`2014 OPPO N3新品發(fā)布會10月29日，新款旗艦OPPO N3將于北京奧雅會展中心舉辦發(fā)布會，我們能從網(wǎng)上看到不少關(guān)于N3的曝光消息，隨處可見配置、外觀甚至是售價(jià)的曝光。據(jù)傳，OPPO
2014-10-28 16:53:52
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
進(jìn)行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數(shù)進(jìn)行探討，如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)損耗，并對電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗
2018-08-27 20:50:45
關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性關(guān)于MOSFET的開關(guān)及其溫度特性關(guān)于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和溫度特性關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性MOSFET的靜電
2019-04-10 06:20:15
和器件
特性相關(guān)的三個(gè)主要
功率開關(guān)損耗—
導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復(fù)
特性是決定
MOSFET 或 IGBT
導(dǎo)通
開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對于硬
開關(guān)拓?fù)?/div>
2021-06-16 09:21:55
MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對于硬開關(guān)拓?fù)涞挠绊??！ ?b class="flag-6" style="color: red">導(dǎo)通損耗 除了IGBT的電壓下降時(shí)間較長外，IGBT和功率MOSFET的導(dǎo)通特性十分類似。由
2020-06-28 15:16:35
前篇對MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開關(guān)特性。MOSFET的開關(guān)特性在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開關(guān)。MOSFET的開關(guān)特性一般提供導(dǎo)通延遲時(shí)間：Td(on）、上升時(shí)間：tr
2018-11-28 14:29:57
的技術(shù)規(guī)格中規(guī)定了條件。這個(gè)表是從N-ch 600V 4A的功率MOSFET：R6004KNX的技術(shù)規(guī)格中摘錄的。藍(lán)線框起來的是VGS(th)，條件欄中VDS=10V、ID=1mA，該條件下保證VGS
2019-05-02 09:41:04
，ID隨VGS而變化。從VGS(th)的規(guī)格值的角度看，只要條件沒有確定，就無法保證VGS(th)的值，因此在MOSFET的技術(shù)規(guī)格中規(guī)定了條件。這個(gè)表是從N-ch 600V 4A的功率MOSFET
2018-11-28 14:28:20
和 管子 導(dǎo)通的關(guān)系 理解如下，不知 是否正確，還請前輩、大俠 指點(diǎn)（輕拍）：1. 當(dāng)VGS(th)≥4.1V時(shí)，所有的此規(guī)格的MOSFET均導(dǎo)通 ；2. 當(dāng)2.9V≤VGS(th)
2017-08-10 00:15:55
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，選擇N管還是P管，要針對實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
通的意思是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合?！ MOS的特性，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適用于源極接地的情況（低端驅(qū)動），只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了?！ MOS的特性，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適用于源
2016-12-26 21:27:50
，特別是在高壓的時(shí)候，內(nèi)部的電場外強(qiáng)度大，進(jìn)一步增加熱電效應(yīng)。因此，使用線性區(qū)的功率計(jì)算的SOA曲線，和實(shí)際的應(yīng)用偏差非常大。對于大多開關(guān)電源和電力電子的應(yīng)用，功率MOSFET工作在高頻的開關(guān)狀態(tài)，完全的導(dǎo)
2016-10-31 13:39:12
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
時(shí)刻并不一樣，因此開通時(shí)刻和關(guān)斷時(shí)刻的米勒平臺電壓VGP也不一樣，要分別根據(jù)各自的電流和跨導(dǎo)計(jì)算實(shí)際的米勒平臺電壓。（2）模式M2：t6-t7在t6時(shí)刻，功率MOSFET進(jìn)入關(guān)斷的米勒平臺區(qū)，這個(gè)階段
2017-03-06 15:19:01
前面的文章講述過基于功率MOSFET的漏極特性理解其開關(guān)過程，也討論過開關(guān)電源的PWM及控制芯片內(nèi)部的圖騰驅(qū)動器的特性和柵極電荷的特性，基于上面的這些理論知識，就可以估算功率MOSFET在開關(guān)
2017-02-24 15:05:54
