下一代Flash存儲器品質(zhì)與耐用度趨勢越來越往下,工控市場客戶往往只敢選用單價高昂的SLC存儲器,也使得工控應用上的SSD容量受到局限;Flash SSD/DOM業(yè)者導入十倍于MLC耐用品質(zhì)等級的iSLC存儲器技術,加上導入種種維護、監(jiān)控SSD內(nèi)部Flash在擦寫均勻度(Wear Leveling)、品質(zhì)與穩(wěn)定性的關鍵技術,使得MLC可以導入輕量級工控應用,而iSLC存儲器將成為工控應用的新寵。
MLC在嵌入式工控應用的挑戰(zhàn)
NAND Flash隨著制程進步,線路寬度與間距越來越細小,連帶影響到可擦寫次數(shù)(P/E Cycles)的縮減。以SLC存儲器為例,從3x納米制程(3xnm)時代的100,000次P/E Cycles,僅需4個ECC bit(錯誤即時修正位元),到2x納米制程時代的SLC,其P/E Cycles降到60,000次且需要ECC 24bit。
宜鼎國際股份有限公司工控FLASH事業(yè)處協(xié)理吳錫熙
MLC Flash從早期5x納米制程需要ECC 8bit、P/E cycles為10,000次,到3xnm MLC時P/E Cycles降到5,000次,ECC爆增到15bit;跨入2xnm MLC時P/E Cycles已降到3,000次,需要到ECC 24bit,2ynm MLC時,修正位元數(shù)更增加至ECC 40bit。
周邊儲存裝置的傳輸速率也不斷的提升。2010年ONFI 2.0推進到133MB/s,eMMC v4.41傳輸速率為104MB/s;2011年ONFI v2.2/Toggle 1.0規(guī)格,把Flash傳輸速率提升到200MB/s,eMMC v4.5拉高到200MB/s;UFS 1.0傳輸速率為2.9Gbps,SATAⅡ規(guī)格到3Gbps(300MB/s);2012年ONFI v3.0/Toggle v1.5提升到400MB/s,UFS v2.0傳輸速率倍增為5.8Gbps,SATAⅢ則為6Gbps(600MB/s);到2015年ONFI v4.x/Toggle v2.xx規(guī)格定義的傳輸速率增到800MB/s、1.6GB/s。
面對新一代Flash耐用度╱品質(zhì)持續(xù)下降的種種挑戰(zhàn)
吳錫熙指出,使用MLC存儲器挑戰(zhàn),在于持續(xù)增加的錯誤位元數(shù),2ynm制程已經(jīng)超過40個,在-40?85℃寬溫環(huán)境下,其錯誤位元數(shù)還會增加;同時 MLC在電源突然中斷循環(huán)測試(Power Cycling)下容易資料遺失,資料壽命會隨著P/E Cycles增加而縮短,以及16K分頁設計的MLC在做區(qū)塊回收(Garbage Collection)時會花費更多處理時間。
如果客戶評估想導入MLC于輕量級工控應用,除了需要有好的平均擦寫機制、內(nèi)部監(jiān)控工具之外,還要有其他輔助性的技術。
MLC 會隨著P/E cycles擦寫次數(shù)的增加,錯誤位元會逐漸增加。依照宜鼎內(nèi)部長期測試結(jié)果,以3xnm MLC為例,從1,000 P/E Cycles以內(nèi),平均只產(chǎn)生一個錯誤位元;經(jīng)過20,000 P/E cycles后,錯誤位元數(shù)暴增了5倍。2xnm制程的MLC,在1,000 P/E cycles以下的平均錯誤位元數(shù)就已經(jīng)是5,經(jīng)過8,000次后增加到25;2ynm制程的MLC在1,000 P/E cycles時錯誤位元數(shù)3,8,000次時增加到34,到10,000次時增加到41個。
宜鼎提出Flash Correct-and-Refresh(FCR)技術,隨時讀取并監(jiān)控錯誤位元發(fā)生率異常增加的MLC區(qū)塊,修正后搬移到其它儲存狀況較好的區(qū)塊后重新抹寫更新,可以改善Flash的使用壽命。宜鼎也對16KB分頁的MLC Flash,發(fā)展出更智慧的區(qū)塊回收(Garbage Collection)演算法,減少SSD做資料維護的延遲現(xiàn)象。
吳錫熙認為若要使用MLC存儲器時,可采用動態(tài)平均擦寫(Dynamic Wear-Leveling)技術,再搭配靜態(tài)平均擦寫(Static Wear-Leveling),對于僅3,000次P/E Cycles的MLC來說尤其重要。像宜鼎(Innodisk)就提供一個iSMART工具程式,可以用點狀分布圖方式,呈現(xiàn)出該SSD某一個區(qū)塊的寫入次數(shù),以及整體Wear-Leveling效果,同時也能針對溫度與使用壽命做監(jiān)控與預估,同時也能發(fā)揮監(jiān)控效能以及預先警示功能。
