與安川電機公司合作取得的這項成果,充分利用了 Transphorm 常關(guān)型平臺的基本優(yōu)勢。
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加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 8 月 24 日 - 新世代電力系統(tǒng)的未來,氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)今日宣布,利用該公司的一項專利技術(shù),在氮化鎵功率晶體管上實現(xiàn)了長達(dá)5微秒的短路耐受時間(SCWT)。這是同類產(chǎn)品有記錄以來首次達(dá)到的成就,也是整個行業(yè)的一個重要里程碑,證明 Transphorm 的氮化鎵器件能夠滿足伺服電機、工業(yè)電機和汽車動力傳動系統(tǒng)等傳統(tǒng)上由硅 IGBT 或碳化硅(SiC)MOSFET 提供支持的堅固型功率逆變器所需的抗短路能力 --- 氮化鎵在這類應(yīng)用領(lǐng)域未來五年的潛在市場規(guī)模(TAM)超過 30 億美元。
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該項目的開發(fā)得到了安川電機公司的支持,安川電機是Transphorm的長期戰(zhàn)略合作伙伴,同時也是中低電壓驅(qū)動器、伺服系統(tǒng)、機器控制器和工業(yè)機器人領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者之一。與現(xiàn)有解決方案相比,氮化鎵可以實現(xiàn)更高的效率和更小的尺寸,也讓氮化鎵成為伺服系統(tǒng)應(yīng)用中極具吸引力的功率轉(zhuǎn)換技術(shù),為此,氮化鎵必須通過該領(lǐng)域要求的嚴(yán)格的穩(wěn)健性測試,其中最具挑戰(zhàn)性的是需要承受住短路沖擊,當(dāng)發(fā)生短路故障時,器件必須在大電流和高電壓并存的極端條件下正常運行。系統(tǒng)檢測到故障并停止操作有時可長達(dá)幾微秒時間,在此期間,器件必須能承受故障帶來的沖擊。
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安川電機公司技術(shù)部基礎(chǔ)研發(fā)管理部經(jīng)理 Motoshige Maeda 說:“如果功率半導(dǎo)體器件不能承受短路,那么系統(tǒng)本身很可能發(fā)生故障。業(yè)界曾經(jīng)有一種根深蒂固的看法,認(rèn)為在類似上述重型電源應(yīng)用中,氮化鎵功率晶體管無法滿足短路耐受要求。安川電機與Transphorm 合作多年,我們認(rèn)為這種看法是毫無根據(jù)的。今天也證明我們的觀點是正確的。我們對Transphorm團(tuán)隊所取得的成果感到興奮,并期待能展示我們的產(chǎn)品設(shè)計是如何受益于這一全新的氮化鎵器件特性。”
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這項短路技術(shù)已在Transphorm新設(shè)計的一款15mΩ 650V 氮化鎵器件上進(jìn)行了驗證。值得注意的是,在 50 kHz 的硬開關(guān)條件下,器件的峰值效率達(dá)到 99.2%,最大功率為12kW , 不僅展示了器件的優(yōu)良性能和高可靠性,也符合高溫高電壓應(yīng)力規(guī)格要求。
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Transphorm 聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官 Umesh Mishra 表示:“標(biāo)準(zhǔn)的氮化鎵器件只能承受持續(xù)時間為幾百分之一納秒的短路,這對于故障檢測和安全關(guān)斷操作來說太短了。然而,憑借我們的cascode架構(gòu)和關(guān)鍵專利技術(shù),在不增設(shè)外部組件的情況下,Transphorm實現(xiàn)了將短路耐受時間延長至5微秒,從而保持器件的低成本和高性能特點。Transphorm了解高功率、高性能逆變器系統(tǒng)的需求,Transphorm超強的創(chuàng)新能力有著悠久的歷史沿革,我們可以自豪地說,這些經(jīng)驗幫助我們將氮化鎵技術(shù)提升到新的水平,這再次證明了Transphorm在高壓氮化鎵穩(wěn)健性和可靠性的全球領(lǐng)先地位,在氮化鎵于電機驅(qū)動和其他高功率系統(tǒng)應(yīng)用上改變現(xiàn)有局勢并扮演關(guān)鍵的角色?!?br />
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對SCWT成果的完整介紹、演示分析以及更多的相關(guān)內(nèi)容,將在明年的大型電力電子會議上發(fā)表。
Transphorm氮化鎵器件率先達(dá)到對電機驅(qū)動應(yīng)用至關(guān)重要的抗短路穩(wěn)健性里程碑
- 電機驅(qū)動(85705)
- 氮化鎵(114707)
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2023-02-22 16:27:02
如何學(xué)習(xí)氮化鎵電源設(shè)計從入門到精通?
