電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子技術(shù)應(yīng)用>家電維修>家電產(chǎn)品>常用大功率高耐壓場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

常用大功率高耐壓場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別是什么?

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別是什么?? 場(chǎng)效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,利用半導(dǎo)體中電荷分布的特性控制電流的流動(dòng)。常見(jiàn)的場(chǎng)效應(yīng)管有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管,它們雖然在功能上有相似之處,但在
2023-09-18 18:20:51722

場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET是mos嗎?場(chǎng)效應(yīng)管mos的區(qū)別?

場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET是mos嗎?場(chǎng)效應(yīng)管mos的區(qū)別?場(chǎng)效應(yīng)管和mos管有什么不一樣的地方?? MOSFET和場(chǎng)效應(yīng)管(FET)都屬于半導(dǎo)體器件中的一種,類(lèi)似晶體。MOSFET是MOS(金屬
2023-09-02 11:31:151114

場(chǎng)效應(yīng)管常用驅(qū)動(dòng)芯片有哪些?

了實(shí)現(xiàn)場(chǎng)效應(yīng)管的控制,就需要用到一些驅(qū)動(dòng)芯片,下面我們就來(lái)詳細(xì)介紹一些常用場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)芯片。 1. IR2110 IR2110是一款用于驅(qū)動(dòng)單個(gè)或雙路MOS場(chǎng)效應(yīng)管的高壓、高速驅(qū)動(dòng)芯片。它采用了IR公司自主開(kāi)發(fā)的高速和電壓集成電路工藝,
2023-08-25 15:47:39932

場(chǎng)效應(yīng)管原理通俗理解 場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)怎么看 場(chǎng)效應(yīng)管是做什么用的

場(chǎng)效應(yīng)管(英語(yǔ):field-effect transistor,縮寫(xiě):FET)是一種通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的電子器件。
2023-07-28 10:06:29601

常用場(chǎng)效應(yīng)管及晶體參數(shù)

常用場(chǎng)效應(yīng)管及晶體參數(shù)常用場(chǎng)效應(yīng)管及晶體參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) (1)直流參數(shù) 飽和漏極電流IDSS 它可定義為:當(dāng)柵、源極之間的電壓等于零,而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時(shí),對(duì)應(yīng)的漏極電流
2008-08-12 08:39:59

場(chǎng)效應(yīng)管的作用

  場(chǎng)效應(yīng)管是具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子的四端子器件。通常,場(chǎng)效應(yīng)管的主體與源極端子相連,從而形成三端器件,例如場(chǎng)效應(yīng)晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管通常被認(rèn)為是一種晶體,并用于模擬和數(shù)字電路。
2023-02-27 17:49:441483

場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn) 場(chǎng)效應(yīng)管的使用優(yōu)勢(shì)

  場(chǎng)效應(yīng)管是一種電子元件,它可以控制電流或電壓,通過(guò)改變極化層的電場(chǎng)來(lái)控制電流或電壓。根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)分為MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)、JFET(金屬硅場(chǎng)效應(yīng)管)、IGBT(晶體場(chǎng)效應(yīng)管)等。
2023-02-17 15:44:052285

場(chǎng)效應(yīng)管怎樣修_場(chǎng)效應(yīng)管制作可調(diào)電源

場(chǎng)效應(yīng)管怎樣修(1)首先觀察待測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管外觀,看待測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管是否完好,如果存在燒焦或針腳斷裂等情況說(shuō)明場(chǎng)效應(yīng)管已發(fā)生損壞,如圖1所示,本次待測(cè)的場(chǎng)效應(yīng)管外型完好沒(méi)有明顯的物理?yè)p壞。
2023-02-11 16:58:57730

常用場(chǎng)效應(yīng)管(25N120等)參數(shù)及代換

維修中常用場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)及其代換型號(hào)
2022-03-09 15:11:0355

場(chǎng)效應(yīng)管 VS 三極

場(chǎng)效應(yīng)管是在三極的基礎(chǔ)上而開(kāi)發(fā)出來(lái)的。三極通過(guò)電流的大小控制輸出,輸入要消耗功率。場(chǎng)效應(yīng)管是通過(guò)輸入電壓控制輸出,不消耗功率。場(chǎng)效應(yīng)管和三極的區(qū)別是電壓和電流控制,但這都是相對(duì)的。
2022-02-10 10:29:5229

常用場(chǎng)效應(yīng)管及晶體參數(shù)電子版下載

常用場(chǎng)效應(yīng)管及晶體參數(shù)電子版下載
2021-06-15 10:03:4729

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管的中文資料介紹

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管(VMOSFET)簡(jiǎn)稱(chēng)VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管,其全稱(chēng)為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗(≥108W
2020-06-05 17:10:3018

