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電子發(fā)燒友網(wǎng)>可編程邏輯>FPGA/ASIC技術(shù)>NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

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Kioxia展示了NAND閃存的潛在替代產(chǎn)品

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2019-12-23 10:32:214222

預(yù)計(jì)NAND閃存價(jià)格將大幅上漲

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市場(chǎng)預(yù)期NAND閃存供求緊張致SSD價(jià)格持續(xù)上揚(yáng)

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U-BOOT是什么NAND閃存工作原理是什么從NAND閃存啟動(dòng)U-BOOT的設(shè)計(jì)思路
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SK海力士開(kāi)發(fā)出238NAND閃存芯片

閃存NAND海力士NAND閃存SK海力士行業(yè)芯事時(shí)事熱點(diǎn)行業(yè)資訊
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NOR和NAND閃存技術(shù)

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據(jù)外媒7月10日?qǐng)?bào)道,頂級(jí)NAND閃存芯片制造商三星宣布已開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
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2018-08-03 16:15:031188

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2018-10-08 17:11:001940

關(guān)于不同NAND閃存的種類對(duì)比淺析

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2019-04-17 16:32:345462

IDC對(duì)NAND閃存價(jià)格的最新預(yù)測(cè)

IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè),稱2019年和2020年的比特量(bit volume)將同比增長(zhǎng)39%和38%。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。 據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示,2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01282

IDC調(diào)整對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè)

IDC調(diào)整了其對(duì)NAND閃存的供需預(yù)測(cè),稱2019年和2020年的比特量(bit volume)將同比增長(zhǎng)39%和38%。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢(shì)可能會(huì)放緩。
2019-03-24 10:05:26582

NAND閃存連跌6個(gè)季度 上游廠商認(rèn)為5月會(huì)回暖

2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)從牛市進(jìn)入了熊市,領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲(chǔ)芯片,其中NAND閃存芯片從2018年初就開(kāi)始跌價(jià),迄今已經(jīng)連跌了6個(gè)季度。
2019-05-12 09:37:222630

NAND閃存介紹及NAND閃存的優(yōu)缺點(diǎn)

NAND閃存與機(jī)械存儲(chǔ)設(shè)備一樣,默認(rèn)情況下是不可靠的 - 這是電子世界中不尋常的情況。它的不可靠性通過(guò)使用專用控制器來(lái)處理。另一方面,DRAM被認(rèn)為是“非?!笨煽康?。服務(wù)器通常具有錯(cuò)誤檢測(cè)(并且可能是校正)電路,但消費(fèi)者和商業(yè)機(jī)器很少這樣做。我將專注于DRAM。
2019-08-07 10:02:579805

閃存vs.SSD硬盤兩者有什么差異

同樣值得注意的是閃存有幾種不同的類型。最常見(jiàn)的兩種是NOR閃存NAND閃存。
2019-12-05 11:54:343576

5G通信引領(lǐng),DRAM和NAND閃存市場(chǎng)需求將增加

據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道,市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè),基于固態(tài)硬盤(SSD)密度和性能提升,明年全球NAND閃存需求將增加,5G通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
2019-12-20 15:18:463156

如何在基于NAND閃存系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)最低的故障率

任何了解SD卡,USB閃存驅(qū)動(dòng)器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識(shí)的人都知道,控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00634

三星鎧俠率先擴(kuò)產(chǎn),NAND閃存市場(chǎng)要變天?

的投資額就達(dá)8萬(wàn)億韓元(約合470億元人民幣)。新冠肺炎疫情導(dǎo)致NAND市場(chǎng)的不確定性大增。然而,三星電子過(guò)往多選擇在景氣低迷時(shí)大舉投資,以此增強(qiáng)其在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力,此次再度大舉投資擴(kuò)產(chǎn),或?qū)?dòng)其他NAND閃存廠商的跟進(jìn),再掀NAND閃存的擴(kuò)產(chǎn)浪潮。
2020-06-16 10:07:173162

解析NAND閃存和NOR閃存

無(wú)論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu),大多數(shù)人在談到閃存時(shí),首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來(lái)講,NAND閃存可以說(shuō)已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞。基于塊尋址結(jié)構(gòu)和高密度,使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314752

