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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>利用DDR3數(shù)據(jù)眼圖測(cè)試來(lái)實(shí)現(xiàn)快速檢查信號(hào)質(zhì)量

利用DDR3數(shù)據(jù)眼圖測(cè)試來(lái)實(shí)現(xiàn)快速檢查信號(hào)質(zhì)量

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充八萬(wàn)發(fā)布于 2023-08-19 04:26:13

32 31.DDR3實(shí)例:基于在線邏輯分析儀調(diào)試DDR3數(shù)據(jù)讀寫 - 第1節(jié)

DDR3數(shù)據(jù)串口通信代碼狀態(tài)機(jī)邏輯分析儀
充八萬(wàn)發(fā)布于 2023-08-19 04:25:22

68 第20.3講 DDR3實(shí)驗(yàn)-DDR3初始化 校準(zhǔn) 超頻測(cè)試 - 第7節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

DDR3數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)程序函數(shù)
充八萬(wàn)發(fā)布于 2023-08-17 07:58:15

68 第20.3講 DDR3實(shí)驗(yàn)-DDR3初始化 校準(zhǔn) 超頻測(cè)試 - 第6節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

DDR3數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)程序函數(shù)
充八萬(wàn)發(fā)布于 2023-08-17 07:57:25

68 第20.3講 DDR3實(shí)驗(yàn)-DDR3初始化 校準(zhǔn) 超頻測(cè)試 - 第5節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

DDR3數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)程序函數(shù)
充八萬(wàn)發(fā)布于 2023-08-17 07:56:35

關(guān)于MCU200T的DDR3的配置和原理的問(wèn)題

MCU200T的DDR3在官方給的如下圖兩份文件中都沒(méi)有詳細(xì)的介紹。 在introduction文件中只有簡(jiǎn)略的如下圖的一句話的介紹 在schematic文件中也沒(méi)有明確表明每個(gè)接口的具體信息
2023-08-17 07:37:34

DDR電路的PCB布局布線要求

GND回流過(guò)孔,盡可能增加GND回流過(guò)孔數(shù)量,可以進(jìn)一步改善信號(hào)質(zhì)量,如下圖所示。 3、GND過(guò)孔和信號(hào)過(guò)孔的位置會(huì)影響信號(hào)質(zhì)量,建議GND過(guò)孔和信號(hào)過(guò)孔交叉放置,如下圖所示,雖然同樣是4個(gè)GND回流
2023-08-16 15:15:53

從里可以找到DDR200T的DDR3的配置和約束文件?

在配置DDR200T的DDR3時(shí),一些關(guān)鍵參數(shù)的選擇在手冊(cè)中并沒(méi)有給出,以及.ucf引腳約束文件也沒(méi)有提供,請(qǐng)問(wèn)這些信息應(yīng)該從哪里得到?
2023-08-16 07:02:57

DDR3緩存模塊仿真平臺(tái)構(gòu)建步驟

復(fù)制Vivado工程路徑vivado_prj\at7.srcs\sources_1\ip\mig_7series_0下的mig_7series_0文件夾。粘貼到仿真路徑testbench\tb_ddr3_cache(新建用于DDR3仿真的文件夾)下。
2023-08-12 11:08:27735

請(qǐng)問(wèn)PH1A100是否支持DDR3,DDR4?

PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32

xilinx平臺(tái)DDR3設(shè)計(jì)教程之設(shè)計(jì)篇_中文版教程3

xilinx平臺(tái)DDR3設(shè)計(jì)教程之設(shè)計(jì)篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58

PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 09:50:470

DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR的區(qū)別

DDR是Double Data Rate的縮寫,即“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR是一種技術(shù),中國(guó)大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM,而在中國(guó)臺(tái)灣以及歐美,工程師習(xí)慣用DRAM來(lái)稱呼。
2023-07-16 15:27:103365

關(guān)于DDR3設(shè)計(jì)思路分享

DDR3的速度較高,如果控制芯片封裝較大,則不同pin腳對(duì)應(yīng)的時(shí)延差異較大,必須進(jìn)行pin delay時(shí)序補(bǔ)償。
2023-07-04 09:25:38312

高速設(shè)計(jì):用于DDR3/DDR4的xSignal

DDR4
Altium發(fā)布于 2023-06-25 17:49:32

從零開始學(xué)習(xí)紫光同創(chuàng)FPGA——PGL22G開發(fā)板之DDR3 IP簡(jiǎn)單讀寫測(cè)試(六)

AXI4讀寫控制模塊** 本次實(shí)驗(yàn)只是一個(gè)簡(jiǎn)單的讀寫測(cè)試實(shí)驗(yàn),故可以將一些AXI4的信號(hào)配置為常量。 使用按鍵控制數(shù)據(jù)開始寫入DDR3,通過(guò)一個(gè)移位寄存器來(lái)產(chǎn)生這個(gè)寫標(biāo)志。 使用狀態(tài)機(jī)來(lái)控制寫地址信號(hào),寫
2023-06-25 17:10:00

利用IBERT核對(duì)GTX收發(fā)器板級(jí)測(cè)試

。若信號(hào)傳輸質(zhì)量不夠理想,可以通過(guò)在serial I/O link的參數(shù)設(shè)置進(jìn)行調(diào)整,再重新掃描查看是否有改善。 為了測(cè)試GTX四個(gè)通道的誤碼率,創(chuàng)建多個(gè)links,對(duì)四個(gè)通道都進(jìn)行近端環(huán)回測(cè)試
2023-06-21 11:23:12

