近日，德州儀器 （TI） 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅(qū)動器的工作電壓可達(dá)到600V。
2015-10-16 16:32:11
1115 BTT6020-1EKA的典型應(yīng)用電路是一個20mΩ單通道智能高側(cè)電源開關(guān)，嵌入PG-DSO-14-47 EP，裸露焊盤封裝，提供保護(hù)功能和診斷。功率晶體管由帶有電荷泵的N溝道垂直功率MOSFET
2020-04-16 10:14:10
壓，則會在氧化層下方形成空穴通道。增強(qiáng)模式 N 通道N 通道耗盡和增強(qiáng)類型的符號加工n溝道MOSFET的工作原理是假設(shè)大多數(shù)載流子是電子。電子在通道中的運(yùn)動負(fù)責(zé)晶體管中的電流。柵極端子的形成需要使用p
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，選擇N管還是P管，要針對實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
。TB9083FTG這款新產(chǎn)品能夠控制和驅(qū)動用于驅(qū)動3相直流無刷電機(jī)的外置N溝道功率MOSFET。它非常適合用于滿足ISO 26262功能安全性標(biāo)準(zhǔn)第二版 ^[2]^ 的要求，并支持ASIL-D ^[3]^ 用于高安
2023-02-28 14:11:51
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有橫向雙擴(kuò)散型
2016-10-10 10:58:30
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
CMOS/TTL邏輯電壓。因此，邏輯/控制電路和高功率器件之間需要一個接口。這可以通過驅(qū)動一個邏輯電平n溝道MOSFET，其進(jìn)而驅(qū)動一個功率MOSFET來實(shí)現(xiàn)，如圖1a所示。圖1. 用反相邏輯驅(qū)動功率
2021-07-09 07:00:00
為何需要柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器的關(guān)鍵參數(shù)
2020-12-25 06:15:08
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
柵極驅(qū)動器解決方案TI提供專為電動座椅設(shè)計(jì)的多電機(jī)汽車柵極驅(qū)動器。DRV8714-Q1和DRV8718-Q1的半橋柵極驅(qū)動器分別具有四個通道和八個通道。它們集成了電荷泵、電流檢測放大器和可用于多個負(fù)載
2022-11-03 07:05:16
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
當(dāng)今世界，設(shè)計(jì)師們似乎永遠(yuǎn)不停地追求更高效率。我們希望以更低的功率輸入得到更高的功率輸出！更高的系統(tǒng)效率需要團(tuán)隊(duì)的努力，這包括（但不限于）性能更高的柵極驅(qū)動器、控制器和新的寬禁帶技術(shù)。特別是高電流
2019-08-07 04:45:12
A4989SLDTR-T代替A3986 大功率工業(yè)用雙極二相步進(jìn)電機(jī)雙全橋柵極驅(qū)動器 30-500W其電動機(jī)的功率是由外部N溝提供，功率MOSFET的電源電壓為12-50V.還包含生成兩個正弦DAC
2019-10-28 14:00:50
同步降壓變換器；標(biāo)準(zhǔn)到同步轉(zhuǎn)換器的適配?！ ∫话阏f明 ADP3412是一款為驅(qū)動而優(yōu)化的雙mosfet驅(qū)動器兩個N通道mosfet，它們是a中的兩個開關(guān)非隔離同步降壓功率變換器每一個驅(qū)動器能夠以20
2020-07-21 15:49:18
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技術(shù)，具有極低的RDS（on），低柵極電壓和高電流能力，非常適合應(yīng)用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
IP2127是一款單通道驅(qū)動器，它具有電流檢測功能電路，輸入為高有效的高端驅(qū)動器。它為雙列直插8腳封裝。
2021-04-23 06:04:34
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動器與三個高側(cè)及三個低側(cè)參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
ISL6594A和ISL6594B是高頻MOSFET專為驅(qū)動上下功率而設(shè)計(jì)的驅(qū)動器同步整流buck中的N溝道mosfet轉(zhuǎn)換器拓?fù)?。這些驅(qū)動程序與ISL6592數(shù)字多相降壓型脈寬調(diào)制控制器N溝道
2020-09-30 16:47:03
N8322 是一款可驅(qū)動高端和低端 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動芯片，可用于同步降壓、升降壓和半橋拓?fù)渲?。LN8322 內(nèi)部集成欠壓鎖死電路可以確保 MOSFET 在較低的電源電壓下處于關(guān)斷狀態(tài)
2022-01-12 13:39:25
LT1158上單個輸入引腳的典型應(yīng)用同步控制圖騰柱配置中的兩個N溝道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器
2019-05-14 09:23:01
本帖最后由 Sillumin驅(qū)動 于 2021-11-23 14:05 編輯
NCP5106是一款高壓柵極驅(qū)動IC，提供兩個輸出，用于直接驅(qū)動2個N溝道功率MOSFET或IGBT，使用自舉技術(shù)
2021-11-23 13:57:47
相反。由于其中存在可用的P型雜質(zhì)，因此該MOSFET中的通道是預(yù)先構(gòu)建的。一旦在柵極端施加負(fù) (-) 電壓，N型中的少數(shù)電荷載流子(如電子)就會被吸引到P型溝道。在這種情況下，一旦漏極反向偏置，則器件
