以前做項目，有時用Flash，有時用EEPROM，搞得我有點懵逼。
2023-07-27 12:24:24
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由于實現(xiàn)工藝問題，容量較SRAM大。但是讀寫速度不如SRAM。一般的嵌入式產(chǎn)品里面的內(nèi)存都是用的SDRAM。電腦的內(nèi)存也是用的這種RAM，叫DDR SDRAM，其集成度非常高，因為是動態(tài)的，所以必須有
2012-08-15 17:11:45
、SDRAM、EDO RAM都屬于DRAM（Dynamic RAM）,即動態(tài)內(nèi)存。所有的DRAM基本單位都是由一個晶體管和一個電容器組成。請看下圖： [/hide]
2009-10-21 18:27:06
RAM有哪些分類？特點是什么？DRAM和SRAM對比分析哪個好？
2022-01-20 07:16:10
DRAM是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構簡單，每一個bit的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
。盡管本文絕不是對所有內(nèi)存技術的全面討論，但在討論所提出的內(nèi)存技術時，DRAM，SRAM和FLASH可以為我們提供有用的比較點。DRAM盡管有各種各樣的可用RAM類型（具有不同的速度），但它們幾乎總是
2020-09-25 08:01:20
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的區(qū)別.
2012-12-20 15:19:20
低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設計往往只有FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結(jié)構，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。現(xiàn)
2021-12-10 08:23:11
根據(jù)圖上的資料顯示：1、EEPROM的地址包含了FLASH的地址。2、FLASH和EEPROM的讀寫方式是一樣的。怎么有人說“單片機內(nèi)置的eeprom本質(zhì)上也是flash, 但是他們的讀寫條件完全不同”。
2013-03-29 13:05:15
概念理解：FLASH存儲器又成為閃存，它與EEPROM都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲器，但是FLASH得存儲容量都普遍的大于EEPROM，，在存儲控制上，最主要的區(qū)別是FLASH芯片只能一大片一大片
2022-03-02 07:20:19
系列芯片，主頻上，ST的最高72MHz，GD的能達到108MHz，代碼執(zhí)行速度會更快。3、Flash和RAM的容量更大，STM32F103xx系列的Flash最大512K，SRAM最大64K，而
2021-08-11 08:08:17
RAM,ROM,EPROM,EEPROM,FLASH ROM的區(qū)別1、RAM指的是“隨機存取存儲器”，即Random Access Memory。它可以隨時讀寫，而且速度很快，缺點是斷電后信息丟失
2022-01-07 07:51:17
1、RAM（random access memory）：（都屬于易失性存儲器）SRAM：靜態(tài)隨機存儲器，6個晶體管存儲一位數(shù)據(jù)，功耗大，面積大DRAM：動態(tài)隨機存儲器，一個晶體管和一個電容存儲一位數(shù)
2021-12-17 06:35:02
RAM——隨機存取存儲器“隨機”表示存儲器中的數(shù)據(jù)被讀取或?qū)懭霑r，所需的時間與數(shù)據(jù)所在的位置無關RAM掉電數(shù)據(jù)丟失，分為SRAM（靜態(tài)隨機存儲存取器）和DRAM（動態(tài)隨機存儲存取器）。SRAM存儲數(shù)據(jù)的時間相對較長
2021-12-10 06:39:26
、EEPROM、FLASH簡介：只讀存儲器（部分可以進行操作，如EPROM、EEPROM、flash，通常要先擦除，再找到要操作的地址和扇區(qū)，最后是數(shù)據(jù)）保存數(shù)據(jù)：容量大，掉電不丟失SRAM靜態(tài)隨機存儲器，可以隨意讀取任意一個地址空間的數(shù)據(jù)，采用地址線和數(shù)據(jù)線分離的方式，成本較高主要分為三個
2021-12-10 08:20:53
靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點？動態(tài)隨機存取存儲器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點？
2021-12-24 07:04:20
前言：MCU中的SRAM和Flash相當于計算機系統(tǒng)中的RAM和ROM概念。1. SRAM和Flash對比區(qū)別分類SRAMFlash容量容量小容量大讀寫速度快慢掉電易失掉電易失掉電不易失價格高昂低廉
2021-11-01 06:54:42
，易失性存儲器的速度要快于非易失性存儲器。2.1 易失性存儲器 按照RAM的物理存儲機制，可以分為DRAM（Dynamic）和SRAM（Static）兩類。首先，說一下目前所用的DRAM，其通訊時序
2022-05-10 15:26:10
，因而獲得了快速發(fā)展。 FLASH 存儲器Flash 存儲器（FLASH EEPROM）又稱閃存，快閃。它是EEPROM的一種。它結(jié)合了ROM和RAM的長處。不僅具備電子可擦除可編輯（EEPROM）的性能
