專(zhuān)有外延技術(shù)轉(zhuǎn)移到Propel? 單晶圓MOCVD系統(tǒng)，從而在現(xiàn)有的硅生產(chǎn)線(xiàn)上實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)micro-LED。
2018-02-26 10:24:10
9432 當(dāng)前的鐵電隧道結(jié)都是基于兩類(lèi)鐵電材料，鈣鈦礦型鐵電體（如BaTiO3和PbZr0.2Ti0.8O3）和氧化物型鐵電體（如HfO2和Hf0.5Zr0.5O2）。這兩類(lèi)鐵電材料用于鐵電隧道結(jié)各有優(yōu)缺點(diǎn)
2020-08-19 17:55:034826 Micro LED顯示面板包含PCB板、LED芯片、封裝膠膜、驅(qū)動(dòng)IC等，Micro LED COB顯示屏的光學(xué)性能關(guān)鍵指標(biāo)：亮度、對(duì)比度、色域、灰階、刷新率、可視角等。本文通過(guò)研究COB單元板光學(xué)性能的設(shè)計(jì)影響因素，為COB單元板的光學(xué)性能設(shè)計(jì)提供參考。
2023-11-13 11:06:34804 
substrates (FGS)），提升了紅光氮化鎵 (InGaN)Micro LED器件的效率和陣列均勻性。研究人員聲稱(chēng)，這是首個(gè)蝕刻定義臺(tái)面尺寸小于5μm的InGaN紅光Micro LED。
2024-02-04 00:07:004559 LED路燈35萬(wàn)盞（不包含LED隧道燈），其中“十城萬(wàn)盞”21個(gè)城市共安裝LED路燈16萬(wàn)盞。高工LED預(yù)計(jì)，2011年中國(guó)LED路燈安裝量將超過(guò)50萬(wàn)盞。 基于高工LED團(tuán)隊(duì)對(duì)產(chǎn)業(yè)的及時(shí)深入調(diào)研
2011-01-19 11:29:12
普通的高亮度 (HB) LED 僅將約 45% 的應(yīng)用能量轉(zhuǎn)換給可見(jiàn)光子，其余的則產(chǎn)生熱量。 如果產(chǎn)生的這些熱量不能從 LED 充分散去，將會(huì)導(dǎo)致過(guò)熱，并可能造成災(zāi)難性故障。 即使不出現(xiàn)災(zāi)難性故障，LED 結(jié)溫升高也會(huì)造成光輸出下降、顏色發(fā)生變化和/或預(yù)期壽命顯著縮短。
2019-08-12 07:57:16
的結(jié)溫是影響各項(xiàng)性能指標(biāo)的主要因素，也是嚴(yán)重影響LED光衰和使用壽命的關(guān)鍵因素，這些參數(shù)對(duì)普通照明而言都是極其重要的照明質(zhì)量評(píng)價(jià)指標(biāo)，這已經(jīng)在照明業(yè)界達(dá)成共識(shí)。把LED燈條密閉在充有混合氣體的玻璃球泡
2018-03-19 09:14:39
還是工程技術(shù)上的應(yīng)用，高調(diào)制帶寬的微納米器件都依然面臨著極大的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。隨著電子器件制備工藝的提高，高帶寬micro LED與LD的性能與可靠性也會(huì)越來(lái)越好，有望在可見(jiàn)光通信、光纖通信與水下通信等領(lǐng)域
2023-05-17 15:01:55
制備方法對(duì)Ba2FeMoO6雙鈣鈦礦磁性能的影響采用濕化學(xué)法和固相反應(yīng)制備了Ba2FeMoO6雙鈣鈦礦化合物，對(duì)比研究了制備方法對(duì)其磁性能尤其是磁卡效應(yīng)的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，濕化學(xué)法準(zhǔn)備的樣品具有
2009-05-26 00:22:45
高性能led路燈驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)方案管理員，請(qǐng)把我的貼發(fā)了吧，我等著積分，下載些救命的資料！謝謝！
2010-07-14 16:13:57
有哪些新型可用于基帶處理的高性能DSP？性能參數(shù)如何？
2018-06-24 05:20:19
什么是高性能Sub-GHz無(wú)線(xiàn)芯片？高性能Sub-GHz無(wú)線(xiàn)芯片有哪些應(yīng)用？
