任意波形發(fā)生器在雷達、通信領域中發(fā)揮著重要作用,但目前任意波形發(fā)生器大多使用靜態(tài)存儲器。這使得在任意波形發(fā)生器工作頻率不斷提高的情況下,波形的存儲深度很難做得很大,從而不能精確地表達復雜信號。本文介紹的基于動態(tài)存儲器(SDRAM)的設計能有效解決這一問題,并詳細討論了一種簡化SDRAM控制器的設計方法。
1 任意波形發(fā)生器的總體方案
工作頻率、分辨率和存儲長度是任意波形發(fā)生器最關鍵的三個性能參數(shù)。高的工作頻率意味著高的輸出信號頻率和帶寬,高的分辨率通常意味著高的信噪比,而存儲長度決定了信號的精確程度。下面介紹的方案是筆者實際開發(fā)的一款任意波形發(fā)生器/卡(如圖1所示),它的工作頻率為300MHz,分辨率為14位,存儲長度為8M字,現(xiàn)已得到了廣泛地應用。
該電路主要有兩種工作狀態(tài):寫數(shù)據(jù)狀態(tài)和讀數(shù)據(jù)狀態(tài)。下面簡單描述其工作過程。
寫數(shù)據(jù)狀態(tài):CPU根據(jù)所要設計的波形計算波形數(shù)據(jù),并轉(zhuǎn)換成14位的無符號數(shù);打開總線開關,屏蔽FIFO操作,在SDRAM控制器的配合下,將波形數(shù)據(jù)通過接口電路交替寫入SDRAM1和SDRAM2中,即SDRAM1中依次存放數(shù)據(jù)0,2,4,6...;SDRAM2中依次存放數(shù)據(jù)1,3,5,7...(如表1所示)。
讀數(shù)據(jù)狀態(tài):開啟FIFO通道,關閉總線開關以斷開SDRAM與CPU之間的數(shù)據(jù)連接;在SDRAM控制器的控制下,將SDRAM1/2中的數(shù)據(jù)同時(并行)讀出;經(jīng)過FIFO的緩沖得到連續(xù)的數(shù)據(jù)流,再經(jīng)32位向16位的并串轉(zhuǎn)換,將數(shù)據(jù)速率提升2倍后,供給DAC進行數(shù)-模轉(zhuǎn)換,即可得到所編輯的信號。
圖1中用兩片SDRAM并行工作,是因單片SDRAM不可能提供300MSPS的數(shù)據(jù)流。實際使用的器件是K4S641632C-TC60,工作時鐘為166MHz。FIFO緩存SDRAM的輸出數(shù)據(jù),將突發(fā)數(shù)據(jù)流轉(zhuǎn)換成連續(xù)數(shù)據(jù)流,使得在SDRAM處于刷新狀態(tài)時,仍能維持正常的數(shù)據(jù)輸出。實際使用的器件是兩片并行工作的IDT72V263L6PF,寫入時鐘為166MHz,讀出時鐘為150MHz。并串轉(zhuǎn)換的作用是提升數(shù)據(jù)的速率,在DAC器件內(nèi)部完成,筆者采用具有良好動態(tài)性能的AD9755AST。CPU及控制接口是一個基于PC的ISA設備,可改進為PCI設備;時鐘電路用來產(chǎn)生166MHz和150MHz的同步時鐘。下面重點研究SDRAM控制器的設計,它是本系統(tǒng)的主要特色之一。
2 SDRAM控制器的設計
2.1 SDRAM的主要特點
與靜態(tài)存儲器(SRAM)相比,SDRAM的容量大(通常是幾倍至幾十倍的關系);與DDR SDRAM或RDRAM相比,它的控制又相對簡單,因而它依然是大容量存儲器工程項目的良好選擇。下面描述的幾個重要基本概念反映了它的主要特點。
行列地址:SDRAM的地址是行列復用的,此舉有效減少了芯片的引腳。
預充電:讀寫操作只對預充電過的行有效。也就是說,在數(shù)據(jù)讀寫操作跨行時,需要先進行至少一次的預充電操作。
自動刷新:眾所周知,只要是動態(tài)RAM,就存在刷新問題,SDRAM也不例外。通常每隔64ms需要將所有存儲單元刷新一遍。
自刷新:當需要保留芯片內(nèi)的數(shù)據(jù),而暫時又不需要操作時,可以設置芯片進入自刷新狀態(tài)。
工作模式寄存器:控制SDRAM工作方式的寄存器(如表2所示)。
2.2 SDRAM的狀態(tài)流程
SDRAM的完整狀態(tài)機由17個狀態(tài)構成,且狀態(tài)轉(zhuǎn)移是非隨機的(如圖2所示)。正是如此眾多的狀態(tài)及其復雜的轉(zhuǎn)換關系,導致SDRAM的控制較為復雜。
需要特別說明的是,SDRAM的狀態(tài)轉(zhuǎn)移有自動轉(zhuǎn)移與人工轉(zhuǎn)移之分(圖2中以粗細箭頭加以區(qū)別)。自動轉(zhuǎn)移在當前狀態(tài)結束后立即進入下一個狀態(tài);而人工轉(zhuǎn)移在當前狀態(tài)結束后即停留在當前狀態(tài),只有一條當前狀態(tài)允許的命令才能進入下一個狀態(tài)。
可以想象,自行設計如此復雜的控制流程絕非易事。值得慶幸的是,在大多數(shù)應用中并不需要完備的狀態(tài)機。下面討論一種簡化的SDRAM狀態(tài)機。
2.3 簡化的狀態(tài)流程
根據(jù)任意波形發(fā)生器的特點,對SDRAM的功能進行了以下簡化:
(1)省略隨機存取功能,固定為順序讀寫;
(2)省略待機、自刷新、普通讀/寫功能;
(3)省略所有的掛起功能;
(4)工作模式固定為突發(fā)式讀、單個式寫;
(5)數(shù)據(jù)延時固定為3個時鐘周期;
(6)刷新模式只使用自動刷新方式,器件空閑時即處于連續(xù)的自動刷新狀態(tài);
(7)器件僅在上電后進行一次初始化,不能改變工作模式;
(8)突發(fā)方式固定為順序方式,突發(fā)長度固定為整頁;
(9)只使用帶預充電的讀/寫指令;在每次讀/寫操作完成后,即啟動一個自動刷新周期。
經(jīng)過以上簡化的狀態(tài)機如圖3所示。
2.4 SDRAM控制器的EPLD實現(xiàn)
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