2022-09-27 08:00:00
MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩(wěn)壓器中的高側(cè)開關(guān)。根據(jù)應(yīng)用的不同，N溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動器。圖1：具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動
2018-03-03 13:58:23
的不是全SiC功率模塊特有的評估事項(xiàng)，而是單個SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，該信息也非常有用?！?b class="flag-6" style="color: red">柵極誤導(dǎo)通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
? -40oC 到 125oC 的工作溫度范圍 SL27517 是單通道 4A 的高速低側(cè)柵極驅(qū)動器，可以高效安全地驅(qū)動 MOSFET、IGBT 以及新興的寬帶隙功率器件。低傳播延遲以及緊湊
2022-07-26 10:21:31
采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動器（如圖1所示）以極性相反的信號來驅(qū)動高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制輸出功率
2018-07-03 16:33:25
記本電腦電源切換SCSI終端電源切換蜂窩電話電源管理電池充電和管理高端工業(yè)和汽車開關(guān)步進(jìn)電機(jī)和直流電機(jī)控制說明LTC1154單高側(cè)柵極驅(qū)動器允許使用低高側(cè)交換應(yīng)用的成本N溝道場效應(yīng)晶體管。內(nèi)部電荷泵提高柵極
2020-09-08 17:28:16
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅(qū)動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著
2021-01-22 06:45:02
的N溝道功率MOS晶體管開關(guān)“配置。它用于汽車電氣控制單元中繼電器的更換。注：除定時器引腳外，所有引腳的ESD均符合MIL 883C，在2KV下測試，對應(yīng)于0.2mJ的最大能量消耗。定時器引腳用800V
2020-09-09 17:31:48
(PTC) 加熱器來加熱冷卻劑。PTC加熱器依靠高壓電池來運(yùn)行，需要幾千瓦的功率。圖1顯示了由低側(cè)MOSFET/IGBT電源開關(guān)驅(qū)動的典型PTC加熱器方框圖。圖1：汽車內(nèi)部加熱器模塊的方框圖過去
2022-11-04 06:40:48
什么是MOSFET驅(qū)動器？MOSFET驅(qū)動器功耗包括哪些部分？如何計(jì)算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
ISL6594A和ISL6594B是高頻MOSFET專為驅(qū)動上下功率而設(shè)計(jì)的驅(qū)動器同步整流buck中的N溝道mosfet轉(zhuǎn)換器拓?fù)?。這些驅(qū)動程序與ISL6592數(shù)字多相降壓型脈寬調(diào)制控制器N溝道
2020-09-29 17:38:58
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。浮動驅(qū)動器可以驅(qū)動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
、效率低下、解決方案尺寸較大，因而不適合高功率、高密度同步整流應(yīng)用。圖1. 脈沖變壓器、光耦合器和ADuM3220柵極驅(qū)動器解決方案光耦合器與脈沖變壓器相比，使用光耦合器作為柵極驅(qū)動器來執(zhí)行同步整流
2018-10-15 09:46:28
還可以安裝Arduino UNO R3連接器。該擴(kuò)展板上使用的IC驅(qū)動器是用于N溝道功率MOSFET的L6398單芯片半橋柵極驅(qū)動器。 L6398柵極驅(qū)動器和STL220N6F7功率MOSFET組合形成BLDC電機(jī)的高電流功率平臺，基于STM32 Nucleo板的數(shù)字部分提供6步或FOC算法控制解決方案
2020-05-20 08:53:36
概述：MAX16834是電流模式高亮度LED (HB LED)驅(qū)動器，可實(shí)現(xiàn)升壓、升/降壓、SEPIC及高邊降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。除了驅(qū)動由開關(guān)控制器控制的n溝道功率MOSFET開關(guān)，該器件還可驅(qū)動n溝道
2021-05-17 06:49:06
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動器，但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動器的問題。首先，是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動器輸出的應(yīng)用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
闡述這些設(shè)計(jì)理念，以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動器(如圖1所示)以極性相反的信號來驅(qū)動高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT
2018-10-23 11:49:22
驅(qū)動器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅(qū)動器的功能是驅(qū)動上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極，通過低輸出阻抗降低導(dǎo)通損耗，同時通過快速開關(guān)時間降低開關(guān)損耗。上橋臂
