N溝道耗盡型MOSFET
1) N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)
N
2009-09-16 09:41:43
23374 什么叫MOSFET，作為電子硬件設(shè)計(jì)中非常重要的器件MOSFET有怎樣的特性？MOSFET體二極管的作用？
2019-05-11 09:19:503432 
從來沒有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)去考慮驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，導(dǎo)致在實(shí)際的應(yīng)用中，MOSFET產(chǎn)生一定的失效率。本文將討論這些細(xì)節(jié)的問題，從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動(dòng)性能，提高整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。
2021-03-07 10:47:002511 
功率電路中常用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的MOSFET(還有橫向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)的MOSFET，但很少用于耐高壓的功率電路中)，如下圖是這種MOSFET的分層結(jié)構(gòu)圖。
2023-02-16 11:25:471304 
），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有：橫向?qū)щ婋p擴(kuò)散型場(chǎng)效應(yīng)晶體管LDMOS
2023-06-05 15:12:10671 
），漏極（ Drain ）和源極（ Source ）。功率 MOSFET 為電壓型控制器件，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的 MOSFET 的結(jié)構(gòu)有：橫向?qū)щ婋p擴(kuò)散
2023-06-28 08:39:353665 
。簡(jiǎn)單概括一下，IGBT可以說是MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和BJT的結(jié)合體（雙極結(jié)型晶體管）。即它結(jié)合了MOSFET的柵壓控制晶體管（高輸入阻抗），利用BJT的雙載流子來達(dá)到大電流的目的（壓控雙極型器件）。那么這樣的組合內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣的呢？
2023-07-03 09:40:151206 
IGBT在結(jié)構(gòu)上類似于MOSFET，其不同點(diǎn)在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板（漏極）上增加了一個(gè) P+基板（IGBT 的集電極），形成PN 結(jié) J1，并由此引出漏極，柵極和源極則完全與MOSFET相似。
2024-02-19 15:01:12786 
51單片機(jī)CPU的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理1.51單片機(jī)CPU的內(nèi)部結(jié)構(gòu)2.工作原理1.51單片機(jī)CPU的內(nèi)部結(jié)構(gòu)單片機(jī)內(nèi)部有一個(gè)8位的CPU，同時(shí)知道了CPU內(nèi)部包含了運(yùn)算器，控制器及若干寄存器。51
2021-11-18 08:22:07
8051內(nèi)部結(jié)構(gòu)供大家參考。
2013-12-17 08:59:04
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 編輯
MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理詳解`
2012-08-20 17:27:17
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理`
2012-08-20 23:25:54
MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)
2021-02-25 06:05:27
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應(yīng)用？
2021-07-09 07:45:34
MOSFET簡(jiǎn)介MOSFET的一些主要參數(shù)MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)
2021-03-04 06:43:10
內(nèi)部二極管的反向恢復(fù)時(shí)間trr高速化的ROHM SJ-MOSFET。PrestoMOS的FN系列與標(biāo)準(zhǔn)型AN系列相比，trr速度提高至約1/5。同時(shí)，反向恢復(fù)電流Irr也降低至約1/3。這些特性的提升
2018-11-28 14:27:08
MOSFET管的耐壓在150左右，電流在80A左右，MOSFET管怎么選擇？什么型號(hào)的MOSFET管子合適。主要用在逆變器上面的。謝謝？？
2016-12-24 14:26:59
我一直以為mosfet內(nèi)部有靜電保護(hù)功能，因?yàn)閺膩矶紱]有因手工焊接而擊穿過，突然發(fā)現(xiàn)這可能不對(duì)，MOSFET有內(nèi)部靜電保護(hù)嗎？
2011-10-21 11:52:40
mosfet沒有上電時(shí)，mosfet驅(qū)動(dòng)電壓很正常，mosfet上電后，mosfet的驅(qū)動(dòng)電壓卻變成了這個(gè)樣子，請(qǐng)問這是為什么？
2019-03-05 09:53:17
AD9224的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與引腳說明AD9224的典型應(yīng)用
2021-04-22 06:34:08
IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)：本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡(jiǎn)的指出了IGBT的特點(diǎn)。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2021-11-16 07:16:01
IGBT的工作原理和作用是什么？IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣組成的？IGBT的特點(diǎn)有哪些？
2021-10-15 06:01:58
L4990內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖
2019-03-29 13:42:58
