IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設(shè)計(jì)，還會(huì)影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計(jì)算IGBT的結(jié)溫Tj，已成為大家普遍關(guān)注的焦點(diǎn)。由最基本的計(jì)算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計(jì)算的關(guān)鍵。
2019-08-13 08:04:18
，在線上，世強(qiáng)還通過(guò)世強(qiáng)元件電商平臺(tái)，進(jìn)一步解決工程師的系列需求，從而幫助企業(yè)
大幅縮短研發(fā)時(shí)間，有效
降低開(kāi)發(fā)成本，快速
提升創(chuàng)新能力。世強(qiáng)希望，通過(guò)線上線下的系列努力，最終為中國(guó)企業(yè)的全面創(chuàng)新和
工業(yè)4.0的進(jìn)程獻(xiàn)上自己的一份力量?！?/div>
2016-12-16 11:23:20
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高的 短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路
2018-08-20 07:40:12
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高，功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)時(shí)間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高
2021-08-12 07:00:00
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)時(shí)間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高
2018-07-30 14:06:29
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)時(shí)間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高
2018-11-01 11:26:03
柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高的短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路耐受時(shí)間。這凸顯了柵極驅(qū)動(dòng)器電路以及過(guò)流檢測(cè)和保護(hù)功能的重要性。本文討論現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中
2018-10-10 18:21:54
盡管當(dāng)今的車(chē)輛在多種駕駛場(chǎng)景中實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)化，但背后真正推動(dòng)汽車(chē)從部分自動(dòng)駕駛實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)駕駛的不是汽車(chē)制造商，而是移動(dòng)服務(wù)提供商，例如出租車(chē)公司、汽車(chē)租賃公司、送貨服務(wù)公司以及需要提供安全、高效、方便
2022-11-04 07:53:46
識(shí)別機(jī)械構(gòu)件的前提下，可以快速地完成整車(chē)組裝，生產(chǎn)效率顯著提升，且失誤率大幅降低，有效保障了人身及設(shè)備財(cái)產(chǎn)安全 。2.3 工業(yè)控制系統(tǒng)的安全自動(dòng)化全面優(yōu)化在機(jī)械自動(dòng)化技術(shù)在汽車(chē)制造的沖壓車(chē)間應(yīng)用最為典型
2018-02-28 09:18:44
電位計(jì)式扭矩傳感器有哪幾種類型？汽車(chē)電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)EPS原理是什么？PS扭矩傳感器以什么的趨勢(shì)發(fā)展？
2021-05-13 06:45:34
，提出了汽車(chē)級(jí)IGBT概念，并詳細(xì)說(shuō)明了英飛凌汽車(chē)級(jí)IGBT針對(duì)汽車(chē)應(yīng)用做出的改進(jìn) 1.簡(jiǎn)介混合動(dòng)力車(chē)中IGBT，相對(duì)于傳統(tǒng)工業(yè)應(yīng)用，工作環(huán)境惡劣，對(duì)IGBT長(zhǎng)期使用的可靠性提出了更高的要求，針對(duì)汽車(chē)功率
2018-12-06 09:48:38
電機(jī)效率的影響因素降低電機(jī)損耗的關(guān)鍵制造技術(shù)
2021-01-26 07:49:16
