本內(nèi)容介紹了IGBT模塊的檢測(cè)方法，以?xún)蓡卧獮槔?用模擬萬(wàn)用表測(cè)量，判斷IGBT的方法
2011-12-21 10:30:26
8505 誰(shuí)能幫我解釋一下：IGBT均流的問(wèn)題：三相逆變的電流不平衡，相與相之間的電流相差10-15安培（兩個(gè)IGBT并聯(lián)在一起為一相電流）？
2012-06-02 09:02:05
IGBT并聯(lián)技術(shù)分享
2019-06-18 17:24:14
感抗差異，并對(duì)并聯(lián)IGBT的動(dòng)態(tài)均流產(chǎn)生影響，而線路的電阻則影響靜態(tài)均流。1.2 并聯(lián)技術(shù)遵循的原則1)模塊的選擇：通過(guò)選擇具有正溫度系數(shù)并且最好是同一批次的IGBT單元，可以提高器件參數(shù)的一
2015-03-11 13:18:21
摘要：本文主要分析如何實(shí)現(xiàn)并聯(lián)IGBT靜態(tài)和動(dòng)態(tài)過(guò)程的均流，并提出了一些用于減少電流不平衡的相關(guān)并聯(lián)方法，以便于客戶(hù)并聯(lián)設(shè)計(jì)。重點(diǎn)突出一些易實(shí)現(xiàn)并聯(lián)方案的IGBT模塊新封裝，又提出一些實(shí)現(xiàn)并聯(lián)均流
2018-12-03 13:50:08
大電流場(chǎng)合使用IGBT模塊時(shí)，可以使用多個(gè)器件并聯(lián)。并聯(lián)時(shí)，要使每個(gè)器件流過(guò)均等的電流是非常重要的，如果一旦電流平衡達(dá)到破壞，那么電過(guò)于集中的那個(gè)器件將可能被損壞。為使并聯(lián)時(shí)電流能平衡，適當(dāng)改變器件
2021-08-31 16:56:48
IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域.IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定
2021-09-09 08:27:25
IGBT模塊是由哪些模塊組成的？IGBT模塊有哪些特點(diǎn)？IGBT模塊有哪些應(yīng)用呢？
2021-11-02 07:39:10
短路等?！ ∮捎诨旌向?qū)動(dòng)模塊本身的過(guò)流保護(hù)臨界電壓動(dòng)作值是固定的(一般為7～10V)，因而存在著一個(gè)與IGBT散熱器模塊配合的問(wèn)題。通常采用的方法是調(diào)整串聯(lián)在 IGBT模塊散熱器集電極與驅(qū)動(dòng)模塊之間
2012-06-19 11:26:00
功率因數(shù)不是1時(shí)，負(fù)載的無(wú)功電壓分量便會(huì)加在開(kāi)關(guān)器件上，為了避免IGBT承受反向電壓而損壞，必須用快速二極管與IGBT串聯(lián)。即使是采用IGBT模塊，由于內(nèi)部已有反并聯(lián)快速二極管，IGBT也不會(huì)承受反電壓
2013-02-21 21:02:50
制造成大功率芯片，不能采用平板式結(jié)構(gòu)，只好采用模塊式，雖然安裝方便，但散熱性能差不利于可靠性，這是不爭(zhēng)的事實(shí)。五. IGBT的并聯(lián)均流問(wèn)題目前，國(guó)外單管IGBT的最大容量為2000A/2500V，實(shí)際的商品器件
2018-10-17 10:05:39
https://mp.weixin.qq.com/s/hR16FxSCcmrGDgItNhLDPw上述視頻包含以下三方面內(nèi)容：— IGBT并聯(lián)均流的影響因素— 六并聯(lián)測(cè)試雙脈沖測(cè)試步驟— 六并聯(lián)短路測(cè)試講師PPT見(jiàn)附件。
2020-06-28 11:21:33
