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電子發(fā)燒友網>控制/MCU> - RISC結構微處理器專用存儲單元的研究與實現(xiàn)

- RISC結構微處理器專用存儲單元的研究與實現(xiàn)

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。O工P存儲器的種類很多,很多是基于熔絲和反熔絲,本文介紹的O工P存儲器基于反熔絲結構。在反熔絲O工P存儲器中,通過對選中單元的編程改變了存儲單元內部的結構。理想的讀機制下,沒有編程的存儲單元讀取時會讀出0,而通過編程的存儲單元在讀取時會讀出1。反
2017-11-07 11:45:2111

基于FPGA的VLIW微處理器基本功能實現(xiàn)設計

指令均勻地分配給芯片中的眾多執(zhí)行單元。本設計是針對VLIW微處理器的基本功能設計實現(xiàn)的,是針對64位指令字和192位數(shù)據進行操作處理,主要功能是將指令和數(shù)據分別劃分到3個并行操作單元中,在執(zhí)行單元中根據3個并行指令控制,對3個并行操作單元的數(shù)據進行并行處理,同時對操作處理數(shù)據進行存儲處理管理。
2020-01-31 16:55:00921

存儲單元四個基礎知識

存儲單元的作用:可以進行讀寫操作以及存放數(shù)據。
2020-03-22 17:34:004034

RISC處理器的三大特點

用。RISC微處理器不僅精簡了指令系統(tǒng),采用超標量和超流水線結構;它們的指令數(shù)目只有幾十條,卻大大增強了并行處理能力。
2020-04-17 16:19:4514077

存儲單元結構

靜態(tài)RAM的基本構造塊是SRAM存儲單元。通過升高字線的電平觸發(fā)存儲單元,再通過位線對所觸發(fā)的存儲單元進行讀出或寫入。在靜態(tài)CMOS存儲器中,存儲單元陣列將會占去整個存儲器芯片面積的一半以上,在一些
2020-05-14 09:19:473282

根據數(shù)據存取的方式不同,ram中的存儲單元有幾種

等。 靜態(tài)存儲單元(SRAM)的典型結構: T5、T6、T7、T8都是門控管,只要柵極高電平,這些管子就工作在可變電阻區(qū)當作開關。 其中存儲單元通過T5、T6和數(shù)據線(位線)相連;數(shù)據線又通過T7、T8和再經輸入/輸出緩沖電路和輸入/輸出線相連接,以實現(xiàn)信息的傳遞和交換。寫入
2020-12-02 14:31:302182

計算機信息存儲單元結構解析

數(shù)據必須首先在計算機內被表示,然后才能被計算機處理。計算機表示數(shù)據的部件主要是存儲設備;而存儲數(shù)據的具體單位是存儲單元;因此,了解存儲單元結構是十分必要的。
2021-01-08 10:03:552269

微處理器體系結構

微處理器體系結構說明。
2021-04-12 11:42:1413

微處理器體系結構

微處理器體系結構》適合作為高等院校集成電路設計相關專業(yè)工程碩士的教材,并可以作為微處理器硬件與軟件設計相關專業(yè)高年級本科生和研究生的教材。 《微處理器體系結構》是一本系統(tǒng)介紹各種類型微處理器
2021-04-14 10:29:030

淺談閃速存儲器和存儲單元連接方式

閃速存儲器(Flash Memory)又稱閃存(Flash),是一種非易失性存儲器,用存儲單元閾值的高低表示數(shù)據。浮柵(Floating Gate )場效應管(見圖5-80)是Flash存儲單元采用的主要技術。
2022-08-08 15:46:001076

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