微控制器的FSMC到底是咋回事？(下）

摘要：上一篇文章我們具體講解了FSMC的原理配置，這一章主要是關(guān)于使用FSMC的SRAM初始化流程，以及使用STM32CubeMX對(duì)FSMC進(jìn)行配置。

一、SRAM初始化流程

通過(guò)上面的講解，通過(guò)對(duì) FSMC 相關(guān)的寄存器的描述，大家對(duì) FSMC 的原理有了一個(gè)初步的認(rèn)識(shí)，如果還不熟悉的朋友，請(qǐng)一定要搜索網(wǎng)絡(luò)資料理解FSMC的原理。只有理解了原理，使用庫(kù)函數(shù)才可以得心應(yīng)手。那么在庫(kù)函數(shù)中是怎么實(shí)現(xiàn)FSMC的配置的呢？FSMC_BCRx，F(xiàn)SMC_BTRx 寄存器在庫(kù)函數(shù)是通過(guò)什么函數(shù)來(lái)配置的呢？下面我們來(lái)講解一下 FSMC 相關(guān)的庫(kù)函數(shù)：

1.1 使能FSMC時(shí)鐘

要使用FSMC，當(dāng)然首先得開(kāi)啟其時(shí)鐘。然后需要把FSMC_D0—15，F(xiàn)SMCA0—18等相關(guān)IO 口，全部配置為復(fù)用輸出，并使能各 IO 組的時(shí)鐘。

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RCC_AHB3PeriphClockCmd(RCC_AHB3Periph_FSMC,ENABLE);//使能?FSMC?時(shí)鐘

?

配置 IO 口為復(fù)用輸出的關(guān)鍵行代碼為：

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GPIO_InitStructure.GPIO_Mode?=?GPIO_Mode_AF;//復(fù)用輸出

?

關(guān)于引腳復(fù)用映射配置，這在 LCD 實(shí)驗(yàn)章節(jié)也講解非常詳細(xì)，調(diào)用函數(shù)為：

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void?GPIO_PinAFConfig(GPIO_TypeDef*?GPIOx,?uint16_t?GPIO_PinSource,?uint8_t?GPIO_AF);

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針對(duì)每個(gè)復(fù)用引腳調(diào)用這個(gè)函數(shù)即可，例如 GPIOD.0引腳復(fù)用映射配置方法為：

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GPIO_PinAFConfig(GPIOD,GPIO_PinSource0,GPIO_AF_FSMC);//PD0,AF12

?

1.2 FSMC初始化函數(shù)

根據(jù)前面的講解，初始化 FSMC 主要是初始化三個(gè)寄存器FSMC_BCRx，F(xiàn)SMC_BTRx，F(xiàn)SMC_BWTRx，那么在固件庫(kù)中是怎么初始化這三個(gè)參數(shù)的呢？

固件庫(kù)提供了 3 個(gè)FSMC 初始化函數(shù)分別為:

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FSMC_NORSRAMInit();
FSMC_NANDInit();
FSMC_PCCARDInit();

?

這三個(gè)函數(shù)分別用來(lái)初始化 4 種類型存儲(chǔ)器。這里根據(jù)名字就很好判斷對(duì)應(yīng)關(guān)系。用來(lái)初始化NOR和 SRAM 使用同一個(gè)函數(shù) FSMC_NORSRAMInit()。所以我們之后使用的 FSMC 初始化函數(shù)為FSMC_NORSRAMInit()。下面我們看看函數(shù)定義：

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void?FSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef* FSMC_NORSRAMInitStruct)；

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這個(gè)函數(shù)只有一個(gè)入口參數(shù)，也就是FSMC_NORSRAMInitTypeDef類型指針變量，這個(gè)結(jié)構(gòu)體的成員變量非常多，因?yàn)镕SMC相關(guān)的配置項(xiàng)很多，但是對(duì)于SRAM我們只需要配置對(duì)應(yīng)的成員就可以了，并不是所有結(jié)構(gòu)體成員都需要配置。