IGBT的使用方法IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復(fù)合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù)，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個(gè)芯片中。該器件具有開(kāi)關(guān)頻率高、輸入阻抗
2020-09-29 17:08:58
峰值電流： RGint：大電流IGBT內(nèi)部會(huì)集成一些芯片，每個(gè)芯片都有單獨(dú)的柵極電阻，RGint是這些柵極電阻并聯(lián)之后的值。集成內(nèi)部柵極電阻的作用是為了實(shí)現(xiàn)模塊內(nèi)部IGBT芯片的均流，該思路在做單
2021-02-23 16:33:11
`北汽EU260：IGBT驅(qū)動(dòng)電路過(guò)流故障。能維修嗎？有經(jīng)驗(yàn)的可以談?wù)摗｀椫居?**`
2021-03-13 11:41:08
狀態(tài)直接影響整機(jī)的性能，所以合理的驅(qū)動(dòng)電路對(duì)整機(jī)顯得很重要，但是如果控制不當(dāng)，它很容易損壞，其中一種就是發(fā)生過(guò)流而使IGBT損壞，本文主要研究了IGBT的驅(qū)動(dòng)和短路保護(hù)問(wèn)題，就其工作原理進(jìn)行分析
2012-07-18 14:54:31
IGBT過(guò)流保護(hù)的保護(hù)時(shí)間一般設(shè)定成多少合適？根據(jù)IGBT哪些參數(shù)得出來(lái)的那？
2017-02-24 11:01:51
.用同樣的方法,測(cè)量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子, 顯示電阻應(yīng)為無(wú)窮大;表筆對(duì)調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.若符合上述情況表明此IGBT的兩個(gè)單元沒(méi)有明顯的故障. 動(dòng)態(tài)測(cè)試: 把萬(wàn)用表的檔位放在乘
2013-06-18 16:13:38
都在不同的IC上進(jìn)行。IGBT的VCE(sat)不能由一個(gè)阻抗表示，比較簡(jiǎn)單直接的方法是將其表示為阻抗RFCE串聯(lián)一個(gè)固定VFCE電壓，VCE(ICE)=ICE×RFCE+VFCE。于是，傳導(dǎo)損耗便可
2019-03-06 06:30:00
DCDC的并聯(lián)均流怎么設(shè)計(jì)
2022-05-05 11:01:21
都只能做到500W，假如先做4路并聯(lián)，均流問(wèn)題有什么好的方案可以推薦嗎？如果后面再采用三個(gè)2KW并聯(lián)，這個(gè)并聯(lián)均流問(wèn)題如何解決，能推薦一下嗎？謝謝！
2024-01-08 07:21:12
MOS管具有正溫度系數(shù)，網(wǎng)上很多說(shuō)不需要均流電阻。三極管是負(fù)溫度系數(shù)，才需要在發(fā)射極串接均流電阻。網(wǎng)上看到有人說(shuō)，MOS管只在一定的電流范圍內(nèi)才能起到均流作用，那么大電流下還是要加均流電阻咯。現(xiàn)在
2021-01-05 18:19:30
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析BJT 管并聯(lián)均流技術(shù)分析普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個(gè)MOSFET的電流或耗散功率
2015-07-24 14:24:26
的均流，因此當(dāng)電路中電流很大時(shí)，一般會(huì)采用并聯(lián)MOS管的方法來(lái)進(jìn)行分流。采用MOS管進(jìn)行電流的均流時(shí)，當(dāng)其中一路電流大于另一路MOS管中的電流時(shí)，電流大的MOS管產(chǎn)生的熱量多，從而引起導(dǎo)通電...
