電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>工業(yè)控制>伺服與控制>快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 提供 100% 占空比能力

快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 提供 100% 占空比能力

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦

15-150V降壓5V0.8A DC-DC降壓IC 替代PN6005、PN6006

方案應(yīng)用:森利威爾SL3160 150V耐壓IC替代PN6005、PN6006電源芯片概述SL3160 是一款用于開關(guān)電源的內(nèi)置150V 高壓MOSFET 的DC-DC 控制。SL3160 內(nèi)置
2023-02-01 10:00:38

15N10 原裝15N10 100V 15A TO-252 N溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管HC085N10L

(TO-252)低開啟電壓1.6V低內(nèi)阻低結(jié)電容低開啟電壓溫升低轉(zhuǎn)換效率高過電流大抗沖擊能力強(qiáng)公司主營產(chǎn)品:30V、60V100V、150V全系列nmos管,2N10、3N10、4N10、5N
2020-11-11 17:10:06

4.5至18V側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板MIC4414YFT EV

MIC4414YFT EV,MIC4414評(píng)估板是一款低側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于在低側(cè)開關(guān)應(yīng)用中切換N溝道增強(qiáng)型MOSFET。 MIC4414是一款非反相驅(qū)動(dòng)器。該驅(qū)動(dòng)器具有短延遲和高峰值電流
2020-04-16 10:14:10

60V50A低內(nèi)阻低結(jié)電容N溝道MOS管HG012N06L

10 17N10 30V 60V 100V 150V SGT工藝高性能MOS管 低內(nèi)阻 低開啟 低結(jié)電容東莞市惠海半導(dǎo)體有限公司專業(yè)從事DC-DC中低壓MOS管市場(chǎng),專注中低壓MOS管的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)與銷售
2020-09-24 16:34:09

6V至60V的用于三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的門驅(qū)動(dòng)器IC

報(bào)告。功能框圖特性描述以下各節(jié)介紹了DRV8303的特性:三相門驅(qū)動(dòng)器半橋驅(qū)動(dòng)器使用帶涓流充電泵的引導(dǎo)配置來支持100%的占空比操作。每個(gè)半橋被配置成驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道mosfet,一個(gè)用于高壓側(cè),一個(gè)用于
2020-09-14 17:31:17

100V8Amos管8N10 香熏機(jī)專用-HG160N10L N溝道 TO-252小體積 散熱能力強(qiáng)

`惠海半導(dǎo)體【中低壓MOS管廠家】專注中低壓MOS管的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)與銷售?;莺0雽?dǎo)體提供30V -150V系列中低壓NMOS管,廠家直銷,質(zhì)優(yōu)價(jià)廉 ,大量現(xiàn)貨。惠海半導(dǎo)體MOS管廣泛運(yùn)用于LED
2021-02-02 16:19:12

150V降壓 電流400mA 非隔離式恒壓芯片

方案:電動(dòng)車儀表盤、控制專用芯片,替代PN6005描述SL3150是一款降壓調(diào)節(jié),它提供精確的恒定電壓(CV)無光耦合調(diào)節(jié)。它有一個(gè)集成150V MOSFET以簡化結(jié)構(gòu)和降低成本。這些特征使其
2022-06-17 10:22:35

N溝道MOSFET

`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57

N溝道和P溝道MOSFET的區(qū)別是什么

MOSFET的區(qū)別N 溝道和 P 溝道 MOSFET 之間的主要區(qū)別在于,N 溝道通常連接到負(fù)載(被供電的器件)的接地 (-) 側(cè),而 P 溝道連接到 VCC (+)側(cè)。為什么你必須將一個(gè)與消極聯(lián)系起來
2023-02-02 16:26:45

N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066

`N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)RDS(ON)<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12

N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM3550

[table=98%]N溝道增強(qiáng)型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)◆40V/ 100A[tr]提供優(yōu)異的RDS(ON)和低門電荷。[td=331]◆RDS(ON)
2018-11-16 13:42:48