2021-05-28 06:40:13
為什么要開(kāi)發(fā)一款高性能衛(wèi)星應(yīng)用手持終端？高性能衛(wèi)星應(yīng)用手持終端有什么優(yōu)勢(shì)？
2021-05-17 07:18:51
高性能計(jì)算機(jī)的發(fā)展史高性能計(jì)算機(jī)的內(nèi)容高性能計(jì)算機(jī)的應(yīng)用高性能計(jì)算機(jī)的現(xiàn)狀高性能計(jì)算機(jī)的應(yīng)用領(lǐng)域高性能計(jì)算機(jī)的未來(lái)展望
2019-09-10 10:42:36
異質(zhì)結(jié)通常采用外延生長(zhǎng)法。根據(jù)pn結(jié)的材料、摻雜分布、幾何結(jié)構(gòu)和偏置條件的不同，利用其基本特性可以制造多種功能的晶體二極管。如利用pn結(jié)單向?qū)щ娦钥梢灾谱髡鞫O管、檢波二極管和開(kāi)關(guān)二極管；利用擊穿特性
2016-11-29 14:52:38
現(xiàn)在的電池技術(shù)還是存在許多的弊端，比如說(shuō)待機(jī)時(shí)間短、成本過(guò)高等問(wèn)題。近日，蘇州大學(xué)物理與光電能源學(xué)部晏成林教授科研團(tuán)隊(duì)利用廉價(jià)冶金硅和廢棄的豆渣制備出高性能新型電池，可用于各類(lèi)可穿戴設(shè)備上。讓
2016-01-12 16:23:38
產(chǎn)品重要性的同時(shí)，不約而同地表示要將精力集中在高性能模擬產(chǎn)品上。那么，在眾說(shuō)紛紜“高性能”的情況下，什么產(chǎn)品才是高性能模擬產(chǎn)品？面對(duì)集成度越來(lái)越高的半導(dǎo)體行業(yè)，高性能模擬產(chǎn)品是否生存不易？中國(guó)市場(chǎng)對(duì)高性能模擬產(chǎn)品的接受程度如何？
2019-06-20 06:22:00
我想了解關(guān)于LED關(guān)于外延片生長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)，謝謝
2013-12-11 12:50:27
通用設(shè)備制備出具有適合共晶焊接電極結(jié)構(gòu)的出光面積的LED芯片和相應(yīng)的陶瓷底板，并在陶瓷底板上制做出共晶焊接導(dǎo)電層及引出電層。之后利用共晶焊接設(shè)備將大尺寸LED芯片與陶瓷底板焊接在一起。這樣的結(jié)構(gòu)考垃了出光
2013-06-10 23:11:54
通過(guò)FPGA來(lái)構(gòu)建一個(gè)低成本、高性能、開(kāi)放架構(gòu)的數(shù)據(jù)平面引擎可以為網(wǎng)絡(luò)安全設(shè)備提供性能提高的動(dòng)力。隨著互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的飛速發(fā)展，性能成為制約網(wǎng)絡(luò)處理的一大瓶頸問(wèn)題。FPGA作為一種高速可編程器件，為網(wǎng)絡(luò)安全流量處理提供了一條低成本、高性能的解決之道。
2019-08-12 08:13:53
是什么推動(dòng)著高精度模擬芯片設(shè)計(jì)？如何利用專(zhuān)用晶圓加工工藝實(shí)現(xiàn)高性能模擬IC？
2021-04-07 06:38:35
使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結(jié)陣列的加工成為可能
2021-02-01 06:55:12
利用差動(dòng)放大器實(shí)現(xiàn)低損失、高性能全波整流器的電路是什么樣的？
2019-08-02 07:00:51
如何設(shè)計(jì)高性能的SDI信號(hào)鏈？對(duì)PCB布板和電源設(shè)計(jì)有哪些建議？TI在SDI領(lǐng)域的具體方案是什么？
2021-05-24 06:48:22
安捷倫科技公司 (Agilent Technologies) 日前宣布，推出橢圓形輻射模式的穹形4 mm (T-1) 和5 mm (T-1 3/4)雙孔直插超高亮度InGaN (氮化銦鎵) LED
2018-08-28 16:02:10
高頻開(kāi)關(guān)電源變壓器用功率鐵氧體的制備技術(shù)