2018-10-16 16:00:23
展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力?！ 〔捎霉怦詈?b class="flag-6" style="color: red">器隔離的基本半橋驅(qū)動器（如圖1所示）以極性相反的信號來驅(qū)動高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制
2018-09-26 09:57:10
和低側(cè)。該電路還在控制側(cè)和電源側(cè)之間提供電流隔離。 ADuM7234是一款隔離式半橋柵極驅(qū)動器，采用iCoupler技術(shù)提供獨(dú)立且隔離的高端和低端輸出，因此可以在H橋中專門使用N溝道MOSFET。該電路可用于電機(jī)控制，帶嵌入式控制接口的電源轉(zhuǎn)換，照明，音頻放大器和不間斷電源（UPS）
2019-11-07 08:53:19
溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓器高側(cè)開關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動器。圖1：具有電平移位器的高側(cè)驅(qū)動IC。圖2：用自舉電路對高側(cè)N溝道MOSFET進(jìn)行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10
V或5 V邏輯電平提升到15 V或更高的電壓，以便驅(qū)動MOSFET的柵極。遺憾的是，為了驅(qū)動高電流同步整流器電路，可能需要一個單獨(dú)的高電流柵極驅(qū)動器IC。還有一點(diǎn)需要考慮：脈沖變壓器不能很好地處
2017-04-05 14:05:25
。STGAP2S柵極驅(qū)動器全系標(biāo)配4A軌到軌輸出，即使驅(qū)動大功率逆變器，也能保證開關(guān)操作快速、高效。輸入到輸出傳播延遲在80ns以內(nèi)，在高開關(guān)頻率下確保PWM控制精確，滿足SiC器件的驅(qū)動要求。出色的抗dV
2018-08-06 14:37:25
2 月 15日，意法半導(dǎo)體發(fā)布了單通道、雙通道和四通道車規(guī)柵極驅(qū)動器，采用標(biāo)準(zhǔn)的PowerSSO-16 封裝，引腳分配圖可簡化電路設(shè)計(jì)升級，增加更多驅(qū)動通道。新柵極驅(qū)動器適用于所有的汽車系統(tǒng)設(shè)備
2023-02-16 09:52:39
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統(tǒng)尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優(yōu)勢。新型功率開關(guān)還將促使其控制元件發(fā)生變化，其中包括柵極驅(qū)動器。本文將探討GaN和SiC開關(guān)與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子今日宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率
2023-02-15 11:19:05
的無調(diào)節(jié)電源和3到5.5伏的邏輯電源。四個柵極驅(qū)動器能夠驅(qū)動廣泛的N通道功率mosfet，并配置為兩個高端驅(qū)動器和兩個低端驅(qū)動器。A4940提供了所有必要的電路，以確保高壓側(cè)和低壓側(cè)外部mosfet的柵極
2020-09-29 16:51:51
超過標(biāo)準(zhǔn)CMOS/TTL邏輯電壓。因此，邏輯/控制電路和高功率器件之間需要一個接口。這可以通過驅(qū)動一個邏輯電平n溝道MOSFET，其進(jìn)而驅(qū)動一個功率MOSFET來實(shí)現(xiàn)，如圖1a所示。圖1. 用反相邏輯
2018-10-25 10:22:56
隔離式柵極驅(qū)動器時，轉(zhuǎn)換時間大大縮短；當(dāng)驅(qū)動同一功率MOSFET時，該驅(qū)動器相比微控制器I/O引腳能夠提供高得多的驅(qū)動電流。很多情況下，由于數(shù)字電路可能會透支電流，直接用微控制器驅(qū)動較大功率MOSFET
2018-11-01 11:35:35
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動力系統(tǒng)、驅(qū)動器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
新年伊始，設(shè)計(jì)師們似乎在永遠(yuǎn)不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中，我討論了高電流柵極驅(qū)動器如何幫助系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高的效率。高速柵極驅(qū)動器可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動器可以通過降低FET的體二極管
2019-03-08 06:45:10
高速柵極驅(qū)動器可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動器可以通過降低FET的體二極管的功耗來提高效率。體二極管是寄生二極管，對于大多數(shù)類型的FET是固有的。它由p-n結(jié)點(diǎn)形成并且位于漏極和源極之間。圖1所示
2022-11-14 07:53:24
單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動單個MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
Toshiba推出低功率柵極驅(qū)動光耦合器
Toshiba推出了一系列的超低功耗光耦合隔離器，設(shè)計(jì)用來驅(qū)動需要輸出電流高達(dá)±6.0A的IGBT和功率MOSFET。新的驅(qū)動器IC光耦合器TLP358系
