英特爾的10nm工藝晶體管密度達(dá)到了100MTr/mm2，首次使用貴金屬釕

英特爾現(xiàn)在的主力工藝依然是14nm，目前已經(jīng)發(fā)展了三代14nm工藝，將會一直用到2019年底，之后才會升級10nm工藝。不過10nm處理器最近已經(jīng)上市了，聯(lián)想Ideapad 330就使用了10nm Cannonlake架構(gòu)的Core i3-8121處理器，通過分析英特爾的10nm工藝晶體管密度達(dá)到了100MTr/mm2，是14nm節(jié)點(diǎn)的2.7倍，而且英特爾首次使用了貴金屬釕。

Techinsights日前就以聯(lián)想Ideapad 330中的Core i3-8121處理器為例分析了英特爾的10nm工藝，詳細(xì)報(bào)告還沒有發(fā)布，他們只公布了部分?jǐn)?shù)據(jù)，英特爾的10nm工藝主要創(chuàng)新如下：

·邏輯晶體管密度達(dá)到了100.8MTr/mm2，也就是每平方毫米1億個(gè)晶體管，晶體管密度是14nm工藝的2.7倍多。

?英特爾之前公布的自家14nm工藝特點(diǎn)

·10nm FinFET使用的是第三代FinFET晶體管工藝技術(shù)

·10nm工藝的最小柵極距（gate pitch）從之前的70nm縮小到了54nm。

·10nm工藝的最小金屬間距（metal pitch）從之前的52nm縮小到了36nm。

英特爾10nm工藝亮點(diǎn)：

·與現(xiàn)有10nm及即將問世的7nm工藝相比，英特爾10nm工藝具有最好的間距縮小指標(biāo)

·在后端制程BEOL中首次聯(lián)合使用金屬銅及釕，后者是一種貴金屬

·在contact及BEOL端使用了自對齊曝光方案（self-aligned patterning scheme）

設(shè)計(jì)亮點(diǎn)：

·通過6.2-Track高密度庫實(shí)現(xiàn)了超級縮放（Hyperscaling ）

·Cell級別的COAG（Contact on active gate）技術(shù)

關(guān)于英特爾的10nm工藝優(yōu)勢，之前我們也介紹過，而且英特爾CEO科贊奇也解釋過他們的10nm工藝為什么難產(chǎn)的問題，一大原因就是他們的10nm工藝指標(biāo)定的太高了，10nm工藝100MTr/mm2的晶體管密度實(shí)際上跟臺積電、三星的7nm工藝差不多，性能指標(biāo)是很好的，但遇到了良率這樣的問題，所以量產(chǎn)時(shí)間上要比其他兩家落后兩年多。