2021-06-20 18:20:44
ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別
2021-02-05 06:11:16
都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計算機的內(nèi)存。RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（StaticRAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設備了，但是它也非常昂貴，所以只在要
2015-11-04 10:09:56
fpga芯片工作時外部需要接Flash和SRAM嗎？flash和sram都是干什么的啊？
2014-12-25 08:32:25
都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計算機的內(nèi)存。RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非?？?，是目前讀寫最快的存儲設備了，但是它也非常昂貴，所以只在要
2018-08-09 10:37:07
都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計算機的內(nèi)存。 RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非?？欤悄壳白x寫最快的存儲設備了，但是它也非常昂貴，所以只
2013-01-04 00:20:57
On single bank devices, the F021 Flash API
must be executed from RAM.
1227和0432都是flash只有一個bank ?bank0 ?那么
2018-06-21 12:28:38
報告才沒有寫存儲。因為我使用KEIL并沒有經(jīng)過培訓，完全都是自己學的。至于keil的一些配置和很多功能其實都不曾知曉。當看到這一句的時候懵逼了！什么是放在SRAM運行？程序不都是在RAM跑的嗎？好了
2016-12-27 21:52:48
一般來說DRAM芯片的工作原理，比SRAM要復雜。這主要是由于DRAM在存儲數(shù)據(jù)的過程中需要對于存儲的信息不停的刷新，這就成為了DRAM芯片和SRAM芯片之間的最大區(qū)別。一
2010-07-15 11:40:15
，所以更“人性化”的MCU設計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設計往往只有 FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結(jié)構，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。在芯片的內(nèi)電路中，FLASH
2018-09-26 14:29:06
，可以保存100年，可以擦寫100w次。具有較高的可靠性，但是電路復雜/成本也高。因此目前的EEPROM都是幾十千字節(jié)到幾百千字節(jié)的，絕少有超過512K的。
flash:
flash屬于廣義的EEPROM
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲器 SRAM——Static RAM(動態(tài)存儲器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2022-01-26 07:30:11
目前在做單片機選型，需要大概4K RAM，32K FLASH，2K EEPROM的，有推薦的嗎。自己就知道一些STM的和STC的，但是STC RAM空間太少了，外擴的話沒有經(jīng)驗，也不知道外擴芯片的價格?？傮w價格當然是越低越好了:lol
2020-04-16 04:54:39
。rom在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持數(shù)據(jù)，而ram通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的ram就是計算機的內(nèi)存。sram和dram區(qū)別ram有兩大類：一種稱為靜態(tài)ram（static ram/sram
2021-07-20 14:32:43
9S12XDP512 處理器 Win 7 CW 5.1 絕對組裝我已經(jīng)編寫代碼通過 SCI 端口將數(shù)據(jù)讀取到 RAM 中，然后將其編程到 EEPROM 中。當我連接 BDM pod 時，代碼按預期
2023-04-04 06:59:27
存取速度分類)：1、隨機存取存儲器：SRAM、DRAM、FRAM；2、非隨機存取存儲器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。差強人意的分類為(按易失性分類)：1、易
2012-01-06 22:58:43
第4章 存儲器教材課后思考題與習題：4.1解釋概念：主存、輔存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory主存：主存儲器
2021-07-26 08:08:39
使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。 另一種稱為動態(tài)RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留數(shù)據(jù)的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比