2010-01-20 08:37:03696 凌力爾特推出高速同步MOSFET驅(qū)動器LTC4449
凌力爾特(Linear)推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動器 LTC4449，該器件為在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設(shè)計(jì)。
2010-02-04 08:40:551261 
日前，德州儀器 （TI） 宣布推出首批具有業(yè)界領(lǐng)先速度及驅(qū)動電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動器，其可最大限度減少 MOSFET、IGBT 電源器件以及諸如氮化鎵 （GaN） 器件等
2012-04-23 16:48:00952 德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業(yè)界領(lǐng)先速度及驅(qū)動電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側(cè)柵極驅(qū)動器
2012-04-24 09:56:411411 
10 月 1 日 – 凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器 LTC4440A-5，該器件能以高達(dá) 80V
2013-10-09 15:41:271040 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 6A N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器在 -55°C 至 125°C 的節(jié)溫范圍內(nèi)工作
2021-03-19 01:44:18
1 LT1158：半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-20 18:32:193 LTC4441：N溝道MOSFET柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-26 08:42:545 單通道隔離式柵極驅(qū)動器SLMi350英文手冊免費(fèi)下載。
2021-06-19 16:31:1519 數(shù)明半導(dǎo)體宣布，兼容光耦單通道隔離式柵極驅(qū)動器SLM34x系列產(chǎn)品已通過UL1577認(rèn)證，相關(guān)證書已下發(fā)。
2021-07-23 16:25:002653 
ROHM不僅提供電機(jī)驅(qū)動器IC，還提供適用于電機(jī)驅(qū)動的非隔離型柵極驅(qū)動器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動器，再介紹ROHM超級結(jié)MOSFET
2021-08-09 14:30:512409 意法半導(dǎo)體的 STGAP2SiCSN 是為控制碳化硅 MOSFET而優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動器，采用節(jié)省空間的窄體 SO-8 封裝，具有穩(wěn)健的性能和精確的 PWM 控制。 SiC 功率技術(shù)被廣泛用于提高
2021-10-22 10:06:392484 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已經(jīng)推出面向20V電源線路的“TCK421G”，這是其“TCK42xG系列”MOSFET柵極驅(qū)動集成電路(IC)的首款產(chǎn)品。該系列的器件基于輸入電壓專用于控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓，并具備過壓自鎖功能。批量出貨即日起開始。
2022-02-12 09:18:511289 ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）為其TCK42xG系列MOSFET 柵極驅(qū)動器IC 的產(chǎn)品陣容增加面向可穿戴設(shè)備等移動設(shè)備的五款新品。該系列的新產(chǎn)品配備了過壓鎖定功能，并根據(jù)輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。
2022-06-09 10:00:301636 
納芯微單通道隔離式柵極驅(qū)動器兩款新品NSi66x1A和NSi6601M雙雙發(fā)布，均適用于驅(qū)動SiC，IGBT和MOSFET等功率管，兼具車規(guī)（滿足AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)）和工規(guī)兩種等級，廣泛適用于新能源汽車、空調(diào)、電源、光伏等應(yīng)用場景。
2022-07-20 13:20:202261 
納芯微單通道隔離式柵極驅(qū)動器兩款新品NSi66x1A和NSi6601M雙雙發(fā)布，均適用于驅(qū)動SiC，IGBT和MOSFET等功率管，兼具車規(guī)(滿足AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn))和工規(guī)兩種等級，廣泛適用于新能源汽車、空調(diào)、電源、光伏等應(yīng)用場景。
2022-07-22 16:04:462115 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011355 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布擴(kuò)大其智能柵極驅(qū)動光耦產(chǎn)品線，推出一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅(qū)動光耦---“TLP5222”。這是一種可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護(hù)的隔離柵極驅(qū)動IC，內(nèi)置保護(hù)操作自動恢復(fù)的功能。該產(chǎn)品于今日開始出貨。
2022-08-31 17:58:551219 探索汽車電動座椅中多通道柵極驅(qū)動器的優(yōu)勢