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表的開關(guān)特性中，列出了柵極電荷的參數(shù)，包括以下幾個(gè)參數(shù)，如下圖所示。Qg(10V)：VGS=10V的總柵極電荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的總柵極電荷。Qgd：柵極
2017-01-13 15:14:07
MOSFET的穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)1）功率MOSFET 穩(wěn)態(tài)時(shí)的電流/電壓曲線：2）說明：功率 MOSFET 正向飽和導(dǎo)通時(shí)的穩(wěn)態(tài)工作點(diǎn)：當(dāng)門極不加控制時(shí)，其反向?qū)ǖ姆€(wěn)態(tài)工作點(diǎn)同二極管。3）穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)：門
2021-08-29 18:34:54
MOSFET的穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)（1）：功率MOSFET 穩(wěn)態(tài)時(shí)的電流/電壓曲線（2）：說明功率 MOSFET 正向飽和導(dǎo)通時(shí)的穩(wěn)態(tài)工作點(diǎn)：當(dāng)門極不加控制時(shí)，其反向?qū)ǖ姆€(wěn)態(tài)工作點(diǎn)同二極管。（3）：穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)
2021-09-05 07:00:00
，功率MOSFET很少接到純的阻性負(fù)載，大多數(shù)負(fù)載都為感性負(fù)載，如電源和電機(jī)控制；還有一部分的負(fù)載為容性負(fù)載，如負(fù)載開關(guān)。既然功率MOSFET所接的負(fù)載大多數(shù)為感性負(fù)載，那么上面基于阻性負(fù)載的開關(guān)特性
2016-12-16 16:53:16
，二邊的P區(qū)中間夾著一個(gè)N區(qū)，由于二個(gè)P區(qū)在外面通過S極連在一起，因此，這個(gè)結(jié)構(gòu)形成了標(biāo)準(zhǔn)的JFET結(jié)構(gòu)。 4 隔離柵SGT場效應(yīng)晶體管 功率MOSFET的導(dǎo)通電阻Rds(on)和寄生的電容是一個(gè)相互
2016-10-10 10:58:30
的功率MOSFET的G極、S極加上正向電壓后，在G極的下面的P型體區(qū)，就會形成一個(gè)非常薄的反型層N型，這樣D極的N、反型層N、S極的N，就會形成導(dǎo)通的路徑。圖1：N溝道(左）、P溝道MOSFET結(jié)構(gòu)P
2016-12-07 11:36:11
MOSFET的穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)（1）：功率MOSFET 穩(wěn)態(tài)時(shí)的電流/電壓曲線（2）：說明功率 MOSFET 正向飽和導(dǎo)通時(shí)的穩(wěn)態(tài)工作點(diǎn)當(dāng)門極不加控制時(shí)，其反向?qū)ǖ姆€(wěn)態(tài)工作點(diǎn)同二極管。（3）：穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)
2018-10-25 16:11:27
。為了改善某些參數(shù)的特性，如提高工作電流、提高工作電壓、降低導(dǎo)通電阻、提高開關(guān)特性等有 不同的結(jié)構(gòu)及工藝，構(gòu)成所謂VMOS、DMOS、TMOS等結(jié)構(gòu)。圖2是一種N溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)管(MOSFET
2011-12-19 16:52:35
通；P溝道MOSFET通過施加給定的負(fù)的柵-源極電壓導(dǎo)通。MOSFET的柵控決定了它們在SMPS轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用。例如，N溝道MOSFET更適用于以地為參考的低側(cè)開關(guān)，特別是用于升壓、SEPIC、正向和隔離
2021-04-09 09:20:10
杰理AC697N是什么？杰理AC697N有哪些特性？杰理AC697N有哪些優(yōu)點(diǎn)？AC697N在低功耗、主動降噪、高清音質(zhì)的表現(xiàn)是什么？
2021-07-02 07:12:51
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
150V轉(zhuǎn)3.3V 5V 12V 等不同的輸出。
恒流主要是：各種照明場景，包括：舞臺燈 車燈 攝影燈 球泡燈 臺燈 投影儀 磁吸燈 吸頂燈等等，它們有大功率，大電流，發(fā)熱小，共陽等特性，往往需要12V
2024-01-20 15:30:35
. 總所周知，IR不僅是全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商，還是管理方案領(lǐng)先供應(yīng)商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技術(shù),40V
2018-09-28 15:57:04
通的意思是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動），只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適合
2012-11-12 15:40:55
，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路。1，MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P
2012-12-18 15:37:14
