以前，芯片提供商想辦法通過(guò)晶體管和工藝技術(shù)來(lái)降低功耗。雖然晶體管是產(chǎn)生功耗的主要原因，但并非唯一因素，而且通過(guò)晶體管來(lái)降低功耗作用是有限的。
2011-08-18 08:50:55
815 ?！ ?050晶體管及其等效的8550晶體管設(shè)計(jì)用于低功耗推挽放大器應(yīng)用中的互補(bǔ)晶體管對(duì)。通常，8050晶體管是2瓦放大器，最大集電極-發(fā)射極電流為1.5安培，最大集電極-發(fā)射極電壓為25伏?！ 』?b class="flag-6" style="color: red">晶體管
2023-02-16 18:22:30
采取一些特殊的方法來(lái)應(yīng)對(duì)上述兩個(gè)主要挑戰(zhàn)。 在功率管理方面，F(xiàn)PGA在130納米之前的各節(jié)點(diǎn)，每次升級(jí)都不需要考慮功耗問(wèn)題，設(shè)計(jì)要以獲得晶體管升級(jí)帶來(lái)的全部性能為主。但在90納米之后，這種節(jié)點(diǎn)的升級(jí)變成
2019-05-20 05:00:10
）Arcotii OTII-ARC-001 QOITECH 電源分析記錄儀，當(dāng)天發(fā)貨-淘寶網(wǎng) (taobao.com)Arcotii OTII-ARC-001這款設(shè)備目前的使用面不是太廣，有一些比較知名的對(duì)低功耗
2020-12-28 22:59:20
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
的B和C對(duì)稱、和E極同樣是N型。也就是說(shuō)，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動(dòng)。3. 逆向晶體管有如下特點(diǎn)。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過(guò)每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
判定前：晶體管的選定～貼裝的流程晶體管可否使用的判定方法1. 測(cè)定實(shí)際的電流、電壓波形2. 是否一直滿足絕對(duì)最大額定值？3. 是否在SOA范圍內(nèi)？4. 在使用環(huán)境溫度*1下是否在下降的SOA范圍內(nèi)
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
統(tǒng)通過(guò)VCCS輸入，取平均等技術(shù)獲得較理想的測(cè)試結(jié)果。目前能夠完成三極管輸入、輸出特性曲線、放大倍數(shù)、開(kāi)啟電壓等參數(shù)以及二極管一些參數(shù)的測(cè)定，并能測(cè)試比較溫度對(duì)這些參數(shù)的影響。系統(tǒng)具有通用的RS232 接口和打印機(jī)接口，可以方便的將結(jié)果打印、顯示。關(guān)鍵詞AduC812壓控流源晶體管參數(shù)
2012-08-02 23:57:09
` 《晶體管電路設(shè)計(jì)（下）》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書(shū)”之一，共分上下二冊(cè)。本書(shū)作為下冊(cè)主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn)，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
一、晶體管開(kāi)關(guān)電路：是一種計(jì)數(shù)地接通-斷開(kāi)晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開(kāi)關(guān)使用的電路，此時(shí)的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負(fù)載電流時(shí)，由于集電極電流(負(fù)載電流)是放大基極電流而來(lái)
2021-10-29 09:25:31
1．反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過(guò)測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來(lái)估測(cè)。測(cè)量時(shí)，將萬(wàn)用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
題庫(kù)來(lái)源：特種作業(yè)?？碱}庫(kù)小程序1.晶體管特性圖示儀的功耗限制電阻相當(dāng)于晶體管放大電路的( )電阻。 BA.基極B.集電極C.限流D.降壓2.集成運(yùn)放通常有( )部分
2021-09-02 06:19:31
從事電子設(shè)計(jì)7年了，發(fā)覺(jué)這兩本書(shū)挺好的，發(fā)上來(lái)給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)（上）放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)（下）FET_功率MOS_開(kāi)關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
IC一般不能超出ICM。(3) 集電極最大允許功耗PCMPCM是指晶體管參數(shù)變化不超出規(guī)定允許值時(shí)的最大集電極耗散功率。使用晶體管時(shí)，實(shí)際功耗不允許超過(guò)PCM，通常還應(yīng)留有較大余量，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">功耗過(guò)大往往是
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開(kāi)說(shuō)明。其中，將以近年來(lái)控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來(lái)展開(kāi)。 先來(lái)看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開(kāi)說(shuō)明。其中，將以近年來(lái)控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來(lái)展開(kāi)。首先是基礎(chǔ)性的內(nèi)容，來(lái)看一下晶體管的分類與特征。Si晶體管的分類Si晶體管的分類根據(jù)