和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。第一步:元器件選型對于工程師來說,GaN元器件相較于傳統(tǒng)的MOSFET而言有很多不同和優(yōu)勢,但在設(shè)計上也帶來一定挑戰(zhàn)。課程從硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵
2020-11-18 06:30:50
如何完整地設(shè)計一個高效氮化鎵電源?
如何帶工程師完整地設(shè)計一個高效氮化鎵電源,包括元器件選型、電路設(shè)計和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何實現(xiàn)氮化鎵的可靠運行
我經(jīng)常感到奇怪,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒人能獨善其身。每年,我們都看到市場預(yù)測的前景不太令人滿意。但通過共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何用集成驅(qū)動器優(yōu)化氮化鎵性能
導(dǎo)讀:將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
實現(xiàn)下一代機器人至關(guān)重要的關(guān)鍵傳感器技術(shù)介紹
對實現(xiàn)下一代機器人至關(guān)重要的幾項關(guān)鍵傳感器技術(shù)包括磁性位置傳感器、存在傳感器、手勢傳感器、力矩傳感器、環(huán)境傳感器和電源管理傳感器。
2020-12-07 07:04:36
實現(xiàn)更小、更輕、更平穩(wěn)的電機驅(qū)動器的氮化鎵器件
機器人和醫(yī)療機器人、工業(yè)無人機和汽車電機等應(yīng)用中的電機驅(qū)動器來說,至關(guān)重要。
基于硅器件的逆變器的限制
逆變器的功耗由傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗組成。傳導(dǎo)損耗與開關(guān)的RDS(on)成正比。降低溝道電阻有助于降低
2023-06-25 13:58:54
將低壓氮化鎵應(yīng)用在了手機內(nèi)部電路
大幅降低電流在保護(hù)板上的損耗,隨著手機充電功率達(dá)到200W,電池端的電流達(dá)到20A。傳統(tǒng)硅MOS溫升明顯,甚至需要輔助導(dǎo)熱措施來為其散熱。使用氮化鎵代替硅MOS之后,可以無需導(dǎo)熱材料,降低快充過程中
2023-02-21 16:13:41
嵌入式Linux應(yīng)用程序開發(fā)有哪些流程
了解硬件功能設(shè)計熟悉驅(qū)動接口細(xì)化、梳理需求確立概要設(shè)計規(guī)劃開發(fā)里程碑確認(rèn)開發(fā)環(huán)境、運行環(huán)境分配工作任務(wù)協(xié)同開發(fā)測試發(fā)布里程碑測試發(fā)現(xiàn)硬件、驅(qū)動問題?是。聯(lián)合硬件、驅(qū)動排查 否。進(jìn)入下一步 是否最終
2021-11-04 08:43:56
工業(yè)電機驅(qū)動中的短路保護(hù)如何實現(xiàn)
可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高,功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是:更高的短路電流電平、更小的芯片尺寸,以及更低的熱容量和短路耐受時間。這凸顯了柵極驅(qū)動器電路以及過流檢測和保護(hù)功能的重要性。
2019-06-27 09:06:59
想要實現(xiàn)高效氮化鎵設(shè)計有哪些步驟?