N溝道貼片MOS管100V5A 5N10 SOT23-3封裝

/場(chǎng)效應(yīng)管:100V5A封裝:SOT-23溝道N溝道,產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定,廣泛運(yùn)用于LED電源,充電器,小家電,電源,混色LED燈等電子產(chǎn)品,公司免費(fèi)提供HC510樣品,并提供產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)支持產(chǎn)品型號(hào)
2020-07-24 17:25:11

N溝通和P溝道的功率MOSFET的特征是什么

功率MOSFET有二種類型:N溝通和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中,選擇N管還是P管,要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征,然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51

ADP3412是一款為驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的雙mosfet驅(qū)動(dòng)器兩個(gè)N通道mosfet

180度?! 「叨?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)器  高端驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)浮動(dòng)低RDS(ON)N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)電源和下沉柵極電流的最大輸出電阻為5Ω。低輸出電阻允許驅(qū)動(dòng)器在3nF負(fù)載下有20ns的上升和下降時(shí)間。高壓側(cè)
2020-07-21 15:49:18

AO8822有替代的SL8822,20V / 7A的MOS管N溝道TSSOP8封裝

、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼相框、計(jì)步器、電子稱、搖控、GPS、機(jī)頂盒、手電筒、礦燈、燈飾品、電子禮品)我司還提供以下MOS管產(chǎn)品:SL2302N溝道SOT23-3 20V4.2A可替代
2020-06-10 14:03:57

AOS AON7544 N溝道MOSFET

`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS(αMOSLV)技術(shù),具有極低的RDS(on),低柵極電壓和高電流能力,非常適合應(yīng)用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05

AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET

`AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05

AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET

`AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-09 09:09:18

AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET

`AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-12 09:12:51

AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET

`AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34

BSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA

BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58

DVRFD631-150,旨在簡化IXRFD631柵極驅(qū)動(dòng)器的評(píng)估,并為電源電路開發(fā)提供構(gòu)建模塊

DVRFD631-150,開發(fā)板是一種通用電路板,旨在簡化IXRFD631柵極驅(qū)動(dòng)器的評(píng)估,并為電源電路開發(fā)提供構(gòu)建模塊。 IXRFD631柵極驅(qū)動(dòng)器出廠時(shí)已安裝在評(píng)估板上,并經(jīng)過全面測(cè)試。電路板設(shè)計(jì)允許將驅(qū)動(dòng)器MOSFET連接到散熱,這樣做可以將電路板組件用作接地參考的低側(cè)電源開關(guān)
2019-08-07 08:48:20

ETA7008是一個(gè)低側(cè)過電壓保護(hù)(OVP)芯片

ETA7008是一個(gè)低側(cè)過電壓保護(hù)(OVP)芯片,其僅有34mΩ開關(guān)阻抗。它使用了一個(gè)低側(cè)保護(hù)拓?fù)浼軜?gòu),確保了非常低的導(dǎo)通阻抗和高壓保護(hù)能力。ETA7008內(nèi)部電路由一個(gè)電壓比較,一個(gè)開關(guān)驅(qū)動(dòng)器
2019-12-04 20:02:49

H6203G 國產(chǎn)150V高耐壓降壓芯片 100V轉(zhuǎn)3.3V 100V轉(zhuǎn)5V 100V轉(zhuǎn)12V

H6203G 是一款150V高耐壓芯片支持100V轉(zhuǎn)3.3V 100V轉(zhuǎn)5V 100V轉(zhuǎn)12V。 產(chǎn)品描述 H6203G是一種內(nèi)置150V耐壓MOS,支持輸入高達(dá)120V高壓降壓開關(guān)控制,可以向負(fù)載
2024-01-26 14:13:26

IRS26302DJBPF高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器相關(guān)資料分享

概述:IRS26302DJBPF美國國家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器,它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器與三個(gè)高側(cè)及三個(gè)低側(cè)參考輸出通道集成在一起,在最高20V
2021-05-18 07:25:34