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-07-23 00:07:18
100V到700V，應(yīng)有盡有．幾年前，晶體管的開(kāi)關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達(dá)數(shù)百千瓦的功率。這主要?dú)w功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計(jì)人員的共同努力，改進(jìn)了功率晶體管的性能。如(1)開(kāi)關(guān)晶體管
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
晶體管的基極電流發(fā)生變化時(shí)，其集電極電流將發(fā)生更大的變化或在晶體管具備了工作條件后，若從基極加入一個(gè)較小的信號(hào)，則其集電極將會(huì)輸出一個(gè)較大的信號(hào)。 晶體管的基本工作條件是發(fā)射結(jié)（B、E極之間）要加上
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多，不同的電子設(shè)備與不同的電子電路，對(duì)晶體管各項(xiàng)性能指標(biāo)的要求是不同的。所以，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求來(lái)選擇不同用途，不同類型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號(hào)處理（例如
2012-01-28 11:27:38
強(qiáng)弱?？刂颇芰?qiáng)，則放大大。但如果要從晶體管內(nèi)部的電子、空穴在PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)的作用下，電子、空穴是如何運(yùn)動(dòng)的、晶體管的內(nèi)電場(chǎng)對(duì)電子、空穴是如何控制的等一些物理過(guò)程來(lái)看，就比較復(fù)雜了。對(duì)這個(gè)問(wèn)題，許多
2012-02-13 01:14:04
的B和C對(duì)稱、和E極同樣是N型。也就是說(shuō)，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動(dòng)。3. 逆向晶體管有如下特點(diǎn)。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
電流的開(kāi)關(guān)，和一般機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上  
2010-08-12 13:57:39
向左：超低功耗，低速計(jì)算。圖1.將功耗性能曲線向高速方向移動(dòng)的一些技術(shù)，同時(shí)通過(guò)功耗管理拉低整條曲線。Muller說(shuō)，這是長(zhǎng)壽命電池和低功耗的范圍。這里的問(wèn)題是，怎樣以很低的能量來(lái)完成少量的計(jì)算。今天
2014-09-02 14:55:03
CC2530芯片 ZED 和ZC,在組網(wǎng)正常的情況下，ZED可以進(jìn)入低功耗模式，電流在uA級(jí)別。當(dāng)關(guān)閉ZC后，ZED會(huì)持續(xù)的進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)發(fā)現(xiàn)，無(wú)法進(jìn)入低功耗模式。電流達(dá)28mA；求教，如何降低ZC發(fā)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)的頻次以降低功耗？或者有其他什么方法來(lái)降低功耗？
2016-04-07 14:19:54
技術(shù)亞閾值漏電流是靜態(tài)功耗產(chǎn)生的主要原因之一，降低亞閾值漏電流將有效地降低芯片的靜態(tài)功耗。亞閾值漏電流的解析模型如下公式所示：Vt為閾值電壓，n為亞閾值擺幅系數(shù)，W為晶體管的寬度，L為長(zhǎng)度，μ為電子
2020-04-28 08:00:00
的高功率晶體管產(chǎn)品組合。我們目前的產(chǎn)品提供超過(guò)80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半導(dǎo)體技術(shù)。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件，從而支持傳統(tǒng)方案
2019-04-15 15:12:37
：IB3042-5產(chǎn)品名稱：晶體管Integra于1997年由一些企業(yè)工程師發(fā)起，他們相信他們可以為新一代雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供創(chuàng)新的高性能RF功率晶體管解決方案。我們推向市場(chǎng)的款產(chǎn)品是采用我們獲得的新半導(dǎo)體
2019-05-14 11:00:13
NPN晶體管排列和符號(hào)在解釋原理之前，我們先來(lái)了解一下NPN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和符號(hào)。要識(shí)別NPN晶體管引腳，它將是集電極（c），基極（b）和發(fā)射極（e）。圖1.NPN 晶體管結(jié)構(gòu)和符號(hào)NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
低功耗設(shè)計(jì)中，晶體管控制電路會(huì)對(duì)電路產(chǎn)生一定的影響。無(wú)論是NPN還是PNP，晶體管的PN結(jié)都會(huì)有漏電流。當(dāng)I/O控制基極電壓時(shí)，為了穩(wěn)定基極電壓，一般在NPN開(kāi)關(guān)電路的基極上加一個(gè)下拉電阻。在PNP開(kāi)關(guān)電路的設(shè)計(jì)中，基極增加了一個(gè)下拉電阻。上拉和下拉電阻根據(jù)控制芯片、晶體管和電路電壓進(jìn)行選擇。