1.3 SRAM 初始化結(jié)構(gòu)體

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typedef?struct
{
?uint32_t?FSMC_Bank;/*設(shè)置要控制的?Bank?區(qū)域?*/
?uint32_t?FSMC_DataAddressMux;/*設(shè)置地址總線與數(shù)據(jù)總線是否復(fù)用?*/
?uint32_t?FSMC_MemoryType;/*設(shè)置存儲(chǔ)器的類型?*/
?uint32_t?FSMC_MemoryDataWidth;/*設(shè)置存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)寬度*/
?uint32_t?FSMC_BurstAccessMode;/*設(shè)置是否支持突發(fā)訪問(wèn)模式，只支持同步類型的存儲(chǔ)器?*/?
?uint32_t?FSMC_AsynchronousWait;/*設(shè)置是否使能在同步傳輸時(shí)的等待信號(hào)，*/
?uint32_t?FSMC_WaitSignalPolarity;/*設(shè)置等待信號(hào)的極性*/
?uint32_t?FSMC_WrapMode;/*設(shè)置是否支持對(duì)齊的突發(fā)模式?*/
?uint32_t?FSMC_WaitSignalActive;/*配置等待信號(hào)在等待前有效還是等待期間有效?*/
?uint32_t?FSMC_WriteOperation;/*設(shè)置是否寫(xiě)使能?*/
?uint32_t?FSMC_WaitSignal;/*設(shè)置是否使能等待狀態(tài)插入?*/
?uint32_t?FSMC_ExtendedMode;/*設(shè)置是否使能擴(kuò)展模式?*/
?uint32_t?FSMC_WriteBurst;/*設(shè)置是否使能寫(xiě)突發(fā)操作*/
?/*當(dāng)不使用擴(kuò)展模式時(shí)，本參數(shù)用于配置讀寫(xiě)時(shí)序，否則用于配置讀時(shí)序*/?
?FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef*?FSMC_ReadWriteTimingStruct;
?/*當(dāng)使用擴(kuò)展模式時(shí)，本參數(shù)用于配置寫(xiě)時(shí)序*/
?FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef*?FSMC_WriteTimingStruct;
}FSMC_NORSRAMInitTypeDef;

?

從這個(gè)初始化結(jié)構(gòu)體我們可以看出，前面有13個(gè)基本類型（unit32_t）的成員變量，這 13 個(gè)參數(shù)是用來(lái)配置片選控制寄存器FSMC_BCRx。最后面還有兩個(gè)FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef 指針類型的成員變量。前面我們講到，F(xiàn)SMC有讀時(shí)序和寫(xiě)時(shí)序之分，所以這里就是用來(lái)設(shè)置讀時(shí)序和寫(xiě)時(shí)序的參數(shù)了， 也就是說(shuō)，這兩個(gè)參數(shù)是用來(lái)配置寄存器SMC_BTRx和FSMC_BWTRx，后面我們會(huì)講解到。下面我們主要來(lái)看看模式A下的相關(guān)配置參數(shù)：

FSMC_Bank 用來(lái)設(shè)置使用到的存儲(chǔ)塊標(biāo)號(hào)和區(qū)號(hào)，前面講過(guò)，我們是使用的存儲(chǔ)塊 1 區(qū)號(hào) 3，所以選擇值為FSMC_Bank1_NORSRAM3。

可以選擇的存儲(chǔ)器區(qū)域及區(qū)域?qū)?yīng)的地址范圍

FSMC_MemoryType 用來(lái)設(shè)置存儲(chǔ)器類型，我們這里是 SRAM，所以選擇值為FSMC_MemoryType_SRAM。

FSMC_MemoryDataWidth 用來(lái)設(shè)置數(shù)據(jù)寬度，可選 8 位還是 16 位，這里我們是 16 位數(shù)據(jù)寬度，所以選擇值為 FSMC_MemoryDataWidth_16b。

FSMC_WriteOperation 用來(lái)設(shè)置寫(xiě)使能，毫無(wú)疑問(wèn)，我們前面講解過(guò)我們要向SRAM寫(xiě)數(shù)據(jù)，所以要寫(xiě)使能，這里我們選擇 FSMC_WriteOperation_Enable。

