IGBT的優(yōu)缺點(diǎn)

所謂IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT（雙極結(jié)型晶體三極管） 和 MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管） 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件，其具有自關(guān)斷的特征。

簡(jiǎn)單講，是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān)，IGBT沒(méi)有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開(kāi)時(shí)當(dāng)做開(kāi)路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。

IGBT的優(yōu)缺點(diǎn)

既然IGBT作為一個(gè)兼有BJT和MOS管的整體，所以往往它的優(yōu)缺點(diǎn)其實(shí)也非常明顯，下面我給大家羅列一下IGBT常見(jiàn)的優(yōu)缺點(diǎn)。

優(yōu)點(diǎn)：

1、具有更高的電壓和電流處理能力。

2、極高的輸入阻抗。

3、可以使用非常低的電壓切換非常高的電流。

4、電壓控制裝置，即它沒(méi)有輸入電流和低輸入損耗。

5、柵極驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單且便宜，降低了柵極驅(qū)動(dòng)的要求

6、通過(guò)施加正電壓可以很容易地打開(kāi)它，通過(guò)施加零電壓或稍微負(fù)電壓可以很容易地關(guān)閉它。

7、具有非常低的導(dǎo)通電阻。

8、具有高電流密度，使其能夠具有更小的芯片尺寸。

9、具有比 BJT 和 MOS 管更高的功率增益。

10、具有比 BJT 更高的開(kāi)關(guān)速度。

11、可以使用低控制電壓切換高電流電平。

12、雙極性質(zhì)，增強(qiáng)了傳導(dǎo)性。

13、安全可靠。

缺點(diǎn)：

1、開(kāi)關(guān)速度低于 MOS管。

2、因?yàn)槭菃蜗虻模跊](méi)有附加電路的情況下無(wú)法處理AC波形。

3、不能阻擋更高的反向電壓。

4、比 BJT 和 MOS管價(jià)格更高。

5、類(lèi)似于晶閘管的P-N-P-N結(jié)構(gòu)，因此它存在鎖存問(wèn)題。