2023-02-15 18:13:01
、發(fā)射極和集電極。為了識(shí)別NPN和PNP晶體管，我們有一些標(biāo)準(zhǔn)的電阻值。每對(duì)端子必須在兩個(gè)方向上測(cè)試電阻值，總共進(jìn)行六次測(cè)試。這種方法對(duì)于快速識(shí)別PNP晶體管非常有益。我們現(xiàn)在可以觀察每對(duì)終端的運(yùn)行方式
2023-02-03 09:44:48
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作。因此，將一個(gè)器件定義為“耐用晶體管”可能沒(méi)有清晰的界限。對(duì)硅LDMOS晶體管的耐用性測(cè)試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
繼前篇內(nèi)容，繼續(xù)進(jìn)行各功率晶體管的比較。本篇比較結(jié)構(gòu)和特征。功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較下圖是各功率晶體管的結(jié)構(gòu)、耐壓、導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)速度的比較。使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同，因而電氣特征也不同。補(bǔ)充
2018-11-30 11:35:30
電源完整性解決方案確保我們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">降低功耗的同時(shí)還能保證極其嚴(yán)格的晶體管級(jí)的精度要求。我們也使用了Voltus IC電源完整性方案實(shí)現(xiàn)在模塊層面的完整性，憑借業(yè)內(nèi)一流的電源簽收解決方案不斷優(yōu)化我們的移動(dòng)設(shè)備
2018-09-30 16:11:32
。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開(kāi)關(guān)，和一般機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中
2010-08-13 11:36:51
cogobuy降低功耗的措施 每個(gè)廠商對(duì)于降低功耗都有不同的處理方式。雖然每個(gè)MCU都有休眠狀態(tài)或都有可能實(shí)現(xiàn)很低的工作耗電量，但是有的芯片在處于很低功耗的時(shí)候，基本功能也所剩無(wú)幾了，沒(méi)有
2012-03-23 11:18:31
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
變化對(duì)系統(tǒng)的積極作用 凡事都有兩面性，雖然芯片中晶體管的老化對(duì)電子產(chǎn)品不是好事，但其功耗卻隨著時(shí)間的推移而降低，這是英國(guó)南安普頓大學(xué)電子工程教授Bashir Al-Hashimi在一系列仿真和試驗(yàn)后
2017-06-15 11:41:33
現(xiàn)在蘋(píng)果的a12晶體管的數(shù)量都到100億了，晶體管數(shù)量也不比x86低了，為什么還能還能保持低功耗，同樣用arm cpu的路由器功率卻越來(lái)越大？
2018-11-02 09:55:21
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
200，000個(gè)電子，而單個(gè)電子晶體管僅包含一個(gè)或幾個(gè)電子，因此將大大降低功耗并提高集成電路的集成度。1989年，J.H.F.Scott-Thomas等研究人員發(fā)現(xiàn)了庫(kù)侖阻塞現(xiàn)象。當(dāng)施加電壓時(shí)，如果量子點(diǎn)中
2023-02-03 09:36:05
電子產(chǎn)品中。這種氧化物是個(gè)好選擇，因?yàn)樗芘cAlGaN/GaN形成良好的肖特基接觸，并在GaN晶體管中起到柵極的作用。有一些報(bào)道證實(shí)在氮化鎵晶體管中可存在銦錫氧化物（ITO）柵極，并且已經(jīng)表明，在氮化鎵器件
2020-11-27 16:30:52
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
兩種比光敏二極管產(chǎn)生更高輸出電流的光敏器件的一些基本信息: 光敏晶體管和光敏集成電路。后一個(gè)術(shù)語(yǔ)指的是基本上是一個(gè)光電二極管和放大器集成到同一封裝。什么是光電晶體管？光電二極管可以產(chǎn)生光電流，因?yàn)樗慕Y(jié)
2022-04-21 18:05:28
年代和 1960 年代，它也被稱為超級(jí)阿爾法對(duì)。Darlington認(rèn)識(shí)到這種設(shè)計(jì)對(duì)發(fā)射極-跟隨電路的諸多優(yōu)勢(shì)，并為這一概念申請(qǐng)了專利。 達(dá)林頓晶體管通常具有低功耗、高增益的特性，使其對(duì)輸入電流
2023-02-16 18:19:11
場(chǎng)效應(yīng)管的演變 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的未來(lái)發(fā)展前景 FinFET在5nm之后將不再有用，因?yàn)樗鼪](méi)有足夠的靜電控制，需要晶體管的新架構(gòu)。然而，隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步，一些公司可能會(huì)出于經(jīng)濟(jì)原因決定在同一節(jié)點(diǎn)上
2023-02-24 15:25:29
嗨，
我正在嘗試使用 2N7000 晶體管切換一些 12v 設(shè)備。整個(gè)電路工作正常，但我的 ESP 變得非常熱（超過(guò) 50 C）。目前我在 GPIO 和 GND 之間只有下拉電阻。但是，我認(rèn)為熱量
2023-04-28 06:59:43