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進(jìn)行開(kāi)關(guān)，通過(guò)降低電阻和開(kāi)關(guān)損耗來(lái)提高效率
2022-11-02 12:02:05
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應(yīng)用于高頻電路。降低器件損耗，提升系統(tǒng) EMI 表現(xiàn)。在新能源汽車(chē)電機(jī)控制器
2021-11-10 09:10:42
cacheability的1.2倍（比全部在L2中多了EDMA啟動(dòng)開(kāi)銷(xiāo)）左右，感覺(jué)這個(gè)提升幅度有低。理想情況EDMA搬移數(shù)據(jù)到L2中計(jì)算，其效率應(yīng)該是在開(kāi)啟DDR2 cacheability的效率的幾倍？誰(shuí)能解釋下這個(gè)沒(méi)有大幅的效率提升可能是什么原因。
2018-06-22 07:56:22
LED照明電路（臨界模式PFC＋DC/DC）：利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例下面的電路摘自實(shí)際LED照明電路的相關(guān)部分。該LED驅(qū)動(dòng)電路是DC/DC轉(zhuǎn)換器通過(guò)臨界模式（BCM）的PFC向
2022-04-09 13:36:25
器件的BVCES而異。在比較器件時(shí)應(yīng)考慮這測(cè)試條件中的VDD，因?yàn)樵谳^低的VDD鉗位電壓下進(jìn)行測(cè)試和工作將導(dǎo)致Eoff能耗降低。降低柵極驅(qū)動(dòng)關(guān)斷阻抗對(duì)減小IGBT Eoff損耗影響極微。如圖1所示，當(dāng)
2018-08-27 20:50:45
切換進(jìn)行了優(yōu)化，并均是無(wú)鉛器件，適用于工業(yè)應(yīng)用?！ “采腊雽?dǎo)體的TO-247-4L Field Stop II IGBT系列采用先進(jìn)的Field Stop II Trench架構(gòu)技術(shù)，可有效地提高IGBT的運(yùn)作效率，并降低Eon損耗，是高功率電源應(yīng)用的理想選擇。
2020-07-07 08:40:25
。通常由于使用條件不同, 通過(guò)IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)給出的參數(shù)不能確切得出應(yīng)用條件下IGBT 的損耗。比較好的方法是通過(guò)測(cè)量行業(yè)確定IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中參數(shù)的測(cè)量條件與實(shí)際應(yīng)用環(huán)境的差別, 并介紹IGBT
2018-10-12 17:07:13
二極管通電導(dǎo)致的元件劣化問(wèn)題等特點(diǎn)的產(chǎn)品。與一般的同規(guī)格IGBT模塊相比，開(kāi)關(guān)損耗降低了77%，可高頻驅(qū)動(dòng)，因此還非常有助于周邊元器件和冷卻系統(tǒng)等的小型化。其可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能發(fā)電、轉(zhuǎn)換器等多元化
2019-04-12 05:03:38
低Id）范圍（在本例中是Vd到1V左右的范圍），在IGBT中是可忽略不計(jì)的范圍。這在高電壓大電流應(yīng)用中不會(huì)構(gòu)成問(wèn)題，但當(dāng)用電設(shè)備的電力需求從低功率到高功率范圍較寬時(shí)，低功率范圍的效率并不高。相比之下
2018-12-03 14:29:26
時(shí)間trr快（可高速開(kāi)關(guān)）?trr特性沒(méi)有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢(shì)。大幅降低開(kāi)關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時(shí)間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
集電區(qū)NPT型和FS電場(chǎng)截止型；2）IGBT柵極結(jié)構(gòu)：平面柵機(jī)構(gòu)、Trench溝槽型結(jié)構(gòu)；3）硅片加工工藝：外延生長(zhǎng)技術(shù)、區(qū)熔硅單晶；其發(fā)展趨勢(shì)是：①降低損耗 ②降低生產(chǎn)成本總功耗＝ 通態(tài)損耗
2019-07-16 07:30:00
模塊電源的開(kāi)關(guān)頻率來(lái)降低驅(qū)動(dòng)損耗，從而進(jìn)一步提高輕負(fù)載條件下的效率，使得系統(tǒng)在待機(jī)工作下，更節(jié)能，進(jìn)一步提高蓄電池供電系統(tǒng)的工作時(shí)間，并且還能夠降低EMI的輻射問(wèn)題;2.通過(guò)降低、來(lái)減少M(fèi)OSFET
2019-09-25 07:00:00
