STM32FSMC機(jī)制FlaSh存儲(chǔ)器擴(kuò)展

STM32FSMC機(jī)制FlaSh存儲(chǔ)器擴(kuò)展

　引 言

　　STM32是ST(意法半導(dǎo)體)公司推出的基于ARM內(nèi)核Cortex－M3的32位微控制器系列。Cortex－M3內(nèi)核是為低功耗和價(jià)格敏感的應(yīng)用而專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的，具有突出的能效比和處理速度。通過(guò)采用Thumb－2高密度指令集，Cortex－M3內(nèi)核降低了系統(tǒng)存儲(chǔ)要求，同時(shí)快速的中斷處理能夠滿足控制領(lǐng)域的高實(shí)時(shí)性要求，使基于該內(nèi)核設(shè)計(jì)的STM32系列微控制器能夠以更優(yōu)越的性價(jià)比，面向更廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。

　　STM32系列微控制器為用戶提供了豐富的選擇，可適用于工業(yè)控制、智能家電、建筑安防、醫(yī)療設(shè)備以及消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品等多方位嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。STM32系列采用一種新型的存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù)——FSMC，在外部存儲(chǔ)器擴(kuò)展方面具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，可根據(jù)系統(tǒng)的應(yīng)用需要，方便地進(jìn)行不同類(lèi)型大容量靜態(tài)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展。

　　1 FSMC機(jī)制

　　FSMC(Flexihie Static Memory Controller，可變靜態(tài)存儲(chǔ)控制器)是STM32系列中內(nèi)部集成256 KB以上FlaSh，后綴為xC、xD和xE的高存儲(chǔ)密度微控制器特有的存儲(chǔ)控制機(jī)制。之所以稱為“可變”，是由于通過(guò)對(duì)特殊功能寄存器的設(shè)置，F(xiàn)SMC能夠根據(jù)不同的外部存儲(chǔ)器類(lèi)型，發(fā)出相應(yīng)的數(shù)據(jù)／地址／控制信號(hào)類(lèi)型以匹配信號(hào)的速度，從而使得STM32系列微控制器不僅能夠應(yīng)用各種不同類(lèi)型、不同速度的外部靜態(tài)存儲(chǔ)器，而且能夠在不增加外部器件的情況下同時(shí)擴(kuò)展多種不同類(lèi)型的靜態(tài)存儲(chǔ)器，滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)對(duì)存儲(chǔ)容量、產(chǎn)品體積以及成本的綜合要求。

　　1．1 FSMC技術(shù)優(yōu)勢(shì)

　?、僦С侄喾N靜態(tài)存儲(chǔ)器類(lèi)型。STM32通過(guò)FSMC町以與SRAM、ROM、PSRAM、NOR Flash和NANDFlash存儲(chǔ)器的引腳直接相連。

　?、谥С重S富的存儲(chǔ)操作方法。FSMC不僅支持多種數(shù)據(jù)寬度的異步讀／寫(xiě)操作，而且支持對(duì)NOR／PSRAM／NAND存儲(chǔ)器的同步突發(fā)訪問(wèn)方式。

　?、壑С滞瑫r(shí)擴(kuò)展多種存儲(chǔ)器。FSMC的映射地址空間中，不同的BANK是獨(dú)立的，可用于擴(kuò)展不同類(lèi)型的存儲(chǔ)器。當(dāng)系統(tǒng)中擴(kuò)展和使用多個(gè)外部存儲(chǔ)器時(shí)，F(xiàn)SMC會(huì)通過(guò)總線懸空延遲時(shí)間參數(shù)的設(shè)置，防止各存儲(chǔ)器對(duì)總線的訪問(wèn)沖突。

　?、苤С指鼮閺V泛的存儲(chǔ)器型號(hào)。通過(guò)對(duì)FSMC的時(shí)間參數(shù)設(shè)置，擴(kuò)大了系統(tǒng)中可用存儲(chǔ)器的速度范圍，為用戶提供了靈活的存儲(chǔ)芯片選擇空間。

　?、葜С执a從FSMC擴(kuò)展的外部存儲(chǔ)器中直接運(yùn)行，而不需要首先調(diào)入內(nèi)部SRAM。

　　1．2 FSMC內(nèi)部結(jié)構(gòu)

