哪五種技術(shù)研究成果會(huì)對(duì)LED行業(yè)帶來(lái)影響？

電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：技術(shù)的進(jìn)步不但推動(dòng)科技和行業(yè)的發(fā)展與進(jìn)步，使LED行業(yè)發(fā)展呈現(xiàn)出階段性的特點(diǎn)，并擁有時(shí)代特征。2016，CSP、UV LED、量子點(diǎn)LED、石墨烯、硅襯底……都是過(guò)去一年LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的熱點(diǎn)關(guān)鍵詞。未來(lái)有哪些實(shí)驗(yàn)室技術(shù)研究成果會(huì)給LED行業(yè)帶來(lái)重大影響。小編選擇了新興產(chǎn)業(yè)智庫(kù)對(duì)LED前沿五種技術(shù)研究成果的分析與大家分享。
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金字塔形量子點(diǎn)LED或推動(dòng)量子計(jì)算發(fā)展

愛爾蘭廷德爾國(guó)家研究所的研究人員采用可擴(kuò)展且兼容于代工廠的微影技術(shù)工藝，設(shè)計(jì)出金字塔形的量子點(diǎn)發(fā)光二極管(LED)，可望為量子運(yùn)算產(chǎn)生作用與狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的糾纏光子。項(xiàng)目負(fù)責(zé)人表示，這項(xiàng)研究未來(lái)將可能用于量子計(jì)算的研究，以加速量子技術(shù)的應(yīng)用。廷德爾研究院使用了納米技術(shù)給金字塔狀的量子點(diǎn)陣列上電以使其產(chǎn)生糾纏光子。利用錐狀結(jié)構(gòu)固有的納米特性，特別是對(duì)于設(shè)計(jì)的、自組裝垂直量子線，能夠有選擇地對(duì)量子點(diǎn)進(jìn)行電流注入。

據(jù)報(bào)道指，這是實(shí)現(xiàn)量子光子集成電路設(shè)計(jì)的重要一步，為數(shù)以千計(jì)甚至更多同步運(yùn)行的量子信息處理任務(wù)奠定基礎(chǔ)。研究人員借由回蝕原始基底，使其恢復(fù)至頂端向上的金字塔結(jié)構(gòu)，從而較內(nèi)部打造的嵌入式組件提高幾個(gè)數(shù)量級(jí)的光線擷取。接著設(shè)計(jì)頂部與底部觸點(diǎn)，以便選擇性地在金字塔結(jié)構(gòu)中央的單個(gè)QD中注入電流，關(guān)鍵在于利用自校準(zhǔn)技巧，從而讓組件易于實(shí)現(xiàn)大規(guī)模制造。透過(guò)接觸所有的μLED，研究人員得以為大約1,300μLED進(jìn)行大量分析，但也計(jì)劃分別控制μLED以實(shí)現(xiàn)更佳性能選擇性，以及補(bǔ)償工藝的不均勻性。理想上，針對(duì)量子信息處理，研究人員希望使用μLED，作為糾纏光子完全不可區(qū)別的來(lái)源。光子擷取效率也相當(dāng)?shù)?，大約是1%左右，因此，研究人員期望透過(guò)使用不同的技巧(如內(nèi)建材料的應(yīng)力與電場(chǎng))加以改善。廷德爾的研究人員已經(jīng)研究出能夠產(chǎn)生糾纏光子的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的相關(guān)方案，理論上可用于量子計(jì)算中的信息編碼。

臺(tái)大學(xué)研發(fā)LED燈具可減少一半燈泡使用量

中國(guó)***大葉大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)系李弘彬副教授與盛威光電公司合作開發(fā)新型LED燈具，不僅低眩光、散熱佳，燈泡用量也只要一半，相關(guān)技術(shù)獲得臺(tái)科技部補(bǔ)助，并通過(guò)專利申請(qǐng)。材料系李弘彬副教授指出，他們利用傾斜與反射的設(shè)計(jì)，讓LED光透過(guò)鋁板反射為霧狀光源，亮度與傳統(tǒng)相同，但光較柔和，改善了刺眼與眩光問(wèn)題。這個(gè)新型燈具的LED排列不像過(guò)去那么緊密，可減少二分之一的燈泡使用量，不僅更環(huán)保，燈泡間距的擴(kuò)大也讓導(dǎo)熱面積變大，散熱效果更好，能降低高溫造成的LED耗損，延長(zhǎng)燈具使用壽命。研究人員表示，散熱不良會(huì)使燈具溫度升高，造成LED晶粒效能下降、熒光粉提早劣化等缺點(diǎn)。實(shí)驗(yàn)室研發(fā)的新型LED，透過(guò)奈米陣列陽(yáng)極氧化鋁技術(shù)的運(yùn)用，改善LED散熱問(wèn)題。據(jù)透露，在進(jìn)行光學(xué)試驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)用來(lái)當(dāng)基座的鋁基材有方向性，LED光源因此不均勻，前前后后試了三、四個(gè)月，才成功透過(guò)熱處理改善問(wèn)題，期待早日可以看到研發(fā)成果上市。

超級(jí)材料浮出水面或成就半導(dǎo)體的未來(lái)

一種可應(yīng)用于未來(lái)超算設(shè)備的新型半導(dǎo)體材料浮出水面。這種半導(dǎo)體名為硒化銦 (InSe)，它只有幾原子厚，十分接近石墨烯。近十年來(lái)，全世界對(duì)石墨烯和二維材料的研究進(jìn)行了巨大的投入。這些努力沒(méi)有白費(fèi)。近期，一種可應(yīng)用于未來(lái)超算設(shè)備的新型半導(dǎo)體材料浮出水面。這種半導(dǎo)體名為硒化銦 (InSe)，它只有幾原子厚，十分接近石墨烯。石墨烯只有一層原子那么厚，具有無(wú)可比擬的導(dǎo)電性。全世界的專家們都在暢想石墨烯在未來(lái)電路中的應(yīng)用。盡管有那么多的超凡屬性，石墨烯卻沒(méi)有能隙(energy gap)。不同于普通的半導(dǎo)體，它的化學(xué)表現(xiàn)更像是金屬。這使得它在類似于晶體管的應(yīng)用上前景黯淡。

這項(xiàng)新發(fā)現(xiàn)證明，硒化銦晶體可以做得只有幾層原子那么薄。它已表現(xiàn)出大幅優(yōu)于硅的電子屬性。而硅是今天的電子元器件(尤其是芯片)所普遍使用的材料。更重要的是，跟石墨烯不同，硒化銦的能隙相當(dāng)大。這使得它做成的晶體管可以很容易地開啟/關(guān)閉。這一點(diǎn)和硅很像，使硒化銦成為硅的理想替代材料。人們可以用它來(lái)制作下一代超高速的電子設(shè)備。當(dāng)下，科學(xué)家們很喜歡把石墨烯和其他優(yōu)秀的材料結(jié)合起來(lái)。讓石墨烯的非凡屬性和其他材料的特點(diǎn)進(jìn)行互補(bǔ)。這往往產(chǎn)生令人興奮的科學(xué)發(fā)現(xiàn)，并會(huì)以我們想象不到的方式應(yīng)用在實(shí)際問(wèn)題中?！笆┲?”Sir Andre Geim 說(shuō)：“超薄的硒化銦，是處于硅和石墨烯之間的理想材料。類似于石墨烯，硒化銦具有天然超薄的形態(tài)，使真正納米級(jí)的工藝成為可能。又和硅類似，硒化銦是優(yōu)秀的半導(dǎo)體?！?br />