開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)的產(chǎn)品EMC的三大思考問(wèn)題分析

開(kāi)關(guān)電源與線(xiàn)性穩(wěn)壓電源相比，具有功耗小、效率高、體積小、重量輕、穩(wěn)壓范圍寬等許多優(yōu)點(diǎn)，己被廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及其外圍設(shè)備、通信、自動(dòng)控制、家用電器等領(lǐng)域。

但開(kāi)關(guān)電源的突出缺點(diǎn)是能產(chǎn)生較強(qiáng)的電磁干擾（EMI）。EMI信號(hào)既具有很寬的頻率范圍，又有一定的幅度，經(jīng)傳導(dǎo)和輻射后會(huì)影響電磁環(huán)境，對(duì)通信設(shè)備和電子產(chǎn)品造成干擾。

如果處理不當(dāng)，開(kāi)關(guān)電源本身就會(huì)變成一個(gè)騷擾源。目前，電子產(chǎn)品的電磁兼容性（EMC）日益受到重視，抑制開(kāi)關(guān)電源的EMI，提高電子產(chǎn)品的質(zhì)量，使之符合EMC標(biāo)準(zhǔn)，已成為電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)者越來(lái)越關(guān)注的問(wèn)題。

我們先來(lái)看看外部環(huán)境對(duì)開(kāi)關(guān)電源的干擾主要來(lái)自電網(wǎng)的抖動(dòng)、雷擊、外界輻射等；如下圖：

1、電源噪聲？

2、電源復(fù)位？

3、電源輸出？

4、電源損壞？

等等。

瞬態(tài)干擾（EMS）對(duì)設(shè)備會(huì)產(chǎn)生威脅，出現(xiàn)產(chǎn)品功能及性能的問(wèn)題。

后面我們通過(guò)PCB的分析來(lái)講解開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)EMS的問(wèn)題；

開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)的產(chǎn)品EMC的三大思考問(wèn)題，了解了＆找得到就能解決EMC。

1．信號(hào)（源）；

2．結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) ；

3．地的連接 。

傳導(dǎo)干擾共模與差模信號(hào)的電流路徑分析。

開(kāi)關(guān)電源通常是將工頻交流電整流為直流電， 然后經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)管的控制使其變?yōu)楦哳l， 再經(jīng)過(guò)整流濾波電路輸出， 得到穩(wěn)定的直流電壓。工頻整流濾波使用大容量電容充、放電， 開(kāi)關(guān)管高頻通斷， 輸出整流二極管的反向恢復(fù)等工作過(guò)程中產(chǎn)生了極高的di／dt和du／dt ，形成了強(qiáng)烈的浪涌電流和尖峰電壓， 它是開(kāi)關(guān)電源電磁干擾產(chǎn)生的最基本原因。

另外，開(kāi)關(guān)管的驅(qū)動(dòng)波形， MOSFET漏源波形等都是接近矩形波形狀的周期波。因此， 其頻率是MHz級(jí)別的，有著很高的高頻諧波分量！ 這些高頻信號(hào)對(duì)開(kāi)關(guān)電源的基本信號(hào)， 特別是控制電路的信號(hào)造成干擾。

簡(jiǎn)單的說(shuō)：開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)當(dāng)MOS管開(kāi)通時(shí)，L，N回路中變壓器電感的電流線(xiàn)性上升；MOS關(guān)斷時(shí) L，N回路電流迅速關(guān)斷；此時(shí)回路的電流波形為三角波；高頻的三角波電流的諧波分量形成系統(tǒng)的差模干擾。

雜散參數(shù)影響耦合通道的特性

在傳導(dǎo)騷擾頻段（＜30MHz），多數(shù)開(kāi)關(guān)電源騷擾的耦合通道是可以用電路網(wǎng)絡(luò)來(lái)描述的。但是，在開(kāi)關(guān)電源中的任何一個(gè)實(shí)際元器件，如電阻器、電容器、電感器乃至開(kāi)關(guān)管、二極管都包含有雜散參數(shù)，且研究的頻帶愈寬，等值電路的階次愈高，因此，包括各元器件雜散參數(shù)和元器件間的耦合在內(nèi)的開(kāi)關(guān)電源的等效電路將復(fù)雜得多。