2021-10-29 07:04:37
主從均流、民主均流，在所有并聯(lián)模塊中，輸出電流最大的那個(gè)模塊自動(dòng)成為主模塊，其他模塊的輸出向這個(gè)dcdc電源模塊靠攏。5.還有其他很多方法，例如熱應(yīng)力自動(dòng)均流、外加均流控制器的均流等等。
2018-07-28 14:13:50
輸出，或者通過(guò)倍壓整流電路將交流電轉(zhuǎn)換為高壓直流電輸出?！ ±枚鄠€(gè)DC-DC模塊電源并聯(lián)均流并實(shí)現(xiàn)輸出電壓的穩(wěn)定保持，是工程師在實(shí)際操作中比較常見(jiàn)的工作之一。此前我們?cè)?jīng)為大家介紹過(guò)多種不同的并聯(lián)均
2018-10-23 15:58:49
模塊，所有模塊以該模塊為參考，輸出電流，一個(gè)主從設(shè)置均流法的工作示意圖三從上圖可以看出，在這種工作方式就是用多個(gè)電源模塊單元并聯(lián)在一起，其中一個(gè)電源模塊工作在電壓源方式，這一個(gè)電源為主模塊，其余從模塊
2021-08-05 10:11:22
電容的方法：以上△QRR是二極管存儲(chǔ)電量的最大偏差。我們可以做一個(gè)充分安全的假設(shè)：條件是所有的二極管均出自同一個(gè)制造批號(hào)?！鱍RR由半導(dǎo)體制造商所給出。除了續(xù)流二極管關(guān)斷時(shí)出現(xiàn)的存儲(chǔ)電量之外，在電容中
2019-07-18 07:00:00
。電流的長(zhǎng)尾表示下方IGBT反并聯(lián)二極管中的續(xù)流導(dǎo)致的感應(yīng)電能。開(kāi)啟時(shí)，去飽和電壓的初始增加是雜散去飽和檢測(cè)電動(dòng)勢(shì)的一個(gè)例子，這是由于集電極-發(fā)射極電壓瞬態(tài)所導(dǎo)致?？梢酝ㄟ^(guò)增加去飽和濾波器時(shí)間常數(shù)，從而
2019-07-24 04:00:00
的差異，導(dǎo)致IGBT并聯(lián)時(shí)電流不均衡。本文分析了帶輸出電抗器均流的三相三相全橋逆變器的并聯(lián)均流特性，設(shè)計(jì)了輸出電抗器參數(shù)，給出了仿真和試驗(yàn)結(jié)果，試驗(yàn)結(jié)果表明了對(duì)并聯(lián)特性分析的合理性及有效性。
2023-09-19 07:45:32
使用。沒(méi)有的切記不可并聯(lián)使用。當(dāng)然，一個(gè)開(kāi)關(guān)電源有均流功能價(jià)格就貴點(diǎn)，比如VICOR電源，一般情況下，最多只能并聯(lián)4個(gè)模塊，再多了，就需要專(zhuān)業(yè)人員來(lái)操作了。如果你將沒(méi)有均流的開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)，那么這個(gè)開(kāi)關(guān)電源可能不能均勻的使用，有的模塊過(guò)載了，有的模塊還是空載，這樣，不但沒(méi)有增加冗余設(shè)計(jì)，倒增加了模塊的風(fēng)險(xiǎn)，
2021-11-12 08:37:34
PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門(mén)極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高
2012-06-19 11:36:58
準(zhǔn)備用幾個(gè)鋰電池并聯(lián)做大電流放電(2.5A峰值)用不用均流？有專(zhuān)門(mén)的IC賣(mài)嗎？求解答謝謝~
2016-01-05 17:50:04
描述對(duì)于具有較高輸出額定功率的電源轉(zhuǎn)換設(shè)備而言，并聯(lián) IGBT 變得很有必要，因?yàn)樵谶@類(lèi)應(yīng)用中，單個(gè) IGBT 無(wú)法提供所需的負(fù)載電流。此 TI 設(shè)計(jì)采用一個(gè)增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極控制模塊來(lái)
2018-12-07 14:05:13
電源的并聯(lián)面臨的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題是各組成模塊之間的均流。利用電源模塊的智能化和自動(dòng)控制系統(tǒng)理論，使電源的各個(gè)組成模塊成為具有電流跟蹤能力的閉環(huán)系統(tǒng)！由控制規(guī)律而非硬件來(lái)實(shí)現(xiàn)各模塊之間的均流。如此形成的系統(tǒng)
2018-11-29 11:35:22
