一、總體設(shè)計(jì)
FT870B是一款PWM控制型的高效的恒流型LED驅(qū)動(dòng)IC,能在15~500V的輸入電壓下正常工作,固定25K的工作頻率,最大能驅(qū)動(dòng)1A的輸出電流,恒流精度達(dá)到±5%,并且支持PWM調(diào)光功能。
15W應(yīng)用電路圖及基本原理:
基本工作原理為:當(dāng)開關(guān)管導(dǎo)通時(shí),主電流回路為 AC IN-F1-B1-LED-L1-Q1-R4-L2-B1-AC IN,此時(shí)AC給LED供電,并使電感L1存儲(chǔ)能量;當(dāng)開關(guān)管關(guān)斷時(shí),主電流回路為L1-D4-LED-L1,此時(shí)電感L1釋放能量,保持LED的輸出。由于開關(guān)管導(dǎo)通時(shí),流過LED的電流同時(shí)也流過R4,所以通過檢測(cè)R4上的電壓來檢測(cè)流過LED的電流,從而達(dá)到恒流的目的。
電路中,C2,C3,D1,D2,D3為PFC校正電路,主要提高輸入的功率因數(shù)。
L2,D5,C7構(gòu)成輔助供電回路,從而關(guān)斷HV腳的供電,減小損耗,提高效率。
輸出LED規(guī)格為3.2V,20mA,共240顆
連接方式為8個(gè)LED串聯(lián)為一路,共30路
外圍應(yīng)用參數(shù)如下:
V max,ac=265V,V min,ac=90V,f=50HZ(交流輸入頻率)
V o,max=25.6V, I o,max=498mA
P o,max= V o,max×I o,max=12.75W
η=85%, PF=0.85,fu=25khz(芯片工作頻率)
P in,max= P o,max /η=15W
1.保險(xiǎn)管F1
(1) 額定電壓Vrating
額定電壓Vrating需要大于V max,ac,即大于265V.
(2) 額定電流I rating
由于Vin×Iin×PF×η=PO ,所以
選擇保險(xiǎn)管額定電流時(shí)要保留0.5的系數(shù),所以保險(xiǎn)管的額定電流
(3) 熔化熱能值I2t
與浪涌電流產(chǎn)生的能量有關(guān)。表征當(dāng)大電流流過保險(xiǎn)管時(shí),保險(xiǎn)管熔斷的特性。I2t要大于浪涌電流產(chǎn)生的能量,使啟動(dòng)的時(shí)候不會(huì)錯(cuò)誤地把保險(xiǎn)管熔斷。
(4) 額定溫度
實(shí)際工作溫度不能超出額定溫度范圍。
(5) 使用壽命
實(shí)際工作電流大于I rating或者實(shí)際工作溫度超出額定溫度范圍,F(xiàn)1的壽命將會(huì)明顯縮短。
■ 所以選擇V rating大于265V, I rating大于0.392A的保險(xiǎn)管。
2.安規(guī)電容C1
(1) 額定電壓V rating
額定電壓V rating需要大于輸入交流電壓V max,ac,即額定電壓大于265V.
(2) 電容容值C
一般取0.1uF.
(3) 電容類型
選擇安規(guī)電容。
(4) 絕緣等級(jí)
絕緣等級(jí)一般選擇X2,即耐壓小于或等于2.5KV.
