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Nand-Flash/eMMC（帶有Flash控制器的Nand-Flash）作為一種非線性宏單元模式存儲(chǔ)器，為固態(tài)大容量存儲(chǔ)的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-Flash存儲(chǔ)器具有容量大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而越來(lái)越廣泛地應(yīng)用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機(jī)、云端存儲(chǔ)資料庫(kù)等業(yè)界各領(lǐng)域。
圖1 Nand-Flash與eMMC芯片
1.1存儲(chǔ)器件使用壽命
使用了Nand-Flash的主板出現(xiàn)丟數(shù)據(jù)掉程序現(xiàn)象，是一個(gè)讓無(wú)數(shù)工程師毛骨悚然的事故。眼看著程序用著用著就消失了，只能干著急也無(wú)法下手。有經(jīng)驗(yàn)的工程師手起刀落換上一顆新物料，熬夜補(bǔ)代碼繼續(xù)撐過(guò)半個(gè)項(xiàng)目周期?；仡^無(wú)處發(fā)泄還要大刀闊斧換廠商、換品牌。與其換幾片Nand-Flash還能負(fù)擔(dān)得起，但畢竟這是一個(gè)無(wú)底洞，不如去深入探明問(wèn)題原因，不然散盡家財(cái)也無(wú)法彌補(bǔ)虧空。
器件數(shù)據(jù)手冊(cè)中通常描述Nand-Flash的塊擦寫壽命達(dá)10萬(wàn)次，EMMC的塊擦寫最高也會(huì)有1萬(wàn)次；同理，EEPROM、SD卡、CF卡、U盤、Flash硬盤等存儲(chǔ)介質(zhì)在都存在寫壽命的問(wèn)題。在文件系統(tǒng)向?qū)憯?shù)據(jù)的底層存儲(chǔ)器塊寫數(shù)據(jù)時(shí)，常規(guī)會(huì)先將塊里的數(shù)據(jù)讀出來(lái)，擦除塊干凈后，將需要寫入的數(shù)據(jù)和之前讀出來(lái)的塊數(shù)據(jù)一起在回寫到存儲(chǔ)器里面去，如果文件系統(tǒng)寫平衡沒(méi)有處理好，特別是要求1分鐘以內(nèi)要記錄一次數(shù)據(jù)這樣頻繁的擦寫塊操作，就有可能將Nand-Flash或EMMC的塊寫壞。
1.2存儲(chǔ)器件掉電丟數(shù)據(jù)
文件系統(tǒng)向存儲(chǔ)器寫數(shù)據(jù)時(shí)，常規(guī)是先將塊里的數(shù)據(jù)讀出來(lái)，擦除塊干凈后，將需要寫入的數(shù)據(jù)和之前讀出來(lái)的塊數(shù)據(jù)一起在回寫到存儲(chǔ)器里面去。如果設(shè)備在擦除塊過(guò)程中或者在回寫數(shù)據(jù)過(guò)程中意外發(fā)生斷電甚至電壓不穩(wěn)定，均會(huì)造出數(shù)據(jù)丟失或者損壞。如果丟失的數(shù)據(jù)是文件系統(tǒng)的FAT表，則會(huì)造成文件系統(tǒng)崩潰。這就是引起系統(tǒng)程序無(wú)法啟動(dòng)災(zāi)難性后果的原因。
1.3系統(tǒng)數(shù)據(jù)保護(hù)方案
很多時(shí)候，產(chǎn)品在未出廠前燒錄程序、反復(fù)測(cè)試，無(wú)論怎樣折騰也不會(huì)出現(xiàn)丟程序的情況。這可能的因素是測(cè)試設(shè)備保證了穩(wěn)定的運(yùn)行中電源輸出，因此系統(tǒng)運(yùn)行中正常的Flash保護(hù)機(jī)制是可靠執(zhí)行的。