本文首先分析了電源的并聯(lián)特性及均流的一般原理,又詳細(xì)分析了幾種電源并聯(lián)均流的技術(shù),最后提出了基于AVR單片機(jī)為控制核心,附帶有RS485通信協(xié)議、電壓電流采集和顯示以及調(diào)節(jié)電源的輸出電壓和實(shí)現(xiàn)各路電源的異常工作的聲光報(bào)警的計(jì)算機(jī)均流技術(shù)方案,實(shí)現(xiàn)了數(shù)字均流的智能化控制。
2011-03-09 12:20:43
本文采用STM32F103VET6處理器作為主控芯片，實(shí)現(xiàn)了一種以CAN總線為通信媒介、具有穩(wěn)壓/穩(wěn)流/安培時(shí)/工藝曲線/遠(yuǎn)程控制5種工作模式、液晶圖形顯示的數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)
2018-08-20 10:08:28
集成度、豐富且性能出眾的片上外設(shè)、編程復(fù)雜度低等優(yōu)點(diǎn)。數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)以數(shù)字通信和控制的方式實(shí)現(xiàn)多個(gè)電源模塊的并聯(lián)工作，提供更大的輸出功率，具有組合靈活、可靠性高、人機(jī)接口友善、工作模式多樣等
2018-08-30 14:00:49
導(dǎo)讀：本文為了實(shí)現(xiàn)大功率數(shù)字式電鍍電源,提出了一種基于ARM芯片STM32F103的數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案，并完成系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)采用STM32F103作為主控芯片，通過(guò)
2018-11-29 17:10:58
品種多樣的問(wèn)題，商品品種在減少，便于了標(biāo)準(zhǔn)化標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)施。另外，大功率開(kāi)關(guān)電源選用并聯(lián)均流的方法進(jìn)行設(shè)置，還能夠堅(jiān)持必定的冗余。所謂冗余，其實(shí)指的即是后備電源模塊。例如設(shè)3+2臺(tái)變換器模塊并聯(lián)，其間3臺(tái)
2016-04-07 11:40:06
我照著EXB841的DataSheet上的應(yīng)用電路搭了一個(gè)IGBT的驅(qū)動(dòng)電路，在測(cè)試EXB841的過(guò)流保護(hù)功能時(shí)，發(fā)現(xiàn)模塊沒(méi)有起作用，IBGT***掉了，三個(gè)腿全通，請(qǐng)問(wèn)大神EXB841的過(guò)流保護(hù)要怎么弄?。勘热缯f(shuō)我要把過(guò)流閾值設(shè)置為1A，該如何做？IGBT型號(hào)為IRGS30B60KPBF。
2015-05-28 10:21:23
兩相交錯(cuò)并聯(lián)Boost電路，當(dāng)兩支路的電感大小不同，而引起兩支路電流不相等時(shí)，應(yīng)該如何調(diào)節(jié)？？如何實(shí)現(xiàn)均流呢？？求助
2016-11-27 14:01:01
剛剛接觸電子負(fù)載一段時(shí)間，基本了解了單模塊的CV/CI電子負(fù)載設(shè)計(jì)。但是一直有個(gè)問(wèn)題沒(méi)搞明白，就是在大功率負(fù)載應(yīng)用時(shí)，需要多個(gè)電子負(fù)載進(jìn)行并聯(lián)使用，CI模式可以直接并聯(lián)，但是CV模式如何并聯(lián)呢？直接
2018-10-11 17:56:37
縮小了模塊尺寸，但降低了熱 容量，以至耐受時(shí)間進(jìn)一步縮短。另外，還與IGBT集電極-發(fā)射 極電壓有很大關(guān)系，因而工業(yè)驅(qū)動(dòng)趨向更高直流總線電壓電平 的并行趨勢(shì)進(jìn)一步縮減了短路耐受時(shí)間。過(guò)去，這一時(shí)間范圍
2018-08-20 07:40:12
Power System Architecture)，用小功率DC/DC轉(zhuǎn)換器模塊并聯(lián)供電的方式，來(lái)滿足大功率負(fù)載的需要。此外，為了提高供電電源系統(tǒng)的可靠性，要求并聯(lián)工作的模塊有功率冗余。因此分布式供電電源
2011-11-10 11:29:25
有關(guān)buck并聯(lián)供電系統(tǒng)中均流方案怎么弄
2017-04-17 23:59:52
（droop-share）”的負(fù)載均流方法，每個(gè)電源都有單獨(dú)的參考和集成的誤差放大器，但隨著負(fù)載電流的增加，參考電壓被有意處理為線性減少，從而使得輸出電壓降低一定值。并聯(lián)電源可能會(huì)對(duì)瞬態(tài)響應(yīng)和負(fù)載調(diào)節(jié)帶來(lái)消極影響