2019-04-15 09:58:37
PCB設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)的組建建議是什么高性能PCB設(shè)計(jì)的硬件必備基礎(chǔ)高性能PCB設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)和工程實(shí)現(xiàn)
2021-04-26 06:06:45
新型聚丙烯酸酯的制備與非線(xiàn)性光學(xué)性能設(shè)計(jì)合成了一種含偶氮苯和取代苯乙炔基長(zhǎng)共軛生色團(tuán)的丙烯酸酯，并采用溶液聚合法合成了功能化的聚丙烯酸酯，利用FTIR、NMR等對(duì)化合物的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征，證實(shí)
2009-05-26 00:24:16
激光器的增益區(qū)為GaAs量子阱，采用折射率低的AlGaAs作為光腔限制層。因?yàn)镚aAs和AlGaAs的晶格常數(shù)幾乎一致，且制備條件相似，所以激光器的增益區(qū)和光腔的質(zhì)量很高，激光器的性能也很好
2020-11-27 16:32:53
本文提出一種優(yōu)化的高性能高可靠性的嵌入式大屏幕LED顯示系統(tǒng)，只需要用1片F(xiàn)PGA和2片SRAM就可以實(shí)現(xiàn)大屏幕LED顯示的驅(qū)動(dòng)和內(nèi)容更換，可以說(shuō)其性能已經(jīng)大有改善。本設(shè)計(jì)可以應(yīng)對(duì)多種大屏幕顯示的場(chǎng)合。
2021-06-04 06:02:01
怎么設(shè)計(jì)一種高性能數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)？影響工業(yè)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)DAS的主要噪聲和干擾源有哪些？如何利用接地和屏蔽措施保持信號(hào)完整性？PCB布線(xiàn)通用規(guī)則有哪些？
2021-04-21 06:48:07
怎樣利用可編程邏輯來(lái)實(shí)現(xiàn)高性能的罪犯抓捕系統(tǒng)？
2021-04-28 06:39:25
AB5型貯氫合金是目前國(guó)內(nèi)外MH/Ni電池生產(chǎn)中使用最為廣泛的負(fù)極材料，而貯氫合金的電化學(xué)性能是由合金的成分、微觀結(jié)構(gòu)和表面狀態(tài)決定的。本文綜述了ABs型貯氫合金制備工藝-熔煉、熱處理以及制粉工藝
2011-03-11 11:57:08
一層的外延生長(zhǎng)得到N+溝槽和直接開(kāi)溝槽。前者工藝相對(duì)的容易控制，但工藝的程序多，成本高；后者成本低，但不容易保證溝槽內(nèi)性能的一致性。超結(jié)型結(jié)構(gòu)的工作原理1、關(guān)斷狀態(tài)從圖4中可以看到，垂直導(dǎo)電N+區(qū)夾在
2018-10-17 16:43:26
的InGaN芯片制造方法在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)出PN結(jié)后將藍(lán)寶石襯底切除再連接上傳統(tǒng)的四元材料，制造出上下電極結(jié)構(gòu)的大尺寸藍(lán)光LED驅(qū)動(dòng)芯片。 5AlGaInN/碳化硅(SiC)背面出光法： 美國(guó)
2018-08-31 20:15:12
了影響散熱器性能的因素。熱量如何產(chǎn)生并影響 LED當(dāng)在 LED 的 P-N 結(jié)適當(dāng)施加足夠的電壓時(shí)，電流會(huì)流經(jīng)該結(jié)，同時(shí)產(chǎn)生光和熱。 但是，普通的高亮度 (HB) LED 僅將約 45% 的應(yīng)用能量
2017-04-10 14:03:41
LED隧道照明技術(shù)分析
全球節(jié)能減排的帶動(dòng)，LED作為要求24小時(shí)運(yùn)作的隧道燈便成為不二之選。加上半導(dǎo)體照明技術(shù)正在日益進(jìn)步，目前市場(chǎng)上已經(jīng)量產(chǎn)的１W大功
2010-04-02 16:12:01