(5) 額定溫度
實(shí)際工作溫度不能超出額定溫度范圍。
■ 所以選擇0.1uF/275VAC絕緣等級(jí)為X2的安規(guī)電容,主要抑制差模干擾。
3.整流橋B1
(1) 整流橋承受的最大反向耐壓VRRM
(2) 額定電流I rating
整流橋的額定電流與保險(xiǎn)管的額定電流相同,選擇大于0.392A的額定電流即可。
(3) 整流橋正向?qū)▔航礦F
與效率有關(guān)。VF越小,消耗的導(dǎo)通功耗就越小,效率越高。
(4) 額定溫度
實(shí)際工作溫度不能超出額定溫度范圍。
■ 所以選擇VRRM大于562V,Irating大于0.392A,VF盡量小的整流橋。
4.二極管D1,D2,D3
(1) 最大反向耐壓VRRM
(2) 額定電流I rating
由于開機(jī)時(shí)導(dǎo)通電流都要留過D2,所以二極管的額定電流與保險(xiǎn)管一樣,選擇大于0.392A的額定電流。
(3) 反向恢復(fù)時(shí)間trr
由于輸入電壓是低頻,所以trr的大小對(duì)電路沒什么影響,可以不考慮。
(4) 額定溫度
實(shí)際工作溫度不能超出額定溫度范圍。
■ 所以選擇VRRM大于225V,I rating大于0.392A的二極管。
5.電解電容C2,C3
(1) 電容耐壓Vdss
電容的耐壓與二極管D1,D3的反向耐壓相同,也是大于225V;
(2) 電容容量C
選擇合適的電容,使電容在充放電的過程中能夠保證后級(jí)電路所需要的能量。要保證系統(tǒng)的正常工作,電容上的最小電壓應(yīng)該為最大輸出電壓的兩倍以上,所以整流后最小直流電壓:
輸入電容應(yīng)能夠保證在最小的輸入電壓下,為后級(jí)電路提供足夠的能量,所以電容
由于上面的計(jì)算取的放電時(shí)間為1/4f(其中f為輸入交流電壓的頻率),實(shí)際放電時(shí)間并沒有這么長,所以電容的容值可以取小些,實(shí)測(cè)中發(fā)現(xiàn)47uF/250V的電容即可滿足要求。
(3) 電容類型
由于用到的電容容量較大,一般使用鋁電解電容。
(4) 等效串聯(lián)阻抗ESR
ESR越小,損耗越小。
(5) 額定溫度
實(shí)際工作溫度不能超出額定溫度范圍。
(6) 體積
實(shí)際應(yīng)用中會(huì)受到體積的限制,而電解電容體積較大,所以要注意體積是否能滿足要求。
(7) 使用壽命
由于一般LED使用的壽命比電解電容的壽命長,所以盡量選擇壽命長的電解電容。
■ 所以選擇耐壓大于或等于250V,電容值大于或等于47uF,低ESR值,壽命長的電解電容。
為了防止啟動(dòng)時(shí)大電流沖擊燒壞HV腳,建議R5取封裝為0805的22K的貼片電阻。
7. 濾波電容C4,C5,C8
C4,C5,C8主要起高頻濾波作用,建議選擇封裝為0805的1nF的貼片電容。
8.濾波電容C6
C6主要起濾除尖峰和諧波補(bǔ)償作用,建議選擇封裝為0805的100pF的貼片電容。
9.穩(wěn)壓二極管D6
防止VCC電壓過高燒壞芯片,建議D6取0.5W,12V的穩(wěn)壓管。
10.電解電容C7
(1) 電容耐壓Vdss
由于有12V的穩(wěn)壓管D6,所以電容耐壓大于或等于16V即可。
(2) 電容容量C
定量計(jì)算比較困難,實(shí)測(cè)中發(fā)現(xiàn)電容容量取4.7uF可以滿足要求。
(3) 電容類型
由于用到的電容量較大,一般使用鋁電解電容。
(4) 等效串聯(lián)阻抗ESR
ESR越小,損耗越小。
(5) 額定溫度
實(shí)際工作溫度不能超出額定溫度范圍。
(6) 體積
由于電容C7的容量小耐壓低,所以體積基本可以不考慮。
(7) 使用壽命
由于一般LED使用的壽命比電解電容的壽命長,所以盡量選擇壽命長的電解電容。
■ 所以選擇耐壓大于或等于16V,電容值大于或等于4.7uF,壽命長的電解電容。
11.電感L1
(1) 電感量L1
當(dāng)電路工作在電流連續(xù)模式和電流非連續(xù)模式之間的臨界模式時(shí), ΔI=2I o,max,此時(shí)電感可以按照下面的公式計(jì)算:
這是臨界模式時(shí)的電感取值,為保證電路工作在電流連續(xù)模式,電感取值要大于上面計(jì)算得到的值,電感取值越大輸出電流的紋波越小。
(2) 電感飽和電流IL
由上式可以看出電感量越大,電感的飽和電流越小。
(3) 電感線徑R
以截面積1mm2的銅線過5A電流計(jì)算,則電感線的截面積為LI/5,所以電感的線徑為
(3) 電感體積
受到空間的限制,在保證電感量和電感飽和電流的情況下,電感體積越小越好,如果一個(gè)電感體積太大,可以考慮用2個(gè)電感串聯(lián)。
■ 所以選擇電感量大于0.96mH,并且飽和電流大于IL的電感。
12.續(xù)流二極管D4
(1) 最大反向耐壓VRRM
當(dāng)mos管導(dǎo)通時(shí),二極管D4承受的反向耐壓為
所以選取反向耐壓為600V.