IR推出正弦和梯形電機(jī)控制堅(jiān)固型單相高壓IC系列

獨(dú)立高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。該輸出驅(qū)動(dòng)器有一個(gè)高脈沖電流緩沖級(jí),適用于最小的驅(qū)動(dòng)器跨導(dǎo),同時(shí)浮動(dòng)通道可以用來驅(qū)動(dòng)工作在高達(dá)600V側(cè)配置的N溝道功率MOSFET或 IGBT。這些器件可為兩種通道提供
2008-11-13 20:40:15

ISL6144高壓環(huán)形MOSFET控制介紹

MOSFET的浮柵驅(qū)動(dòng)。高速度(HS)比較保護(hù)公共總線通過關(guān)閉短路的電源將MOSFET置于300ns以下并保證低反向當(dāng)前。一種外接電阻可編程HS檢測(cè)電平比較允許用戶設(shè)置N溝道MOSFET
2020-09-28 16:35:05

ISL6594A/ISL6594B高頻MOSFET驅(qū)動(dòng)器

ISL6594A和ISL6594B是高頻MOSFET專為驅(qū)動(dòng)上下功率而設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)器同步整流buck中的N溝道mosfet轉(zhuǎn)換拓?fù)?。這些驅(qū)動(dòng)程序與ISL6592數(shù)字多相降壓型脈寬調(diào)制控制N溝道
2020-09-30 16:47:03

L6395驅(qū)動(dòng)程序自舉配置不允許達(dá)到100%的占空比

大家好,我使用兩個(gè) mosfet 作為開關(guān)(為了打開或關(guān)閉接觸,打開或關(guān)閉一些 PCB 等,不需要高頻),一個(gè)高側(cè) mosfet 和一個(gè)低側(cè) mosfet。我想用 L6395 驅(qū)動(dòng)程序控制它們
2022-12-14 08:26:16

L6743/L6743Q高頻驅(qū)動(dòng)器

程序?yàn)镾O-8和DFN10 3x3包裝電氣特性表5。電氣特性(VCC=12 V±15%,TJ=0°C至70°C,除非另有規(guī)定)設(shè)備說明和操作L6743、L6743Q為高壓側(cè)和低壓側(cè)提供大電流驅(qū)動(dòng)控制N溝道
2020-09-22 16:32:27

LN2544 100V降壓型LED恒流驅(qū)動(dòng)器

LED驅(qū)動(dòng)芯片概述:LN2544 為一款高效率、降壓型、內(nèi)置高壓MOSFET 的恒流LED 驅(qū)動(dòng)電路。LN2544 采用固定關(guān)斷時(shí)間的峰值電流檢測(cè)模式,最高輸出電壓可達(dá)100V。芯片包括一個(gè)PWM
2014-05-12 11:32:13

LN8322 電子煙、無線充 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LN8322SR南麟代理商30V驅(qū)動(dòng)N溝道MOSFET柵極半橋驅(qū)動(dòng)IC代替RT9612

/ESOP-8、MSOP-8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封裝形式,給方案設(shè)計(jì)帶來更多的選擇。半橋/全橋轉(zhuǎn)換同步降壓、升降壓拓?fù)潆娮訜?、無線充 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器電源電壓工作范圍為 4.5V
2022-01-12 13:39:25

LT1160的典型應(yīng)用:半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器

LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01

NCP5106BA36WGEVB,用于NCP5106,36 W鎮(zhèn)流器,是一款高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC

NCP5106BA36WGEVB,NCP5106,36 W鎮(zhèn)流器評(píng)估板。 NCP5106是一款高壓柵極驅(qū)動(dòng)器IC,提供兩路輸出,用于直接驅(qū)動(dòng)2個(gè)N溝道功率MOSFET或IGBT,采用半橋配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A.它使用自舉技術(shù),以確保正確驅(qū)動(dòng)高端電源開關(guān)。該驅(qū)動(dòng)程序使用2個(gè)獨(dú)立輸入
2019-10-12 10:31:24