　　STM32微控制器之所以能夠支持NOR Flash和NAND Flash這兩類(lèi)訪問(wèn)方式完全不同的存儲(chǔ)器擴(kuò)展，是因?yàn)镕SMC內(nèi)部實(shí)際包括NOR Flash和NAND／PC Card兩個(gè)控制器，分別支持兩種截然不同的存儲(chǔ)器訪問(wèn)方式。在STM32內(nèi)部，F(xiàn)SMC的一端通過(guò)內(nèi)部高速總線AHB連接到內(nèi)核Cortex－M3，另一端則是面向擴(kuò)展存儲(chǔ)器的外部總線。內(nèi)核對(duì)外部存儲(chǔ)器的訪問(wèn)信號(hào)發(fā)送到AHB總線后，經(jīng)過(guò)FSMC轉(zhuǎn)換為符合外部存儲(chǔ)器通信規(guī)約的信號(hào)，送到外部存儲(chǔ)器的相應(yīng)引腳，實(shí)現(xiàn)內(nèi)核與外部存儲(chǔ)器之間的數(shù)據(jù)交互。FSMC起到橋梁作用，既能夠進(jìn)行信號(hào)類(lèi)型的轉(zhuǎn)換，又能夠進(jìn)行信號(hào)寬度和時(shí)序的調(diào)整，屏蔽掉不同存儲(chǔ)類(lèi)型的差異，使之對(duì)內(nèi)核而言沒(méi)有區(qū)別。

　　1．3 FSMC映射地址空間

　　FSMC管理1 GB的映射地址空間。該空間劃分為4個(gè)大小為256 MB的BANK，每個(gè)BANK又劃分為4個(gè)64 MB的子BANK，如表1所列。FSMC的2個(gè)控制器管理的映射地址空間不同。NOR Flash控制器管理第1個(gè)BANK，NAND／PC Card控制器管理第2～4個(gè)BANK。由于兩個(gè)控制器管理的存儲(chǔ)器類(lèi)型不同，擴(kuò)展時(shí)應(yīng)根據(jù)選用的存儲(chǔ)設(shè)備類(lèi)型確定其映射位置。其中，BANK1的4個(gè)子BANK擁有獨(dú)立的片選線和控制寄存器，可分別擴(kuò)展一個(gè)獨(dú)立的存儲(chǔ)設(shè)備，而B(niǎo)ANK2～BANK4只有一組控制寄存器。

　　2 FSMC擴(kuò)展NOR Flash配置

　　SRAM／ROM、NOR Flash和PSRAM類(lèi)型的外部存儲(chǔ)器都是由FSMC的NOR Flash控制器管理的，擴(kuò)展方法基本相同，其中NOR Flash最為復(fù)雜。通過(guò)FSMC擴(kuò)展外部存儲(chǔ)器時(shí)，除了傳統(tǒng)存儲(chǔ)器擴(kuò)展所需要的硬件電路外，還需要進(jìn)行FSMC初始化配置。FSMC提供大量、細(xì)致的可編程參數(shù)，以便能夠靈活地進(jìn)行各種不同類(lèi)型、不同速度的存儲(chǔ)器擴(kuò)展。外部存儲(chǔ)器能否正常工作的關(guān)鍵在于：用戶能否根據(jù)選用的存儲(chǔ)器型號(hào)，對(duì)配置寄存器進(jìn)行合理的初始化配置。

　　(1)確定映射地址空間

　　根據(jù)選用的存儲(chǔ)器類(lèi)型確定擴(kuò)展使用的映射地址空間。NOR Flash只能選用BANK1中的4個(gè)子BANK。選定映射子BANK后，即可確定以下2方面內(nèi)容：

　?、儆布娐分杏糜谶x中該存儲(chǔ)器的片選線FSMC_NEi(i為子BANK號(hào)，i=1，…，4)；

　?、贔SMC配置中用于配置該外部存儲(chǔ)器的特殊功能寄存器號(hào)(如表1所列)。

?

　　(2)配置存儲(chǔ)器基本特征

　　通過(guò)對(duì)FSMC特殊功能寄存器FSMC_BCRi(i為子BANK號(hào)，i=1，…，4)中對(duì)應(yīng)控制位的設(shè)置，F(xiàn)SMC根據(jù)不同存儲(chǔ)器特征可靈活地進(jìn)行工作方式和信號(hào)的調(diào)整。根據(jù)選用的存儲(chǔ)器芯片確定需要配置的存儲(chǔ)器特征，主要包括以下方面：

　?、俅鎯?chǔ)器類(lèi)型(MTYPE)是SRAM／ROM、PSRAM，還是NOR FlaSh；

　?、诖鎯?chǔ)芯片的地址和數(shù)據(jù)引腳是否復(fù)用(MUXEN)，F(xiàn)SMC可以直接與AD0～AD15復(fù)用的存儲(chǔ)器相連，不需要增加外部器件；