在高頻時(shí)，雜散參數(shù)對(duì)耦合通道的特性影響很大，分布電容的存在成為電磁騷擾的通道。另外，在開(kāi)關(guān)管功率較大時(shí)，集電極一般都需加上散熱片，散熱片與開(kāi)關(guān)管之間的分布電容在高頻時(shí)不能忽略，它能形成面向空間的輻射騷擾和電源線(xiàn)傳導(dǎo)的共模騷擾。

簡(jiǎn)單的說(shuō)：在高頻段＞1MHZ時(shí)，開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)對(duì)地就存在分布電容；系統(tǒng)的關(guān)鍵信號(hào)，關(guān)鍵走線(xiàn)對(duì)地都存在分布電容；分布電容形成對(duì)地回到L，N的共模干擾信號(hào)。同時(shí)分布電容的環(huán)路形成對(duì)空間的輻射干擾！

輻射干擾共模與差模信號(hào)的磁場(chǎng)分布。

1．差模電流的磁場(chǎng)主要集中在差模電流構(gòu)成的回路面積之內(nèi)，

而回路面積之外的磁力線(xiàn)會(huì)相互抵消；

2．共模電流的磁場(chǎng)，在回路面積之外，

共模電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)方向相同，磁場(chǎng)強(qiáng)度反而加強(qiáng)。

注意：

關(guān)于輻射的一個(gè)重要基本概念是：電流導(dǎo)致輻射，而非電壓。

輻射干擾共模與差模信號(hào)的場(chǎng)強(qiáng)特性。

1．較小的共模電流能夠產(chǎn)生強(qiáng)度很高的輻射；

2．很多因素都能導(dǎo)致共模電流；

比如：

A．電網(wǎng)串入共模干擾電壓－（我們EMS的部分模擬測(cè)試）；

B．輻射干擾（如雷電，設(shè)備電弧，附近電臺(tái)，大功率輻射源）在信號(hào)線(xiàn)上感應(yīng)出共模干擾；

C．接地電壓不一樣。也就是說(shuō)地電位差異引入共模干擾；

D．也包括設(shè)備內(nèi)部電線(xiàn)對(duì)電源線(xiàn)的影響。

數(shù)據(jù)結(jié)果－40dB 測(cè)試數(shù)據(jù)分析：

Data1： 一個(gè)20mA的差模電流，

在30MHZ時(shí)，將在3m遠(yuǎn)的地方產(chǎn)生一個(gè)強(qiáng)度為100uV／m的輻射電場(chǎng)。

Data2： 一個(gè)8uA的共模電流，

在30MHZ時(shí)，將在3m遠(yuǎn)的地方產(chǎn)生一個(gè)強(qiáng)度為100uV／m的輻射電場(chǎng)。

很小的共模電流 和 很大的差分電流產(chǎn)生大小相等的RF能量。

原因：共模電流不能在RF返回路徑中進(jìn)行磁力線(xiàn)的抵消。

輻射干擾系統(tǒng)分布參數(shù)影響的電磁場(chǎng)環(huán)路分析

開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)對(duì)地就存在分布電容；系統(tǒng)的關(guān)鍵信號(hào)，關(guān)鍵走線(xiàn)對(duì)地都存在分布電容；共模電流通過(guò)布局布線(xiàn)流經(jīng)系統(tǒng)的信號(hào)線(xiàn)及電纜的分布電容形成對(duì)地 回到L，N的共模干擾信號(hào)。同時(shí)分布電容的環(huán)路形成對(duì)空間的輻射干擾。

其中＞30MHZ以上 為輻射發(fā)射的天線(xiàn)接收；即共模輻射在空間產(chǎn)生電磁場(chǎng)，此時(shí)被輻射騷擾測(cè)試接收天線(xiàn)接收后，那么就形成了產(chǎn)品對(duì)外的輻射騷擾。

對(duì)電子產(chǎn)品的EMC的三大思考問(wèn)題。

A．信號(hào)（源） 在哪里；

B．結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 是這樣的嗎；

C．地的連接 還有更好的方法嗎？