電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）作為第三代半導體材料核心，碳化硅（SiC）與其它半導體產(chǎn)品去庫存的市場節(jié)奏截然不同。市場中高性能碳化硅仍然持續(xù)緊缺，并且隨著新能源汽車的蓬勃發(fā)展，也帶動著碳化硅市場熱度
2023-07-07 01:15:00
943 發(fā)展到以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代以及以氧化鎵、氮化鋁為代表的第四代半導體。目前以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體器件正發(fā)展得如火如荼，在商業(yè)化道路上高歌猛進。 ? 與此同時，第四代半導體材料的研究也頻頻取得
2023-04-02 01:53:366100 
證監(jiān)會官網(wǎng)最新披露，碳化硅（SiC）領域的領軍企業(yè)芯三代半導體科技（蘇州）股份有限公司（簡稱“芯三代”）已在江蘇證監(jiān)局完成輔導備案登記，計劃首次公開發(fā)行股票并上市。
2024-03-15 16:52:33425 2月27日，第三代半導體碳化硅材料生產(chǎn)基地在寶安區(qū)啟用，由深圳市重投天科半導體有限公司（以下簡稱“重投天科”）建設運營，預計今年襯底和外延產(chǎn)能達25萬片
2024-02-29 14:09:14234 總計投資32.7億元人民幣的第三代半導體碳化硅材料生產(chǎn)基地是中共廣東省委和深圳市委重點關注的項目之一，同時也是深圳全球招商大會的重點簽約項目。
2024-02-28 16:33:34335 證監(jiān)會近日公告顯示，深圳市納設智能裝備股份有限公司（簡稱“納設智能”）已正式開啟首次公開發(fā)行股票并上市的輔導備案程序。該公司專注于第三代半導體碳化硅（SiC）外延設備以及石墨烯等先進材料的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和應用推廣，是國產(chǎn)碳化硅外延設備的領軍企業(yè)。
2024-02-26 17:28:02487 共讀好書 碳化硅是第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效
2024-02-21 18:24:15410 
隨著能源危機和環(huán)境污染日益加劇，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、智能電網(wǎng)等領域的應用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導體材料的代表，具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點，被譽為“未來電力電子的新星”。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應用領域以及未來發(fā)展趨勢。
2024-02-21 09:27:13209 以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導體材料具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換和微波信號傳輸能力，能滿足高頻、高溫、大功率和抗輻射電子器件的需求。
2024-02-20 10:03:25336 
在清潔能源、電動汽車的發(fā)展趨勢下，近年來第三代半導體碳化硅和氮化鎵受到了史無前例的關注，市場以及資本都在半導體行業(yè)整體下行的階段加大投資力度，擴張規(guī)模不斷擴大。在過去的2023年，全球第三代半導體
2024-02-18 00:03:002542 碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。
2024-01-24 16:42:04840 
第二代半導體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表。第三代半導體材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、硒化鋅（ZnSe）等，因其禁帶寬度較大，又被 稱為寬禁帶半導體材料。
2024-01-23 10:06:04258 
碳化硅是第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。
2024-01-20 17:18:29502 
第三代半導體功率器件及模塊整體解決方案提供商，專注于提供第三代半導體功率器件和模塊整體解決方案的芯片公司。主要產(chǎn)品包括SiC SBD，SiC MOSFET，GaN HEMT等第三代半導體功率器件和模塊
2024-01-19 14:55:55
第三代半導體功率器件及模塊整體解決方案提供商，專注于提供第三代半導體功率器件和模塊整體解決方案的芯片公司。主要產(chǎn)品包括SiC SBD，SiC MOSFET，GaN HEMT等第三代半導體功率器件和模塊
2024-01-19 14:53:16
今日（1月18日），意法半導體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導體功率模塊和先進電力電子變換系統(tǒng)的中國高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動汽車車載空調(diào)中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。
2024-01-19 09:48:16254 
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，因其寬禁帶寬度、高擊穿電場強度和高熱導率等優(yōu)異性能，在眾多高端應用領域表現(xiàn)出色，已成為半導體材料技術(shù)的重要發(fā)展方向之一。SiC襯底分為導電型和半絕緣型兩種，各自適用于不同的外延層和應用場景。
2024-01-17 09:38:29306 
第三代半導體性能優(yōu)越，應用場景更廣。半導體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應用場景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導體材料逐漸進入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。相較