，但也降低了開(kāi)關(guān)速度。此外，降低晶體管閾值電壓，會(huì)導(dǎo)致更多的問(wèn)題，例如抗噪聲能力，泄漏電流。 較低的電壓擺幅使芯片與外部設(shè)備接口變得更加困難。2、時(shí)鐘門(mén)控時(shí)鐘門(mén)控是一種動(dòng)態(tài)功耗降低方法，在寄存器存儲(chǔ)
2022-04-12 09:34:51
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開(kāi)關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問(wèn)題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?！?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開(kāi)關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問(wèn)題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
做了一個(gè)單結(jié)晶體管仿真（電力電子技術(shù)的初學(xué)者）。有個(gè)問(wèn)題請(qǐng)教于各位高手。1：開(kāi)關(guān)初始時(shí)刻是閉合的時(shí)候，點(diǎn)擊仿真，發(fā)光二極管不亮 。:2：初始時(shí)刻，開(kāi)關(guān)打開(kāi)，點(diǎn)擊仿真后，點(diǎn)擊開(kāi)關(guān)閉合，二極管開(kāi)始閃爍。按照道理來(lái)說(shuō)。情境1與情境2不應(yīng)該是一樣的嗎，為什么會(huì)有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請(qǐng)問(wèn)對(duì)于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時(shí)候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時(shí)，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種改變電場(chǎng)來(lái)控制固體材料導(dǎo)電能力的有源器件，屬于電壓控制性半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，沒(méi)有
2012-08-03 21:44:34
的時(shí)候gate電壓不足，引起導(dǎo)通不夠徹底，從而增加功耗。3、場(chǎng)效應(yīng)晶體管雙電壓應(yīng)用：在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數(shù)字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個(gè)電壓采用共地方
2019-04-16 11:22:48
hfe或β表示。hFE或β既有區(qū)別又關(guān)系密切，兩個(gè)參數(shù)值在低頻時(shí)較接近，在高頻時(shí)有一些差異。（二）耗散功率耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過(guò)規(guī)定允許值時(shí)的最大集電極耗散
2012-07-11 11:36:52
晶體管開(kāi)關(guān)對(duì)電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開(kāi)關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級(jí)的特性和配置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開(kāi)關(guān)對(duì)于低直流開(kāi)/關(guān)開(kāi)關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
如何使用PWM控制繼電器來(lái)降低功耗？
2022-02-17 06:31:28
復(fù)雜器件專業(yè)技術(shù)相結(jié)合，將為系統(tǒng)供應(yīng)商提供低功耗的芯片方案，供他們?cè)诖嘶A(chǔ)上持續(xù)提高帶寬容量，并完成更智能的處理。此外，TPACK提供的芯片解決方案可以導(dǎo)入到最新的FPGA中，進(jìn)一步降低功耗。最終實(shí)現(xiàn)
2019-07-31 07:13:26
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開(kāi)關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
。例如，需要合適的接口電路以在不同的強(qiáng)度和條件下提取最大電流。但是，確保應(yīng)用的有效性還需要了解光電晶體管和光電二極管的工作原理以及二者之間的差異。本文將討論這些器件的工作原理、一些關(guān)鍵的參數(shù)考慮因素、器件應(yīng)用的一些細(xì)微差別以及一些解決方案示例。
2021-01-12 07:56:44
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
使晶體管工作會(huì)產(chǎn)生電氣負(fù)載和熱負(fù)載。對(duì)晶體管來(lái)講，負(fù)載太大壽命會(huì)縮短，最壞的情況下會(huì)導(dǎo)致晶體管被破壞。為防止這種情況，需要檢查實(shí)際使用狀態(tài)，并確認(rèn)在使用上是否有問(wèn)題。這里說(shuō)明一下具體的判定方法。為
2019-05-05 09:27:01
節(jié)省功耗的特性的實(shí)現(xiàn)和各種最少功耗數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的實(shí)現(xiàn)。除此之外，設(shè)計(jì)中采用一些低功耗技巧，也可以降低靜態(tài)功耗?！ GLOO具有功耗友好的器件架構(gòu)，能提供靜態(tài)、睡眠、Flash*Freeze功耗模式
2020-05-13 08:00:00