FSMC_ExtendedMode 是設(shè)置擴(kuò)展模式使能位，也就是是否允許讀寫(xiě)不同的時(shí)序，這里我們采取的讀寫(xiě)相同的時(shí)序，所以設(shè)置值為 FSMC_ExtendedMode_Disable。

上面的這些參數(shù)是與模式A相關(guān)的，下面我們也來(lái)稍微了解一下其他幾個(gè)參數(shù)的意義吧：

FSMC_DataAddressMux 用來(lái)設(shè)置地址/數(shù)據(jù)復(fù)用使能，若設(shè)置為使能，那么地址的低 16位和數(shù)據(jù)將共用數(shù)據(jù)總線，僅對(duì) NOR 和 PSRAM 有效，所以我們?cè)O(shè)置為默認(rèn)值不復(fù)用，值FSMC_DataAddressMux_Disable。

FSMC_BurstAccessMode，F(xiàn)SMC_AsynchronousWait，F(xiàn)SMC_WaitSignalPolarity，F(xiàn)SMC_WaitSignalActive，F(xiàn)SMC_WrapMode，F(xiàn)SMC_WaitSignal，F(xiàn)SMC_WriteBurst和FSMC_WaitSignal 這些參數(shù)在成組模式同步模式才需要設(shè)置，大家可以參考中文參考手冊(cè)了解相關(guān)參數(shù)的意思。

讀寫(xiě)時(shí)序參數(shù)的兩個(gè)變量FSMC_ReadWriteTimingStruct 和FSMC_WriteTimingStruct，它們都是 FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef 結(jié)構(gòu)體指針類型，這兩個(gè)參數(shù)在初始化的時(shí)候分別用來(lái)初始化片選控制寄存器FSMC_BTRx和寫(xiě)操作時(shí)序控制寄存器 FSMC_BWTRx。下面我們看看 FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef 類型的定義：

1.4 SRAM時(shí)序結(jié)構(gòu)體

控制 FSMC使用 SRAM 存儲(chǔ)器時(shí)主要是配置時(shí)序寄存器以及控制寄存器，利用ST 標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)的 SRAM 時(shí)序結(jié)構(gòu)體以及初始化結(jié)構(gòu)體可以很方便地寫(xiě)入?yún)?shù)。

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typedef?struct
{
?uint32_t?FSMC_AddressSetupTime;/*地址建立時(shí)間，0-0xF個(gè)HCLK?周期*/
?uint32_t?FSMC_AddressHoldTime;/*地址保持時(shí)間，0-0xF個(gè)HCLK?周期*/
?uint32_t?FSMC_DataSetupTime;/*數(shù)據(jù)保持時(shí)間，0-0xF個(gè)HCLK?周期*/
?uint32_t?FSMC_BusTurnAroundDuration;/*總線轉(zhuǎn)換周期,0-0xF個(gè)HCLK?周期，在NOR?FLASH才用到，對(duì)于SRAM無(wú)效?*/
?uint32_t?FSMC_CLKDivision;/*時(shí)鐘分頻因子,1-0xF，若控制異步存儲(chǔ)器，本參數(shù)無(wú)效?*/
?uint32_t?FSMC_DataLatency;/*數(shù)據(jù)延遲時(shí)間，若控制異步存儲(chǔ)器，本參數(shù)無(wú)效?*/
?uint32_t?FSMC_AccessMode;/*設(shè)置訪問(wèn)模式?*/
}FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef;

?

這個(gè)結(jié)構(gòu)體成員定義的都是 SRAM 讀寫(xiě)時(shí)序中的各項(xiàng)時(shí)間參數(shù)，這些成員的的參數(shù)都與 FSMC_BRT 及 FSMC_BWTR 寄存器配置對(duì)應(yīng)，各個(gè)成員介紹如下：

FSMC_AddressSetupTime本成員設(shè)置地址建立時(shí)間，即FSMC讀寫(xiě)時(shí)序圖中的 ADDSET 值，它可以被設(shè)置為 0-0xF個(gè)HCLK周期數(shù)，按STM32標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)的默認(rèn)配置，HCLK的時(shí)鐘頻率為168MHz，即一個(gè) HCLK周期為 1/168微秒。