NCP5106BDR2G 600V高電壓 隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

本帖最后由 Sillumin驅(qū)動(dòng) 于 2021-11-23 14:05 編輯 NCP5106是一款高壓柵極驅(qū)動(dòng)IC,提供兩個(gè)輸出,用于直接驅(qū)動(dòng)2個(gè)N溝道功率MOSFET或IGBT,使用自舉技術(shù)
2021-11-23 13:57:47

NCP5181是一款高壓功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器,提供兩路輸出,用于NCP5181,36 W鎮(zhèn)流器

NCP5181BAL36WEVB,NCP5181,36 W鎮(zhèn)流器評(píng)估板。 NCP5181是一款高壓功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器,提供兩路輸出,用于直接驅(qū)動(dòng)2個(gè)N溝道功率MOSFET,這些功率MOSFET
2019-10-12 10:29:07

P溝道N溝道MOSFET在開關(guān)電源中的應(yīng)用

MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩(wěn)壓中的高側(cè)開關(guān)。根據(jù)應(yīng)用的不同,N溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓側(cè)開關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。圖1:具有電平移位的高側(cè)驅(qū)動(dòng)
2018-03-03 13:58:23

RT8485是一款電流模式PWM控制,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)外部MOSFET,用于高電流LED應(yīng)用

典型應(yīng)用降壓配置中的模擬調(diào)光,當(dāng)VIN2超過150V時(shí),用于RT8485高壓大電流LED驅(qū)動(dòng)器控制,用于降壓,升壓或降壓 - 升壓拓?fù)洹?RT8485是一款電流模式PWM控制,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)外部MOSFET,用于高電流LED應(yīng)用
2019-10-21 08:35:26

SL3150 150V降壓IC 、輸出5V、400mA、電動(dòng)車儀表供電芯片

替代方案:SL3150 PIN對(duì)PIN 驪微 PN6005描述:SL3150 是一款降壓調(diào)節(jié),它提供精確的恒定電壓(CV)無光耦合調(diào)節(jié)。它有一個(gè)集成150V MOSFE以簡化結(jié)構(gòu)和降低成本。這些
2022-06-02 15:49:13

SL3160 高耐壓150V內(nèi)置MOS管 降壓5V輸出 適應(yīng)高耐壓低電流方案

SL3160 150V/0.8A 開關(guān)降壓型轉(zhuǎn)換 概述 SL3160 是一款用于開關(guān)電源的內(nèi)置150V 高壓MOSFET 的DC-DC 控制。 SL3160 內(nèi)置高壓啟動(dòng)和自供電功能,可滿足
2023-09-18 14:44:25

SL3422 N溝道55V2.1AMOS管,SOT23-3封裝優(yōu)勢(shì)替代AO3422

SOT23-3L100V 3ASL2N15N溝道SOT23-3 150V 2ASL3415P溝道SOT23-3 -20V 4A可替代AO3415SL3415E P溝道SOT23-3 -20V 4ASL3423P溝道
2020-07-02 10:34:17

SL3N10 高壓100V3A電流220毫歐MOS管,SOT23-3L封裝N溝道

SOT23-3L100V 3ASL2N15N溝道SOT23-3 150V 2ASL3415P溝道SOT23-3 -20V 4A可替代AO3415SL3415E P溝道SOT23-3 -20V 4ASL3423P
2020-07-01 15:00:33

SL7544 N溝道MOS管30V/54A 5.5毫歐場(chǎng)效應(yīng)管,

3ASL2N15N溝道SOT23-3 150V 2ASL3415P溝道SOT23-3 -20V 4A可替代AO3415SL3415E P溝道SOT23-3 -20V 4ASL3423P溝道SOT23-3
2020-05-29 14:03:20

VN7000AY高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器介紹

技術(shù)制造的單通道高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,并采用PowerSSO-36封裝。它旨在通過3V和5VCMOS兼容接口驅(qū)動(dòng)12V汽車接地負(fù)載,從而提供保護(hù)和診斷功能?! N7000AY集成了高級(jí)保護(hù)功能,例如負(fù)載電流
2020-06-30 16:58:08

一個(gè)單微功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器內(nèi)置保護(hù)