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
)，并得到規(guī)定的輸出電流時(shí)需要的最小輸入電壓，即數(shù)字晶體管導(dǎo)通區(qū)域的最小輸入電壓值。因此，如果要從ON狀態(tài)變?yōu)镺FF狀態(tài)，需要進(jìn)一步降低該最小輸入電壓值，所以正常產(chǎn)品的電壓值低于這個(gè)數(shù)值。VI(off
2019-04-09 21:49:36
的最小輸入電壓，即數(shù)字晶體管導(dǎo)通區(qū)域的最小輸入電壓值。因此，如果要從ON狀態(tài)變?yōu)镺FF狀態(tài)，需要進(jìn)一步降低該最小輸入電壓值，所以正常產(chǎn)品的電壓值低于這個(gè)數(shù)值。VI(off)Max.：輸入電壓
2019-04-22 05:39:52
電容在波形上升、下降時(shí)基極電流變大，加速開(kāi)關(guān)過(guò)程。在實(shí)際當(dāng)中晶體管由截止?fàn)顟B(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)的時(shí)間也縮短了，仿真的結(jié)果稍有偏差。在實(shí)際應(yīng)用中，加速電容的值要通過(guò)觀察開(kāi)關(guān)波形來(lái)決定。加速電容是一種與減小R1值
2023-02-09 15:48:33
能通過(guò)一些辦法來(lái)降低功耗
2023-10-13 08:25:10
MOSFET：在硅上采用硅鍺結(jié)構(gòu)是改善性能的一種方法。Intel近期展示了一款高速低功耗量子阱場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這種P溝道結(jié)構(gòu)將基于40nm InSb材料。5. 基于通孔硅技術(shù)的3D芯片：Sematech近期透露了建立基于通孔硅技術(shù)的300mm 3D芯片研發(fā)計(jì)劃。
2014-01-04 09:52:44
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡(jiǎn)稱，是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場(chǎng)上確立了自己的地位，但在軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器（如LLC）對(duì)效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
我在設(shè)計(jì) PCB 時(shí)犯了一個(gè)錯(cuò)誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了。“正?！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個(gè)晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號(hào)與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個(gè)。
2023-03-28 06:37:56
電子產(chǎn)品中，近年來(lái)逐漸被晶體管和集成電路所取代，但目前在一些高保真音響器材中，仍然使用電子管作為音頻功率放大器件?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多
2016-01-26 16:52:08
` 引言 在功率變換器應(yīng)用中，寬帶隙（WBG）技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細(xì)分市場(chǎng)的應(yīng)用場(chǎng)景中，提升效率極限一或兩個(gè)百分點(diǎn)依然關(guān)系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
2021-01-19 16:48:15
時(shí)，它被用于低壓應(yīng)用。相比CMOS邏輯電路，采用一個(gè)NMOS和一個(gè)閾值電壓不同PMOS晶體管搭建而成。CMOS邏輯電路采用低閾值設(shè)計(jì)，保證了電路的速度和性能。VTCMOS利用基極偏壓效應(yīng)來(lái)降低功耗
2020-07-07 11:40:06
如今隨著芯片制程的不斷提升，芯片中可以有100多億個(gè)晶體管，如此之多的晶體管，究竟是如何安上去的呢？ 這是一個(gè)Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看見(jiàn)CPU內(nèi)部的層狀結(jié)構(gòu)
2020-07-07 11:36:10
stm32進(jìn)入低功耗模式，必須用中斷來(lái)喚醒，現(xiàn)在就是不用這種模式，如何通過(guò)程序來(lái)降低功耗啊
2019-05-06 18:43:22
雙極性晶體管與MOSFET對(duì)比分析哪個(gè)好？
2021-04-20 06:36:55
如何利用FPGA設(shè)計(jì)技術(shù)降低功耗？
2021-04-13 06:16:21
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
集成電路來(lái)實(shí)現(xiàn)一些常見(jiàn)的功能，如擴(kuò)流、恒流、穩(wěn)壓等。本文也就正是基于這方面，和大家分享一下晶體管的使用心得，希望能對(duì)初學(xué)者有一定的幫助，老司機(jī)可以直接忽略在下的班門(mén)弄斧了。首先來(lái)看一個(gè)負(fù)載控制的實(shí)例
2016-06-03 18:29:59
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
;span]除了使用多柵結(jié)構(gòu)提高器件的柵控能力和S小于60mV/decade的TFET，另一種減小集成電路功耗的方法是降低晶體管的工作電壓Vdd。傳統(tǒng)的MOSFET等比例縮小原則假設(shè)閾值電壓也能等比例
2018-10-19 11:08:33
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論