FSMC_AddressHoldTime本成員設(shè)置地址保持時(shí)間，它可以被設(shè)置為 0-0xF個(gè)HCLK周期數(shù)。地址保持時(shí)間（ADDHLD）模式A未用到，配置為0x00即可。

FSMC_DataSetupTime本成員設(shè)置數(shù)據(jù)建立時(shí)間，即FSMC讀寫(xiě)時(shí)序圖中的 DATAST值，它可以被設(shè)置為0-0xF個(gè)HCLK周期數(shù)。

FSMC_BusTurnAroundDuration本成員設(shè)置總線轉(zhuǎn)換周期，在NOR FLASH存儲(chǔ)器中，地址線與數(shù)據(jù)線可以分時(shí)復(fù)用，總線轉(zhuǎn)換周期就是指總線在這兩種狀態(tài)間切換需要的延時(shí)，防止沖突。但是在控制其它存儲(chǔ)器時(shí)(如SRAM)這個(gè)參數(shù)無(wú)效，配置為0即可。

FSMC_CLKDivision本成員用于設(shè)置時(shí)鐘分頻，它以 HCLK時(shí)鐘作為輸入，經(jīng)過(guò) FSMC_CLKDivision分頻后輸出到 FSMC_CLK引腳作為通訊使用的同步時(shí)鐘。控制其它異步通訊的存儲(chǔ)器時(shí)這個(gè)參數(shù)無(wú)效，我們的SRAM屬于異步通訊的存儲(chǔ)器，用不到這個(gè)參數(shù)，所以配置為 0即可。

FSMC_DataLatency本成員設(shè)置數(shù)據(jù)保持時(shí)間，它表示在讀取第一個(gè)數(shù)據(jù)之前要等待的周期數(shù)，該周期指同步時(shí)鐘的周期，本參數(shù)僅用于同步 NOR FLASH類型的存儲(chǔ)器，控制其它類型的存儲(chǔ)器時(shí)這個(gè)參數(shù)無(wú)效，我們的SRAM屬于異步通訊的存儲(chǔ)器，用不到這個(gè)參數(shù)，所以配置為0即可。

FSMC_AccessMode本成員設(shè)置存儲(chǔ)器訪問(wèn)模式，不同的模式下 FSMC訪問(wèn)存儲(chǔ)器地址時(shí)引腳輸出的時(shí)序不一樣，可選 FSMC_AccessMode_A/B/C/D 模式。一般來(lái)說(shuō)控制 SRAM 時(shí)使用A模式，其實(shí)就是模式A，在控制SRAM是也沒(méi)有見(jiàn)到過(guò)用其他模式的。

所以綜上述所我們這7個(gè)成員變量，我們的SRAM使用到了其中的3個(gè)，其他的四個(gè)是NOR FLASH需要配置的，其他的4個(gè)配置為0就可以了。具體的配置如下。

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//地址建立時(shí)間（ADDSET）為1個(gè)HCLK,1/168M?=?6ns
readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime?=?0x00;//(0+1)個(gè)HCLK周期=6ns?>0ns?滿足要求
//數(shù)據(jù)保持時(shí)間（DATAST）+?1個(gè)HCLK?=?9/168M=54ns(對(duì)EM的SRAM芯片)
readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime?=?0x08;//(8+1)個(gè)HCLK周期=54ns?>25ns?滿足要求?
//以上的設(shè)置滿足6>0 54>25 54+6>55三個(gè)條件，所以設(shè)置是合理的。
//以下配置跟異步SRAM無(wú)關(guān)，默認(rèn)設(shè)置為0就可以了
//地址保持時(shí)間（ADDHLD）模式A未用到
readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime?=?0x00;?
//設(shè)置總線轉(zhuǎn)換周期，僅用于復(fù)用模式的NOR操作(這里是SRAM，不用管)
readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration?=?0x00;
//設(shè)置時(shí)鐘分頻，僅用于同步類型的存儲(chǔ)器(這里是異步型的SRAM，不用管)
readWriteTiming.FSMC_CLKDivision?=?0x00;
//數(shù)據(jù)保持時(shí)間，僅用于同步型的NOR(這里是異步型的SRAM，不用管)
readWriteTiming.FSMC_DataLatency?=?0x00;
//選擇匹配SRAM的模式
readWriteTiming.FSMC_AccessMode?=?FSMC_AccessMode_A;