(2) 額定電流Irating
mos管關(guān)斷后,D4給電感L1提供續(xù)流回路,所以通過D4的電流不會(huì)超過電感L1飽和電流IL.
(3) 反向恢復(fù)時(shí)間trr
由于電路工作的頻率較高,所以需要反向恢復(fù)時(shí)間小的超快恢復(fù)肖特基,以防止誤觸發(fā),建議選用trr小于或等于75ns的超快恢復(fù)肖特基。
(4) 正向?qū)▔航礦F
正向?qū)▔航礦F越小,效率越高,盡可能選擇正向?qū)▔航敌〉某旎謴?fù)肖特基。
■所以選擇反向耐壓為600V,額定電流為1A,反向恢復(fù)時(shí)間小于或等于75ns的超快恢復(fù)肖特基。
13.輸出電容C9
輸出電容的作用是減小LED電流的波動(dòng),越大越好,但由于體積的限制,建議選擇容值為0.47uF到1uF之間耐壓400V為的CBB電容。
14.mos管Q1
(1) mos管耐壓VDSS
mos管的最大耐壓為交流整流后的電壓最大值,留50%的裕量,選取耐壓值為
(2) mos管的額定電流IFET
流過mos管的電流取決于最大占空比,本系統(tǒng)最大占空比為50%,所以留過mos管的額定電流為
mos管的額定電流為工作電流3倍時(shí),損耗較小,所以選取mos管的額定電流IFET≥1A.
(3) mos管開啟電壓Vth
要保證Vth小于芯片的驅(qū)動(dòng)電壓,即Vth<11V,由于一般高壓mos管的Vth為3~5V,所以這個(gè)參數(shù)不需要過多考慮。
(4) mos管導(dǎo)通電阻Rdson
mos管的導(dǎo)通電阻Rdson越小,mos管的損耗就越小。
(5) 額定溫度
實(shí)際工作溫度不能超出其額定溫度的范圍。
■ 所以選擇耐壓為600V,額定電流大于或等于1A,Rdson較小的mos管。
15.CS取樣電阻R4,R7,R8
(1) R4,R7,R8的阻值
設(shè)R7,R8串聯(lián)后再與R4并聯(lián)的電阻為RCS,輸出的電流波動(dòng)范圍為0.3,
則:
選取合適的R4,R7和R8,保證調(diào)節(jié)R8可以得到需要的輸出電流Io,且無論怎樣調(diào)節(jié)R8,Io都不會(huì)太大以至于損壞期間。
(2) 電阻類型
RCS上承受的功率為P=I2O×RCS=0.11W ,所以R4,R7采用0805封裝的貼片電阻,為了調(diào)節(jié)R8時(shí)輸出電流不會(huì)變化太快,所以選擇R8為精密可調(diào)電阻。
16.續(xù)流電感L2和續(xù)流二極管D5
加L2和D5的主要目的是為了給芯片VCC供電,從而關(guān)斷芯片HV腳的供電,減小損耗。工作原理為:當(dāng)mos管導(dǎo)通時(shí),電感L2儲(chǔ)能,電容C7給芯片供電,當(dāng)mos管關(guān)斷時(shí),L2給芯片VCC供電,并給電容C7充電。
選擇L2的原則是使芯片VCC的供電電壓保持在11~12V之間,建議選擇電感量為18uH,飽和電流與L1相同的電感。選擇續(xù)流二極管D5時(shí),為了防止誤觸發(fā),建議選用恢復(fù)時(shí)間小于75ns的超快恢復(fù)肖特基。
來源;電子工程網(wǎng)
評(píng)論
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