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)時(shí)間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高
2019-07-24 04:00:00
電源需要降低功耗，因此對(duì)高效率開(kāi)關(guān)器件的需求也在增長(zhǎng)。這催生了對(duì)于PFC電路中低損耗開(kāi)關(guān)器件和更高開(kāi)關(guān)頻率的需求。東芝在其新款IGBT中引入了最新的工藝。優(yōu)化的溝槽結(jié)構(gòu)確保了行業(yè)領(lǐng)先的0.35mJ
2023-03-09 16:39:58
對(duì)新能源車(chē)來(lái)說(shuō)，電池、VCU、BSM、電機(jī)效率都缺乏提升空間，最有提升空間的當(dāng)屬電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分，而電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分最核心的元件 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor
2021-03-08 21:11:29
總共可以降低77%。這是前面提到的第一個(gè)優(yōu)勢(shì)。右圖是以PWM逆變器為例的損耗仿真，是開(kāi)關(guān)頻率為5kHz和30kHz時(shí)開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗的總體損耗。在與IGBT模塊的比較中，5kHz條件下總體損耗降低
2018-11-27 16:37:30
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)時(shí)間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高
2019-10-06 07:00:00
關(guān)于助力汽車(chē)有哪些需要我們考慮的問(wèn)題？
2021-06-17 11:12:15
關(guān)于變頻電源的效率與損耗，中港揚(yáng)盛技工分析由于輸出的諧波問(wèn)題，這些諧波會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)的銅耗和鐵耗,使電機(jī)固定損耗增加,電機(jī)溫升增高,降低運(yùn)行效率和功率因數(shù),因此變頻電源供電下電動(dòng)機(jī)的諧波損耗是一個(gè)大
2021-11-15 06:24:38
，與使用快速恢復(fù)二極管（FRD）的IGBT相比，可以 顯著降低損耗 。該系列產(chǎn)品非常適用于電氣化車(chē)輛（xEV）中的車(chē)載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器、太陽(yáng)能發(fā)電用的功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)逆變器等處理大功率的汽車(chē)
2022-07-27 10:27:04
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT （硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封），使得IGBT的開(kāi)關(guān)損耗大幅降低。這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結(jié)MOSFET
2023-02-28 16:48:24
SiC-SBD，藍(lán)色是第二代，可確認(rèn)VF的降低。SiC-SBD因高速trr而使開(kāi)關(guān)損耗降低，加之VF的改善，在功率二極管中可以說(shuō)是損耗最小的二極管。促進(jìn)電源系統(tǒng)應(yīng)用的效率提高與小型化前面已經(jīng)介紹了
2018-12-04 10:26:52
開(kāi)關(guān)管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優(yōu)化方法及其利弊關(guān)系
2020-12-23 06:51:06
在本文中，我們將解釋針對(duì)不同的應(yīng)用和工作條件仔細(xì)選擇IGBT變體如何提高整體系統(tǒng)效率。IGBT模塊中的損耗大致可分為兩類：傳導(dǎo)開(kāi)關(guān)眾所周知，對(duì)于特定電壓下的任何給定過(guò)程，降低傳導(dǎo)損耗的努力將導(dǎo)致
2023-02-27 09:54:52
阻僅為Si-MOSFET（9Ω）的1/8（1.15Ω）。由此，可大幅降低損耗、即可大幅減少發(fā)熱，有些條件下還可實(shí)現(xiàn)散熱器的小型化。此外，封裝采用TO-3PFM，可確保工業(yè)設(shè)備要求的絕緣相應(yīng)的爬電距離。同樣
2018-12-05 10:01:25
富士汽車(chē)點(diǎn)火IGBT在汽車(chē)電子中的應(yīng)用.
