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電子發(fā)燒友網(wǎng)>工業(yè)控制>伺服與控制>快速 60V 保護的高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器提供 100% 占空比能力

快速 60V 保護的高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器提供 100% 占空比能力

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2019-07-09 17:30:39

一個單微功率MOSFET驅(qū)動器內(nèi)置保護

特征充分增強N溝道功率mosfet8μA IQ待機電流電流為85μA IQ無外部電荷泵電容器4.5V至18V電源范圍短路保護通過PTC熱敏電阻進行熱關(guān)機狀態(tài)輸出指示停機提供8針SOIC應(yīng)用筆
2020-09-08 17:28:16

一文解析LMD18400四邊形高壓側(cè)驅(qū)動器

60 VDC,80V瞬態(tài))短路負載(接地和電源)說明保護LMD18400是一個完全受保護的四邊形高壓側(cè)。它包含四個公共漏極DMOS N-VCC>35V時的過電壓關(guān)機通道電源開關(guān),每個都能將a?LS TTL/CMOS兼容邏輯輸入和連續(xù)1安培負載(>3安培瞬態(tài))切換到輸出公共正電源。開關(guān)完全
2020-09-14 17:34:44

一種高達36V,電壓可調(diào)的過壓保護電路

`描述KF2030是一個低側(cè)過電壓保護(OVP)芯片,其僅有34mΩ開關(guān)阻抗。它使用了一個低側(cè)保護拓撲架構(gòu),確保了非常低的導(dǎo)通阻抗和高壓保護能力。KF2030內(nèi)部電路由一個電壓比較,一個開關(guān)驅(qū)動器
2017-08-25 12:02:32

三路1.8V至6V側(cè)MOSFET驅(qū)動器LTC1163

LTC1163的典型應(yīng)用 - 三路1.8V至6V側(cè)MOSFET驅(qū)動器。 LTC1163 / LTC1165三路低壓MOSFET驅(qū)動器可通過低至1.8V電源的廉價低RDS(ON)N通道開關(guān)切換電源或接地參考負載
2020-04-17 10:09:17

什么是MOSFET驅(qū)動器?如何計算MOSFET的功耗?

什么是MOSFET驅(qū)動器MOSFET驅(qū)動器功耗包括哪些部分?如何計算MOSFET的功耗?
2021-04-12 06:53:00

低壓貼片MOS管30V 60V 100V 150V 耐壓N溝道場效應(yīng)管

10)TO-252封裝, 內(nèi)阻68mR,可用于加濕器、車燈電源等型號:HC012N06LN溝道場效應(yīng)管60V50A(50N06 )TO-252封裝, 內(nèi)阻12mR,汽車燈電源、電機驅(qū)動、控制
2020-09-23 11:38:52

低壓貼片MOS管30V 60V 100V 150V 耐壓N溝道場效應(yīng)管

10)TO-252封裝, 內(nèi)阻68mR,可用于加濕器、車燈電源等型號:HC012N06LN溝道場效應(yīng)管60V50A(50N06 )TO-252封裝, 內(nèi)阻12mR,汽車燈電源、電機驅(qū)動、控制
2020-10-14 15:18:58

低開啟40V 10A N溝道 MOS管原廠

溝道 MOS管60V 50A TO-252 N溝道 MOS管【100V MOS N溝道100V 5A SOT-23 N溝道 MOS管100V 8A SOT-89 N溝道MOS管100V 3A
2020-11-02 16:02:10

低靜態(tài)電流降壓型控制LTC3824相關(guān)資料下載

kHz至600kHz范圍的固定頻率。就噪聲敏感應(yīng)用而言,該器件可以同步至同樣范圍的一個外部時鐘。其強大的內(nèi)置MOSFET柵極驅(qū)動器為一個外部P溝道MOSFET供電,以實現(xiàn)高于90%的轉(zhuǎn)換效率。此外
2021-04-19 07:25:08

具有保護功能的ISL6594A/ISL6594B高頻MOSFET驅(qū)動器

到低壓側(cè)的柵極MOSFET(LGATE)。轉(zhuǎn)換的輸出電壓為然后受到低邊MOSFET閾值的限制為微處理提供一些保護,如果在初始啟動期間,MOSFET短路。這些驅(qū)動器還具有一個三態(tài)PWM輸入
2020-09-29 17:38:58