65 LED 外延片--襯底材料襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長(zhǎng)技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技
2010-12-21 16:39:290 本推薦性技術(shù)規(guī)范的全部技術(shù)內(nèi)容為推薦性。制定本推薦性技術(shù)規(guī)范的目的是指導(dǎo)LED 隧道燈的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和使用，規(guī)范和引導(dǎo)LED 隧道照明技術(shù)的應(yīng)用與發(fā)展。本推薦性技術(shù)規(guī)范
2010-12-23 17:17:0953 高性能鋰離子電池正極材料制備技術(shù)
以鈷為原料，采用液相合成和高溫固相合成相結(jié)合的集成工藝，攻克了制備高性能鋰離子電池正極材
2009-11-20 14:00:44619 LED外延片代工廠(chǎng)走勢(shì)分析
延續(xù)2009年第2季半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣自谷底彈升，包括臺(tái)積電、聯(lián)電、特許半導(dǎo)體(Chartered)及中芯等前4大外延片代工廠(chǎng)，2009年第3季合計(jì)營(yíng)收達(dá)43。3
2009-11-27 11:02:14721 LED隧道燈在隧道照明工程中重點(diǎn)技術(shù)指標(biāo)的分析
隧道應(yīng)用新型光源的節(jié)能研究受到了業(yè)界關(guān)注，其中LED隧道燈的節(jié)能研究已經(jīng)有重大進(jìn)展。因?yàn)楦鶕?jù)明視覺(jué)與中間視覺(jué)
2010-03-09 09:32:341593 
深圳聯(lián)創(chuàng)中標(biāo)上海世博會(huì)隧道LED燈專(zhuān)案
據(jù)悉，深圳聯(lián)創(chuàng)開(kāi)發(fā)的新一代大功率LED隧道燈，成為上海世博會(huì)曹安隧道燈具。同時(shí)
2010-04-13 09:24:51433 低成本、高性能LED驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用
隨著LED在各種應(yīng)用中的使用率越來(lái)越高，其中包括手持設(shè)備、
2010-04-20 15:39:16524 
DESCRIPTION The VLHW4100 is a clear, untinted 3 mm LED for high end applications where supreme
2011-03-29 10:05:5324 利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長(zhǎng)的GaN藍(lán)光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍(lán)光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:3429 本內(nèi)容介紹了LED外延片基礎(chǔ)知識(shí)，LED外延片--襯底材料，評(píng)價(jià)襯底材料必須綜合考慮的因素
2012-01-06 15:29:542743 該文通過(guò)分析LED光源的特點(diǎn)、隧道照明的特點(diǎn)及對(duì)光源的要求, 總結(jié)了LED 光源在隧道照明中的優(yōu)勢(shì)和機(jī)遇, 指出了當(dāng)前LED光源仍面臨價(jià)格和散熱兩方面的挑戰(zhàn)。從而為LED光源在隧道照明
2012-01-09 14:29:4935 LED外延生長(zhǎng)及芯片制造過(guò)程將直接影響終端LED產(chǎn)品的性能與質(zhì)量，是LED生產(chǎn)過(guò)程中最為核心的環(huán)節(jié)，其技術(shù)發(fā)展水平直接決定了下游應(yīng)用的滲透程度及覆蓋范圍。
2012-03-23 08:38:131256 氮化鎵（GaN）的混合物和氮化銦（酒店）形成的氮化銦鎵（InGaN）已成為制造LED的比較流行的技術(shù)之一，特別是藍(lán)色和綠色。雖然技術(shù)的歷史可以追溯到上世紀(jì)90年代，大功率InGaN技術(shù)更近。