記本電腦電源切換SCSI終端電源切換蜂窩電話電源管理電池充電和管理高端工業(yè)和汽車開關(guān)步進(jìn)電機(jī)和直流電機(jī)控制說明LTC1154單高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器允許使用低高側(cè)交換應(yīng)用的成本N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。內(nèi)部電荷泵提高柵極
2020-09-08 17:28:16

一文解析LMD18400四邊形高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器

功能應(yīng)用程序四個(gè)獨(dú)立輸出,峰值>3A,1A繼電器和電磁閥驅(qū)動(dòng)器連續(xù)電流能力高阻抗汽車噴油器驅(qū)動(dòng)器最大導(dǎo)通電阻為1.3?溫度燈驅(qū)動(dòng)器每個(gè)開關(guān)的真實(shí)瞬時(shí)功率限制電源切換開關(guān)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器高生存電壓
2020-09-14 17:34:44

一種高達(dá)36V,電壓可調(diào)的過壓保護(hù)電路

`描述KF2030是一個(gè)低側(cè)過電壓保護(hù)(OVP)芯片,其僅有34mΩ開關(guān)阻抗。它使用了一個(gè)低側(cè)保護(hù)拓?fù)浼軜?gòu),確保了非常低的導(dǎo)通阻抗和高壓保護(hù)能力。KF2030內(nèi)部電路由一個(gè)電壓比較,一個(gè)開關(guān)驅(qū)動(dòng)器
2017-08-25 12:02:32

三路1.8V至6V側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器LTC1163

LTC1163的典型應(yīng)用 - 三路1.8V至6V側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LTC1163 / LTC1165三路低壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器可通過低至1.8V電源的廉價(jià)低RDS(ON)N通道開關(guān)切換電源或接地參考負(fù)載
2020-04-17 10:09:17

兩個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOSFET源極相接串聯(lián)使用,總是燒MOSFET,求教

MOSFET作為開關(guān)使用串聯(lián)在電池負(fù)極和開關(guān)電源負(fù)極之間,但總是燒壞MOSFET,MOSFET選用的是IXFN420N10T,Ids可達(dá)420A,Vds最大100V,而開關(guān)電源是適配48V,電池是鉛酸電池
2016-09-06 12:51:58

什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器?如何計(jì)算MOSFET的功耗?

什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器?MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分?如何計(jì)算MOSFET的功耗?
2021-04-12 06:53:00

低壓貼片MOS管30V 60V 100V 150V 耐壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

5A (5N10)SOT23-3封裝,內(nèi)阻155mR,可用于加濕器、霧化、香薰機(jī)、美容儀型號(hào); HC085N10L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 100V15ASOT89封裝,內(nèi)阻70mR,可用于加濕器、霧化、香薰機(jī)
2020-09-23 11:38:52

低壓貼片MOS管30V 60V 100V 150V 耐壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

5A (5N10)SOT23-3封裝,內(nèi)阻155mR,可用于加濕器、霧化、香薰機(jī)、美容儀型號(hào); HC085N10L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 100V15ASOT89封裝,內(nèi)阻70mR,可用于加濕器、霧化、香薰機(jī)
2020-10-14 15:18:58

關(guān)于MOSFET不同溝道和類型的問題

N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?
2019-05-13 09:00:00

具有保護(hù)功能的ISL6594A/ISL6594B高頻MOSFET驅(qū)動(dòng)器

ISL6594A和ISL6594B是高頻MOSFET專為驅(qū)動(dòng)上下功率而設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)器同步整流buck中的N溝道mosfet轉(zhuǎn)換拓?fù)?。這些驅(qū)動(dòng)程序與ISL6592數(shù)字多相降壓型脈寬調(diào)制控制N溝道
2020-09-29 17:38:58

具有升壓穩(wěn)壓的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器

LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V(絕對(duì)最大值)的高壓(HV)軌道上工作
2019-05-10 06:46:05