的設(shè)計(jì)而言，它大幅降低了MOSFET導(dǎo)通電阻，并保持了出色的開關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進(jìn)一步改進(jìn)了設(shè)計(jì)，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關(guān)。同步整流器應(yīng)用幾乎總是使用N溝道技術(shù)，這主要是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">N溝道的RDS(on)小于P溝道的，并且通過在柵極上施加正電壓導(dǎo)通。 MOSFET多數(shù)是載流子器件， N溝道
2018-03-03 13:58:23
。此外，為了進(jìn)一步提高電機(jī)的效率并減小尺寸，對于MOSFET還提出了更低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)工作的要求。在這種背景下，ROHM繼2020年年底發(fā)布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又開發(fā)出在Nch
2021-07-14 15:17:34
MOSFET模型仿真驗(yàn)證Id_Vds有效性MOSFET模型導(dǎo)通電壓Vgs(th)驗(yàn)證MOSFET模型導(dǎo)通電阻測試驗(yàn)證與體二極管I-V特性測試電路搭建MOSFET模型體二極管正向電流與正向電壓關(guān)系I_V性能仿真驗(yàn)證
2017-04-12 20:43:49
，SiC-MOSFET在25℃時(shí)的變動很小，在25℃環(huán)境下特性相近的產(chǎn)品，差距變大，溫度增高時(shí)SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻變化較小。與IGBT的區(qū)別：關(guān)斷損耗特性前面多次提到過，SiC功率元器件的開關(guān)特性優(yōu)異，可處理
2018-12-03 14:29:26
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導(dǎo)通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動汽車、家用電器等高功率應(yīng)用。但是，在實(shí)際應(yīng)用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發(fā)展，性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開始，將單獨(dú)介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點(diǎn):?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點(diǎn)，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
- ID特性 SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以從小電流到大電流的寬電流范圍內(nèi)都能夠?qū)崿F(xiàn)低導(dǎo)通損耗?！ 《鳶i-MOSFET在150°C時(shí)導(dǎo)通電阻上升為室溫條件下的2倍以上
2023-02-07 16:40:49
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開關(guān)速度變慢），就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞钠骷?. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-04-09 04:58:00
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開關(guān)速度變慢），就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞钠骷?. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢.更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關(guān)的突破.SCT30N
2017-07-27 17:50:07
50MR；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請 點(diǎn)擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性?b class="flag-6" style="color: red">功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
時(shí)，客戶工程師發(fā)現(xiàn)：Vin=5V，ID=100mA，VGS=2.5V時(shí)，Q1的導(dǎo)通壓降只有0.06V，那么，這是不是表明：功率MOSFET在反向工作的時(shí)候，VTH比正向?qū)ǖ臅r(shí)候低？是不是二極管的分流
2017-04-06 14:57:20
新的功率密度和能效標(biāo)準(zhǔn)。 極低的門極電荷，輸出電荷以及極低的導(dǎo)通電阻使得New OptiMOS成為服務(wù)器，數(shù)據(jù)通信和電信產(chǎn)品電壓調(diào)節(jié)器上的最佳選擇。40V, 60V OptiMOS更為DC/DC變換器
2012-07-13 10:50:22
性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數(shù)進(jìn)行探討，如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)損耗，并對電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗
2019-03-06 06:30:00
)：1200V柵極-發(fā)射極電壓(VGES)：±25VG-E閾值電壓(VGE)：5.5VG-E漏電流(IGES)：250nA工作溫度：-55~+150℃引線數(shù)量：3 什么是MOS管40N120的導(dǎo)通特性
2021-12-29 16:53:46