NAND閃存類型機(jī)選擇技巧

通常情況下,固態(tài)硬盤(SSD)的底層NAND架構(gòu)會(huì)因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性,并因此對(duì)您的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)生不同的影響,在這篇文章中,我們會(huì)討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716

NAND閃存芯片有哪些類型

我們都知道,構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營(yíng)和英特爾與美光為首的ONFI陣營(yíng),今天小編就來(lái)你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ),將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025

SK海力士收購(gòu)NAND閃存業(yè)務(wù)的意義

近日閃存芯片行業(yè)又現(xiàn)巨震,英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價(jià)格出售給了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472207

美光宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)

美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù),達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后,自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲(chǔ)器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599

SK海力士發(fā)布176層TLC 4D NAND閃存

根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息,SK 海力士公司發(fā)布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術(shù)
2020-12-07 16:16:232416

不要過(guò)于關(guān)注3D NAND閃存層數(shù)

? ? NAND非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史,隨著2D NAND容量達(dá)到極限,以及晶體管越來(lái)越小,NAND的編程時(shí)間變長(zhǎng),擦寫次數(shù)變少,能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的3D
2020-12-09 10:35:492766

NAND閃存營(yíng)收達(dá)398.01億元,創(chuàng)下歷史新高

由于成本上的優(yōu)勢(shì),目前市場(chǎng)上的NAND閃存主流已經(jīng)變成了TLC、QLC,MLC都很罕見(jiàn)了,SLC閃存更是鳳毛麟角,消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)上幾乎消失了。
2021-01-08 09:19:002400

鎧俠開(kāi)發(fā)出約170層的NAND閃存

日本芯片制造商Kioxia開(kāi)發(fā)了大約170層的NAND閃存,加入了與美國(guó)同行Micron Technology和韓國(guó)的SK Hynix的競(jìng)賽。
2021-02-20 11:10:002580

NAND閃存類型,如何選擇SLC/MLC和TLCSSD

NAND閃存是用于SSD和存儲(chǔ)卡的一種非易失性存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)。它的名字來(lái)源于邏輯門(NOT-AND),用于確定數(shù)字信息如何存儲(chǔ)在閃存設(shè)備的芯片中。
2021-03-02 17:54:143918

一文知道NAND閃存的類型

由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。
2021-03-03 17:42:495260

基于Cortex?-M的MCU上的EBI的NAND閃存接口

本文檔重點(diǎn)介紹 NAND 閃存與使用靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器(Static Memory Controller,SMC)的 EBI 的接口。
2021-04-01 10:17:5510

簡(jiǎn)述NAND閃存的寫入限制與發(fā)展

寫入問(wèn)題確實(shí)是NAND閃存的在企業(yè)級(jí)應(yīng)用中的一個(gè)限制么?
2021-04-01 17:50:562894

EE-344:在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器

EE-344:在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器
2021-04-13 08:02:427

在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器的EE-344

在Blackfin處理器上使用NAND閃存控制器的EE-344
2021-06-16 20:17:088

Arasan推出NAND閃存全I(xiàn)P解決方案

NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問(wèn)片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規(guī)范模式。
2021-08-05 15:30:561299

NAND 閃存概述

NAND 閃存內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)單元是基于 MOSFET(金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效應(yīng)晶體管), 與普通場(chǎng)效應(yīng)晶體管的不同之處在于,在柵極(控制柵)與漏極/源極之間存在浮置柵,利用該浮置柵存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2022-02-10 11:39:231

NAND閃存市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈

 在3D NAND技術(shù)賽跑中,三星長(zhǎng)期處于領(lǐng)先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100

存儲(chǔ)背后的大腦:NAND 閃存控制器實(shí)際上是做什么的?