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上面我們?cè)O(shè)置了FSMC_AddressSetupTime 地址建立時(shí)間為0，F(xiàn)SMC_DataSetupTime 數(shù)據(jù)保持時(shí)間為8，為什么要這樣設(shè)置呢？

這就需要看SRAM的時(shí)序圖和FSMC模式A的時(shí)序圖了，只有在時(shí)序圖中才能找到答案，同時(shí)我們?cè)诓僮鲃e的存儲(chǔ)器時(shí)也是需要通過(guò)時(shí)序圖來(lái)配置具體的參數(shù)的。下面就來(lái)看看時(shí)序圖吧。

IS62WV51216數(shù)據(jù)手冊(cè)上的SRAM 的讀時(shí)序

IS62WV51216翻譯過(guò)來(lái)的SRAM 的讀時(shí)序

IS62WV51216數(shù)據(jù)手冊(cè)上的SRAM 的寫(xiě)時(shí)序

IS62WV51216翻譯過(guò)來(lái)的SRAM 的寫(xiě)時(shí)序

STM32F4參考手冊(cè)FSMC的讀時(shí)序

STM32F4參考手冊(cè)FSMC的寫(xiě)時(shí)序

IS62WV51216讀時(shí)序關(guān)鍵特性 IS62WV51216寫(xiě)時(shí)序關(guān)鍵特性

使用模式A，讀寫(xiě)共用時(shí)序（共用時(shí)序時(shí)，以寫(xiě)時(shí)序?yàn)闇?zhǔn)），配置代碼如下：

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//地址建立時(shí)間（ADDSET）為1個(gè)HCLK,1/168M?=?6ns
readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime?=?0x00;//(0+1)個(gè)HCLK周期=6ns?>0ns?滿足要求
//地址保持時(shí)間（ADDHLD）模式A未用到
readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime?=?0x00;?
//數(shù)據(jù)保持時(shí)間（DATAST）+?1個(gè)HCLK?=?9/168M=54ns(對(duì)EM的SRAM芯片)
readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime?=?0x08;//(8+1)個(gè)HCLK周期=54ns?>25ns?滿足要求?

?

為什么地址建立時(shí)間是0ns呢？因?yàn)閺腎S62WV51216寫(xiě)時(shí)序關(guān)鍵特性中可以看到，Address Setup Time為0，所以配置時(shí)，地址建立時(shí)間要等于0。

地址保持時(shí)間模式A未用到，所以配置為0。

數(shù)據(jù)建立時(shí)間為什么是54ns呢？因?yàn)閺腎S62WV51216寫(xiě)時(shí)序關(guān)鍵特性中可以看到，Dataup to Write End最小值為30ns，所以配置時(shí)，數(shù)據(jù)保持時(shí)間要大于30ns。至于選擇的54ns并不是嚴(yán)格按照手冊(cè)時(shí)間來(lái)的，這需要實(shí)際調(diào)試才能確定具體值。

那為什么數(shù)據(jù)建立時(shí)間配置為8，但卻是9個(gè)HCLK周期時(shí)間呢？從STM32中文參考手冊(cè)的時(shí)序圖中可以看到，模式A寫(xiě)入時(shí)序的數(shù)據(jù)建立時(shí)間為：數(shù)據(jù)建立時(shí)間=HCLK周期+1，初始化程序時(shí)，如果設(shè)置DATAST=0，則實(shí)際數(shù)據(jù)建立周期為1，即實(shí)際數(shù)據(jù)建立周期比DATAST值多1個(gè)HCLK周期。

經(jīng)過(guò)上面的設(shè)置后寫(xiě)一次操作的時(shí)間就是(0+1)*6ns+(8+1)*6ns=60ns>55ns，是滿足要求的。