基于MOS場(chǎng)效應(yīng)管大功率寬頻帶線性射頻放大器設(shè)計(jì)

帶跳頻、擴(kuò)頻技術(shù)對(duì)固態(tài)線性功率放大器設(shè)計(jì)提出了更高的要求,即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設(shè)備模塊化。 通常情況下,在HF~VHF頻段設(shè)計(jì)的寬帶射頻功放,采用場(chǎng)效應(yīng)管(FET)設(shè)計(jì)要比使用常規(guī)功率晶體
2020-04-07 10:53:204437

兩只場(chǎng)效應(yīng)管KW25N120E怎么做逆變器

KW25N120E是電磁爐里較常用的一款大功率IGBT,該管內(nèi)部采用N溝道場(chǎng)效應(yīng)管作為輸入級(jí),具有很高的輸入電阻。
2020-03-14 11:00:2012060

場(chǎng)效應(yīng)管與晶體的比較_場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用領(lǐng)域

本文首先將場(chǎng)效應(yīng)管與晶體進(jìn)行了比較,然后說(shuō)明了場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用領(lǐng)域,最后解釋了場(chǎng)效應(yīng)管的使用優(yōu)勢(shì)。
2019-08-14 14:28:0411943

場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)大全

本文主要介紹了場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)。
2019-08-14 11:36:0033692

場(chǎng)效應(yīng)管是什么_場(chǎng)效應(yīng)管工作原理

本文首先介紹了場(chǎng)效應(yīng)管是什么,然后解釋了場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理。
2019-08-14 10:31:278244

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的種類(lèi)較多,有PMOS、NMOS和VMOS功率管等,但目前應(yīng)用最多的是MOS。MOS絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管也即金屬一氧化物一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,通常用MOS表示,簡(jiǎn)稱(chēng)作MOS。它具有比結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管更高的輸入阻抗(可達(dá)1012Ω以上),并且制造工藝比較簡(jiǎn)單,使用靈活方便,非常有利于高度集成化。
2019-06-28 16:36:525594

場(chǎng)效應(yīng)管在電路中如何控制電流大小_場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量方法圖解

本文開(kāi)始介紹了場(chǎng)效應(yīng)管的概念和場(chǎng)效應(yīng)管特點(diǎn),其次介紹了場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的作用,最后分析了場(chǎng)效應(yīng)管在電路中如何控制電流大小以及介紹了場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量方法圖解。
2018-04-03 11:37:5943262

場(chǎng)效應(yīng)管作用是什么_場(chǎng)效應(yīng)管到底好在哪

本文開(kāi)始介紹了什么是場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn),其次闡述了場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的作用,最后分析了場(chǎng)效應(yīng)管到底好在哪以及場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-03-21 17:10:3823153

基于MOS場(chǎng)效應(yīng)管大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設(shè)計(jì)

,另外偏置電路比較簡(jiǎn)單,設(shè)計(jì)的放大電路增益高,線性好。 本文的大功率寬頻帶線性射頻放大器是利用MOS場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)來(lái)設(shè)計(jì)的,采取AB類(lèi)推挽式功率放大方式,其工作頻段為O6M~10MHz, 輸出的脈沖功率為1200W。
2017-12-10 13:28:564475

如何防止絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管擊穿

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的種類(lèi)較多,有PMOS、NMOS和VMOS功率管等,但目前應(yīng)用最多的是MOS。MOS絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管也即金屬一氧化物一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,通常用MOS表示,簡(jiǎn)稱(chēng)作MOS。它具有比結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管更高的輸入阻抗
2017-11-23 17:30:242662

基于CD40106和CD4013的場(chǎng)效應(yīng)管隔離驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

本文介紹了一種高性能的的大功率場(chǎng)效應(yīng)管隔離驅(qū)動(dòng)電路,并就其技術(shù)原理、性能、特點(diǎn)以及運(yùn)用做了詳細(xì)的闡述。大功率場(chǎng)效應(yīng)管因工作頻率,驅(qū)動(dòng)損耗小等優(yōu)點(diǎn)在高頻大功率電子設(shè)備中成為不可替代的功率半導(dǎo)體器件,尤其是在高頻大功率開(kāi)關(guān)電源以及高頻感應(yīng)加熱設(shè)備中,大功率場(chǎng)效應(yīng)管幾乎是了唯一可以選擇的功率器件。
2017-09-04 16:36:0240

場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

常用場(chǎng)效應(yīng)管IRF333/341/342/343/351/611/024/48/等參數(shù)。
2016-03-21 17:46:5326