具有升壓穩(wěn)壓的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器

LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。浮動驅(qū)動器可以驅(qū)動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V(絕對最大值)的高壓(HV)軌道上工作
2019-05-10 06:46:05

如何為敏感電路提供過壓及電源反接保護

。另外,LTC4365 還針對負 VIN連接提供保護作用, 即使在 VOUT 由一個單獨的電源驅(qū)動時也是如此。只要不超過外部 MOSFET 的擊穿電壓 (60V),那么 VIN 上的極性反接就不會
2018-10-29 16:59:59

開關(guān)電源設(shè)計之:P溝道N溝道MOSFET比較

溝道MOSFET也可用作降壓穩(wěn)壓側(cè)開關(guān)。這些應(yīng)用需要自舉電路或其它形式的高側(cè)驅(qū)動器。圖1:具有電平移位的高側(cè)驅(qū)動IC。圖2:用自舉電路對高側(cè)N溝道MOSFET進行柵控。極性決定了MOSFET的圖形
2021-04-09 09:20:10

環(huán)保快速堅固耐用的NovalithIC電機驅(qū)動器IC

封裝內(nèi)集成了3個獨立芯片: P溝道MOSFET(高側(cè))、N溝道MOSFET(低側(cè))和采用半橋配置的驅(qū)動器IC(圖2)。這些模塊采用創(chuàng)新的芯片堆疊和芯片相鄰封裝技術(shù),適用于空調(diào)風(fēng)扇、安全帶系統(tǒng)和燃油泵等
2018-12-07 10:14:08

用于外部N通道功率mosfet的全橋控制A4940

的無調(diào)節(jié)電源和3到5.5伏的邏輯電源。四個柵極驅(qū)動器能夠驅(qū)動廣泛的N通道功率mosfet,并配置為兩個高端驅(qū)動器和兩個低端驅(qū)動器。A4940提供了所有必要的電路,以確保高壓側(cè)和低壓側(cè)外部mosfet的柵極
2020-09-29 16:51:51

電機驅(qū)動器為什么能廣泛運用

——如50 v 級的 a4919和100 v 級的 a89500——提供了直接嵌入電路的負面瞬態(tài)保護。如下圖5所示,是一個圖表。相位連接暫態(tài)魯棒性和 Allegro 和其他供應(yīng)商門驅(qū)動器的最大電源電壓
2022-04-14 14:43:07

科發(fā)鑫 KF2030電壓檢查保護IC

。KF2030內(nèi)部電路由一個電壓比較,一個開關(guān)驅(qū)動器和一個 34mΩ的 N 溝道 MOSFET 組成。特點:過電壓保護高達 36V 34mΩ 開關(guān)阻抗 可預(yù)設(shè)的保護電壓點 可預(yù)設(shè)的反應(yīng)速度應(yīng)用:平板電腦 智慧型手機 行車記錄儀 移動電源引腳封裝:
2018-10-25 18:05:09

耐壓60V,ZCC2459替代MP2459

產(chǎn)品概述:ZCC2459是一款內(nèi)部集成有功率MOSFET管的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓。以電流模式控制方式達到快速環(huán)路響應(yīng)并提高環(huán)路的穩(wěn)定性。寬范圍輸入電壓(4.5 V60V提供0.5A電流的高效率輸出
2020-12-17 14:47:30

英飛凌40V60V MOSFET

40V,60V MOSFET可大幅簡化熱管理,從而節(jié)省成本。 一個典型的服務(wù)電源的輸出電壓為12V,在100%輸出負載下,功率為600W至2400W,業(yè)界的標準做法是二次側(cè)采用同步整流(即
2018-12-06 09:46:29

調(diào)光比高達3000:1的60V大電流LED控制實現(xiàn)方案

的一些功能也使其適用于給電池和超級電容器充電。LT3761 的4.5V60V的輸入電壓范圍使該器件適用于多種應(yīng)用,包括汽車、工業(yè)和建筑照明。LT3761 采用一個外部 N 溝道 MOSFET,可用一個
2012-12-12 17:01:33