2018-05-04 11:17:53
都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計算機的內(nèi)存。RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非?？?，是目前讀寫最快的存儲設備了，但是它也非常昂貴，所以只在要
2018-04-14 10:32:25
哈弗結(jié)構是什么意思？加劇CPU和主存之間速度差異的原因有哪些？導致DRAM比SRAM慢的原因有哪些？虛擬存儲器的最大容量是由什么原因決定的？
2021-08-11 08:07:31
ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。本文引用地址： ROM在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持
2021-12-22 07:55:57
(Dynamic RAM,DRAM)。SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態(tài)隨機存取存儲器。同步是指Memory
2020-06-10 10:02:12
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動態(tài)隨機存儲器（Dynamic RAM），“動態(tài)”二字指沒隔一段時間就會刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會消失。這是因為DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
本篇文章是為了記錄flash，sram，dram，rom，ram在單片機等的應用ROM和RAM都是半導體存儲器。ROM停止供電仍然可以保持數(shù)據(jù)，RAM掉電之后丟失數(shù)據(jù)，如：計算機的內(nèi)存1、ROM
2022-01-11 06:25:18
我是SSRAM的新手。到現(xiàn)在為止，我一直使用異步SRAM。我的基本疑問是，SSRAM中的時鐘輸入在SSRAM空閑時間（i，e，當讀或?qū)懳幢粓?zhí)行）中是否能保持一個狀態(tài)。因此，簡而言之，當時鐘不切
2019-06-28 08:56:47
U630H64內(nèi)含反相映射的 8k 字節(jié) SRAM 和 8k 字節(jié) EEPROM ,通過命令可以將SRAM 中的數(shù)據(jù)寫入 EEPROM 或把 EEPROM 中的數(shù)據(jù)回送至 SRAM , 以備斷電時的數(shù)據(jù)保護。該芯片所采用保護數(shù)據(jù)的方法是除
2009-04-25 13:33:00
33 基于SRAM 和DRAM 結(jié)構的大容量FIFO 的設計與實現(xiàn)作者：楊奇 楊瑩摘要：本文分別針對Hynix 公司的兩款SRAM 和DRAM 器件，介紹了使用CPLD 進行接口連接和編程控制，來構成低成本
2010-02-06 10:41:1045 SRAM,SRAM原理是什么?
靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM。
SRAM主要用于二級高速緩存(Level2 C ache)。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快
2010-03-24 16:11:328479 本內(nèi)容提供了8515 SRAM AVR的RAM擴展方法，詳細列出了電路圖
2011-07-11 17:36:3991 FLASH的全稱是FLASH EEPROM，但跟常規(guī)EEPROM的操作方法不同, FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結(jié)構也不同
2011-12-28 10:02:196031 問題1：什么是DRAM、SRAM、SDRAM？ 答：名詞解釋如下 DRAM--------動態(tài)隨即存取器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)，而且是行列地址復用的，許多都有頁模式 SRAM--------靜態(tài)的隨機存儲器，
2012-11-13 15:08:223345 flash搬運到ram里運行的實現(xiàn)方法。。。。。。。。。
2016-03-04 15:29:233 STM32 FLASH模擬EEPROM資料，mcu，單片機相關的知識及內(nèi)容。
2016-03-10 17:14:1018 FLASH和EEPROM的區(qū)別
2017-03-29 09:09:146 靜態(tài)隨機存儲器（static RAM），簡稱SRAM。在電子設備中，常見的存儲器有SRAM（靜態(tài)隨機訪問存儲器）、FLASH（閃速存儲器）、DRAM（動態(tài)存儲器）等。其中不同的存儲器有不同的特性
2017-11-16 10:19:550 NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司
2017-12-02 11:08:3230765 ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。