2012-08-09 21:43:59
： 0.34mJ 對(duì)應(yīng) 0.85mJ），考慮到在 DC/DC 應(yīng)用中開(kāi)關(guān) 損耗較大，因此 HS3 IGBT 能大大降低系統(tǒng)損耗，提高效率。（如圖 5）圖 5HS3高頻 IGBT（紅色）和標(biāo)準(zhǔn) 3 代 IGBT（紫色
2018-12-06 09:47:30
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗
2018-12-04 10:14:32
的集電極（即PNP管的發(fā)射極）向N-基區(qū)注入空穴。在導(dǎo)通狀態(tài)下，由于有大量的電子和空穴注入到高阻的N-基區(qū)，N-基區(qū)的電阻得以大幅度降低（該現(xiàn)象被稱為電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)），所以IGBT的通態(tài)電阻相對(duì)于同等電壓
2015-12-24 18:13:54
的工作時(shí)間，并降低無(wú)線基站每年的電力消耗。 幸運(yùn)的是，經(jīng)過(guò)連年不斷努力提升RF效率，這些情況在逐漸改變。這些工作有一些是在器件級(jí)，有些則采用了一些創(chuàng)新技術(shù)，比如包絡(luò)跟綜，數(shù)字預(yù)失真/波峰因子降低方案
2017-08-29 10:19:12
電磁感應(yīng)加熱的原理是什么？有什么方法可以將電磁感應(yīng)加熱應(yīng)用的IGBT功率損耗降至最低嗎？
2021-05-10 06:41:13
Grant and S. Fletcher.。幸運(yùn)的是，經(jīng)過(guò)連年不斷努力提升RF效率，這些情況在逐漸改變。這些工作有一些是在器件級(jí)，有些則采用了一些創(chuàng)新技術(shù)，比如包絡(luò)跟綜，數(shù)字預(yù)失真/波峰因子降低方案，以及采用比常見(jiàn)AB類級(jí)別更高級(jí)的放大器。那么，還有哪些辦法可以提升射頻功率放大器的效率嗎？
2019-07-31 08:13:39
降（ΔU=-L*dI/dt），而且能夠影響電流上升速度dI/dt。盡管寄生電感使導(dǎo)通速度減緩，但導(dǎo)通損耗卻大幅降低。在該示例中，初始開(kāi)關(guān)階段的損耗（見(jiàn)圖2時(shí)間戳a）隨著雜散電感的增大由30.4mW降至
2018-12-10 10:07:35
得多，逆變器內(nèi)溫度極高，同時(shí)還要考慮強(qiáng)振動(dòng)條件，車(chē)規(guī)級(jí)的IGBT遠(yuǎn)在工業(yè)級(jí)之上。電動(dòng)汽車(chē)用IGBT 模塊的功率導(dǎo)電端子需要承載數(shù)百安培的大電流，對(duì)電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率有較高的要求，車(chē)載環(huán)境中還要承受一定
2021-01-27 11:30:38
，POWER麟ET。在中大功率產(chǎn)品中IGBT取代GTO使得高頻，高效率的SPWM逆變器進(jìn)入商業(yè)應(yīng)用，也使得有源PFC整流成為可能。在小功率方面，IGBT和POWERMOSFET，取代了BJT，使得效率大幅
2011-03-10 15:46:24
，UPS，焊接或醫(yī)療系統(tǒng)也將這種想法引入快速開(kāi)關(guān)設(shè)備中。為了滿足高速和低損耗開(kāi)關(guān)的要求，富士電機(jī)開(kāi)發(fā)了將硅絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）與碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管（SiC-SBD）相結(jié)合的高速混合模塊
2020-09-02 15:49:13
旋轉(zhuǎn)引起的風(fēng)阻損耗等。定子損耗降低電動(dòng)機(jī)定子I^2R損耗的主要方法有：1、增加定子槽截面積，在同樣定子外徑的情況下，增加定子槽截面積會(huì)減少磁路面積，增加齒部磁密。2、增加定子槽滿槽率，這對(duì)低壓小電動(dòng)機(jī)
2018-10-11 10:21:49
要提高開(kāi)關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論。 與功率開(kāi)關(guān)
2020-08-07 08:06:08