2018-10-19 16:48:21
技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)之一，是實(shí)現(xiàn)組合大功率電源系統(tǒng)的重點(diǎn)。1.不能并聯(lián)的根源很多工程師剛接觸電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)，總會(huì)把多個(gè)電源模塊并聯(lián)一起使用，導(dǎo)致模塊輸出無(wú)法均流，使得模塊輸出短路、啟動(dòng)異常、損壞等現(xiàn)象。要
2015-09-25 09:52:58
如何增加中間端子的雜散電感？電磁場(chǎng)對(duì)IGBT模塊并聯(lián)的影響是什么？
2021-06-15 08:26:38
的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域?！ ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT模塊 IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管
2019-03-05 06:00:00
及其應(yīng)用做簡(jiǎn)要討論。圖1 多臺(tái)開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)均流實(shí)現(xiàn)大功率電源系統(tǒng)自動(dòng)均流技術(shù)是常用的硬件電流均流技術(shù)之一。該方法是通過(guò)均流總線和相并聯(lián)各電源間電流信號(hào)的比較獲得相應(yīng)修正量，來(lái)實(shí)現(xiàn)各單元電源間電流均勻分配
2011-07-13 15:19:57
都只能做到500W，假如先做4路并聯(lián)，均流問(wèn)題有什么好的方案可以推薦嗎？如果后面再采用三個(gè)2KW并聯(lián)，這個(gè)并聯(lián)均流問(wèn)題如何解決，能推薦一下嗎？謝謝！
2018-07-27 08:56:50
模塊電源市場(chǎng)日趨成熟，并聯(lián)均流有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-03-16 09:24:11
怎么解決IGBT模塊在并聯(lián)時(shí)的降額問(wèn)題？
2021-04-08 06:21:04
基于LTC4350的并聯(lián)均流技術(shù)應(yīng)用研究(2)
2019-04-22 11:40:09
富士IGBT模塊驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方法
2008-01-08 10:45:44
109 為了滿足電動(dòng)汽車(chē)用大功率變換器大電流輸出、高功率密度和高性?xún)r(jià)比的要求，本文對(duì)IGBT 并聯(lián)技術(shù)進(jìn)行了仿真和實(shí)驗(yàn)研究。在提出實(shí)用的半橋IGBT 并聯(lián)測(cè)試電路和評(píng)價(jià)指標(biāo)的基礎(chǔ)上
2009-02-07 02:22:1440 :介紹了IGBT 擴(kuò)容的并聯(lián)方法,分析了導(dǎo)致IGBT 模塊并聯(lián)運(yùn)行時(shí)不均流的各種因素,提出了相應(yīng)的解決措施,并進(jìn)行了仿真分析和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。關(guān)鍵詞:絕緣柵雙極晶體管; 并聯(lián)/ 靜態(tài)均流
2009-05-01 09:56:5656 摘要:介紹了IGBT 擴(kuò)容的并聯(lián)方法,分析了導(dǎo)致IGBT 模塊并聯(lián)運(yùn)行時(shí)不均流的各種因素,提出了相應(yīng)的解 決措施,并進(jìn)行了仿真分析和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。 關(guān)鍵詞:絕緣柵雙極晶體管; 并聯(lián)/ 靜態(tài)均流; 動(dòng)態(tài)均流
2011-03-08 15:33:27111 并聯(lián)IGBT模塊靜動(dòng)態(tài)均流方法研究_肖雅偉
2017-01-08 10:11:415 帶反并聯(lián)二極管IGBT中的二極管設(shè)計(jì)