2024-01-16 10:48:49314 
同為第三代半導體材料，氮化鎵時常被人用來與碳化硅作比較，雖然沒有碳化硅發(fā)展的時間久，但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、飽和電子漂移速度高和抗輻射能力強等特點展現(xiàn)了它的優(yōu)越性。
2024-01-10 09:53:29559 
碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 。 ? 第三代半導體是以碳化硅、氮化鎵等為代表的寬禁帶半導體材料。某機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2022年，國內(nèi)有超26家碳化硅企業(yè)拿到融資。而根據(jù)電子發(fā)燒友的不完全統(tǒng)計，今年光上半年就有32家碳化硅企業(yè)拿到融資。2023全年第三代半導體行業(yè)融資超
2024-01-09 09:14:331408 
車用SiC碳化硅的五大難點和應對方案近年來，包括SiC在內(nèi)的第三代半導體器件在汽車上的應用比例與日俱增。但在專業(yè)人士看來，這并不會是一個簡單的事情。一以車用引線框架來看，盡管Si、碳化硅/氮化鎵引線
2024-01-06 14:22:15410 
近日，Nexperia（安世半導體）憑借其在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）領域的杰出表現(xiàn)，榮獲兩項權(quán)威大獎：“SiC年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎”和“中國GaN功率器件十強”。這一榮譽充分展示了安世半導體作為基礎半導體全球領導者的強大實力，以及其在三代半領域的深厚積累。
2024-01-03 15:46:13402 鎵（GaN）半導體： 氮化鎵是一種二元復合半導體（由氮和鎵元素構(gòu)成），具有較大的禁帶寬度（3.4電子伏特）。它是一個具有六方晶系結(jié)構(gòu)的材料，并且具有較高的熱穩(wěn)定性和寬溫度范圍的應用特性。 碳化硅（SiC）半導體： 碳化硅是
2023-12-27 14:54:18326 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 芯聯(lián)集成已全力挺進第三代半導體市場，自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術(shù)的研究開發(fā)與產(chǎn)能建設。短短兩年間，芯聯(lián)集成便已成功實現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新的三次重大飛躍，器件性能與國際頂級企業(yè)齊肩，并且已穩(wěn)定實現(xiàn)6英寸5000片/月碳化硅MOSFET芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。
2023-12-26 10:02:38247 以SiC為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，也是目前晶體生產(chǎn)技術(shù)和器件制造水平最成熟，應用最廣
2023-12-25 17:05:22525 半導體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應于半導體行業(yè)的發(fā)展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導體也因而誕生。
2023-12-21 15:12:20817 
家 SiC、GaN 企業(yè)代表來共同見證第三代半導體的蓬勃發(fā)展。Nexperia（安世半導體）榮獲權(quán)威認證，將「SiC年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎」與「中國GaN 功率器件十強」兩項大獎收入囊中，展現(xiàn)了其作為基礎半導體全球領導者的強大實力與深耕三代半領域的決心。
2023-12-21 11:37:25681 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:33455 
第三代半導體碳化硅材料生產(chǎn)及研究開發(fā)企業(yè)作為中國電科集團的“12大創(chuàng)新平臺之一，山西爍科晶體有限公司聚焦碳化硅單晶襯底領域，已成為國內(nèi)實現(xiàn)碳化硅襯底材料供應鏈自主創(chuàng)新的供應商之一。
2023-12-11 10:46:37463 碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種常見的寬禁帶半導體材料，在電子、光電和功率電子等領域中具有廣泛的應用前景。雖然它們都是寬禁帶半導體材料，但是碳化硅和氮化鎵在物理性質(zhì)
2023-12-08 11:28:51739 碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導體級質(zhì)量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23437 基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料。
2023-11-14 09:04:13491 第三代半導體技術(shù)以及碳化硅(SiC)材料，正迅速崛起并且在科技產(chǎn)業(yè)中引起廣泛關注，這兩個領域的結(jié)合，為我們帶來了前所未有的機會和挑戰(zhàn)，將深刻改變我們的生活方式、產(chǎn)業(yè)發(fā)展，甚至全球經(jīng)濟格局。
2023-11-08 14:59:01512 
氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導體材料之后的第三代半導體材料，今天金譽半導體帶大家來簡單了解一下，這個材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12662 