Pbuf是什么？Pbuf的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣的？UDP處理的輸入輸出的流程是怎樣的？
2021-11-03 07:37:04
RCC器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及應(yīng)用
2019-03-26 07:11:15
STM32F407芯片的特性是什么？STM32F407芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-09-24 12:49:47
Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進(jìn)行替換時(shí)，還需要探討柵極驅(qū)動(dòng)器電路。與Si-MOSFET的區(qū)別：內(nèi)部柵極電阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的內(nèi)部柵極電阻Rg依賴于柵電極材料的薄層電阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導(dǎo)通電阻，近年來超級(jí)結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。 IGBT
2023-02-07 16:40:49
光耦內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理光耦內(nèi)部結(jié)構(gòu): 光耦合器是以光形式傳遞信號(hào)的，內(nèi)部電路是由光敏三極管和發(fā)光二極管組合成一個(gè)電子元件被封裝在個(gè)塑料殼內(nèi)，接入電路后，輸入端的電信號(hào)
2010-06-19 10:45:17
搞清楚IGBT、BJT、MOSFET之間的關(guān)系，就必須對(duì)這三者的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理有大致的了解，下面我將用最簡(jiǎn)單易懂的語言來為大家逐一講解。BJT：雙極性晶體管，俗稱三極管。內(nèi)部結(jié)構(gòu)（以PNP型BJT為例
2023-02-10 15:33:01
什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器？MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分？如何計(jì)算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
1 橫向雙擴(kuò)散型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor）有三個(gè)管腳，分別為
2016-10-10 10:58:30
非常復(fù)雜，尤其是其最核心的微型單元——成千上萬個(gè) 晶體管 。我們就來為大家詳解一下半導(dǎo)體芯片集成電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。一般的，我們用從大到小的結(jié)構(gòu)層級(jí)來認(rèn)識(shí)集成電路，這樣會(huì)更好理解。01系統(tǒng)級(jí)我們還是以手機(jī)為例
2020-11-17 09:42:00
半導(dǎo)體是什么？芯片又是什么？半導(dǎo)體芯片是什么？半導(dǎo)體芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？
2021-07-29 09:18:55
單片機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析單片機(jī)的基本概念存儲(chǔ)器的工作原理
2021-02-19 06:27:20
單片機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析存儲(chǔ)器的工作原理
2021-04-02 06:56:45
變頻器內(nèi)部結(jié)構(gòu)_變頻器內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖 1．主控電路 主要功能如下：(1)接受各種信號(hào) 1)在功能預(yù)置階段，接受對(duì)各功能的預(yù)置信號(hào)： 2)接受從鍵盤或外接輸入端子輸入的給定信號(hào)； 3)接受從外接輸入端子
2016-09-05 10:49:17
，尤其是從來沒有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)去考慮驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，導(dǎo)致在實(shí)際的應(yīng)用中，MOSFET產(chǎn)生一定的失效率。本文將討論這些細(xì)節(jié)的問題，從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動(dòng)性能，提高整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。`
2011-09-27 11:25:34
混合SET/MOSFET 結(jié)構(gòu)與特性是什么？如何利用SET/MOSFET 混合結(jié)構(gòu)的傳輸特性去設(shè)計(jì)數(shù)值比較器？
2021-04-13 07:12:01
學(xué)fpga的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和各接口實(shí)驗(yàn)怎么學(xué)，看什么資料
2014-05-10 18:38:05
步進(jìn)電機(jī)真實(shí)內(nèi)部結(jié)構(gòu)
2020-04-02 11:28:02
您好，我想知道 NXP UCODE 7 芯片內(nèi)部使用的 MOSFET 的 IV 特性，該 MOSFET 開關(guān)用于數(shù)據(jù)輸出鏈中的反向散射。有人可以提供這些數(shù)據(jù)嗎？非常感謝~
2023-03-31 07:53:20
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
本文介紹了流水線ADC的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理。
2021-04-22 06:56:00
`芯片封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)經(jīng)典封裝知識(shí)，內(nèi)部結(jié)構(gòu)完美呈現(xiàn)，分析芯片封裝的每一個(gè)知識(shí)點(diǎn)。[hide][/hide]`
2008-06-11 16:10:13
`賣家所提供的資料太少了，希望各位大牛為我分析一下這個(gè)設(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。`
2019-01-18 17:52:49
MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET。簡(jiǎn)而言之，就是在功率晶體管的范圍，為超越平面結(jié)構(gòu)的極限而開發(fā)的就是超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)。如下圖所示，平面結(jié)構(gòu)是平面性地構(gòu)成晶體管。這種結(jié)構(gòu)當(dāng)耐壓提高時(shí)，漂移層會(huì)增厚，存在導(dǎo)通電阻增加
2018-11-28 14:28:53
非門芯片電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣的？符號(hào)是什么？
2021-11-04 07:46:37
摘要：從功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和極間電容的電壓依賴關(guān)系出發(fā)，對(duì)功率MOSFET的開關(guān)現(xiàn)象及其原因進(jìn)行了較深入分析。從實(shí)際應(yīng)用的角度，對(duì)功率MOSFET開關(guān)過程的功率損耗和所需驅(qū)動(dòng)
2010-11-11 15:36:38
53 cd4017內(nèi)部結(jié)構(gòu)
2007-11-19 20:23:242027 
MC1496的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
2009-03-22 11:22:1741424 華為NodeB的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和單板介紹
華為BTS3812結(jié)構(gòu)如下：
華
2009-06-30 09:33:142988 
圖所示為IR功率MOSFET的基本結(jié)構(gòu)。圖中每一個(gè)六角形是一個(gè)MOSFET的原胞（cell）。正因?yàn)樵橇切蔚模╤exangular）,因而IR常把它稱為HEXFET。功率MOSFET通常由許多個(gè)MOSFET原胞
2009-07-27 09:42:422963 
555時(shí)基電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)
555時(shí)基電路分TTL 和CMOS 兩大類。圖18-71 是TTL 型電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖。從圖中可以看出，它是由分壓器、比較器、R-S 觸發(fā)器、輸出級(jí)和放電開關(guān)等組成
2009-09-19 16:23:093469 L4990內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖
2009-10-15 11:52:44714 
RX5RL內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖
2009-10-26 15:32:01887 M5237L的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖
2009-10-26 16:04:59916 
MAX782內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖
內(nèi)部框圖
2009-11-14 16:24:13873 
RH5RC內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖.
RH5RC內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖所示，它由基
2009-11-14 16:43:07838 
LT1072的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖
2009-11-14 16:59:08907 
蓄電池內(nèi)部結(jié)構(gòu)
2009-11-16 14:15:355147 M62213FP內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖
2009-12-31 13:13:431141 
PC機(jī)電源內(nèi)部結(jié)構(gòu)
我們要看電源是由什么組成的，最好的方法是我們打開電源的外殼，看看電源的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
二極管組成，另一種是將四個(gè)二極管封裝在一起。
2010-01-15 16:58:102144 M57962L的內(nèi)部結(jié)構(gòu)方框電路
2010-02-18 11:19:081578 
IGD驅(qū)動(dòng)器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框電路
2010-02-18 22:05:091508 
伺服電機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)
2010-02-25 17:38:034367 
I/O繼電器內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理圖
I/O繼電器
適用負(fù)載
2010-03-02 10:07:311777 固態(tài)繼電器內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理圖
適用負(fù)載
2010-03-02 10:11:155456 P溝MOSFET,P溝MOSFET是什么意思
MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文縮寫，平面型器件結(jié)構(gòu)，按照導(dǎo)電溝道的不同可以分為NMOS和PMOS器件。MOS
2010-03-05 14:50:554867 集成運(yùn)放內(nèi)部結(jié)構(gòu)電路圖
2010-04-13 10:30:2621067 
動(dòng)鐵耳機(jī)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
2010-05-17 18:28:139155 熱賣光耦型號(hào)內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖
2012-06-26 15:14:362495 
元件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
2017-03-04 17:48:296 MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，
決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。
1. 由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。
2018-06-05 10:00:00193 iPad mini 4內(nèi)部結(jié)構(gòu)如何？iPad mini 4真機(jī)拆解圖賞