改善帶有ECC奇數(shù)負(fù)載的DDR2信號(hào)質(zhì)量的方法

這里介紹兩種方式改善帶有ECC的奇數(shù)負(fù)載的DDR2信號(hào)質(zhì)量。一種不需要改變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),另一種需要對(duì)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)整。
2023-06-15 17:39:34474

基于FPGA的DDR3多端口讀寫存儲(chǔ)管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)

視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構(gòu)選擇。視頻處理和圖形生成需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù),F(xiàn)PGA內(nèi)部的存儲(chǔ)資源無(wú)法滿足存儲(chǔ)需求,因此需要配置外部存儲(chǔ)器。 ??? 與DDR2 SDRAM相比,DDR3 SDRAM帶寬更好高、傳輸速率更快且更省電,能夠滿足吞吐量大、功耗低的需求,因此
2023-06-08 03:35:011024

紫光同創(chuàng)FPGA入門指導(dǎo):DDR3 讀寫——紫光盤古系列50K開發(fā)板實(shí)驗(yàn)教程

一、實(shí)驗(yàn)要求 生成 DDR3 IP 官方例程,實(shí)現(xiàn) DDR3 的讀寫控制,了解其工作原理和用戶接口。 二、DDR3 控制器簡(jiǎn)介 PGL50H 為用戶提供一套完整的 DDR memory 控制器
2023-05-31 17:45:39

使用帶有ECC芯片的4GB DDR3 RAM連接到T1040處理器DDR控制器,未能成功生成DDR地址奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤的原因?

我正在使用帶有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 連接到 T1040 處理器 DDR 控制器。 我嘗試了這個(gè)序列,但未能成功生成 DDR 地址奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤: 步驟1: ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03

紫光同創(chuàng)FPGA入門指導(dǎo):DDR3 讀寫——紫光盤古系列50K開發(fā)板實(shí)驗(yàn)教程

數(shù)據(jù)速率 800Mbps 一、實(shí)驗(yàn)要求 生成 DDR3 IP 官方例程,實(shí)現(xiàn) DDR3 的讀寫控制,了解其工作原理和用戶接口。 二、DDR3 控制器簡(jiǎn)介 GL50H 為用戶提供一套完整的 DDR
2023-05-19 14:28:45

想使用S32R45和DDR3,你能幫我在哪里找到示例項(xiàng)目或用例嗎?

你好 : 專家,我們想使用S32R45和DDR3,你能幫我在哪里找到示例項(xiàng)目或用例嗎?
2023-05-17 08:13:46

解析DDR設(shè)計(jì)中容性負(fù)載補(bǔ)償?shù)淖饔?/a>

LPDDR4信號(hào)測(cè)試報(bào)告分析

Read Mode的報(bào)告,測(cè)試信號(hào)為CLK_t/c DQS_t/c & DQ這三組信號(hào), 下面這張是使用33GHz示波器運(yùn)行LPDDR4 Compliance的數(shù)據(jù)表格,F(xiàn)ail了很多
2023-05-16 15:43:05

在i.MX6 SOLO中有沒(méi)有辦法讀取芯片DDR3的大???

在 i.MX6 SOLO 中有沒(méi)有辦法讀取芯片 DDR3 的大???
2023-05-06 07:04:11

如何在i.MX8M上測(cè)試USB?

嗨,我們想在 iMX8M 上測(cè)試 USB 但我們不知道如何測(cè)試,我們已經(jīng)看到這個(gè)鏈接i.MX6Q/USB HS1 設(shè)置的 我們?cè)囘^(guò)寄存器(DCTL) #./memtool -32 0x3810c704=0x00F00008 但它對(duì)我們和 evk 板不起作用。 我們想強(qiáng)制輸出測(cè)試包,怎么辦?
2023-05-04 06:22:19

IMX8MP, IMX8MM USB測(cè)試如何設(shè)置寄存器?

正如標(biāo)題,我們的產(chǎn)品準(zhǔn)備量產(chǎn),但面臨信號(hào)認(rèn)證問(wèn)題。 我們需要通過(guò) USB 測(cè)試,但我不知道如何啟用它。 我的軟件設(shè)置: 平臺(tái):IMX8MP(USB3.0)、IMX8MM(USB2.0) 操作系統(tǒng)
2023-05-04 06:00:08

看看電源噪聲對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響

目前對(duì)于DDR4、DDR5等并行信號(hào)信號(hào)速率越來(lái)越高,電源性能要求也越來(lái)越高,今天我們就來(lái)看看電源噪聲對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響;
2023-04-21 09:47:461289

信號(hào)完整性之反射(五)

有些設(shè)計(jì)中可能是三個(gè)或者更多芯片在同一個(gè)信號(hào)鏈路上,按照f(shuō)lyby拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)布局。如下圖是一顆SOC和3顆DDR3的PCB布局設(shè)計(jì)。因?yàn)槿wDDR3的ADD是共用一組來(lái)自SOC的信號(hào)線,因此只有ADD
2023-04-15 16:07:50841

DDR SDRAM與SDRAM的區(qū)別

DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場(chǎng),直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺(jué)有點(diǎn)跳躍;如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對(duì)比。
2023-04-04 17:08:472867

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