2017-12-02 11:15:565181 常見存儲器概念辨析：RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存儲器可以分為很多種類，其中根據(jù)掉電數(shù)據(jù)是否丟失可以分為RAM（隨機存取存儲器）和ROM（只讀存儲器
2017-12-04 14:23:041862 RAM(Random Access Memory) 隨機存儲器。存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內(nèi)容，故主要用于存儲短時間使用的程序。
2018-01-17 10:59:508250 使用的程序。 按照存儲信息的不同，隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器（Static RAM,SRAM)和動態(tài)隨機存儲器（Dynamic RAM,DRAM)。 SRAM（Static RAM）不需要刷新電路
2018-09-21 22:27:01229 
FLASH的全稱是FLASHEEPROM，但跟常規(guī)EEPROM的操作方法不同。 FLASH和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結(jié)構
2018-09-21 22:40:01779 使用的程序。 按照存儲信息的不同，隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器（Static RAM,SRAM)和動態(tài)隨機存儲器（Dynamic RAM,DRAM)。 SRAM（Static RAM）不需要刷新電路
2018-09-22 00:06:011049 
FLASH是用于存儲程序代碼的，有些場合也可能用它來保存數(shù)據(jù)，當然前提是該單片機的FLASH工藝是可以自寫的（運行中可擦寫），但要注意FLASH的擦寫次數(shù)通常小于一萬次，而且通常FLASH只能
2019-09-26 17:16:001 Flash屬于廣義的EEPROM，因為它也是電擦除的ROM。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫的EEPROM，我們都叫它Flash。
既然兩者差不多，為什么單片機中還要既有Flash又有EEPROM呢？
2019-05-03 09:45:004601 EPROM、EEPROM、FLASH都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結(jié)構。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出。
2019-05-07 10:56:466810 DRAM與NAND Flash持續(xù)維持下降走勢。
2019-07-06 11:38:563485 STM8S_007_片內(nèi)FLASH和EEPROM編程
2020-03-20 10:00:374092 
比內(nèi)部SRAM更大的內(nèi)存。 物聯(lián)網(wǎng)ram繼承了PSRAM的積極特性-結(jié)合了一個相對簡單的SRAM接口和DRAM存儲單元技術，該接口簡化了產(chǎn)品設計，與SRAM相比降低了產(chǎn)品成本（降低了10倍），并且
2020-04-04 14:28:002863 
DRAM、SRAM和Flash都屬于存儲器，DRAM通常被稱為內(nèi)存，也有些朋友會把手機中的Flash閃存誤會成內(nèi)存。SRAM的存在感相對較弱，但他卻是CPU性能發(fā)揮的關鍵。
2020-07-29 11:14:1611867 SRAM的S是Static的縮寫，全稱是靜態(tài)隨機存取存儲器。而DRAM的D是Dynamic的縮寫，全稱是動態(tài)隨機存取存儲器。這兩者有什么區(qū)別呢？首先我們看看SRAM的結(jié)構，你可以網(wǎng)上搜索一下有很多資料介紹SRAM的，比較出名的是6場效應管組成一個存儲bit單元的結(jié)構：
2020-08-22 09:21:0018043 
相信有很多人都對計算機里的各種存儲器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就會存在，內(nèi)存條是 dram 還是 nand？nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么？程序
2020-12-17 14:56:3810520 SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。SRAM具有較高的性能，功耗較小。SRAM主要用于二級高速緩存。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。但是SRAM也有它的缺點，集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存
2021-01-11 16:48:1819307 隨著半導體技術的飛速發(fā)展，各種存儲器相繼推出，性能不斷提高。目前存儲器主要有以下幾種類型：靜態(tài)RAM（SRAM），動態(tài)RAM（DRAM）EPROM，EEPROM，FLASH MEMORY。這里討論
2021-01-11 16:44:201714 : keil5 芯片: STM32F105VCT6 02FLASH和SRAM介紹 FLASH存儲器又成為閃存，它與EEPROM都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲器，但是FLASH的存儲容量都普遍的大于
2021-04-09 17:53:027246 