采用LT1910ES8保護側(cè)MOSFET驅(qū)動器的DC2307A演示板

DC2307A,演示電路2307A是一款采用LT1910ES8的高輸入電壓保護側(cè)MOSFET驅(qū)動器。該演示板具有8V至48V的寬輸入電壓范圍,能夠保護電壓源免受短路影響。 LT1910具有50mV
2019-06-27 08:17:32

降壓恒壓芯片 48V 60V 80V轉(zhuǎn)3.3V 5V 惠海H6601直接替代5864、2459和1466

? 逐周期過流保護 ? 4.5V60V 寬輸入工作電壓范圍 ? 輸出調(diào)節(jié)范圍為 0.81V 至 0.9xVIN 典型應(yīng)用 ? 功率表 ? 配電系統(tǒng) ? 電池充電器 ? 用于線性穩(wěn)壓的前置穩(wěn)壓 ? WLED 驅(qū)動器 典型原理圖
2024-02-20 15:46:27

小信號應(yīng)用60V功率MOSFET

小信號應(yīng)用60V功率MOSFET  日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET,比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:441423

高壓MOSFET驅(qū)動器電路

高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947

快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 提供 100% 占空比能力

,簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 LTC7001,該器件以高達 150V 電源電壓運行。
2017-07-07 15:00:372012

快速60V高壓側(cè)N溝道MOSFET驅(qū)動器提供100%占空比能力

,簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 LTC7004,該器件用高達 60V 的電源電壓運行
2017-09-11 09:36:582795

高壓mosfet驅(qū)動器電路圖分享

高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵,從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動器電路:
2017-10-19 16:02:3723

快速、150V 保護、高壓側(cè)驅(qū)動器

LTC7000 是一款快速、受保護高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器,該器件包含一個內(nèi)部充電泵,因而允許外部 N 溝道 MOSFET 無限期地保持導(dǎo)通。LTC7000 接收一個低電壓數(shù)字
2018-06-06 13:45:003638

基于DRV8320R的具有降壓穩(wěn)壓器的 60V 三相智能柵極驅(qū)動器

欠壓鎖定、電荷泵故障、MOSFET 過流、MOSFET 短路、柵極驅(qū)動器故障和過熱情況提供內(nèi)部保護功能。故障狀況及故障詳情可通過 SPI 器件型號的器件寄存器顯示在 nFAULT 引腳上?! ttps
2018-09-11 17:18:45367

150V 快速高壓側(cè)受保護的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器提供 100% 占空比能力

150V 快速高壓側(cè)受保護的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:129

100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作

100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-19 06:51:081

快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 提供 100% 占空比能力

快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482

現(xiàn)貨推薦 | Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V (D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。
2021-04-21 17:50:211275

LTC4444:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表

LTC4444:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-04-27 09:13:316

LTC4444-5:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表

LTC4444-5:高壓同步N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-11 17:18:146

LTC3864:60V低智商降壓DC/DC控制器,具有100%占空比能力數(shù)據(jù)表

LTC3864:60V低智商降壓DC/DC控制器,具有100%占空比能力數(shù)據(jù)表
2021-05-15 14:42:002

NP50P06D6(60V P溝道增強模式MOSFET)

NP50P06D6(60V P溝道增強模式MOSFET)
2022-07-13 10:49:341560

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002H

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002H
2023-02-15 18:44:250

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y33-60P

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y33-60P
2023-02-17 18:44:050

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP033-60YE

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PSMP033-60YE
2023-02-17 18:46:150

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-PMV100EPA

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMV100EPA
2023-02-20 19:03:300

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-PMN100EPA

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMN100EPA
2023-02-20 19:03:400

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y61-60P

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6Y61-60P
2023-02-20 19:13:270

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D210-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D210-60E
2023-02-20 19:57:030

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D125-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D125-60E
2023-02-20 19:57:430

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D77-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D77-60E
2023-02-20 20:03:400

60V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D56-60E

60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D56-60E
2023-02-20 20:04:170

60V,P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-60P

60 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-60P
2023-02-22 18:53:020

60V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV230ENEA

60V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV230ENEA
2023-03-03 19:34:480

LTC7001 N溝道MOSFET柵極驅(qū)動器參數(shù)介紹

LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器,選用高達 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個擔(dān)任全面增強外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵,因此使其可以無限期地堅持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45515

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