近年來，因?yàn)樾履茉雌?、光伏及儲能、各種電源應(yīng)用等下游市場的驅(qū)動，碳化硅功率器件取得了長足發(fā)展。更快的開關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率
2022-03-29 10:58:06
中低壓場效率管（MOSFET）MOS管型號：HG012N06LMOS管參數(shù)：60V50A內(nèi)阻：14mR（VGS=4.5V）結(jié)電容：550pF類型：SGT工藝NMOS開啟電壓：1.8V封裝
2020-07-31 11:03:26
電路結(jié)構(gòu)，每個(gè)橋臂上管可以使用P管，也可以使用N管。（2）通信系統(tǒng)48V輸入系統(tǒng)的熱插撥MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N管。（3）筆記本電腦輸入回路串聯(lián)的、起防反接和負(fù)載開關(guān)作用的二個(gè)
2019-04-04 06:30:00
上周六華為官方宣布將于北京時(shí)間10月22日20點(diǎn)舉行華為Mate?40系列新品發(fā)布會，而本次發(fā)布會除了華為Mate?40系列還將有哪些新品呢？華為本次發(fā)布會可能會帶來：1、華為Mate40系列四款
2020-10-12 17:40:11
MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負(fù)載開關(guān)具有更顯著的優(yōu)點(diǎn)。系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)在哪里一個(gè)典型系統(tǒng)包括一個(gè)電源和多個(gè)負(fù)載，需要各種不同的負(fù)載電流，如Bluetooth?、Wi-Fi或處理器軌。多數(shù)
2022-11-17 08:05:25
。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹 MOSFET 參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對實(shí)際選型用圖解和簡單公式作簡單通俗的講解。另外，這里的功率 MOSFET 應(yīng)用選型為功率開關(guān)應(yīng)用，對于功率放大應(yīng)用不一定適用
2019-11-17 08:00:00
、加濕器、美容儀等電源開關(guān)應(yīng)用30V 60V 100V 150V系列 SGT工藝高性能MOS管 低內(nèi)阻 低開啟 低結(jié)電容常規(guī)型號：3400 5N10 10N10 17N10 25N10 17N06 30N06 50N06 30N03`
2020-08-29 14:51:46
的阻抗過高，則從MOSFET發(fā)出的電流會產(chǎn)生足夠高的電壓以使其重新導(dǎo)通，寄生導(dǎo)通，從而導(dǎo)致額外的損耗甚至破壞。這個(gè)問題也會影響碳化硅MOSFET?！ ?biāo)準(zhǔn)功率MOSFET最高可達(dá)800 V，有少數(shù)
2023-02-20 16:40:52
通的意思是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動），只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適合
2020-03-10 17:30:59
通道數(shù)量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V Id-連續(xù)漏極電流: 26 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 230 mOhms Vgs
2020-03-31 17:08:29
`海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXFH40N85X場效應(yīng)管VGS（TH）（-大）@標(biāo)識:5.5V @ 4mA:30V技術(shù):MOSFET (metal Oxide)RDS（ON）（-大值）@標(biāo)識，柵極電壓
2020-03-20 17:11:50
: TO-264-3 通道數(shù)量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 300 V Id-連續(xù)漏極電流: 150 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 8.3 mOhms
2020-03-05 11:04:07
的過程，然后從漏極導(dǎo)通特性、也就是放大特性曲線，來理解其開通關(guān)斷的過程，以及MOSFET在開關(guān)過程中所處的狀態(tài)。1、MOSFET柵極電荷特性與開關(guān)過程基于柵極電荷的MOSFET的開通過程如圖1所示，此圖
2016-11-29 14:36:06
沒有問題。但是，當(dāng)深入理解功率MOSFET的轉(zhuǎn)移特性和溫度對其轉(zhuǎn)移特性的影響，就會發(fā)現(xiàn)，功率MOSFET的正溫度系數(shù)只有在MOSFET進(jìn)入穩(wěn)態(tài)完全導(dǎo)通后的狀態(tài)下才能成立，在開關(guān)瞬態(tài)的過程中，上述理論
2016-09-26 15:28:01
電流值。AON6590(40V，0.99mΩ)電流連續(xù)漏極電流ID脈沖漏極電流IDM連續(xù)漏極電流IDSM雪崩電流IAS 1 連續(xù)漏極電流ID連續(xù)漏極電流在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中標(biāo)示為電流ID，對于
2016-08-15 14:31:59
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對其開關(guān)特性的仔細(xì)分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
進(jìn)一步減小，甚至消除。 結(jié)論 如今，新一代的40V和60V MOSFET可使設(shè)計(jì)工程師設(shè)計(jì)出更高功率密度的產(chǎn)品。開關(guān)性能的優(yōu)化可使許多應(yīng)用選用一個(gè)更低電壓等級的MOSFET，從而全面優(yōu)化通態(tài)電阻、成本