2022-10-28 11:59:450 設(shè)備驅(qū)動程序 緊湊型單通道隔離柵極驅(qū)動器，在用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的DSO-8窄體封裝中具有14A的典型吸收和源峰值輸出電流。
2022-11-02 16:47:09977 CA-IS3211是一款光耦兼容的單通道隔離式柵極驅(qū)動器，可用于驅(qū)動MOSFET、IGBT和SiC器件。隔離等級達(dá)到5.7kVRMS，芯片可提供5A拉、6A灌輸出峰值電流能力。
2022-12-05 10:00:45697 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動器2.適用于N溝道的高側(cè)直接驅(qū)動器 1.適用于P溝道的高側(cè)驅(qū)動器 高側(cè)非隔離柵極驅(qū)動可按照所驅(qū)動的器件類型或涉及的驅(qū)動電路類型來分類。相應(yīng)地，無論是
2023-02-23 15:35:241 LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器，選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵，因此使其可以無限期地堅(jiān)持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45515 芯洲的SCT51240是一款寬供電電壓、單通道、高速、低測柵極驅(qū)動器，適用于功率MOSFET，IGBT和寬禁帶器件，例如氮化鎵功率器件等驅(qū)動。 提供高達(dá)4A驅(qū)動拉電流和灌電流，并實(shí)現(xiàn)軌到軌輸出
2023-05-05 09:00:14210 閥和電機(jī)驅(qū)動器方面的應(yīng)用擴(kuò)展，車用柵極驅(qū)動器的需求日益增長。矽力杰高低邊柵極驅(qū)動器矽力杰SA52631是一款高壓高低邊半橋驅(qū)動器，用于直接驅(qū)動高邊和低邊通道。半橋通道可
2022-10-13 11:28:341864 
該芯片是一款單通道低側(cè)GaN FET和邏輯電平MOSFET驅(qū)動器，可應(yīng)用于LiDAR、飛行時間、面部識別和低側(cè)驅(qū)動的功率轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
2023-06-30 09:58:50263 新品6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動器評估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路，用兩個柵極驅(qū)動IC1ED3142MU12F來驅(qū)動IGBT
2023-07-31 17:55:56431 
本應(yīng)用筆記介紹了采用表面貼裝封裝的 n 通道雙 MOSFET 的低壓電機(jī)驅(qū)動設(shè)計(jì)。它描述了使用不同電壓應(yīng)用的設(shè)計(jì)，以及自適應(yīng) MOSFET 柵極驅(qū)動器，這是驅(qū)動雙 n 溝道半橋的第三種方法。
2023-10-05 15:20:00615 
MD18011X，光耦兼容的單通道隔離型柵極驅(qū)動器系列，是茂睿芯功率驅(qū)動產(chǎn)品推出的新型產(chǎn)品系列，可廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、光伏逆變器、伺服、變頻器等系統(tǒng)。它們具備5700VRMS增強(qiáng)型隔離等級，主要
2023-10-26 16:02:08347 
單通道隔離式柵極驅(qū)動器支持米勒鉗位NSi6601M是單通道隔離式柵極驅(qū)動器，適用于驅(qū)動IGBT，功率MOSFET和SiCMOSFET在許多應(yīng)用中。提供分立輸出用于分別控制上升和下降時間。它可以提供
2022-10-31 13:31:463 經(jīng)濟(jì)型光耦兼容的單通道隔離式柵極驅(qū)動器納芯微全新推出第二代產(chǎn)品NSi6801x系列，包含NSi68010B和NSi68011C兩款產(chǎn)品。NSi6801x系列產(chǎn)品基于第一代產(chǎn)品NSi6801優(yōu)秀性能
2022-10-31 13:54:553 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單通道柵極驅(qū)動器ADuM4135應(yīng)用筆記.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-29 11:00:580 圣邦微電子推出 SGM48541/2/3/4/5 系列，一款耐受 -10V 輸入電壓的單通道高速低側(cè)柵極驅(qū)動器。 該系列器件被廣泛應(yīng)用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、太陽能和電機(jī)驅(qū)動器中的功率 MOSFET
2023-12-13 10:10:01271 意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于SiC/IGBT器件和汽車應(yīng)用的單通道隔離式柵極驅(qū)動器UCC5350-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 10:17:510 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電隔離單通道柵極驅(qū)動器UCC21750-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 10:38:520 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《單通道隔離式柵極驅(qū)動器UCC53x0數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 14:00:570
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