彩顯電源大功率場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)參數(shù)

彩顯電源大功率場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)參數(shù)。
2016-03-15 10:13:1821

常用三極、場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

介紹常用三極、場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)!資料來(lái)源網(wǎng)絡(luò)如有侵權(quán),敬請(qǐng)?jiān)彛?/div>
2015-11-12 17:38:1545

2SJ系列場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)大全

2SJ系列場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)大全:
2012-01-09 16:12:3867

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管,VMOS場(chǎng)效應(yīng)管是什么意思

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管,VMOS場(chǎng)效應(yīng)管是什么意思 VMOS場(chǎng)效應(yīng)管(VMOSFET)簡(jiǎn)稱(chēng)VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管,其全稱(chēng)為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起
2010-03-05 15:44:533152

什么是VMOS(垂直溝道絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)

什么是VMOS(垂直溝道絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 為了適合大功率運(yùn)行,于70年代末研制出了具有垂直溝道的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管,即VMOS。 VMOS功率
2010-03-05 15:42:384054

常用大功率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)120種

常用大功率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)120種 型 
2010-03-05 15:01:5719143

常用場(chǎng)效應(yīng)管和晶體參數(shù)大全

常用場(chǎng)效應(yīng)管和晶體參數(shù)大全 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS場(chǎng)效應(yīng) IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS場(chǎng)效應(yīng) IRFPF40 900V 4.7A 150
2010-03-04 10:13:4422443

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管,VMOS場(chǎng)效應(yīng)管是什么意思

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管,VMOS場(chǎng)效應(yīng)管是什么意思   VMOS場(chǎng)效應(yīng)管(VMOSFET)簡(jiǎn)稱(chēng)VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管,其全稱(chēng)為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)
2010-03-04 09:51:031268

場(chǎng)效應(yīng)管(FET),場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是什么意思

場(chǎng)效應(yīng)管(FET),場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是什么意思 場(chǎng)效應(yīng)管和雙極晶體不同,僅以電子或空穴中的一種載子動(dòng)作的晶體。按照結(jié)構(gòu)、原理可以
2010-03-01 11:06:0546595

常用場(chǎng)效應(yīng)管及晶體參數(shù)對(duì)照表

常用場(chǎng)效應(yīng)管及晶體參數(shù)對(duì)照表
2010-02-06 09:51:36323

大功率耐壓場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)114種

大功率耐壓場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)114種
2010-01-13 15:34:11288

大功率耐壓場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)114種

大功率耐壓場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)114種
2010-01-13 15:33:580

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管介紹及應(yīng)用

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管介紹及應(yīng)用 VMOS場(chǎng)效應(yīng)管(VMOSFET)簡(jiǎn)稱(chēng)VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管,其全稱(chēng)為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不
2010-01-13 15:22:25145

場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)

場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)          場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是一種電壓控制電流器件。其特點(diǎn)是輸入電阻,噪聲系數(shù)低,
2009-12-08 08:59:037979

場(chǎng)效應(yīng)管放大電路

場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 1.場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)模型   已知場(chǎng)效應(yīng)管輸出特性表達(dá)式:
2009-11-09 15:59:192276

場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) :

場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) :    Idss — 飽和漏源電流.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,柵極電壓UGS=0時(shí)的漏源電流.  Up — 夾斷電壓.是指結(jié)型或耗盡
2009-11-09 14:31:263418

場(chǎng)效應(yīng)管原理、場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)模型及其參數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管原理、
2009-11-06 17:15:395025

功率場(chǎng)效應(yīng)管的原理、特點(diǎn)及參數(shù)

功率場(chǎng)效應(yīng)管的原理、特點(diǎn)及參數(shù) 功率場(chǎng)效應(yīng)管又叫功率場(chǎng)控晶體。 一.功率場(chǎng)效應(yīng)管
2009-10-06 22:55:144479

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)
2009-08-22 16:02:384199

場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù) 場(chǎng)效應(yīng)管的直流參數(shù) 1.夾斷電壓Up在UDS為某一固定值的條件下,使ID等于一個(gè)微小電流值(幾微安)時(shí),柵極上所加偏壓UGS就是夾
2009-08-22 15:56:315587

MOS場(chǎng)效應(yīng)管

MOS場(chǎng)效應(yīng)管 表16-3 列出了一些小功率MOS 場(chǎng)效應(yīng)管的主要特性參數(shù)。
2009-08-22 15:54:231061