可用作內(nèi)置N溝道MOSFET的線性電源BD35395FJ-M終端穩(wěn)壓

,可以分別提供高達(dá)1A的灌電流和拉電流能力。該芯片還具有專門設(shè)計(jì)的內(nèi)置高速運(yùn)算放大器可提供出色的瞬態(tài)響應(yīng)特性。BD35395FJ-M終端穩(wěn)壓IC需要提供3.3V或5.0V的偏置供電電壓來驅(qū)動(dòng)內(nèi)置的N溝道
2019-04-28 05:31:27

大功率LED驅(qū)動(dòng)器MAX16834相關(guān)資料下載

占空比。 調(diào)光驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)與LED串聯(lián)的外部n溝道MOSFET,可實(shí)現(xiàn)高達(dá)20kHz的寬范圍調(diào)光控制。除PWM調(diào)光以外,MAX16834還通過REFI端DC輸入提供模擬調(diào)光??删幊涕_關(guān)頻率
2021-05-17 06:49:06

開關(guān)電源設(shè)計(jì)之:P溝道N溝道MOSFET比較

溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓側(cè)開關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。圖1:具有電平移位的高側(cè)驅(qū)動(dòng)IC。圖2:用自舉電路對(duì)高側(cè)N溝道MOSFET進(jìn)行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10

汽車方案和工業(yè)方案的高性能低成本隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器 FAN7382MX應(yīng)用指南

FAN7382MX 是一款單片半橋門極驅(qū)動(dòng)器集成電路 FAN7382 可以驅(qū)動(dòng)最高在 +600V 下運(yùn)行的 MOSFET 和 IGBT。高電壓工藝和共模干擾抑制技術(shù)提供高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器在高 dv/dt
2021-12-16 08:48:48

環(huán)保快速堅(jiān)固耐用的NovalithIC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC

封裝內(nèi)集成了3個(gè)獨(dú)立芯片: P溝道MOSFET(高側(cè))、N溝道MOSFET(低側(cè))和采用半橋配置的驅(qū)動(dòng)器IC(圖2)。這些模塊采用創(chuàng)新的芯片堆疊和芯片相鄰封裝技術(shù),適用于空調(diào)風(fēng)扇、安全帶系統(tǒng)和燃油泵等
2018-12-07 10:14:08

理解電源PWM及控制芯片的驅(qū)動(dòng)能力

了用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFET的Totem圖騰柱驅(qū)動(dòng)器,最簡單的圖騰柱驅(qū)動(dòng)器如圖1所示,由一個(gè)NPN三極管和一個(gè)PNP三極管對(duì)管組成,有時(shí)候也會(huì)用一個(gè)N溝道MOSFET的一個(gè)P溝道MOSFET對(duì)管組成
2017-02-20 17:46:04

用于外部N通道功率mosfet的全橋控制A4940

的無調(diào)節(jié)電源和3到5.5伏的邏輯電源。四個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)廣泛的N通道功率mosfet,并配置為兩個(gè)高端驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)低端驅(qū)動(dòng)器。A4940提供了所有必要的電路,以確保高壓側(cè)和低壓側(cè)外部mosfet的柵極
2020-09-29 16:51:51

電機(jī)驅(qū)動(dòng)器為什么能廣泛運(yùn)用

的功率水平是需要設(shè)計(jì)師來確定什么驅(qū)動(dòng)器MOSFET 使用在任何給定的系統(tǒng)。在使用各種電動(dòng)工具時(shí),適當(dāng)考慮這里的廣泛結(jié)果是設(shè)計(jì)過程中的關(guān)鍵步驟。大多數(shù)驅(qū)動(dòng)器提供7 v 到13 v 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓???/div>
2022-04-14 14:43:07

直流5V升壓交流150V

直流5V升壓交流150V怎么來做,我知道要用變壓,但是我不知道怎么搭建電路,變壓要怎么來做?
2014-12-17 11:58:48

請(qǐng)問該高壓正弦波放大電路輸出幅度能達(dá)到峰峰值150V的要求嗎?

