基于stm32單片機(jī)，F(xiàn)LASh先擦后寫(xiě)的函數(shù)分析案例

FLASh 必須是先擦后寫(xiě)

下面的函數(shù)是分析案例

void FLASH_WriteByte（u32 addr ，u16 flashdata1）

{

FLASH_Status FLASHstatus = FLASH_COMPLETE;

FLASH_Unlock（）;//解鎖FLASH編程擦除控制器

// FLASH_ClearFlag（FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR）;//清除標(biāo)志位

FLASH_ClearFlag（FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR）;

/

FLASHstatus=FLASH_ErasePage（addr）;//擦除指定地址頁(yè)

FLASHstatus=FLASH_ProgramHalfWord（addr， flashdata1）;//從指定頁(yè)的addr地址開(kāi)始寫(xiě)

//FLASH_ClearFlag（FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR）;

FLASH_Lock（）;//鎖定FLASH編程擦除控制

}

基本順序：解鎖-》清除標(biāo)志位（可以不要）-》擦除-》寫(xiě)半字-》清楚標(biāo)志位（也可以不要）-》上鎖。

如果 FLASH_START_ADDR是宏定義的0x8000000+2048*255

1. 0x8000000是Flash的起始地址

2. 2048是因?yàn)槲矣玫氖谴笕萘?a href="http://www.ttokpm.com/v/tag/137/" target="_blank">芯片，根據(jù)上一筆記Flash地址可以看出芯片每頁(yè)容量2K，即2048字節(jié)，

3. 255表示芯片的最后一頁(yè)，這個(gè)根據(jù)不同芯片而定。之所以從后面頁(yè)寫(xiě)起可以防止儲(chǔ)存數(shù)據(jù)破壞用戶程序。

4. addr*2是因?yàn)槊總€(gè)數(shù)據(jù)占用2字節(jié)（半字），雖然寫(xiě)入的是1字節(jié)數(shù)據(jù)，但是編程是2字節(jié)為單位，

也就是說(shuō)一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)也會(huì)占用兩個(gè)字節(jié)地址。

這個(gè)子函數(shù)就是將數(shù)據(jù)flashdata1寫(xiě)到地址addr中去。數(shù)據(jù)的長(zhǎng)度是可變的。

當(dāng)需要讀入數(shù)據(jù)的時(shí)候可以直接訪問(wèn)地址，

如：rdata=*（u16 *）0x08014000; //讀flash中默認(rèn)數(shù)據(jù)

0x08014000是存儲(chǔ)的地址。