2018-12-06 09:46:29
MOSFET的柵極電荷特性與開關(guān)過程MOSFET的漏極導(dǎo)通特性與開關(guān)過程
2021-04-14 06:52:09
討論如何根據(jù)RDS（ON）、熱性能、雪崩擊穿電壓及開關(guān)性能指標(biāo)來選擇正確的MOSFET?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET的選擇 MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在
2011-08-17 14:18:59
PN結(jié)轉(zhuǎn)化為掩埋PN結(jié)，在相同的N-摻雜濃度時(shí)，阻斷電壓還可進(jìn)一步提高?！ ?nèi)建橫向電場MOSFET的主要特性 1、 導(dǎo)通電阻的降低 INFINEON的內(nèi)建橫向電場的MOSFET，耐壓600V
2023-02-27 11:52:38
%。特性方面的定位是標(biāo)準(zhǔn)特性。低噪聲SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快”的特征，但存在其高速性導(dǎo)致噪聲比平面型大的課題。為改善這個(gè)問題開發(fā)了EN系列。該系列產(chǎn)品融合了
2018-12-03 14:27:05
本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動電路和在動態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對驅(qū)動電路的要求，
2010-11-11 15:34:22
201 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程，并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過程
2011-09-14 17:39:1765 特點(diǎn)和優(yōu)勢
1、國內(nèi)第一顆采用SGT技術(shù)的P-100V的MOSFET產(chǎn)品；
2、P Channel產(chǎn)品在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中，電路更簡潔，高效；
2020-10-21 15:51:54
2267 的電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)、逆變器系統(tǒng)及電源管理系統(tǒng)，是核心功率控制部件。 ? ? ? ? ? ?SGT(Shield Gate Trench MOSFET) MOSFET結(jié)構(gòu)及工藝制造方法，因其不需要在溝槽內(nèi)生長厚的屏蔽電極介質(zhì)層，同時(shí)Bsg具有良好的高溫回流特性，具備良好的溝槽填充能力，可以將溝槽CD極大程度縮小
2020-12-25 14:02:0728404 MOSFET大致可以分為以下幾類：平面型MOSFET；Trench （溝槽型）MOSFET，主要用于低壓領(lǐng)域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽柵溝槽）MOSFET，主要用于中壓和低壓領(lǐng)域；SJ-（超結(jié)）MOSFET，主要在高壓領(lǐng)域應(yīng)用。
2021-01-22 08:41:429130 DYA-X40D150-P7臺信環(huán)型接近開關(guān)
2021-07-29 14:50:371 功率MOSFET特性參數(shù)的理解
2022-07-13 16:10:3924 揭秘WAYON維安新研發(fā)的SGT MOSFET，三大優(yōu)勢前途無量！
2023-01-06 12:59:081797 
前篇對MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開關(guān)特性。MOSFET的開關(guān)特性：在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開關(guān)。
2023-02-09 10:19:242519 
摘要：CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET，采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力，適用于MB/VGA、POL應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。本文將介紹CMS4070M的特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及關(guān)鍵性能參數(shù)。
2023-06-08 14:28:28663 
安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的全部測試。
2023-09-06 17:48:45474 中壓MOSFET，是美格納40~200V溝槽MOSFET的尖端產(chǎn)品組合。 在大功率設(shè)備中，能源效率對于降低功耗和確保穩(wěn)定性至關(guān)重要。利用美格納尖端的溝槽式MOSFET技術(shù)，這些新發(fā)布的第8代150V MXT MV
2023-10-12 17:15:09736 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
安建半導(dǎo)體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺，平臺采用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供了卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，從而實(shí)現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49293 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論