方法把SRAM/DRAM/DDRAM歸為RAM類，ROM/EEPROM/HDD/FLASH歸到ROM類。其實，這種歸類方法大致是以掉電是否丟失信息的標準劃歸的，而不是簡單的readonly。 下文不采用
2021-04-12 10:18:473844 
介紹如何使用Data Flash模擬EEPROM，并且利用SRAM加速
資料讀寫的速度。內(nèi)容包含原理介紹、性能數(shù)據(jù)以及使用建議。附
錄提供范例程序源碼以及函數(shù)庫。
2021-07-30 09:28:4125 前言：MCU中的SRAM和Flash相當于計算機系統(tǒng)中的RAM和ROM概念。1. SRAM和Flash對比區(qū)別分類SRAMFlash容量容量小容量大讀寫速度快慢掉電易失掉電易失掉電不易失價格高昂低廉
2021-10-25 13:36:0914 先不寫廢話，先來個總結(jié)：電腦的外存用的是ROM，雖然叫read only memory，但是現(xiàn)在的ROM用的大多是FLASH，都是可寫的，名字上一直沿用了ROM這個叫法電腦的內(nèi)存用的是RAM隨機訪問
2021-11-26 19:51:079 復習單片機中ROM、RAM、Flash的區(qū)別
2021-12-01 20:36:1320 （4KB）接口為iic。外置eeprom芯片一般是作為MCU芯片內(nèi)部eeprom的補充，用于存儲設置參數(shù)。 SPI Flash的容量就大很多了，常見的32Mbit（4MB），我們已經(jīng)在ESP8266
2021-12-01 21:06:0818 Flash:Flash屬于廣義的EEPROM，因為它也是電擦除的ROM。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫的EEPROM，我們都叫它Flash。既然兩者差不多，為什么單片機中還要既有Flash
2021-12-02 10:06:069 stm32f429ZIT6這個型號的單片機進行介紹。STM32F429ZIT6微控制器2048KB FLASH，256 KB SRAM，SDRAM 64Mbits。最高180MHz主頻FLASH先說flash ，它在嵌入式系統(tǒng)中的功能可以和硬盤在PC中的功能相比。它們都是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的，好比是
2021-12-02 10:21:134 Flash:Flash屬于廣義的EEPROM，因為它也是電擦除的ROM。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫的EEPROM，我們都叫它Flash。既然兩者差不多，為什么單片機中還要既有Flash
2021-12-02 10:51:2013 keil編譯之后占用flash、ram大小
2021-12-02 11:06:1011 自旋轉(zhuǎn)移扭矩隨機存取存儲器（STT-RAM）技術希望用其下一代MRAM取代DRAM，最終取代NAND。它結(jié)合了DRAM的成本優(yōu)勢，SRAM的快速讀寫性能以...
2022-01-26 18:32:390 靜態(tài)SRAM不需要刷新，速度可以很快，比如，CPU內(nèi)部的cache，都是靜態(tài)RAM,缺點是內(nèi)存單元需要大量的晶體管，所以價格昂貴，容量小。SRAM靜態(tài)隨機存取存儲器加電時，無需刷新，數(shù)據(jù)不會丟失，一般不是行列地址復用。
2022-10-24 17:18:362662 flash屬于廣義的EEPROM，因為它也是電擦除的rom。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫的EEPROM，我們都叫它flash。
2023-01-29 11:11:07774 Flash和EEPROM都是非易失性存儲器，就是你設備掉電重啟后，數(shù)據(jù)還會保留，如果是RAM的話掉電數(shù)據(jù)直接就丟了。
2023-03-08 14:07:0017556 今天就帶你詳細了解一下到底什么是SRAM，在了解SRAM之前，有必要先說明一下RAM：RAM主要的作用就是存儲代碼和數(shù)據(jù)供CPU在需要的時候調(diào)用。
2023-03-30 14:11:51589 
為什么單片機語音芯片既有flash又有EEPROM單片機語音芯片運行時的數(shù)據(jù)存在于RAM(隨機存儲器)中，停電后無法保留RAM的數(shù)據(jù)時，如何在停電后不丟失數(shù)據(jù)呢？這需要使用EEPROM
2022-09-16 10:00:08453 
最開始參加工作的時候，經(jīng)常聽到有需求說XX參數(shù)存到EEPROM，XX事件保存在FLASH中，當時只是覺得這兩個東西都是可以用來存數(shù)據(jù)，應該大差不差。那真是這樣么？這篇就來說說EEPROM和FLASH的那些事。
2023-08-10 11:15:03598 
使用MCU Flash模擬EEPROM
2023-10-18 18:01:17386 在MCU的使用中，經(jīng)常遇到需要存儲參數(shù)或掉電保持數(shù)據(jù)等功能。其中，Flash和EEPROM是常見的非易失性存儲器
2023-09-21 09:14:39812 STM32有兩個存儲空間，一個是片上的FLASH，一個是片上的RAM。RAM相當于內(nèi)存，FLASH相當于硬盤。
2023-10-27 14:06:471488 
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