電機、賽米控等,而國內(nèi)IGBT主要廠商有斯達半導(dǎo)體、中車、廣東芯聚能、宏微科技等。目前國內(nèi)外IGBT實力相差懸殊,但隨著新基建、新能源汽車等發(fā)展,國內(nèi)IGBT已經(jīng)初具規(guī)模,并在不斷縮小與國外廠商的差距。 一、 IGBT市場分析 IGBT供不應(yīng)求,行業(yè)持續(xù)向好發(fā)展,
2020-07-27 10:28:098757 功率半導(dǎo)體器件種類眾多,按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類,其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大,是最主要的品類。
2020-11-25 16:45:502363 IGBT功率模塊是電壓型控制,輸入阻抗大,驅(qū)動功率小,控制電路簡單,開關(guān)損耗小,通斷速度快,工作頻率高,元件容量大等優(yōu)點。
2020-03-24 09:01:13
可靠性與能效是當(dāng)今逆變器設(shè)計考慮的兩個主要因素。英飛凌全新EconoPACK TM 4將強健的模塊設(shè)計與全新高能效IGBT4和EmCon4二極管技術(shù)融合在一起?;谧钚录夹g(shù)的功率半導(dǎo)體器件進入
2018-12-07 10:23:42
的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上;IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點;當(dāng)前市場上銷售的多為此
2021-09-09 08:27:25
是安裝不便,功率單元結(jié)構(gòu)復(fù)雜,維護不如模塊式方便。綜合利弊,當(dāng)電流大于200A(尤其是500A以上)的半導(dǎo)體器件上首選平板式結(jié)構(gòu),已經(jīng)是業(yè)內(nèi)共識,只是IGBT受管芯制作原理的限制,目前無法制造成大功率
2018-10-17 10:05:39
IGBT賽道,如芯聚能半導(dǎo)體于2019年9月開啟25億元的投資項目,目標(biāo)面向新能源汽車用功率模塊;
接下來為大家盤點國內(nèi)的IGBT企業(yè)(注:排名不分先后,不完全統(tǒng)計)
圖-9:IGBT模塊國內(nèi)廠商分布情況
2023-10-16 11:00:14
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點除了IGBT外,功率半導(dǎo)體元器件(晶體管領(lǐng)域)的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等,它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
2019-05-06 05:00:17
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點除了IGBT外,功率半導(dǎo)體元器件(晶體管領(lǐng)域)的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等,它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
2019-03-27 06:20:04
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET,常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC,常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
點擊: 功率半導(dǎo)體器件 &
2008-08-03 17:05:29
功率半導(dǎo)體基本開關(guān)原理
2011-05-03 22:07:52
`本書主要針對的是半導(dǎo)體使用客戶,并把基礎(chǔ)理論作了簡單的闡述歸納總結(jié)。本手冊站在用戶的角度上,去了解IGBT、MOSFET功率模塊以及零散或集成的二極管和晶閘管(可控硅)。詳細(xì)介紹了它們的基本數(shù)
2018-09-06 16:30:02
功率半導(dǎo)體的工作原理.資料來自網(wǎng)絡(luò)資源分享
2021-08-06 22:54:59
所在各類半導(dǎo)體功率器件中,未來增長強勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前,全球功率半導(dǎo)體市場仍由歐美日企業(yè)主導(dǎo),其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對領(lǐng)先地位。全球功率半導(dǎo)體前十名供應(yīng)商
2022-11-11 11:15:56
近年來,全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前,我國已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測基地。如IDM類(吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
請教下以前的[半導(dǎo)體技術(shù)天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
功率半導(dǎo)體的熱管理對于元件運行的可靠性和使用壽命至關(guān)重要。本設(shè)計實例介紹的愛普科斯(EPCOS)負(fù)溫度系數(shù)(NTC)和正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻系列,可以幫助客戶可靠地監(jiān)測半導(dǎo)體元件的溫度。
2020-08-19 06:50:50
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