％至 97％的系統(tǒng)效率。此外，CoolSiC 肖特基二極管有助于降低導(dǎo)通和恢復(fù)損耗。相比純硅設(shè)計(jì)而言，該器件是實(shí)現(xiàn)硬換向的理想器件，損耗可降低 30%。由于具有較低的冷卻要求，該二極管還能降低系統(tǒng)成本，帶來(lái)極佳的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)。詳情見(jiàn)附件。。。。。。
2021-03-29 11:00:47
FPGA Editor如何提升設(shè)計(jì)效率？如何利用CTRL / Shift快捷鍵進(jìn)行放大縮??？如果利用F11鍵放大選定的項(xiàng)目？
2021-04-08 06:40:00
矩、寬恒功率區(qū)、高動(dòng)態(tài)響應(yīng)) 、高環(huán)境適應(yīng)性和低成本。在新能源汽車(chē)上，除了電極外IGBT是電驅(qū)動(dòng)最核心器件之一。IGBT負(fù)責(zé)交流直流轉(zhuǎn)換、高低壓轉(zhuǎn)換，決定了整車(chē)的功率釋放速度和能源效率。IGBT能讓
2021-04-29 14:59:30
650V IGBT4的損耗增大引起的RMS模塊電流降低的幅度很小。在2kHz至10kHz的開(kāi)關(guān)頻率范圍內(nèi)（通用應(yīng)用的典型范圍），其降幅為4%至 9%。圖4圖4 在600A EconoDUALTM 3 模塊中
2018-12-07 10:16:11
，相應(yīng)地IGBT關(guān)斷時(shí)拖尾電流更短。更薄的晶片和因此而縮短的通道，帶來(lái)了三重效益——通態(tài)損耗降低大約40%；開(kāi)關(guān)損耗未增加；生產(chǎn)成本比早期器件降低10%（圖1c）。這十年，IGBT制造商的重點(diǎn)一直是
2018-12-03 13:47:00
柵極驅(qū)動(dòng)器，其能夠通過(guò)降低開(kāi)關(guān)損耗幫助提升整體系統(tǒng)效率。當(dāng)FET開(kāi)關(guān)打開(kāi)或關(guān)閉時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)開(kāi)關(guān)損耗。為了打開(kāi)FET，柵極電容得到的電荷必須超過(guò)閾值電壓。柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電流能夠有助于柵極電容的充電。驅(qū)動(dòng)
2019-08-07 04:45:12
閘極電阻，使其具有高導(dǎo)通損耗，同時(shí)帶來(lái)極低的di/dt。為補(bǔ)償此特性，必須大幅降低導(dǎo)通閘極電阻，其中一種可行的實(shí)作方式是使用較為精密的閘極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，讓HS3 IGBT可用做非常高效率的切換開(kāi)關(guān)。RG設(shè)定
2018-10-10 16:55:17
IGBT損耗計(jì)算和損耗模型研究：器件的損耗對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)堯器件參數(shù)及散熱器的選擇相當(dāng)重要。損耗模型主要分為兩大類院基于物理結(jié)構(gòu)的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數(shù)學(xué)方法的IG
2009-06-20 08:33:53
96 德州儀器助力2009數(shù)字電視趨勢(shì)，提升電源效率，降低系統(tǒng)成本
2009 年 2 月將成為模擬到數(shù)字電視的轉(zhuǎn)型月，消費(fèi)類電子
2008-09-01 15:17:02
375 Fairchild推出提高汽車(chē)應(yīng)用的燃油效率的柵極驅(qū)動(dòng)器--FAN708x系列
Fairchild Semiconductor 為設(shè)計(jì)人員提供一系列能夠改進(jìn)汽車(chē)應(yīng)用的功耗、雜訊免疫能力和瞬態(tài)
2009-05-20 14:53:23725 器件的損耗對(duì)系統(tǒng)設(shè)計(jì)堯器件參數(shù)及散熱器的選擇相當(dāng)重要遙損耗模型主要分為兩大類院基于物理結(jié)構(gòu)的IGBT損耗模型淵physics-based冤和基于數(shù)學(xué)方法的IGBT損耗模型遙對(duì)近年來(lái)的各種研究