泵、空調(diào)等汽車系統(tǒng)，產(chǎn)品優(yōu)點包括高功率密度、設計高度緊湊和裝配簡易等，提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置，增強了系統(tǒng)設計靈活性。 ? 新模塊內(nèi)置1200VSiC功率開關管，意法半導體第二代和第三代 SiC MOSFET先進技術(shù)確保碳化硅開關管具有很低的導通電阻RDS(o
2023-10-30 16:03:10262 公司之一， GeneSiC 為政府機構(gòu)開發(fā)了尖端的碳化硅技術(shù)?， 重點關注性能和穩(wěn)健性， 并發(fā)布了幾代碳化硅二極管和 MOSFET 技術(shù)，額定值高達 6.5 kV 在各種封裝中以及裸片. 2022年， 納微半導體收購了GeneSiC半導體， 創(chuàng)建了業(yè)界唯一一家專注于SiC和GaN的純下一代功率半導體公司
2023-10-25 16:32:01603 
近年來，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導體材料成為全球半導體市場熱點之一。
2023-10-16 14:45:06694 隨著科技的不斷進步，電力電子領域正在發(fā)生著深刻的變化。在這個變化中，第三代半導體氮化鎵（GaN）技術(shù)成為了焦點，其對于充電器的性能和效率都帶來了革命性的影響。
在傳統(tǒng)的硅基材料中，電力電子器件
2023-10-11 16:30:48250 第三代寬禁帶半導體SiC和GaN在新能源和射頻領域已經(jīng)開始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導體相比，第三代半導體具有許多優(yōu)勢，這些優(yōu)勢源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
2023-10-10 16:34:28295 
碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領域，處于寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎的核心關鍵材料。
2023-10-09 16:38:06525 
點擊藍字?關注我們 寬禁帶半導體是指具有寬禁帶能隙的半導體材料，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性，因此具有廣泛應用前景。根據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)的數(shù)據(jù)
2023-10-08 19:15:02262 作為第三代功率半導體的絕世雙胞胎，氮化鎵MOS管和碳化硅MOS管日益受到業(yè)界特別是電氣工程師的關注。電氣工程師之所以如此關注這兩種功率半導體，是因為它們的材料與傳統(tǒng)的硅材料相比具有許多優(yōu)點。
氮化
2023-10-07 16:21:18324 
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半導體行業(yè)主要進步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應用領域包括：新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等現(xiàn)代工業(yè)領域，在
2023-10-07 10:12:26
根據(jù)研究和規(guī)?；瘧玫臅r間先后順序，業(yè)內(nèi)將半導體材料劃分為三代。常見的半導體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料。 第一代半導體材料以硅和鍺等元素半導體為代表。
2023-09-28 12:57:43482 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導體器件中，碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
隨著全球進入物聯(lián)網(wǎng)、5G、綠色能源和電動汽車時代，能夠充分展現(xiàn)高電壓、高溫和高頻能力、滿足當前主流應用需求的寬禁帶半導體高能量轉(zhuǎn)換效率半導體材料開始成為市場寵兒，開啟了第三代半導體的新紀元。
2023-09-22 15:40:41476 
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，它突破硅基半導體材料物理限制，成為第三代半導體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢引領功率器件新變革。
2023-09-19 15:55:20893 
? 新能源汽車和光伏、儲能設施在全球加速普及，為第三代半導體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機。 長電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿，多年來面向第三代半導體功率器件
2023-09-19 10:20:38379 能與成本?未來有何發(fā)展目標?...... 前言： 憑借功率密度高、開關速度快、抗輻照性強等優(yōu)點，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料被廣泛應用于電力電子、光電子學和無線通信等領域，以提高設備性能和效率，并成為當前半導
2023-09-18 16:48:02365 新能源汽車和光伏,儲能設施在全球加速普及,為第三代半導體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機。長電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿,多年來面向第三代半導體功率器件開發(fā)
2023-09-18 16:11:25261 材料領域中，第一代、第二代、第三代沒有“一代更比一代好”的說法。氮化鎵、碳化硅等材料在國外一般稱為寬禁帶半導體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物半導體，或?qū)?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵、砷化鎵、磷化銦制成