2017-06-13 14:25:368 基本方法 很多LED新人很多時(shí)候區(qū)別不到LED投光燈與LED隧道燈的不同，其實(shí)最基本的分類(lèi)方法有兩個(gè) 1.按安裝的場(chǎng)所 2.按配光圖的不同 當(dāng)然，從種類(lèi)上來(lái)說(shuō)，隧道燈是屬于投光燈的一種，都主要
2017-09-25 10:06:503 團(tuán)隊(duì)將工業(yè)多晶銅箔轉(zhuǎn)化成了單晶銅箔，得到了世界上目前最大尺寸的單晶Cu（111）箔，利用外延生長(zhǎng)技術(shù)和超快生長(zhǎng)技術(shù)成功在20分鐘內(nèi)制備出世界最大尺寸（5×50 cm2）的外延單晶石墨烯材料。
2017-11-23 15:22:333620 從傳統(tǒng)封裝LED，到“小間距”、“Micro LED”、“Mini LED”，泛濫的技術(shù)名詞讓顯示市場(chǎng)一片混沌，許多人才弄明白Micro LED沒(méi)多久，Mini LED一來(lái)又混亂了，這到底是新的技術(shù)路線(xiàn)，還是新的商業(yè)策略？是自成一格的次世代技術(shù)，還是通往Micro LED的過(guò)渡技術(shù)？
2018-05-19 11:53:002247 富士康已從原股東可成科技（Catcher Technology）手中收購(gòu)了LED外延片和芯片制造商Epileds Technologies（光鋐）公司7.32%的股權(quán)。業(yè)內(nèi)人士指出，這僅僅是富士康
2018-06-12 11:46:005845 光學(xué)超材料是一種人造材料，因其特殊納米結(jié)構(gòu)而具備不尋常的光學(xué)性能。近20年來(lái)，研究人員已設(shè)計(jì)了多種超材料基器件，但其特性無(wú)法改變。基于此，研究人員首先制備出由半導(dǎo)體納米顆粒陣列組成的砷化鎵薄膜，之后
2018-06-27 08:13:001273 廈門(mén)大學(xué)與臺(tái)灣新竹交通大學(xué)的科研團(tuán)隊(duì)近期合作開(kāi)發(fā)了一種基于顯微成像系統(tǒng)的Micro-LED表面亮度檢測(cè)系統(tǒng)，可以快速測(cè)量Micro-LED陣列在工作時(shí)任意位置的絕對(duì)亮度值。
2018-10-05 08:46:003695 韓國(guó)研究財(cái)團(tuán)10月14日宣布稱(chēng)，高麗大學(xué)Kim Taegeun教授帶領(lǐng)的研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)金屬離子的電化學(xué)摻雜方式，開(kāi)發(fā)出可提升Micro LED的光電效率的高效率透明電極。
2018-10-18 15:45:304080 Veeco Instruments Inc. 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階段的合作成果，致力于為Micro LED生產(chǎn)應(yīng)用提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)。
2018-11-13 17:02:593480 雖然，在蘋(píng)果和三星兩大巨頭的力捧之下——蘋(píng)果Apple watch上采用Micro LED面板、三星推Micro LED家用電視，Micro LED成為當(dāng)紅炸子雞，但由于其技術(shù)難度和高昂成本，我們
2019-03-23 09:29:544566 三安光電透露，擬投資120億元，在湖北省建設(shè)Mini/Micro LED 外延與芯片項(xiàng)目。
2019-04-30 08:46:593423 近幾年，“LED”一詞熱得燙手，國(guó)內(nèi)LED技術(shù)與市場(chǎng)發(fā)展迅速，取得了外延片、芯片核心技術(shù)的突破性進(jìn)展。那么，關(guān)于LED外延片、芯片，你了解多少呢？
2019-11-25 14:06:4918633 日前，英國(guó)Micro LED公司Plessey發(fā)布新聞稿稱(chēng)，宣布開(kāi)發(fā)出世界上首個(gè)硅基InGaN紅光LED。