參數(shù)確定大體就是這樣的思路，其他模式及不同的芯片確定參數(shù)的思路是一樣的。

最后是在帖子中看到的關(guān)于時(shí)序的講解，挺有趣，一并放在文章中。

“

先搞清邏輯關(guān)系。這是CPU讀存儲(chǔ)器的時(shí)序。CPU索取，存儲(chǔ)器付出。我有很多單元，你要讀我，至少要把那個(gè)單元的門(mén)牌號(hào)告訴我吧？——這就是地址線，由CPU填寫(xiě)（輸出）；地址線上非1即0，你放不放地址都這樣的，所以，你要告訴我什么時(shí)候是“地址”，什么時(shí)候是“垃圾”吧？——這就是OE線下降沿的作用，也要CPU填寫(xiě)。（一般來(lái)說(shuō)，要在地址穩(wěn)定以后，OE才發(fā)出下降沿。上面圖沒(méi)有給出這個(gè)差別。）好了，CPU該辦的手續(xù)已經(jīng)完了，球到了存儲(chǔ)器一邊。我要去這個(gè)單元找東西，總需要點(diǎn)時(shí)間吧？——這就是OE下降沿以后，RAM發(fā)出數(shù)據(jù)的時(shí)間間隔。艾瑪，累死我了，你要的東西找到了，我放上去了！按說(shuō)，數(shù)據(jù)放到總線上了，可是CPU如何才能知道數(shù)據(jù)來(lái)了呢？因?yàn)椴徽撌菙?shù)據(jù)還是垃圾，那電線上面總有1、0這些東西。這時(shí)出現(xiàn)不同解決方法了。一種方法，由存儲(chǔ)器給CPU發(fā)出一個(gè)通知信號(hào)：好了，快來(lái)拿！這個(gè)信號(hào)通常叫做 Data Available，數(shù)據(jù)可得，簡(jiǎn)寫(xiě) DAV，可能有人見(jiàn)過(guò)。CPU接到這個(gè)信號(hào)，自然會(huì)做。另一種方法，有老大強(qiáng)勢(shì)規(guī)定：OE下降沿之后，你丫必須在1秒鐘之內(nèi)把東西交出來(lái)！我只管時(shí)間到就來(lái)拿！這是多數(shù)存儲(chǔ)器遵守的規(guī)定。這兩種方法，由于是不同的公司提出的，經(jīng)常以公司名字來(lái)命名。Motorola總線，intel總線，聽(tīng)說(shuō)過(guò)吧？OK，明白這些意思，稍微想一想，應(yīng)當(dāng)就可以理解各種時(shí)序的時(shí)間了。以后再不用問(wèn)人了。另外，手冊(cè)里經(jīng)常可以看到，這些時(shí)間一般會(huì)有最大值、最小值，有些只給出一項(xiàng)。比如上面提到，從OE下降沿到存儲(chǔ)器交出數(shù)據(jù)的時(shí)間，在存儲(chǔ)器手冊(cè)里面，這個(gè)時(shí)間只會(huì)給出最大值。因?yàn)橛脩舯仨毎础白铋L(zhǎng)時(shí)間”操作，不能有僥幸心理。給出最小值沒(méi)有實(shí)際意義。

”

1.5 FSMC使能

FSMC 對(duì)不同的存儲(chǔ)器類型同樣提供了不同的使能函數(shù)：

?

void?FSMC_NORSRAMCmd(uint32_t?FSMC_Bank,?FunctionalState?NewState);
void?FSMC_NANDCmd(uint32_t?FSMC_Bank,?FunctionalState?NewState);
void?FSMC_PCCARDCmd(FunctionalState?NewState);

?

這個(gè)就比較好理解，我們這里不講解，我們是SRAM，所以使用的是第一個(gè)函數(shù)。

?

FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3,?ENABLE);?//?使能?BANK3

?