和功率因數(shù)校正 (PFC) 配置。 簡單的電路提供了將硅控制器用于GaN器件的過渡能力。對于單個氮化鎵器件,隔離式負(fù) V一般事務(wù)(關(guān)閉)EZDrive?電路是一種低成本、簡單的方法,可以使用12V驅(qū)動
2023-02-21 16:30:09
我們一起來實現(xiàn)氮化鎵的可靠運行
;并不能提振低用戶對于投入回報的信心。雖然通過“qual”測試對于器件的生產(chǎn)制造、質(zhì)量和可靠性具有里程碑式的意義,但還不清楚它在器件使用壽命、故障率和應(yīng)用相關(guān)性方面
2018-08-31 06:50:34
支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)介紹
兩年多前,德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵(GaN)功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率,且易于設(shè)計,帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時起,我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2022-11-10 06:36:09
新一代小區(qū)網(wǎng)關(guān):靈活性與高性能至關(guān)重要
新一代小區(qū)網(wǎng)關(guān):靈活性與高性能至關(guān)重要各種各樣的數(shù)字設(shè)備進(jìn)入到越來越多的家庭之中,如各種多媒體應(yīng)用、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、語音與數(shù)據(jù)通信平臺,以及娛樂系統(tǒng)等。當(dāng)今消費者通??稍诩抑型ㄟ^因特網(wǎng)寬帶連接獲得日益豐富
2009-10-05 09:18:53
有關(guān)氮化鎵半導(dǎo)體的常見錯誤觀念
功率密度計算解決方案實現(xiàn)高功率密度和高效率。
誤解2:氮化鎵技術(shù)不可靠
氮化鎵器件自2010年初開始量產(chǎn),而且在實驗室測試和大批量客戶應(yīng)用中,氮化鎵器件展現(xiàn)出具備極高的穩(wěn)健性。EPC器件已經(jīng)通過數(shù)千億個
2023-06-25 14:17:47
現(xiàn)代工業(yè)電機驅(qū)動如何實現(xiàn)短路保護(hù)
的短路電流電平、更小的芯片尺寸,以及更低的熱容量和短路耐受時間。這凸顯了柵極驅(qū)動器電路以及過流檢測和保護(hù)功能的重要性。本文討論現(xiàn)代工業(yè)電機驅(qū)動中成功可靠地實現(xiàn)短路保護(hù)的問題,同時提供三相電機控制應(yīng)用中隔離式柵極驅(qū)動器的實驗性示例。
2021-01-25 06:43:37
直線模組新技術(shù)里程碑
桿皮帶傳動方式的直線模組,從技術(shù)的領(lǐng)先性在直線模組行業(yè)提上了一個新的里程碑。JFM超長行程直線模組在TFT、LED、OLED、AMOLED超大彩色液晶屏、顯示屏、背光屏的搬運包裝行業(yè)應(yīng)用畫上了完美
2017-08-03 10:42:18
硅基氮化鎵在大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
,2013年1月達(dá)到140lm為/W。 硅芯片和藍(lán)寶石的區(qū)別,藍(lán)寶石是透明襯底,硅襯垂直結(jié)構(gòu),白光出光均勻,容易配二次光學(xué)。硅襯底氮化鎵基LED直接白光芯片,熒光粉直涂白光芯片分布集中。 下一步怎么做呢
2014-01-24 16:08:55
論壇活動] 【有獎活動】為開發(fā)板建立專屬里程碑——給開發(fā)板控一個不一樣的玩法
為電子發(fā)燒友而生——為開發(fā)板建立專屬里程碑Bug對于程序員來說意味著無限的挑戰(zhàn);萬用表對于測試工程師來說意味著不可缺少的親人;而開發(fā)板對于電子工程師來說意味著陪伴,意味著另外一個“她”是否還曾記得你
2015-12-12 12:13:56
請問candence Spice能做氮化鎵器件建模嗎?
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎?然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化鎵器件的建模,有可能實現(xiàn)嗎?求教ICCAP軟件呢?
2019-11-29 16:04:02
誰發(fā)明了氮化鎵功率芯片?
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究,始于 2009 年左右的香港科技大學(xué),但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
迄今為止最堅固耐用的晶體管—氮化鎵器件
”的器件。它有多好呢?擊穿電壓是功率晶體管的關(guān)鍵指標(biāo)之一,達(dá)到這個臨界點,半導(dǎo)體阻止電流流動的能力就會崩潰。東脅研究的開創(chuàng)性晶體管的擊穿電壓大于250伏。相比之下,氮化鎵花了近20年的時間才達(dá)到這一
2023-02-27 15:46:36
針對電機控制應(yīng)用如何選擇寬帶隙器件?
