAM的控制，分別添加計(jì)時(shí)信息。在不使用任何SRAM數(shù)據(jù)空間的情況下訪問(wèn)計(jì)時(shí)數(shù)據(jù)。通過(guò)將一個(gè)唯一的64位序列寫(xiě)入
2017-04-08 09:47:291 DC1744A-設(shè)計(jì)文件
2021-04-09 19:07:290 DC1744A-演示手冊(cè)
2021-04-14 11:36:330 DC1744A-設(shè)計(jì)文件
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2022-11-18 20:04:38
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2022-11-21 21:50:21
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2022-11-21 21:55:18
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2022-11-21 21:57:50
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2022-11-21 21:58:19
在發(fā)射端，DS3（E3）時(shí)鐘和DS1（E1）時(shí)鐘由輸入引腳派生，但DS2（E2）時(shí)鐘頻率是DS3（E3）時(shí)鐘頻率的一小部分。出于設(shè)計(jì)原因，分?jǐn)?shù)將表示為整數(shù)比率，這取決于設(shè)備的模式。DS1（E1）時(shí)鐘可以容忍基于DS3（E3）時(shí)鐘頻率和器件模式的頻率范圍。
2023-02-22 10:10:18467 
DS3112具有六種不同的發(fā)送時(shí)鐘和六種不同的接收時(shí)鐘類型：發(fā)送DS3、DS2、DS1、E3、E2和E1時(shí)鐘，以及接收DS3、DS2、DS1、E3、E2和E1時(shí)鐘。由于電路中同一級(jí)的時(shí)鐘具有相似
2023-06-13 15:39:46317 
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