而 MLC在寫入資料時若突然發(fā)生斷電情況,萬一此時韌體正在進行寫入資料或區(qū)塊回收作業(yè)時,特別容易造成被寫入的存儲頁與相鄰存儲頁的連帶影響,甚至造成整個SSD資料遺失。因此好的SSD控制芯片需具備失效╱低電壓偵測電路,藉由偵測輸入電流發(fā)生壓降時,能迅速的將該寫完的存儲頁完成后,儲存必要的系統(tǒng)狀態(tài)旗號恢復且重新開機載入OS。
以iSLC提供低成本、高品質(zhì)的工控應用
在一般商溫(0~70℃)的工控應用下,需要經(jīng)常性的讀寫且要五年的品質(zhì)保證,對于密集讀寫的重量級應用上,客戶往往只選訂SLC;但SLC與MLC價差快要五倍。因此宜鼎提出以iSLC存儲器解決方案來取代。
iSLC 與既有SLC、MLC存儲器的差異,在于iSLC運用既有的低本的MLC存儲器制程技術,在每一個細胞電路單元,使用SLC讀寫技術(只儲存1個位元的電荷值),Endurance因而提升到30,000次P/E Cycles,介于SLC的60,000次與MLC的3,000次之間,成本雖然比MLC高,卻比SLC便宜一半??蓱迷谙袷荌PC/Kiosk /POS系統(tǒng)、嵌入式系統(tǒng)、伺服器主機板以及薄型終端機等。
他列出一張以相同2xnm制程的MLC與iSLC長期耐用度的測試圖表:MLC 在連續(xù)寫20,000次后,產(chǎn)生錯誤位元數(shù)超過30;iSLC則是僅有6個,即便連續(xù)抹寫超過100,000次,產(chǎn)生錯誤位元數(shù)不超過10個,耐用度與品質(zhì)媲美標準SLC制程的SLC存儲器。以32G容量SSD測試,每天寫滿32GB資料10次,MLC只能維持0.8年,舊制程(3xnm) SLC可以達到27.4年,新制程(2xnm) SLC可達16.4年,而2xnm制程的iSLC可達到7.6年。
宜鼎國際以iSLC快閃存儲器技術設計一系列產(chǎn)品,全為SATAⅡ介面設計:
型號2.5” SSD 2IE採8通道設計,容量32GB~256GB,循序讀寫速度為230、200MB/s;SATADOM-QVL 2IE以及SATADOM-QV 2IE則為4通道設計,容量8 ~ 64GB,循序讀寫速度為130、120MB/s;CFAST 2IE存儲器一樣為4通道設計,容量8 ~ 64GB,循序讀寫速度為130、120MB/s。另外有mSATA 2IE的mSATA模組,Halfslim尺寸的SATA Slim 2IE,以及SATADOM QH 2IE模組,皆為SATAⅡ介面四通道設計,容量8 ~ 64GB,循序讀寫速度為130、120MB/s
嵌入式應用的SATAIII解決方案
吳錫熙接著介紹針對嵌入式工控應用的SATAIII產(chǎn)品解決方案。由宜鼎研發(fā)的Innodisk ID167控制芯片,采四通道8CE設計,ECC資料修正能力為40bit/1KB;搭配64Mx16bit的DDRⅢ存儲器做為讀寫緩沖區(qū),同時在SATAⅢ的Slumber、DEVSEL模式下僅有33 mW、5mW的功耗。採ID167設計的SSD與mSATA模組,將于2013年第一季開始送樣。
Innodisk ID167搭配選用24/25nm制程的同步型(Sync)MLC Flash存儲器顆粒,以IO Meter做效能實測,64GB(4CH)版本,其循序讀取╱寫入效能達480MB/s、270MB/s,持續(xù)性讀取╱寫入IOPS為80K、 1K;128GB(4CH)版本的循序讀取╱寫入效能 520MB/s、350MB/s,持續(xù)性讀取╱寫入IOPS為80K、2K;256GB(4CH)循序讀取╱寫入效能 550MB/s、400MB/s,持續(xù)性讀取╱寫入IOPS為80K、3K,表現(xiàn)算是相當出色。
跟工控應用為主流的128GB SLC SSD相比,CystalDiskMark v3.0實測結(jié)果,256GB MLC SATAIII SSD的循序讀取、寫入速度為519、344MB/s,而純SATAⅡ的128GB SLC SSD,循序讀取、寫入速度為253、190MB/s。在兩者成本相近情況下,256GB MLC SATAIII SSD比128GB SLC SATAⅡ SSD容量倍增、效能更快。
宜鼎也提供有SSD單芯片模組,由Innodisk ID167控制芯片加上Flash硅晶圓封裝做COB封裝而成,32GB(4CH x 1CE)版本,其循序讀取、寫入速度為480、140MB/s。跟SATAII SLC的32GB SATADOM做CystalDiskMark v3.0效能實測,SATA III循序讀取、寫入速度為482、271MB/s;SATA II循序讀取、寫入速度為252、235MB/s。
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