存儲(chǔ)背后的大腦:NAND 閃存控制器實(shí)際上是做什么的? ? 圍繞在基于 NAND 閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的討論變得很混亂。通常 , 當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí) , 只會(huì)談?wù)?NAND 閃存 , 而忽略了控制器這一獨(dú)立
2022-09-05 14:42:551452

開(kāi)放式NAND閃存接口規(guī)范

本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化的NAND閃存設(shè)備接口,該接口提供了以下方法:用于設(shè)計(jì)支持一系列NAND閃存設(shè)備而無(wú)需直接設(shè)計(jì)的系統(tǒng)關(guān)聯(lián)前。該解決方案還提供了系統(tǒng)無(wú)縫利用的方法在設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)可能不存在的新NAND設(shè)備。
2022-09-09 16:10:2415

NAND閃存的應(yīng)用中的磨損均衡

NAND閃存的應(yīng)用中,程序/擦除周期存在一個(gè)限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí),這些塊將變得不可工作,需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí),此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-10-24 14:30:111230

NAND閃存控制器有什么優(yōu)勢(shì)

圍繞基于NAND閃存的存儲(chǔ)系統(tǒng)的對(duì)話已經(jīng)變得混亂。通常,當(dāng)人們討論存儲(chǔ)時(shí),他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存,而忽略了單獨(dú)的,但同樣重要的組件,即控制器。但是為什么需要控制器呢?簡(jiǎn)單地說(shuō),沒(méi)有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863

NAND閃存應(yīng)用中的磨損均衡介紹

NAND閃存的應(yīng)用中,編程/擦除周期存在限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí),這些塊變得不可工作,需要一個(gè)備用塊來(lái)替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí),此NAND閃存將無(wú)法再使用。
2022-11-30 15:00:431519

開(kāi)放式NAND閃存接口規(guī)范說(shuō)明書

本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化NAND閃存設(shè)備接口,該接口提供了設(shè)計(jì)的系統(tǒng)支持一系列NAND閃存設(shè)備,無(wú)需直接設(shè)計(jì)預(yù)關(guān)聯(lián)。該解決方案還為系統(tǒng)提供了無(wú)縫利用在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:450

Yole:NAND閃存及控制器的市場(chǎng)趨勢(shì)

一、NAND閃存市場(chǎng)分析 據(jù)歐洲知名半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)Yole發(fā)布的報(bào)告顯示,2020年起,NAND閃存市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)保持穩(wěn)定增長(zhǎng),2021年,NAND閃存市場(chǎng)份額達(dá)到了近670億美元(見(jiàn)圖1),同年
2022-12-26 18:13:09991

什么是3D NAND閃存

我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來(lái)了,理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

NAND閃存 – 多芯片系統(tǒng)驗(yàn)證的關(guān)鍵元件

NAND閃存上的位密度隨著時(shí)間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元(SLC)閃存。這表明每個(gè)閃存單元存儲(chǔ)一個(gè)位。使用多層單元(MLC),閃存可以為每個(gè)單元存儲(chǔ)兩個(gè)或更多位,因此位密度會(huì)增加
2023-05-25 15:36:031197

NAND閃存特點(diǎn)及決定因素

內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit,用戶可以隨機(jī)訪問(wèn)任何一個(gè)bit的信息。而NAND閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)(Page)(可以看到,NAND閃存的頁(yè)就類似硬盤的扇區(qū),硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001983

三星或提高512Gb NAND閃存晶圓報(bào)價(jià) 漲幅為15%

據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道,三星提出的512gb nand閃存晶片單價(jià)為1.60美元,比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示,由于上下nand閃存的庫(kù)存緩慢,很難說(shuō)服上調(diào)價(jià)格。
2023-08-02 11:56:24762

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈,三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282

中芯國(guó)際“NAND閃存器件及其形成方法”專利獲授權(quán)

中芯國(guó)際方面表示:“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲(chǔ)器密度、快速使用和刪除速度等優(yōu)點(diǎn),已成為廣泛使用在閃存上的結(jié)構(gòu)。”目前主要用于數(shù)碼相機(jī)等的閃存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07266

三星計(jì)劃NAND閃存芯片每個(gè)季度漲價(jià)20%

三星采取此舉的目的很明確,希望通過(guò)此舉逆轉(zhuǎn)整個(gè)閃存市場(chǎng),穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格,并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:111214

三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20%

三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過(guò)低;在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判,目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22222

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