2017-01-24 16:35:0539 T作的動(dòng)態(tài)電流函數(shù)，并以該電流函數(shù)為核心，建立了IGBT損耗、反并聯(lián)二極管損耗與電路中電流、電壓等強(qiáng)相關(guān)參數(shù)的準(zhǔn)確模型，通過(guò)編輯IGBT通態(tài)飽和壓降與電流的函數(shù)；IGBT開(kāi)、關(guān)損耗與電流及T作電壓的函數(shù)；反并聯(lián)二極管通態(tài)壓降與電流的函數(shù)；反并聯(lián)二極管反向恢復(fù)損耗
2017-12-08 10:36:0264 特性，嚴(yán)重制約了其推廣應(yīng)用。從壓接式IGBT的封裝結(jié)構(gòu)和電氣特性出發(fā)，基于雙脈沖測(cè)試原理，設(shè)計(jì)并搭建壓接式IGBT模塊的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性測(cè)試平臺(tái)。采用Ansoft Q3D軟件對(duì)測(cè)試平臺(tái)的雜散參數(shù)進(jìn)行仿真，分析雜散參數(shù)的分布特征、影響與提取方法，
2017-12-26 14:16:013 的重要因素?；趬航邮?b class="flag-6" style="color: red">IGBT模塊雙脈沖測(cè)試平臺(tái)，介紹一種基于關(guān)斷電流最大變化率的壓接式IGBT模塊結(jié)溫提取方法，分析壓接式IGBT芯片結(jié)溫和模塊關(guān)斷電流最大變化率間單調(diào)變化關(guān)系，并利用壓接式IGBT模塊封裝結(jié)構(gòu)固有的寄生電感有效獲取關(guān)斷電流最大
2018-02-01 10:20:499 在大功率系統(tǒng)中，為了擴(kuò)大電路的功率等級(jí)，開(kāi)關(guān)器件往往會(huì)并聯(lián)使用。為了保證絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊工作在安全范圍，需要建立并聯(lián)器件的瞬態(tài)電熱模型。首先，重點(diǎn)分析了結(jié)溫變化對(duì)損耗產(chǎn)生
2018-02-01 14:09:060 IGBT模塊的原理及測(cè)量判斷方法 GBT模塊的原理及測(cè)量判斷方法 本文以介紹由單只 IGBT 管子或雙管做成的逆變模塊及其有關(guān)測(cè)盈和判斷好壞的方法。場(chǎng)效應(yīng)管有開(kāi)關(guān)速度快、電壓控制的優(yōu)點(diǎn)，但也
2018-05-18 13:12:0014868 
消防聯(lián)動(dòng)模塊是用于消防聯(lián)動(dòng)控制器與其所連接的受控設(shè)備之間信號(hào)傳輸、轉(zhuǎn)換的一種器件，包括消防聯(lián)動(dòng)中繼模塊、消防聯(lián)動(dòng)輸入模塊、消防聯(lián)動(dòng)輸出模塊和消防聯(lián)動(dòng)輸入輸出模塊，它是消防聯(lián)動(dòng)控制設(shè)備完成對(duì)受控消防設(shè)備聯(lián)動(dòng)控制功能所需的一種輔助器件。
2019-09-07 11:15:2244988 
并聯(lián)的各模塊的外特性呈下垂特性，負(fù)載越重，輸出電壓越低。在并聯(lián)時(shí)，外特性硬（內(nèi)阻?。┑?b class="flag-6" style="color: red">模塊輸出電流大；外特性軟的模塊輸出電流小。
2020-03-08 11:18:003979 
來(lái)源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? 1、因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">并聯(lián)，所以精彩 IGBT與FRD、晶閘管等無(wú)元胞器件相比，天生就是并聯(lián)的。模塊封裝中更是需要多芯片并聯(lián)。正是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">并聯(lián)，才使得IGBT器件的功率容量得以擴(kuò)展?？梢哉f(shuō)
2022-11-15 17:18:002696 IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能如開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2020-11-17 08:00:0024 IGBT模塊的并聯(lián)是一個(gè)相對(duì)復(fù)雜的過(guò)程，而使用完整功率單元的并聯(lián)是更簡(jiǎn)單和更經(jīng)濟(jì)的解決方案。?增加可用性，在變頻器故障后系統(tǒng)需要降額運(yùn)行于應(yīng)急狀態(tài)。例如，在并聯(lián)的一個(gè)功率單元出現(xiàn)故障時(shí)，可以通過(guò)變...