　?、鄞鎯?chǔ)芯片的數(shù)據(jù)線寬度(MWID)，F(xiàn)SMC支持8位／16位兩種外部數(shù)據(jù)總線寬度；

　?、軐?duì)于NOR Flash(PSRAM)，是否采用同步突發(fā)訪問(wèn)方式(B URSTEN)；

　?、輰?duì)于NOR Flash(PSRAM)，NWAIT信號(hào)的特性說(shuō)明(WAITEN、WAITCFG、WAITPOL)；

　?、迣?duì)于該存儲(chǔ)芯片的讀／寫(xiě)操作，是否采用相同的時(shí)序參數(shù)來(lái)確定時(shí)序關(guān)系(EXTMOD)。

　　(3)配置存儲(chǔ)器時(shí)序參數(shù)

　　FSMC通過(guò)使用可編程的存儲(chǔ)器時(shí)序參數(shù)寄存器，拓寬了可選用的外部存儲(chǔ)器的速度范圍。FSMC的NORFlash控制器支持同步和異步突發(fā)兩種訪問(wèn)方式。選用同步突發(fā)訪問(wèn)方式時(shí)，F(xiàn)SMC將HCLK(系統(tǒng)時(shí)鐘)分頻后，發(fā)送給外部存儲(chǔ)器作為同步時(shí)鐘信號(hào)FSMC_CLK。此時(shí)需要的設(shè)置的時(shí)間參數(shù)有2個(gè)：

　?、貶CLK與FSMC_CLK的分頻系數(shù)(CLKDIV)，可以為2～16分頻；

　?、谕酵话l(fā)訪問(wèn)中獲得第1個(gè)數(shù)據(jù)所需要的等待延遲(DATLAT)。

　　對(duì)于異步突發(fā)訪問(wèn)方式，F(xiàn)SMC主要設(shè)置3個(gè)時(shí)間參數(shù)：地址建立時(shí)間(ADDSET)、數(shù)據(jù)建立時(shí)間(DATAST)和地址保持時(shí)間(ADDHLD)。FSMC綜合了SRAM／ROM、PSRAM和NOR Flash產(chǎn)品的信號(hào)特點(diǎn)，定義了4種不同的異步時(shí)序模型。選用不同的時(shí)序模型時(shí)，需要設(shè)置不同的時(shí)序參數(shù)，如表2所列。在實(shí)際擴(kuò)展時(shí)，根據(jù)選用存儲(chǔ)器的特征確定時(shí)序模型，從而確定各時(shí)間參數(shù)與存儲(chǔ)器讀／寫(xiě)周期參數(shù)指標(biāo)之間的計(jì)算關(guān)系；利用該計(jì)算關(guān)系和存儲(chǔ)芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)中給定的參數(shù)指標(biāo)，可計(jì)算出FSMC所需要的各時(shí)間參數(shù)，從而對(duì)時(shí)間參數(shù)寄存器進(jìn)行合理的配置。

　　3 STM2擴(kuò)展S29GL系列NOR Flash實(shí)例

　　3．1 S29GL系列NOR Flash簡(jiǎn)介

　　Spansion公司的S29GL系列芯片是采用90nm技術(shù)制造的高集成度NOR Flash存儲(chǔ)芯片，提供16～128 MB可選容量，支持最快25 ns的頁(yè)訪問(wèn)速度和11O ns的隨機(jī)訪問(wèn)速度，帶有最大64字節(jié)的寫(xiě)緩沖區(qū)，以提供更快、更高效的編程，是嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中大容量存儲(chǔ)器擴(kuò)展的理想選擇。本文選用的型號(hào)為S29GL512P，容量為512×64K字(總?cè)萘?4 MB)，擴(kuò)展到NOR Flash控制器管理的BANK1的第2個(gè)子BANK。

　　3．2 STM32與S29GL512P的電路連接

　　S25GL512P可通過(guò)控制引腳BYTE選擇對(duì)芯片的訪問(wèn)單位(字／字節(jié))，區(qū)別在于：

　?、賹?duì)于芯片引腳DQ15，字模式時(shí)傳送最高數(shù)據(jù)位D15；字節(jié)模式時(shí)傳送最低地址A-1。

　?、谧帜Ｊ綍r(shí)，數(shù)據(jù)引腳D0～D15上傳送數(shù)據(jù)信號(hào)；字節(jié)模式時(shí)，只有D0～D7上有信號(hào)。