。寬帶隙器件的柵極驅(qū)動至關(guān)重要柵極驅(qū)動對于硅MOSFET和氮化鎵HEMT單元都非常關(guān)鍵,兩者的閾值都很低。氮化鎵器件需要小驅(qū)動電流實現(xiàn)導(dǎo)通狀態(tài),所需最高電壓也只有7 V左右。碳化硅需要18 V左右才能
2023-02-05 15:16:14
高壓氮化鎵的未來分析
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
高壓氮化鎵的未來是怎么樣的
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動器解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
恩智浦宣布其PC電源解決方案率先達(dá)到80 PLUS Gold
恩智浦宣布其PC電源解決方案率先達(dá)到80 PLUS Gold標(biāo)準(zhǔn)
GreenChip PC芯片幫助業(yè)界制造更為綠色的PC產(chǎn)品
中國上海,2008年7月25日
2008-08-02 11:13:10425
后來居上 亞馬遜將率先達(dá)到1萬億美元市值
據(jù)路透社北京時間3月9日報道,亞馬遜可能超越全球市值最高的公司蘋果,市值率先達(dá)到1萬億美元。
2018-07-29 10:25:001162
3GPP規(guī)范獲批 5G發(fā)展的重要里程碑
3GPP于去年12月宣布首批5G新無線電(NR)規(guī)范獲批,是5G發(fā)展里程的重要里程碑。
2018-08-08 08:38:143629
特斯拉Model 3產(chǎn)量跨過10萬輛的關(guān)口,達(dá)到了一個重要的里程碑
根據(jù)Model 3銷量追蹤模型最新估計,特斯拉達(dá)到了一個重要的里程碑——Model 3產(chǎn)量跨過了10萬輛的關(guān)口。這對于特斯拉和馬斯克來說,以及全球電動汽車市場來說,都是一個值得紀(jì)念的里程碑。
2018-10-15 15:37:151348
重要里程碑:沃爾沃汽車亞太區(qū)電機實驗室揭幕
電氣化戰(zhàn)略的重要舉措。 推進(jìn)電氣化戰(zhàn)略的重要里程碑 亞太區(qū)電機實驗室的投入使用,是沃爾沃在中國全面推進(jìn)電氣化戰(zhàn)略的重要里程碑,將進(jìn)一步加快沃爾沃汽車在電氣化領(lǐng)域的發(fā)展,以更安全的電氣化產(chǎn)品和更先進(jìn)的技術(shù),為中國消費
2020-11-06 10:20:501590
基于硬件的信任對于保護(hù)物聯(lián)網(wǎng)至關(guān)重要
基于硬件的信任對于保護(hù)物聯(lián)網(wǎng)至關(guān)重要
2023-01-03 09:45:07411
Transphorm的GaN首次達(dá)到對電機驅(qū)動應(yīng)用至關(guān)重要的短路穩(wěn)健性里程碑
Yaskawa企業(yè)技術(shù)部基礎(chǔ)研發(fā)管理部經(jīng)理Motoshige Maeda表示:“如果功率半導(dǎo)體器件無法承受短路事件,系統(tǒng)本身可能失效。業(yè)界普遍認(rèn)為GaN功率晶體管無法滿足像我們這樣的重載電力應(yīng)用所需的短路要求。
2023-08-14 11:47:32345
氮化鎵mos管驅(qū)動方法
氮化鎵(GaN)MOS管是一種新型的功率器件,它具有高電壓、高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點,逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢,合理的驅(qū)動方法是至關(guān)重要的。本文將介紹氮化
2024-01-10 09:29:02413
瑞薩電子收購氮化鎵廠商Transphorm
瑞薩電子與氮化鎵(GaN)器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm宣布,雙方已達(dá)成最終收購協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Transphorm,這一價格較Transphorm在1月10日的收盤價溢價約35%,總估值約為3.39億美元。
2024-01-17 14:15:33234
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