此圖是高壓正弦波放大電路,這個(gè)圖能自己產(chǎn)生正弦波,輸出幅度能達(dá)到峰峰值150V的要求嗎?對(duì)電路不是很了解,望高手分析,謝謝!
2018-12-28 11:32:49

這個(gè)用MOSFET驅(qū)動(dòng)電機(jī)可行嗎?

現(xiàn)在在做一個(gè)500W的直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng),電機(jī)的額定電流30A左右。在網(wǎng)上看到的這類驅(qū)動(dòng)多是H橋的。實(shí)際應(yīng)用中不需要正反轉(zhuǎn),只用PWM調(diào)速即可,請(qǐng)問能否用一片MOSFET側(cè)驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)N溝道的管子來驅(qū)動(dòng)這個(gè)電機(jī)呢,會(huì)不會(huì)有什么問題呢。
2016-01-04 09:42:49

采用ADuM7234隔離式半橋驅(qū)動(dòng)器的EVAL-CN0196-EB1Z H橋評(píng)估板

EVAL-CN0196-EB1Z,H橋驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板,采用隔離式半橋驅(qū)動(dòng)器。 CN0196是由高功率開關(guān)MOSFET組成的H橋,其由低壓邏輯信號(hào)控制。該電路在邏輯信號(hào)和高功率電橋之間提供了方便的接口
2019-05-17 09:15:02

降低高壓MOSFET導(dǎo)通電阻的原理與方法

,新型高壓MOSFET使長期困擾高壓MOSFET的導(dǎo)通壓降高的問題得到解決;可簡化整機(jī)設(shè)計(jì),如散熱器件體積可減少到原40%左右;驅(qū)動(dòng)電路、緩沖電路簡化;具備抗雪崩擊穿能力和抗短路能力;簡化保護(hù)電路并使整機(jī)
2023-02-27 11:52:38

高電壓熱插拔控制LT4254電子資料

概述:LT4254是一款高壓熱插撥 (Hot Swap?) 控制允許電路板在帶電背板上安全地插撥。對(duì)于 10.8V 至 36V 范圍內(nèi)的供電電壓,一個(gè)內(nèi)部驅(qū)動(dòng)器對(duì)高壓側(cè) N 溝道MOSFET的柵極進(jìn)行控制。
2021-04-08 07:50:07

MAX15054 高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器,用于HB LED驅(qū)

MAX15054 高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器,用于HB LED驅(qū)動(dòng)器和DC-DC應(yīng)用   概述 MAX15054是高邊、n溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器,高壓應(yīng)用中可工作在較高的開關(guān)頻率
2010-01-28 08:43:041653

高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路

高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947

凌力爾特推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器

10 月 1 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 LTC4440A-5,該器件能以高達(dá) 80V
2013-10-09 15:41:271040

150V 同步降壓型 DC/DC 控制器

式同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器控制器 LTC3895,該器件可驅(qū)動(dòng)一個(gè)全 N 溝道 MOSFET 電源級(jí)。其 4V 至 140V (150V 絕對(duì)最大值) 輸入電壓范圍允許使用高壓輸入電源或具高壓浪涌的輸入工作,從而無需外部浪涌抑制器件。
2016-05-24 13:55:383609

快速 60V 保護(hù)的高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器提供 100% 占空比能力

,簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC7003,該器件可采用高達(dá) 60V 的電源電壓工作。
2017-07-14 16:08:512045

快速60V高壓側(cè)N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器提供100%占空比能力

,簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC7004,該器件用高達(dá) 60V 的電源電壓運(yùn)行
2017-09-11 09:36:582795

高壓mosfet驅(qū)動(dòng)器電路圖分享

高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路:
2017-10-19 16:02:3723

快速、150V 保護(hù)、高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器

LTC7000 是一款快速、受保護(hù)的高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,該器件包含一個(gè)內(nèi)部充電泵,因而允許外部 N 溝道 MOSFET 無限期地保持導(dǎo)通。LTC7000 接收一個(gè)低電壓數(shù)字
2018-06-06 13:45:003638