2023-09-12 16:19:271932 
近年來，氧化鎵（Ga2O3）半導體受到世界各國科研和產(chǎn)業(yè)界的普遍關注。氧化鎵具有4.9 eV的超寬禁帶，高于第三代半導體碳化硅（SiC）的3.2 eV和氮化鎵（GaN）的3.39 eV。
2023-09-11 10:24:44266 
氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且機械性能非常穩(wěn)定的寬禁帶半導體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關速度、更高的熱導率和更低的導通電阻，GaN基功率器件明顯優(yōu)于硅基器件。
GaN晶體可以在各種
2023-09-08 15:11:18535 
碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料, 具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導率、強化學穩(wěn)定性等優(yōu)良特性
2023-08-31 16:13:05580 
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發(fā)展，碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221041 碳化硅（SiC）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的半導體化合物，屬于寬帶隙（WBG）材料家族。
2023-08-12 11:46:08468 第三代半導體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應用于新能源汽車、光伏、工控等領域。因此第三代半導體研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
2023-08-11 10:17:54915 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/莫婷婷）在綠色低碳的發(fā)展背景下，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體成為市場的焦點和話題。根據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)Yole的預測，到2025年全球以半絕緣型襯底制備
2023-08-11 00:11:001484 碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或?qū)⑵渑c鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導體級質(zhì)量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451092 如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導體因其高頻性能效好主要是用于射頻領域，碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。
2023-07-25 10:52:23405 材料如氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）逐漸嶄露頭角。這些新型半導體材料在射頻和功率應用中的性能優(yōu)勢，正在促使它們的市場份額穩(wěn)步增長。
2023-07-05 10:26:131316 
8億元資金，用于SiC材料研發(fā)制造總部項目、SiC材料研發(fā)項目等。 志橙半導體成立于2017年，聚焦半導體設備的碳化硅涂層石墨零部件產(chǎn)品，并提供相關碳化硅涂層服務，主要產(chǎn)品可用于碳化硅外延設備、MOCVD設備、硅外延設備等多種半導體設備反應腔內(nèi)。 根據(jù)QY Resea
2023-06-29 00:40:002175 
SiC作為第三代半導體材料具有優(yōu)越的性能，相比于前兩代半導體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、熱導率高、電子飽和速率高以及抗輻射能力強等特點，已成為目前應用最廣、市占率最高的第三代半導體
2023-06-28 11:19:14559 
碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有許多優(yōu)勢和廣泛的應用前景。
2023-06-28 09:58:092317 
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩(wěn)定性的寬帶隙半導體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
的設計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業(yè)生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
當前，第三代半導體中的碳化硅功率器件，在導通電阻、阻斷電壓和結(jié)電容方面，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率器件。因此，碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢。面對當前行業(yè)發(fā)展新趨勢，威邁斯等新能源汽車
2023-06-15 14:22:38357 
日前，2023中關村論壇“北京（國際）第三代半導體創(chuàng)新發(fā)展論壇”上，科技部黨組成員、副部長相里斌表示，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體具有優(yōu)異的性能，在信息通信、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車等領域有巨大的市場。
2023-06-15 11:14:08313 對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。