　　此處，將BYTE上拉到高電平，選擇16位的字訪問(wèn)單位。FSMC數(shù)據(jù)線FSMC_D[15：0]與S29GL512P的D15～D0對(duì)應(yīng)連接；FSMC地址線FSMC_A[25：0]的低25根與S29GL512P的地址線A[24：0]對(duì)應(yīng)連接。

　　由于S29GL512P芯片映射到BANK1的子BANK2，可確定其片選線應(yīng)連接FSMC片選控制線FSMC_NE2。S29GL512P的RY／BY引腳連接FSMC的FSMC_NWAIT引腳，提供等待信號(hào)。

　　3．3 FSMC的配置

　　根據(jù)S29GL512P的映射位置，需要對(duì)FSMC_BCR2和FSMC_BTR2／BWTR2寄存器進(jìn)行配置。

　　(1)FSMC_BCR2

　　配置S29GL512P的讀／寫(xiě)采用統(tǒng)一時(shí)間參數(shù)，只需要設(shè)置時(shí)間寄存器FSMC_BTR2。配置存儲(chǔ)器類(lèi)型為NORFlash，數(shù)據(jù)總線寬度為16位(字)，不采用地址／數(shù)據(jù)復(fù)用，使能BANK1的子BANK2。

　　(2)FSMC_BTR2

　　由表2可知，異步NOR Flash時(shí)序模型Mode2／B需要設(shè)置時(shí)間參數(shù)DATAST和ADDSET。根據(jù)時(shí)序圖，兩個(gè)參數(shù)的計(jì)算公式如下：

　　式中：Twc和Trc為所選存儲(chǔ)芯片的寫(xiě)周期長(zhǎng)度和讀操作周期長(zhǎng)度；Twp為所選存儲(chǔ)芯片的寫(xiě)信號(hào)持續(xù)長(zhǎng)度。根據(jù)S29GL512P用戶手冊(cè)，可知參數(shù)Twc=Trc=130 ns，Twp=35 ns。設(shè)STM32微控制器采用72 MHz主頻，則HCLK=(1／72×10-6)s。通過(guò)上述公式計(jì)算，可取值為：DATAST=2，ADDSET=5。

　　為了達(dá)到更好的控制效果，還應(yīng)考慮FSMC自身延遲問(wèn)題，使用校正公式：

　　式中：TAVQV為所選存儲(chǔ)芯片訪問(wèn)過(guò)程中，從地址有效至數(shù)據(jù)有效的時(shí)間域；Tsu(Data_NE)為STM32特征參數(shù)，從數(shù)據(jù)有效到FSMC_NE(片選)失效時(shí)間域；Ttv(A_NE)為STM32特征參數(shù)，從FSMC_NE有效至地址有效的時(shí)間域。

　　TAVQV=130 ns，Tsu(Data_NE)+Ttv(A_NE]=36 ns，對(duì)DATAST參數(shù)進(jìn)行校正，可得DATAST=3。

　　3．4 應(yīng)用STM32固件對(duì)FSMC進(jìn)行初始化配置

　　ST公司為用戶開(kāi)發(fā)提供了完整、高效的工具和固件庫(kù)，其中使用C語(yǔ)言編寫(xiě)的固件庫(kù)提供了覆蓋所有標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)的函數(shù)，使用戶無(wú)需使用匯編操作外設(shè)特性，從而提高了程序的可讀性和易維護(hù)性。

　　STM32固件庫(kù)中提供的FSMC的NOR Flash控制器操作固件，主要包括2個(gè)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)和3個(gè)函數(shù)。數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef對(duì)應(yīng)時(shí)間參數(shù)寄存器FSMC_BTR和FSMC_BWTR的結(jié)構(gòu)定義；

　　FSMC_NORSRAMinitTypeDef對(duì)應(yīng)特征配置寄存器FSMC_BCR的結(jié)構(gòu)定義，并包含2個(gè)指向?qū)?yīng)BANK的FSMC_BTR和FSMC_BWTR寄存器的FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef結(jié)構(gòu)指針。針對(duì)上述S29GL512P芯片擴(kuò)展要求，利用固件庫(kù)進(jìn)行的主要初始化操作如下：

　　結(jié) 語(yǔ)

　　STM32作為新一代ARM Cortex-M3核處理器，其卓越的性能和功耗控制能夠適用于廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域；而其特殊的可變靜態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)FSMC具有高度的靈活性，對(duì)于存儲(chǔ)容量要求較高的嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)，能夠在不增加外部分立器件的情況下，擴(kuò)展多種不同類(lèi)型和容量的存儲(chǔ)芯片，降低了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，提高了系統(tǒng)的可靠性。