2011-09-01 16:38:4565 Cadence 設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司日前宣布，汽車(chē)零部件生產(chǎn)商Denso公司在改用了Cadence定制/模擬與數(shù)字流程之后，在低功耗混合信號(hào)IC設(shè)計(jì)方面實(shí)現(xiàn)了質(zhì)量與效率的大幅提升。將Cadence Encounter RTL-to-G
2012-09-04 09:31:59811 加利福尼亞桑尼維爾– 2016 年5月 19日 — 全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild （NASDAQ： FCS）今天發(fā)布了新產(chǎn)品，即適用于混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)（HEV
2016-05-19 17:14:521040 光耦助力提升電動(dòng)汽車(chē)充電站的安全與效率
2017-09-07 17:16:0610 為精確計(jì)算光伏逆變器的IGBT損耗，指導(dǎo)系統(tǒng)熱設(shè)計(jì)，提出了一種IGBT損耗精確計(jì)算的實(shí)用方法。以可視化的T程計(jì)算T具M(jìn)athCAD為載體，基于SVPWM矢量控制原理，建立了光伏逆變器IGBT實(shí)際
2017-12-08 10:36:0264 據(jù)報(bào)導(dǎo)，把機(jī)器感測(cè)技術(shù)和生產(chǎn)設(shè)備相互集成，可以從各個(gè)層面大幅提升運(yùn)轉(zhuǎn)效率。
2018-10-20 08:48:00552 的指標(biāo)之一，這關(guān)系到模塊應(yīng)用的可靠性、損耗以及壽命等問(wèn)題。那么，導(dǎo)熱材料是如何助力新能源汽IGBT散熱的呢？ 【什么是IGBT？】 IGBT稱絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT和MOS組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件，具有自關(guān)斷的特征。對(duì)于電動(dòng)車(chē)而言
2020-03-31 15:26:391330 要降低轉(zhuǎn)子的損耗，可以減少轉(zhuǎn)子繞組的電阻，利用比較粗而且電阻率比較低的線材，或者增加了轉(zhuǎn)子的槽截面積，材料當(dāng)然很關(guān)鍵了，有條件生產(chǎn)銅轉(zhuǎn)子，損耗會(huì)降低15%左右，目前異步電機(jī)基本上都是鋁轉(zhuǎn)子，所以效率沒(méi)有那么高。
2019-03-28 10:09:025099 廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。然而，F(xiàn)S-IGBT的核心技術(shù)都掌握在Infineon、Fairchild、Toshiba等國(guó)外大公司手里，目前市場(chǎng)上的產(chǎn)品基本都是由這些公司推出，國(guó)內(nèi)的IGBT
2019-12-19 17:59:0025 超高效電機(jī)最重要的是工藝保證程度。電動(dòng)機(jī)效率不斷提高的過(guò)程是產(chǎn)品不斷更新?lián)Q代的過(guò)程，同時(shí)也是一個(gè)國(guó)家電機(jī)工業(yè)綜合水平的標(biāo)志。
高效電動(dòng)機(jī)的設(shè)計(jì)要點(diǎn)就是要降低各項(xiàng)損耗，提高電動(dòng)機(jī)效率
2020-09-10 10:19:051486 由于 IGBT反并聯(lián)SiC 肖特基勢(shì)壘二極管，在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下，CoolSiC? Hybrid IGBT能大幅降低開(kāi)關(guān)損耗。
2021-02-23 10:23:021660 關(guān)于變頻電源的效率與損耗，中港揚(yáng)盛技工分析由于輸出的諧波問(wèn)題，這些諧波會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)的銅耗和鐵耗,使電機(jī)固定損耗增加,電機(jī)溫升增高,降低運(yùn)行效率和功率因數(shù),因此變頻電源供電下電動(dòng)機(jī)的諧波損耗是一個(gè)大
2021-11-08 17:21:012 除此之外，我們?cè)谠u(píng)估板上的效率評(píng)估結(jié)果，它被模擬為每個(gè)應(yīng)用程序的電路，以便讓您知道我們的設(shè)備在應(yīng)用電路中也有良好的性能。例如，下圖顯示了逆變電路中的部分評(píng)估結(jié)果。您可以看到瑞薩 IGBT 的良好性能，包括電路效率、作為產(chǎn)品的功率損耗和工作波形。