快速、150V、高壓側(cè)NMOS靜態(tài)開關(guān)驅(qū)動(dòng)器LTC?7001

LTC?7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,采用高達(dá) 135V 的輸入電壓工作。該器件包含一個(gè)負(fù)責(zé)全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵,因而使其能夠無限期地保持導(dǎo)通。
2018-07-11 15:38:002998

高壓側(cè)N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用

快速150V保護(hù)高側(cè)Driver_zh
2019-08-16 06:08:004422

LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -55°C 至 125°C 的溫度范圍內(nèi)工作

LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -55°C 至 125°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-18 22:10:113

150V 快速高壓側(cè)受保護(hù)的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器提供 100% 占空比能力

150V 快速高壓側(cè)受保護(hù)的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:129

100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作

100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-19 06:51:081

快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 提供 100% 占空比能力

快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482

100mA 同步降壓型轉(zhuǎn)換器具備 150V 輸入能力且靜態(tài)電流僅為 12μA

100mA 同步降壓型轉(zhuǎn)換器具備 150V 輸入能力且靜態(tài)電流僅為 12μA
2021-03-21 09:22:090

LTC4444:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表

LTC4444:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-04-27 09:13:316

LTC3894:150V低I<sub>Q</sub>降壓式DC/DC控制器,100%占空比性能產(chǎn)品手冊(cè)

LTC3894:150V低IQ降壓式DC/DC控制器,100%占空比性能產(chǎn)品手冊(cè)
2021-05-11 08:13:188

LTC4444-5:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表

LTC4444-5:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-11 17:18:146

LTC1693:高速單/雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表

LTC1693:高速單/雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-19 16:35:075

LT1158:半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表

LT1158:半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-20 18:32:193

LTC4441:N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表

LTC4441:N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表
2021-05-26 08:42:545

DC102A LT1336 | 具有升壓穩(wěn)壓器的 1/2 橋 N 溝道功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器

本演示電路是一款面向一般應(yīng)用的 N 溝道半橋。該半橋可用 TTL/CMOS 電平信號(hào)驅(qū)動(dòng)至負(fù)責(zé)驅(qū)動(dòng) N 溝道 MOSFET 的 LT?1336 中。獨(dú)立式高端驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)壓器可實(shí)現(xiàn) 100% 占空比
2021-06-17 21:21:157

東芝推新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET 可大幅提高電源效率

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝,適用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源,其中
2022-04-01 09:12:422802

應(yīng)用在電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器中的光耦

MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器,可利用一個(gè)同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達(dá)100V的電源電壓來驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力降低了具高柵極電容MOSFET中的開關(guān)損耗。針對(duì)
2022-10-25 09:19:341347

LTC7001 N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器參數(shù)介紹

LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個(gè)擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵,因此使其可以無限期地堅(jiān)持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45515

p型mos管-30V/-100V/-150V選型,士蘭微mos管代理

遠(yuǎn)小,但在某些應(yīng)用領(lǐng)域,P溝道MOSFET因其本身的電性特點(diǎn),有其不可替代性,目前驪微電子可提供-30~-150V,-3~-46A的P溝道MOSFET解決方案,封裝
2022-11-11 16:00:461194

美格納發(fā)布第8代150V MXT MV MOSFET

美格納半導(dǎo)體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術(shù)的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。MXT MV MOSFET,代表美格納極限溝槽
2023-10-12 17:15:09737

貼片p溝道mos管-150v SVGP15161PL3A參數(shù)

供應(yīng)貼片p溝道mos管-150v、-9ASVGP15161PL3A,提供SVGP15161PL3A供應(yīng)貼片p溝道mos管參數(shù),更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微MOS管一級(jí)代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-10-10 16:08:093

采用150V OptiMOS功率MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)評(píng)估板

EVAL-6ED2742S01QM1評(píng)估套件包括一塊三相逆變功率板,內(nèi)含額定電壓為160V 的6ED2742S01Q(5x5 VQFN-32)三相柵極驅(qū)動(dòng)器,驅(qū)動(dòng)六個(gè)額定電壓為150V
2023-11-17 17:08:41534

已全部加載完成