通過(guò)以上幾個(gè)步驟，我們就完成了FSMC的配置，可以訪問(wèn)IS62WV51216有了，這里還需要注意，因?yàn)槲覀兪褂玫氖?strong>BANK1的區(qū)域3，所以 HADDR[27:26]=10，故外部?jī)?nèi)存的首地址為0X68000000。

二、硬件連接

下面來(lái)說(shuō)一下在STM32F407中SRAM的硬件連接：對(duì)于FSMC來(lái)說(shuō)，它已經(jīng)集成到了單片機(jī)內(nèi)部，它的提供給的管腳已經(jīng)確定了，是不改動(dòng)的，這個(gè)可以參考STM32對(duì)應(yīng)芯片的 Datasheet。唯具有靈活性的就是FSMC_NE，具體用哪個(gè) FSMC_NE管腳來(lái)和你的SRAM相連，當(dāng)然是你的自由，但是不要忘了，你要找到你選的 FSMC_NE所對(duì)應(yīng)的地址范圍，不然寫(xiě)程序的時(shí)候就搞不清喏！

我們需要將SRAM芯片和STM32單片機(jī)連接起來(lái)，就要來(lái)看看他們之間的連線和接口

SRAM功能框圖

FSMC引腳圖

SRAM芯片引腳圖

SRAM的AD原理圖

備注：在MCU芯片手冊(cè)中的信號(hào)引腳一般有前綴，前綴“ N ”表示相關(guān)的信號(hào)為低電平有效。在數(shù)字芯片手冊(cè)中的信號(hào)引腳一般在引腳上面加一條橫線表示低電平有效。

tRC是讀周期時(shí)間，它表示對(duì)芯片連續(xù)倆次讀操作之間的最小間隔時(shí)間。

tAA是讀出時(shí)間，它表示地址線上的有效地址給出之后，經(jīng)過(guò)譯碼電路，驅(qū)動(dòng)電路的延時(shí)，到讀出所選單元內(nèi)容，并經(jīng)I/O電路延時(shí)，直到數(shù)據(jù)在數(shù)據(jù)總線上穩(wěn)定出現(xiàn)所需要的時(shí)間。

tOHA是輸出保持時(shí)間，它表示地址失效之后，數(shù)據(jù)線上的有效數(shù)據(jù)維持的時(shí)間，以確保所讀的數(shù)據(jù)真實(shí)可靠。

搜索并選中芯片STM32F407ZGT6

配置時(shí)鐘源

如果選擇使用外部高速時(shí)鐘（HSE），則需要在System Core中配置RCC；如果使用默認(rèn)內(nèi)部時(shí)鐘（HSI），這一步可以略過(guò)；

這里我都使用外部時(shí)鐘：

調(diào)試選項(xiàng)配置

默認(rèn)沒(méi)有配置下載引腳，燒錄之后下載器將無(wú)法再檢測(cè)到，這里我使用JLink，所以配置為SW選項(xiàng)：

配置串口

開(kāi)發(fā)板板載了一個(gè)CH340換串口，連接到USART1，但是引腳不是默認(rèn)引腳，需要手動(dòng)修改。

接下來(lái)開(kāi)始配置USART1：

配置FSMC外設(shè)

FSMC配置

我們板子上面的雙口SRAM原理圖如下：

通過(guò)原理圖可以看出：

數(shù)據(jù)總線位寬使用了8bit：FSMC D0 - FSMC D7；

地址總線位寬使用了15bit：FSMC A0 - FSMC A14；

片選信號(hào)線：使用FSMC NE3，對(duì)應(yīng)使用Bank1的Bank3子區(qū)域；

通用信號(hào)線：FSMC_NOE、FSMC_NWE；

數(shù)據(jù)掩碼信號(hào)線：使用 FMC NBL0 和 FMC NBL1，分別控制輸出高8位還是低8位；

根據(jù)這些信息，在STM32CubeMX中先配置SRAM1的基本設(shè)置：

SRAM基本參數(shù)配置

這部分信息直接配置即可：

配置情況如下：

配置時(shí)鐘樹(shù)

STM32F407ZGT6的最高主頻到168M，使HCLK=168Mhz即可：

生成工程設(shè)置

生成代碼

點(diǎn)擊GENERATE CODE即可生成MDK-V5工程：

　　審核編輯：湯梓紅