2023-06-12 10:17:171813 
作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界，特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導體，是因為其材料與傳統(tǒng)的硅材料相比有諸多的優(yōu)點，如圖1所示。
2023-06-07 14:43:01962 
第三代半導體設備 第三代半導體設備主要為SiC、GaN材料生長、外延所需的特種設備，如SiC PVT單晶生長爐、CVD外延設備以及GaN HVPE單晶生長爐、MOCVD外延設備等。
2023-06-03 09:57:01787 
成長期。而國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過前期產(chǎn)能部署和產(chǎn)線建設，國產(chǎn)第三代半導體產(chǎn)品相繼開發(fā)成功并通過驗證，技術(shù)穩(wěn)步提升，產(chǎn)能不斷釋放，國產(chǎn)碳化硅(SiC）器件及模塊開始“上機”，生態(tài)體系逐漸完善，自主可控能力不斷增強，整體競爭實力日益提升。
2023-05-30 14:15:56534 
確立，產(chǎn)業(yè)步入快速成長期。而國內(nèi)第三代半導體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過前期產(chǎn)能部署和產(chǎn)線建設，國產(chǎn)第三代半導體產(chǎn)品相繼開發(fā)成功并通過驗證，技術(shù)穩(wěn)步提升，產(chǎn)能不斷釋放，國產(chǎn)碳化硅(SiC）器件及模塊開始“上機”，生態(tài)體系逐漸完善，自主可控能力
2023-05-30 09:40:59568 
硅（Si）是電子產(chǎn)品中常用的純半導體的一個例子。鍺（Ge）是另一種純半導體，用于一些最早的電子設備。半導體也由化合物制成，包括砷化鎵 （GaAs）、氮化鎵 （GaN）、硅鍺 （SiGe） 和碳化硅 （SiC）。我們稍后將回到最后一項。
2023-05-24 11:26:141681 本文我們將重點介紹第三代半導體中的碳化硅（SiC），與下文氮化鎵（GaN）的形式統(tǒng)一如何助力軌道交通完成“碳達峰”目標，并為大家推薦貿(mào)澤電子在售的領先的SiC元器件精品。
2023-05-19 10:48:58589 
所謂第三代半導體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料，又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AIN）、氧化鋅（ZnO）和金剛石等，其中
2023-05-18 10:57:361018 GaN+SiC=每年200億美元的市場規(guī)模？ 是的！眾所周知，第三代半導體（以氮化鎵GaN和碳化硅SiC為主），憑借在 電子遷移率、功率密度、熱穩(wěn)定性 等方面具有優(yōu)異的性能，可以用于制造 高效、高速
2023-05-12 14:53:261328 
碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導體材料。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅具有禁帶寬
2023-05-10 09:43:241338 
第95期什么是寬禁帶半導體？半導體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:461674 
第三代半導體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442618 
半導體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2023-05-05 17:46:226172 
援引英飛凌科技股份公司2023年5月3日官網(wǎng)消息： 【英飛凌公司正推動其碳化硅（SiC）供應商體系多元化，并與中國碳化硅材料供應商北京天科合達半導體股份有限公司簽訂了一份長期供貨協(xié)議，以確保獲得更多
2023-05-04 14:21:06438 隨著碳化硅等第三代半導體材料的制備和研究工作取得巨大的進展，對基于碳化硅材料的紫外探測器件的研究得到了業(yè)界更多的關注。
2023-04-24 16:54:091597 
本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導體晶圓制程中的應用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理，并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應用進行了介紹。
2023-04-23 09:58:27712 
按照電學性能的不同，碳化硅材料制成的器件分為導電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件，兩種類型碳化硅器件的終端應用領域不同。導電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導電型襯底上生長碳化硅外延層后進一步加工制成
2023-04-21 14:14:372436 社會的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料，因為碳化硅相較于硅材料可進一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器，但其具有極為廣泛的應用前景，包括車輛電氣化和工業(yè)設備
2023-04-11 15:29:18
第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
2023-04-04 14:46:2912681 電子器件的使用環(huán)境逐漸惡劣，航空航天、石油探測領域前景廣闊，在熱導率、擊穿場等上的要求更高，那么以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的第三代半導體材料起到了極大的作用。
2023-03-24 13:58:281323
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