場(chǎng)效應(yīng)管介紹

場(chǎng)效應(yīng)管介紹 場(chǎng)效應(yīng)管(英縮寫(xiě)FET)是電壓控制器件,它有輸入電壓來(lái)控制輸出電流的變化。它具有輸入阻抗噪聲低,動(dòng)態(tài)
2009-06-30 13:48:082449

功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET,功率場(chǎng)控晶體

功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET,功率場(chǎng)控晶體 功率場(chǎng)效應(yīng)管又叫功率場(chǎng)控晶體。一.
2009-05-12 20:36:421403

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)方法

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管  VMOS場(chǎng)效應(yīng)管(VMOSFET)簡(jiǎn)稱(chēng)VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管,其全稱(chēng)為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)
2009-04-25 15:47:442044

場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)查詢(xún)

場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)參數(shù)資料查詢(xún)數(shù)據(jù)表:一共有四千多種場(chǎng)效應(yīng)管的型號(hào)和參數(shù),可供查詢(xún)。 48 2SJ92 東芝 LF PA MOS P  -140 DSX -7 100 4-11949 2SJ96 日立 LF/HF PA, HS PSW MOS P  -60 DS
2008-07-21 10:47:411034

場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)及參數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)及參數(shù) 結(jié)型
2008-07-16 13:03:2716137

場(chǎng)效應(yīng)管ppt

1.4.1  結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管1.4.2  絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管1.4.3  場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)1.4.4  場(chǎng)效應(yīng)管與晶體的比較場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體三極是僅由一種載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)
2008-07-16 12:52:16177

場(chǎng)效應(yīng)管知識(shí) 什么叫場(chǎng)效應(yīng)管 場(chǎng)效應(yīng)管工作原理

場(chǎng)效應(yīng)管知識(shí)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.什么叫場(chǎng)效應(yīng)管? Fffect Transistor的縮寫(xiě),即為場(chǎng)效應(yīng)晶體管。一般的晶體是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)
2008-01-15 10:26:4715756

3000多種常用三極、場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

3000多種常用三極、場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)
2006-06-01 22:26:59117

常用場(chǎng)效應(yīng)管及晶體參數(shù)

常用場(chǎng)效應(yīng)管及晶體參數(shù)
2006-04-18 21:37:4855

常用大功率耐壓場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

型 號(hào)耐壓(V)電流(A)功率(W)型 號(hào)耐壓(V)電流(A)功率(W)2SK53480051002SK104590051502SK53890031002SK108180071252SK557500121002SK108280061252SK560500151002SK1119100041002SK56550091252SK1120100081502SK5668003782SK11988003752SK644500101252SK1249500151302SK71990051202SK1250500201502SK725500151252SK12711400152402SK72790051252SK1280500181502SK774500181202SK134190051002SK785500201502SK134290081002SK78790081502SK135790051252SK788500131502SK135890091502SK790500151502SK145190051202SK95580091502SK1498500201202SK96290081502SK1500500251602SK1019500303002SK150290071202SK1020500303002SK1512850101502SK153150015150IRFP150100411802SK15379005100IRFP15160191802SK153990010150IRFP240200311502SK156350012150IRFP250200311802SK16499006100IRFP251150331802SK17949006150IRFP254250231802SK20389006125IRFP35040016180IRF35050013150IRFP35135016180IRF36040025300IRFP36040023250IRF4405008125IRFP45050014180IRF45050013150IRFP45145014180IRF45145013150IRFP45250012180IRF46050021300IRFP46050020250IRF74040010125MTH8N505008120IRF8205002.550MTH8N606008120IRF8345005100MTH10N5050010120IRF8405008125MTH12N5050012120IRF8414508125H12N4545012120IRF8425007125H13N5050013150MTH14N5050014150MTP5N45450575MTH20N2020020120MTP5N50500575MTH25N2020025150MTP6N606006125MTH30N1010030120IXGH10N100100010100MTH35N1515035150IXGH15N100100015150MTH40N1010040150IXGH20N6060020150MTM6N808006120IXGH25N100100025200MTM6N909006150GH30N6060030180MTM8N505008100GH30N100100030250MTM8N909008150GH40N6060040200MTM10N202001075IXTH24N5050024250MTM20N2020020125IXTH30N2020030180MTM25N1010025100IXTH30N3030030180MTM30N1010030120IXTH30N5050030300MTM40N1010040150IXTH40N3030040250MTP3N60600375IXTH50N1010050150MTP3N1001000375IXTH50N2020050150MTP4N60600450IXTH67N1010067200MTP4N80800450IXTH75N1010075200
2006-04-17 21:24:102458

場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)符號(hào)意義

場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)符號(hào)意義:C
2006-04-17 20:50:552256

場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管
2006-04-16 23:35:112851

已全部加載完成