2022-05-05 09:42:381502 
NVIDIA Triton 推理服務(wù)器在 NVIDIA T4 GPU 上進(jìn)行高效部署，幫助阿里巴巴天貓精靈流式 TTS 服務(wù)將吞吐提升 50%，首包延時(shí)降低 35%，大幅提升服務(wù)運(yùn)行效率，提升資源利用率。
2022-07-14 10:05:00817 干貨 | 如何降低晶體管和變壓器損耗，提高開(kāi)關(guān)電源效率？
2023-01-05 09:51:42388 功率半導(dǎo)體的柵極電阻選型，一般有兩個(gè)優(yōu)化目標(biāo)。一方面，選擇電阻值較小的柵極電阻，可以使得功率半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)速度更快。這將降低開(kāi)關(guān)損耗，從而降低總體損耗
2023-02-07 17:03:341312 
內(nèi)置SiC肖特基勢(shì)壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的車(chē)載充電器案例中開(kāi)關(guān)損耗降低67%關(guān)鍵詞 ? SiC肖特基勢(shì)壘二極管（...
2023-02-08 13:43:19434 
的工業(yè)設(shè)備和家用電器中，例如變頻器在空調(diào)中的應(yīng)用越來(lái)越普遍，以及工業(yè)設(shè)備的大型電源需要降低功耗，因此對(duì)高效率開(kāi)關(guān)器件的需求也在增長(zhǎng)。這催生了對(duì)于PFC電路中低損耗開(kāi)關(guān)器件和更高開(kāi)關(guān)頻率的需求。 在新款IGBT中引入了最新的工藝。
2023-03-16 14:58:09653 
IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分
2023-05-26 11:21:231257 
電源的體積進(jìn)一步縮小。要在有限的體積及溫升范圍內(nèi)正常工作，這就對(duì)系統(tǒng)的效率提出了更高的要求。影響系統(tǒng)效率的主要損耗有功率管導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)損耗、續(xù)流損耗、變壓器銅損和磁損、二極管整流損耗、驅(qū)動(dòng)、采樣及控制電路損耗等。下面針對(duì)每一種損耗簡(jiǎn)單說(shuō)下自己的理解和分析。
2023-06-23 09:47:00609 
有沒(méi)有什么辦法能讓發(fā)動(dòng)機(jī)的熱效率大幅提升，如果能提升到一半甚至現(xiàn)有水平的一倍，燃油車(chē)的未來(lái)又會(huì)是什么樣子呢？
2023-09-12 11:12:23395 
電力電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員致力于提升工業(yè)和汽車(chē)系統(tǒng)的功率效率和功率密度，這些設(shè)計(jì)涵蓋多軸驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車(chē)充電站和電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器等。
2023-09-26 10:00:04166 
物聯(lián)網(wǎng)監(jiān)控運(yùn)維系統(tǒng)助力膜切行業(yè)協(xié)同效率提升
2023-12-04 13:42:35176 的可能性大幅降低。在功率模塊中，IGBT和二極管的出色性能可帶來(lái)更高的電流密度和更大的輸出電流。不僅如此，通過(guò)將功率模塊的最高結(jié)溫提升到175 °C，輸出電流可增加50%以上。
2024-01-09 14:24:50233 
IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗分別為開(kāi)通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028 
SiC器件可以提高電動(dòng)汽車(chē)的充電模塊性能，包括提高頻率、降低損耗、縮小體積以及提升效率等。這有助于提升電動(dòng)汽車(chē)的整體性能表現(xiàn)。
2024-03-18 18:12:341063 
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