相對(duì)于用戶實(shí)際使用而言，想避免Flash損壞的情況。需要嚴(yán)格遵守產(chǎn)品說(shuō)明使用，尤其注意避免在Flash擦除或?qū)懭脒^(guò)程中人為地突然掉電。這是存儲(chǔ)器件用法的一個(gè)大忌，即使完好的器件，如此不規(guī)范的使用也會(huì)大大縮短其壽命。而且不同環(huán)境下的電源系統(tǒng)五花八門，在電源不滿足功率要求情況下程序?qū)τ陔娫吹碗娏康臋z測(cè)閾值較低，此時(shí)強(qiáng)制啟動(dòng)系統(tǒng)或執(zhí)行寫操作更會(huì)加劇系統(tǒng)耗電波動(dòng)，巨大的紋波也會(huì)引起CPU對(duì)存儲(chǔ)的誤操作。
解決此問(wèn)題對(duì)于軟件方面而言：
l調(diào)試系統(tǒng)或現(xiàn)場(chǎng)使用時(shí)，建議使用軟件復(fù)位，避免人為頻繁的通過(guò)斷電實(shí)現(xiàn)復(fù)位操作；有斷電必要時(shí)，將打印信息添加如“系統(tǒng)加載完成”、“數(shù)據(jù)保存完畢”等指示說(shuō)明后操作；
l軟件采取Flash均衡保存算法，高效地調(diào)整更改數(shù)據(jù)時(shí)擦除的Flash區(qū)域大?。?/p>
l可將數(shù)據(jù)先寫入內(nèi)存或者鐵電存儲(chǔ)器，然后定期的再將數(shù)據(jù)搬移到大的存儲(chǔ)器里面，減少直接斷Nand-Flash、EMMC擦寫次數(shù)；
l在程序中加入或者提高電源電量檢測(cè)的閾值，程序上保證所有電源系統(tǒng)下的芯片在此閾值上均可以正常工作。
l讀寫過(guò)程中仔細(xì)對(duì)壞塊表進(jìn)行維護(hù)更新，避免程序?qū)懭雺膲K。讀取數(shù)據(jù)時(shí)對(duì)ECC校驗(yàn)，確保讀取數(shù)據(jù)無(wú)誤。
從硬件角度考慮需要注意：
l用法上避免在Flash擦除或?qū)懭脒^(guò)程中人為突然掉電；
l設(shè)計(jì)好處理控制核心的電源系統(tǒng)，防止CPU等在啟動(dòng)、運(yùn)行中，電源系統(tǒng)因瞬時(shí)變化引起的紋波等情況；
l搭配掉電檢測(cè)電路，在檢測(cè)到外部電源掉電的同時(shí)，及時(shí)迅速關(guān)閉文件系統(tǒng)，停止向文件系統(tǒng)內(nèi)寫數(shù)據(jù)的操作；
l添加文件系統(tǒng)電源域UPS電源，乃至整機(jī)掉電續(xù)航工作電源；
l對(duì)于使用EEPROM等小容量存儲(chǔ)的用戶而言，可以考慮使用高可靠性的鐵電材料加工制成的鐵電非易失性存儲(chǔ)器FRAM來(lái)替換。FRAM可以像RAM一樣快速讀寫。數(shù)據(jù)在掉電后可以保存10年，且其讀寫壽命高達(dá)100億次，比EEPROM和其他非易失性記憶體系統(tǒng)可靠性更高，結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單，功耗低等優(yōu)點(diǎn)。
圖2 鐵電材料非易失性存儲(chǔ)器
下面簡(jiǎn)介一款基于法拉電容的UPS電路設(shè)計(jì)思路，要點(diǎn)如下：
l由于電容存在個(gè)體差異，電容存儲(chǔ)電荷的速率不一樣，存在過(guò)充造成電壓超過(guò)耐壓值的問(wèn)題，電路中存在多顆法拉電容時(shí)需要做均壓處理；
l為保證電容能夠充滿電能，源端需采用恒流源充電；
l為維持電容電壓穩(wěn)定，并降低充電電路功耗，需增加過(guò)壓檢測(cè)電路；
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