2018-10-30 11:00:3240847 半導(dǎo)體芯片雖然個(gè)頭很小。但是內(nèi)部結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜，尤其是其最核心的微型單元——成千上萬個(gè)晶體管。我們就來為大家詳解一下半導(dǎo)體芯片集成電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。一般的，我們用從大到小的結(jié)構(gòu)層級(jí)來認(rèn)識(shí)集成電路，這樣會(huì)更好理解。
2019-01-18 09:53:0715360 今天小米官方用圖文形式對(duì)小米10 Pro內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行了詳解。小米10 Pro強(qiáng)悍的實(shí)力背后，到底隱藏著怎樣精密的內(nèi)部結(jié)構(gòu)呢？
2020-02-19 13:36:029117 
MOSFET規(guī)格書解讀與參數(shù)詳解說明。
2021-06-23 09:32:35108 pogopin彈簧針的內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)常見有反鉆孔、斜剖面、增加圓珠等結(jié)構(gòu)，每種結(jié)構(gòu)應(yīng)用不同。
2022-01-14 12:11:531271 大家好，今天我們聊一下IGBT模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)。IGBT作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極為廣泛，被譽(yù)為半導(dǎo)體皇冠上的明珠。作為一名電力電子打工
2022-04-20 11:19:5619847 本書在簡(jiǎn)析電力MOSFET和IGBT的基本工作原理、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、主要參
數(shù)及其對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求的基礎(chǔ)上介紹電力MOSFET及IGBT的80多種
集成驅(qū)動(dòng)電路的基本特性和主要參數(shù)重點(diǎn)討論50多種電力
2022-08-13 09:21:390 功率MOSFET為多單元集成結(jié)構(gòu)，如IR 的HEXFET采用六邊形單元;西門子Siemens的SIPMOSFET采用正方形單元;摩托羅拉公司Motorola的TMOS采用矩形單元按品字形排列
2022-10-07 10:39:00571 內(nèi)容主要包括
一、MOSFET的分類
二、MOSFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)以及技術(shù)升級(jí)過程介紹
三、MOSFET的工作原理
四、MOSFET的主要特性（轉(zhuǎn)移特性、開關(guān)特性、輸出特性
2022-11-15 17:10:270 MOSFET結(jié)構(gòu)、特性參數(shù)及設(shè)計(jì)詳解
2023-01-26 16:47:00785 在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:102938 
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，
決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。
1. 由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大，可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。
2. IGBT可以做很大
2023-02-24 10:33:326 交叉導(dǎo)軌的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
2023-08-16 17:52:25557 
ldo內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理? LDO是線性穩(wěn)壓電源的一種類型，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理是非常重要的電子工程學(xué)習(xí)內(nèi)容。在本文中，我們將深入了解LDO的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理，包括其關(guān)鍵組件和實(shí)現(xiàn)機(jī)制。 LDO
2023-08-18 15:01:111260 光模塊的內(nèi)部結(jié)構(gòu) 如上圖所示是光模塊的幾個(gè)核心部件。其中發(fā)射器和接收器合起來就是光收發(fā)器，最主要的是激光器，另外還有探測(cè)器和放大器，而IC Design就是MCU控制芯片，里面運(yùn)行了驅(qū)動(dòng)程序。
2023-08-22 11:19:522207 
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級(jí)的MOSFET器件，通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34197 
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。
2023-11-03 14:53:42500 
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:26157 等領(lǐng)域。本文將對(duì)IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理進(jìn)行詳細(xì)介紹。 一、IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu) IGBT主要由四層半導(dǎo)體材料構(gòu)成，分別是P型、N型、P型和N型。從上到下依次為：發(fā)射極、集電極、P型基區(qū)和N型基區(qū)。在P型基區(qū)和N型基區(qū)之間有一個(gè)PN結(jié)，這個(gè)PN結(jié)被稱為內(nèi)建
2024-01-10 16:13:10373 
它們對(duì)飽和區(qū)的定義有一些差別。 首先，讓我們從基本原理開始理解飽和區(qū)。在晶體管中，飽和區(qū)是電流最大的區(qū)域，通常被用來實(shí)現(xiàn)開關(guān)操作。晶體管在飽和區(qū)工作時(shí)，處于最低的電壓狀態(tài)，導(dǎo)通電流較大。然而，飽和區(qū)的定義在IGBT和MOSFET之間有所區(qū)別。 IGBT是一種三極管結(jié)構(gòu)
2024-02-18 14:35:35327
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論