為什么要散熱問題 - “封裝熱導(dǎo)”原理技術(shù)探析

　　散熱問題不解決有哪里些副作用？

　　好！倘若不解決散熱問題，而讓LED的熱無法排解，進(jìn)而使LED的工作溫度上升，如此會(huì)有什么影響嗎？關(guān)于此最主要的影響有二：（1）發(fā)光亮度減弱、（2）使用壽命衰減。

　　舉例而言，當(dāng)LED的p-n接面溫度（Junction Temperature）為25℃（典型工作溫度）時(shí)亮度為100，而溫度升高至75℃時(shí)亮度就減至80，到125℃剩60，到175℃時(shí)只剩40。很明顯的，接面溫度與發(fā)光亮度是呈反比線性的關(guān)系，溫度愈升高，LED亮度就愈轉(zhuǎn)暗。

　　溫度對(duì)亮度的影響是線性，但對(duì)壽命的影響就呈指數(shù)性，同樣以接面溫度為準(zhǔn)，若一直保持在50℃以下使用則LED有近20，000小時(shí)的壽命，75℃則只剩10，000小時(shí)，100℃剩5，000小時(shí)，125℃剩2，000小時(shí)，150℃剩1，000小時(shí)。溫度光從50℃變成2倍的100℃，使用壽命就從20，000小時(shí)縮成1/4倍的5，000小時(shí)，傷害極大。

　　裸晶層：光熱一體兩面的發(fā)散源頭：p-n接面

　　關(guān)于LED的散熱我們同樣從最核心處逐層向外討論，一起頭也是在p-n接面部分，解決方案一樣是將電能盡可能轉(zhuǎn)化成光能，而少轉(zhuǎn)化成熱能，也就是光能提升，熱能就降低，以此來降低發(fā)熱。

　　如果更進(jìn)一步討論，電光轉(zhuǎn)換效率即是內(nèi)部量子化效率（Internal Quantum Efficiency；IQE），今日一般而言都已有70％90％的水平，真正的癥結(jié)在于外部量子化效率（External Quantum Efficiency；EQE）的低落。

　　以Lumileds Lighting公司的Luxeon系列LED為例，Tj接面溫度為25℃，順向驅(qū)動(dòng)電流為350mA，如此以InGaN而言，隨著波長（光色）的不同，其效率約在5％27％之間，波長愈高效率愈低（草綠色僅5％，藍(lán)色則可至27％），而AlInGaP方面也是隨波長而有變化，但卻是波長愈高效率愈高，效率大體從8％40％（淡黃色為低，橘紅最高）。

　　備注：從Lumileds公司Luxeon系列LED的橫切面可以得知，矽封膠固定住LED裸晶與裸晶上的螢光質(zhì)（若有用上螢光質(zhì)的話），然后封膠之上才有透鏡，而裸晶下方用焊接（或?qū)岣啵┡c矽子鑲嵌芯片（Silicon Sub-mount Chip）連接，此芯片也可強(qiáng)化ESD靜電防護(hù)性，往下再連接散熱塊，部分LED也直接裸晶底部與散熱塊相連。（圖片來源：Lumileds.com）

　　備注：Lumileds公司Luxeon系列LED的裸晶采行覆晶鑲嵌法，因此其藍(lán)寶石基板變成在上端，同時(shí)還加入一層銀質(zhì)作為光反射層，進(jìn)而增加光取出量，此外也在Silicon Submount內(nèi)制出兩個(gè)基納二極管（Zener Diode），使LED獲得穩(wěn)壓效果，使運(yùn)作表現(xiàn)更穩(wěn)定。（圖片來源：Lumileds.com）

　　由于增加光取出率（Extraction Efficiency，也稱：汲光效率、光取效率）也就等于減少熱發(fā)散率，等于是一個(gè)課題的兩面，而關(guān)于光取出率的提升請見另一篇專文：高亮度LED之「封裝光通」原理技術(shù)探析。在此不再討論。

　　裸晶層：基板材料、覆晶式鑲嵌

　　如何在裸晶層面增加散熱性，改變材質(zhì)與幾何結(jié)構(gòu)再次成為必要的手段，關(guān)于此目前最常用的兩種方式是：1.換替基板（Substrate，也稱：底板、襯底，有些地方也稱為：Carrier）的材料。2.經(jīng)裸晶改采覆晶（Flip-Chip，也稱：倒晶）方式鑲嵌（mount）。

　　先說明基板部分，基板的材料并不是說換就能換，必須能與裸晶材料相匹配才行，現(xiàn)有AlGaInP常用的基板材料為GaAs、Si，InGaN則為SiC、Sapphire（并使用AlN做為緩沖層）。

　　備注：為了強(qiáng)化LED的散熱，過去的FR4印刷電路板已不敷應(yīng)付，因此提出了內(nèi)具金屬核心的印刷電路板，稱為MCPCB，運(yùn)用更底部的鋁或銅等熱傳導(dǎo)性較佳的金屬來加速散熱，不過也因絕緣層的特性使其熱傳導(dǎo)受到若干限制。