及新能源汽車要求在600V-1200V,而軌道交通要求最高,范圍在3300V-6500V之間。圖表4 功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用及工作頻率(來源:Applied Materials)注:IPM即智能功率模塊,常見類型有IGBT類本文來源:來源:寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟
2019-02-26 17:04:37
作為國家科技重大專項——智能電網(wǎng)高壓芯片封裝與模塊技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目的中國北車永濟電機公司以其研制的3300V IGBT器件產(chǎn)品,日前中標(biāo)國家智能電網(wǎng)項目,成為我國首個高壓大功率IGBT產(chǎn)品批量
2015-01-30 10:18:37
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類,元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體,化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍,非常適合
2019-07-29 07:16:49
(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小
2012-06-19 11:36:58
直接影響轉(zhuǎn)換器的體積、功率密度和成本。 然而,所使用的半導(dǎo)體開關(guān)遠(yuǎn)非理想,并且由于開關(guān)轉(zhuǎn)換期間電壓和電流之間的重疊而存在開關(guān)損耗。這些損耗對轉(zhuǎn)換器工作頻率造成了實際限制。諧振拓?fù)淇梢酝ㄟ^插入額外的電抗
2023-02-21 16:01:16
什么是堆疊式共源共柵?低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性?低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢?
2021-06-26 06:14:32
所在各類半導(dǎo)體功率器件中,未來增長強勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前,全球功率半導(dǎo)體市場仍由歐美日企業(yè)主導(dǎo),其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對領(lǐng)先地位。全球功率半導(dǎo)體前十名供應(yīng)商
2022-11-11 11:50:23
所在各類半導(dǎo)體功率器件中,未來增長強勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前,全球功率半導(dǎo)體市場仍由歐美日企業(yè)主導(dǎo),其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對領(lǐng)先地位。全球功率半導(dǎo)體前十名供應(yīng)商
2022-11-11 11:46:29
變速驅(qū)動的需求是什么兼顧性能、成本的高壓功率半導(dǎo)體驅(qū)動IC應(yīng)用
2021-04-21 07:06:40
升級到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
公司的主要從事新能源汽車及傳統(tǒng)燃油汽車在內(nèi)的汽車業(yè)務(wù)、手機部件及組裝業(yè)務(wù)、二次充電電池及光伏業(yè)務(wù),并積極拓展城市軌道交通業(yè)務(wù)領(lǐng)域;而比亞迪半導(dǎo)體主營功率半導(dǎo)體、智能控制 IC、智能傳感器及光電半導(dǎo)體
2021-05-14 20:17:31
國貨之光!比亞迪半導(dǎo)體IGBT帶快速恢復(fù)二極管,變頻器,逆變器,UPS,焊機,
2022-09-29 19:02:44
電機驅(qū)動市場特別是家電市場對系統(tǒng)的能效、尺寸和穩(wěn)健性的要求越來越高?! 闈M足市場需求,意法半導(dǎo)體針對不同的工況提供多種功率開關(guān)技術(shù),例如, IGBT和最新的超結(jié)功率MOSFET。 本文在實際
2018-11-20 10:52:44
中方合作伙伴是激光器、機械及工具制造商,醫(yī)療器械生產(chǎn)商或太陽能、半導(dǎo)體領(lǐng)域的設(shè)備制造商。半導(dǎo)體激光器模塊輸出模式:耦合輸出和準(zhǔn)直自由光輸出(光斑大小可定義) 輸出功率:60W、120W、160W
2009-12-08 09:34:25
大功率半導(dǎo)體激光電源 輸出功率涵蓋10W至500W,具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率半導(dǎo)體直接輸出激光器介紹直接半導(dǎo)體激光器輸出功率涵蓋10W至500W,具有更高的電光轉(zhuǎn)換效率,輸出功率穩(wěn)定。200W以下
2021-12-29 07:24:31
最新的電源模塊,結(jié)合高能效與強固的物理和電氣設(shè)計,用于要求嚴(yán)苛的工業(yè)應(yīng)用。展出的電動工具演示將向觀眾演示安森美半導(dǎo)體的電源模塊如何幫助實現(xiàn)緊湊、高能效的設(shè)計,以支持較長的電池使用壽命。功率模塊是電源轉(zhuǎn)換
2018-10-30 09:06:50
手機配件, 回收英飛凌IGBT模塊,回收功率模塊,回收IGBT模塊、IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點。電話151-5220-9946 QQ 2360670759
2021-12-16 16:51:05
器件集成在一起的模塊。它首先是將半導(dǎo)體器件MOSFET, IGBT或MCT 與二極管的芯片封裝在一起組成一個積木單元,然后將這些積木單元迭裝到開孔的高電導(dǎo)率的絕緣陶瓷襯底上,在它的下面依次是銅基板
2019-03-03 07:00:00
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些?