2019-12-07 10:15:091581 LED外延片其實(shí)是襯底材料作用的，也就是說(shuō)在使用一些照明產(chǎn)業(yè)當(dāng)中，這種材料被廣泛的運(yùn)用于芯片加工。導(dǎo)體外延片的存在是與發(fā)光產(chǎn)業(yè)相連接的，也就是說(shuō)在進(jìn)行LED外延片的選擇方上，要與外形的晶體相符合，另外也與其他的客觀因素有著相當(dāng)大的關(guān)系，最主要的是與穩(wěn)定性和導(dǎo)熱性有著密切聯(lián)系。
2020-07-17 16:29:595090 據(jù)報(bào)道，德國(guó)硅基氮化鎵專(zhuān)家ALLOS Semiconductors宣布與沙特阿卜都拉國(guó)王科技大學(xué)（KAUST）研究團(tuán)隊(duì)達(dá)成合作，雙方將共同研發(fā)高效硅基InGaN紅色Micro LED。
2020-07-22 14:51:48576 繼三星、索尼、TCL、利亞德（300296）等推出Micro LED電視后，LG近日在其國(guó)外的官網(wǎng)也上架了一款Micro LED電視，有消息稱(chēng)或在8月下旬發(fā)售。
2020-08-03 11:27:53411 國(guó)星半導(dǎo)體是專(zhuān)業(yè)從事高端LED外延芯片的研發(fā)、制造、銷(xiāo)售的公司，產(chǎn)品涵蓋高性能RGB顯示芯片、UV芯片、倒裝大功率芯片、Mini/Micro芯片等。
2020-08-11 16:35:062121 日前，LED外延片和芯片制造商晶元光電（Epistar）總裁Lee bing －jye透露，智能手表將是Micro LED的第一個(gè)主要應(yīng)用，從現(xiàn)在起3－4年時(shí)間內(nèi)Micro LED可能會(huì)大量應(yīng)用在智能手表上。
2020-08-12 16:42:24924 ，國(guó)內(nèi)外不斷傳來(lái)紅光問(wèn)題的解決方案，雖然這些解決方案還未能開(kāi)始量產(chǎn)應(yīng)用，但無(wú)疑已經(jīng)為未來(lái)重新定義可能性提供了選擇。 近日，外媒有消息稱(chēng)，從劍橋大學(xué)分拆的公司Porotech宣布推出基于其獨(dú)特GaN生產(chǎn)技術(shù)的首款產(chǎn)品，也是全球首款商業(yè)化的用于Micro LED應(yīng)用的原生紅光LED外延
2020-12-02 11:29:303169 今年2月22日，由劍橋大橋分拆出來(lái)的Micro LED微顯示技術(shù)企業(yè)Porotech宣布獲得2000萬(wàn)美元（約合人民幣1.27億元）的A輪融資，資金擬用于加速推動(dòng)公司全球擴(kuò)張計(jì)劃及InGaN基Micro LED產(chǎn)品的大規(guī)模生產(chǎn)。
2022-06-24 12:48:111546 
本文聊一下GaN芯片的制備工藝。
GaN-般都是用外延技術(shù)制備出來(lái)。GaN的外延工藝大家可以看看中村修二的書(shū)。
2022-10-19 11:53:401460 MICLEDI認(rèn)為，其Micro LED全彩顯示器制造方法具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，可滿(mǎn)足AR眼鏡最高性能標(biāo)準(zhǔn)。目前，相較用于戶(hù)外的AR眼鏡，用于室內(nèi)或較暗場(chǎng)景的AR 眼鏡對(duì)顯示性能要求較低，可降低顯示光效的設(shè)置。
2022-11-14 16:04:24614 光電探測(cè)器在圖像傳感、環(huán)境監(jiān)測(cè)、通信等領(lǐng)域引起廣泛關(guān)注。近年來(lái)，量子點(diǎn)作為一種光電性能優(yōu)異的半導(dǎo)體納米材料，被廣泛應(yīng)用于光電探測(cè)器。PbSe量子點(diǎn)具有優(yōu)異的吸光性能，被用于制備高性能的光電探測(cè)器。
2022-11-21 10:10:352224 近日，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員朱慧瓏團(tuán)隊(duì)利用研發(fā)的垂直晶體管新工藝，制備出高性能的單晶溝道3D NOR閃存器件。該器件上下疊置的晶體管既具單晶硅溝道的高性能優(yōu)勢(shì)，又具三維一體集成的制造成本低的優(yōu)點(diǎn)。