2021-11-09 11:06:0511 IGBT短路測(cè)試方法詳解及波形解析
2021-12-27 10:57:4075 由于并聯(lián)IGBT自身參數(shù)的不一致及電路布局不對(duì)稱(chēng)等，必引起器件電流分配不均，嚴(yán)重時(shí)會(huì)使器件失效甚至損壞主電路，因此，IGBT并聯(lián)的重點(diǎn)是考慮如何通過(guò)設(shè)計(jì)確保均流。目前現(xiàn)有的一些IGBT并聯(lián)均流措施包括：降額法、柵極電阻匹配法、發(fā)射極電阻反饋法、外加電感平衡法等。
2022-02-18 11:11:332878 IGBT并聯(lián)
2022-11-15 20:29:263 賽米控近期完成了基于成熟大功率三電平IGBT模塊并聯(lián)的功率模組參考設(shè)計(jì)與測(cè)試驗(yàn)證。本文將詳細(xì)的介紹這款設(shè)計(jì)。
2023-02-07 09:12:041555 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模塊是一種功率半導(dǎo)體器件，它是由多個(gè)IGBT芯片、反并聯(lián)二極管、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等組成的集成模塊。IGBT模塊通常根據(jù)結(jié)構(gòu)、電壓、電流、功率等參數(shù)進(jìn)行分類(lèi)。
2023-02-20 17:32:254883 IGBT模塊并聯(lián)的挑戰(zhàn)是在考慮不同模塊參數(shù)的情況下了解功率轉(zhuǎn)換器的必要降額。這種理解對(duì)于在熱和安全操作限制內(nèi)正確并行運(yùn)行模塊非常重要。本文介紹了如何分析模塊參數(shù)對(duì)功率模塊并聯(lián)運(yùn)行的均流和開(kāi)關(guān)能量不平衡的影響的方法。
2023-03-08 15:06:00321 
IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能如開(kāi)關(guān)頻率、開(kāi)關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開(kāi)關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543294 
摘要 壓接型 IGBT 芯片在正常的運(yùn)行工況下承受著電-熱-力多物理量的綜合作用，研究電熱-力影響下的 IGBT 芯片動(dòng)態(tài)特性對(duì)于指導(dǎo) IGBT 芯片建模以及規(guī)?；?IGBT 并聯(lián)封裝設(shè)計(jì)具有
2023-08-08 09:58:280 IGBT逆變電路詳解 IGBT逆變電路是一種高壓、高功率驅(qū)動(dòng)電路，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、航空、船舶等領(lǐng)域。本文將為您詳細(xì)介紹IGBT逆變電路的原理、結(jié)構(gòu)、應(yīng)用以及注意事項(xiàng)等內(nèi)容。 一、IGBT逆變電
2023-08-29 10:25:543326 igbt反向并聯(lián)二極管作用 IGBT是一種強(qiáng)勁的功率半導(dǎo)體器件，被廣泛應(yīng)用于高電壓、高電流和高速開(kāi)關(guān)的領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的大功率晶體管相比，IGBT能夠提供更高的功率密度，同時(shí)也具有更高的效率和更低
2023-08-29 10:25:571118 igbt為什么要反并聯(lián)二極管 IGBT是一種功率器件，它是一種膜材料型結(jié)構(gòu)，它采用P型部分、N型部分、漂移區(qū)、隔離氧化層、金屬控制電極和保護(hù)結(jié)構(gòu)等元件組成，為集成化的功率MOSFET和雙極性晶體管
2023-08-29 10:25:592926 igbt反向并聯(lián)二極管作用? IGBT反向并聯(lián)二極管，也稱(chēng)為快速反向二極管，是一種非常重要的器件，它廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電氣系統(tǒng)中。以下將詳細(xì)介紹IGBT反向并聯(lián)二極管的作用、原理、特點(diǎn)
2023-08-29 10:32:243492 IGBT是如今被廣泛應(yīng)用的一款新型復(fù)合電子器件，而IGBT測(cè)試也變的尤為重要，其中動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)是IGBT模塊測(cè)試一項(xiàng)重要內(nèi)容，IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能的重要依據(jù)。其動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)主要有：主要參數(shù)有開(kāi)關(guān)參數(shù)、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
2023-10-09 15:14:35644 
驅(qū)動(dòng)電路對(duì)動(dòng)態(tài)均流的影響：驅(qū)動(dòng)電路對(duì)并聯(lián)均流的影響也是顯而易見(jiàn)的，如果并聯(lián)工作的IGBT驅(qū)動(dòng)電路不同步，則先驅(qū)動(dòng)的IGBT要承擔(dān)大得多的動(dòng)態(tài)電流。
2023-10-20 10:31:551225 
IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)有哪些？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種高能效的電力電子設(shè)備中。為了保證IGBT的可靠性
2023-11-10 15:33:51885 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《IGBT模塊在并聯(lián)時(shí)的降額必然性問(wèn)題.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 11:33:102
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