2021-11-02 07:13:30
`根據(jù)Yole Developpement指出,氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導(dǎo)體市場快速發(fā)展,從而使專業(yè)的半導(dǎo)體企業(yè)受惠;另一方面,他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際
2015-09-15 17:11:46
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
模塊化,按最初的定義是把兩個或兩個以上的電力半導(dǎo)體芯片按一定的電路結(jié)構(gòu)相聯(lián)結(jié),用RTV、彈性硅凝膠、環(huán)氧樹脂等保護材料,密封在一個絕緣的外殼內(nèi),并且與導(dǎo)熱底板相絕緣而成的。
2019-11-11 09:02:31
集成嵌入式功率半導(dǎo)體在電動車窗中有何應(yīng)用?
2021-05-14 06:11:55
在一些要求高可靠性的應(yīng)用場合,希望功率半導(dǎo)體器件可以穩(wěn)定運行30年以上。為了達到這個目標(biāo),三菱電機開發(fā)了X系列高壓IGBT模塊,特別注重了可靠性方面的設(shè)計,并在實際的環(huán)境條件下進行了驗證,結(jié)果顯示失效率可以得到明顯降低。本文著介紹在IGBT數(shù)據(jù)手冊上看不到的一些特性。
2019-07-30 06:01:40
IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是電源應(yīng)用中相當(dāng)常見的器件,可用于交流電的電機控制輸出。由安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)所推出
2019-07-18 06:12:00
服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半導(dǎo)體器件等分立器件,以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認(rèn)證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
三菱電機推出新一代功率半導(dǎo)體模塊
三菱電機株式會社推出新一代功率半導(dǎo)體模塊:第6代NX系列IGBT模塊。第6代NX系列IGBT模塊用于驅(qū)動一般工業(yè)變頻
2010-03-24 18:01:351137 賽米控推出其最新的MiniSKiiP IGBT功率半導(dǎo)體模塊,該模塊目前也可提供三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。與競爭對手的產(chǎn)品相比,新模塊擁有4.9 A/cm2的額定電流
2011-05-06 08:34:24870 《IGBT場效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)論》以新一代半導(dǎo)體功率器件IGBT為主線,系統(tǒng)地論述了場效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件的基礎(chǔ)理論和工藝制作方面的知識,內(nèi)容包括器件的原理、模型、設(shè)計、制
2011-11-09 18:03:370 安森美半導(dǎo)體是領(lǐng)先的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商,提供全面的功率器件,包括MOSFET、IGBT、二極管、寬帶隙(WBG)等分立器件及智能功率模塊(IPM)等功率模塊,尤其在收購Fairchild半導(dǎo)體
2017-05-16 16:43:393604 本文介紹了什么是功率半導(dǎo)體器件,對功率半導(dǎo)體器件分類和功率半導(dǎo)體器件優(yōu)缺點進行了分析,分析了功率半導(dǎo)體模塊的發(fā)展趨勢以及功率半導(dǎo)體器件的基本功能和用途。
2018-01-13 09:19:4317515
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