2022-11-22 15:01:14546 氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長(zhǎng)法，需經(jīng)過(guò)高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過(guò)控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:004345 Micro LED的英文全名是Micro Light Emitting Diode，中文稱(chēng)作微發(fā)光二極體，也可以寫(xiě)作μLED
2023-02-06 10:28:4325390 氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測(cè)處理等步驟。
2023-02-20 15:50:3210570 2020年，晶能光電推出8英寸硅襯底InGaN紅光外延技術(shù)，目前仍在持續(xù)研發(fā)以提升InGaN紅光光效；2021年9月，晶能光電成功制備像素點(diǎn)間距為25微米、像素密度為1000PPI的硅襯底InGaN紅、綠、藍(lán)三基色Micro LED陣列。目前，像素點(diǎn)間距這一重要技術(shù)指標(biāo)已縮至8微米。
2023-02-21 10:53:16750 作為國(guó)家虛擬現(xiàn)實(shí)創(chuàng)新中心入局者，晶能光電利用自主創(chuàng)新的硅襯底GaN基LED技術(shù)，承擔(dān)硅襯底Micro LED的關(guān)鍵共性技術(shù)開(kāi)發(fā)。
2023-02-21 11:00:20245 對(duì)于
Micro LED而言，一張4寸
外延的片內(nèi)波長(zhǎng)差小于2nm才勉強(qiáng)滿(mǎn)足使用要求，除此之外
Micro LED對(duì)更高光效的
外延也提出了要求；如何通過(guò)對(duì)
外延結(jié)構(gòu)以及生長(zhǎng)方法和工藝進(jìn)行一系列優(yōu)化從而降低
外延缺陷密度，增加電子和空穴的傳輸?shù)鹊龋?/div>
2023-02-27 11:04:41836 Micro LED英文全名為“Micro Light Emitting Diode”，在中文中被稱(chēng)作微發(fā)光二極體，也可以寫(xiě)作μLED。
2023-03-01 14:08:221574 從保障外延片品質(zhì)入手，提升Micro LED生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本外，應(yīng)用更大尺寸的外延片也是Micro LED成本考量的關(guān)鍵。傳統(tǒng)的LED行業(yè)普遍在4英寸，而Micro LED的生產(chǎn)工藝會(huì)擴(kuò)大到6乃至8英寸，更大的襯底尺寸可以更好控制Micro LED的成本。
2023-05-10 09:50:04543 的可靠性。 據(jù)專(zhuān)利文件介紹，微型發(fā)光二極管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)芯片通常包括基板、外延結(jié)構(gòu)、第一電極和第二電極，外延結(jié)構(gòu)層疊于基板的表面，第一電極和第二電極位于外延結(jié)構(gòu)上遠(yuǎn)離基板的表面，且分別與外延結(jié)構(gòu)中的p型層和n型層相連。
2023-06-16 14:24:43407 Mojo Vision日前發(fā)布了一款14K ppi的紅色Micro LED顯示器，從而向克服高性能全彩Micro-LED顯示器挑戰(zhàn)的重要一步。
2023-07-03 10:12:23120 碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類(lèi)器件。
2023-08-15 14:43:341002 
近日，晶能光電發(fā)布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍(lán)全系列三基色Micro LED外延技術(shù)成果。
2023-09-01 14:07:44738 思坦科技的高性能micro led微顯示技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，2018年設(shè)立時(shí)開(kāi)始致力于宣傳飛行員生產(chǎn)線(xiàn)進(jìn)行了技術(shù)驗(yàn)證和優(yōu)化工程中，micro led光電芯片和驅(qū)動(dòng)芯片的自主設(shè)計(jì)和高精結(jié)合，草色單曲芯片等核心工藝技術(shù)精通。
2023-09-22 10:37:50525 碲鎘汞材料具有截止波長(zhǎng)在紅外波段內(nèi)可調(diào)節(jié)、光學(xué)吸收系數(shù)高、量子效率高等特點(diǎn)，是重要的紅外探測(cè)器應(yīng)用材料之一。近年來(lái)分子束外延生長(zhǎng)碲鎘汞技術(shù)的快速發(fā)展，使用分子束外延制備高性能、多色紅外焦平面
2023-09-26 09:18:14284 
新一代超薄AlGaInP外延技術(shù)和與之匹配的芯片鈍化技術(shù)是紅光Micro LED亮度提升的關(guān)鍵。據(jù)悉，JBD紅光的像素尺寸為4um，而發(fā)光的LED尺寸＜2um，這也對(duì)發(fā)光效率提出了更為苛刻的要求。
2023-10-10 14:42:43223 12月6日，致力于高性能Micro-LED技術(shù)開(kāi)發(fā)的西安賽富樂(lè)斯半導(dǎo)體科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“賽富樂(lè)斯”），對(duì)外宣布首條硅基Micro-LED微顯示屏產(chǎn)線(xiàn)正式貫通。
2023-12-08 09:17:47573 據(jù)悉，研究人員使用金屬有機(jī)氣相外延技術(shù)在覆蓋有微圖案SiO2掩模的石墨烯層上生長(zhǎng)GaN微盤(pán)。然后將微盤(pán)加工成Micro LED，并成功轉(zhuǎn)移到可彎曲基板上。這項(xiàng)研究表明，可通過(guò)石墨烯上生長(zhǎng)出高質(zhì)量LED，并將其集成到靈活的Micro LED設(shè)備中。
2023-12-13 16:55:39487 
Micro LED產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中最為關(guān)鍵的就是降本。
2023-12-28 16:45:50268 據(jù)估計(jì)，專(zhuān)供1英寸以下尺寸且用于XR設(shè)備的小型化顯示將會(huì)是 Micro LED 技術(shù)最為成熟的領(lǐng)域。分析認(rèn)為，在增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）、虛擬現(xiàn)實(shí)（VR）頭戴式顯示器（HMD）和抬頭顯示器（HUD）方面，Micro LED憑借高性能和亮度等優(yōu)勢(shì)將得到充分體現(xiàn)。
2024-01-12 09:52:28266 近年，IQE開(kāi)始涉足Micro LED領(lǐng)域，IQE擁有豐富的MOCVD外延生長(zhǎng)技術(shù)儲(chǔ)備及規(guī)?；a(chǎn)的能力，可滿(mǎn)足制備微米級(jí)高亮Micro LED的需求。
2024-01-18 11:45:24112 大話(huà)顯示3月2日消息，蘋(píng)果近日接連爆出震撼彈，繼傳出喊停Apple Car開(kāi)發(fā)計(jì)劃，解散多達(dá)2千人的團(tuán)隊(duì)，現(xiàn)在可能就連Micro LED Apple Watch項(xiàng)目也告吹了。
2024-03-04 10:27:10251 3月6日，聚燦光電發(fā)布公告，宣布擬變更“Mini/Micro LED芯片研發(fā)及制造擴(kuò)建項(xiàng)目”的部分募集資金（共計(jì)8億元）用途，用于新項(xiàng)目“年產(chǎn)240萬(wàn)片紅黃光外延片、芯片項(xiàng)目”的實(shí)施。
2024-03-08 13:58:42362 
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