我國(guó)自主研發(fā)5G微基站射頻芯片流片成功，正在封裝測(cè)試

日前，科技日?qǐng)?bào)報(bào)道稱我國(guó)首個(gè)5G微基站射頻芯片YD9601，在南京宇都通訊科技有限公司經(jīng)過(guò)自主研發(fā)流片成功，目前正在進(jìn)行封裝測(cè)試。

5G基站分為宏基站和微基站兩種：

5G宏基站主要用于室外覆蓋，5G微基站主要用于室內(nèi)，發(fā)射功率較小（一般200毫瓦以內(nèi)），廣泛用于機(jī)場(chǎng)高鐵等候區(qū)域、商業(yè)場(chǎng)所、商業(yè)樓宇、學(xué)校醫(yī)院、園區(qū)工廠和社區(qū)家庭等場(chǎng)景；

5G微基站可以以較低成本有效解決室內(nèi)覆蓋區(qū)域的容量（如機(jī)場(chǎng)、高鐵和商業(yè)場(chǎng)等熱點(diǎn)區(qū)域）和覆蓋問(wèn)題（如商業(yè)樓宇和家庭）。

“5G微基站射頻芯片項(xiàng)目是我們自主研發(fā)的有線射頻寬帶芯片組的拓展?！?**、美國(guó)麻省理工學(xué)院博士王俊峰介紹說(shuō)，在推出5G微基站射頻芯片之前，公司通過(guò)研發(fā)有線射頻寬帶HiNOC2.0芯片，擁有了長(zhǎng)期的射頻芯片技術(shù)積累。

據(jù)悉，HiNOC2.0是我國(guó)下一代有線射頻寬帶廣電接入標(biāo)準(zhǔn)，南京宇都HiNOC2.0射頻/基帶芯片組可實(shí)現(xiàn)600兆每秒的下行速率，完全可與國(guó)際巨頭的同類產(chǎn)品對(duì)標(biāo)。在中國(guó)廣播科學(xué)研究院進(jìn)行的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試中，搭載這組芯片的設(shè)備在85dB的線路衰耗下仍可接入，相比對(duì)標(biāo)的國(guó)際巨頭同類產(chǎn)品，抗衰減能力提升了10dB左右，這使其更能適應(yīng)國(guó)內(nèi)復(fù)雜、惡劣的網(wǎng)絡(luò)環(huán)境。

據(jù)了解，去年4月中國(guó)工程院院士倪光南領(lǐng)銜的專家組對(duì)的HiiNOC2.0芯片組進(jìn)行技術(shù)鑒定，認(rèn)定該芯片組在系統(tǒng)性能上達(dá)到了國(guó)際同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平，而其中射頻芯片部分性能優(yōu)于國(guó)際同類產(chǎn)品。

HINOC2.0芯片包括射頻芯片、終端基帶芯片、局端基帶芯片。

其中，YD6901是一款高集成度低功耗的CMOS 射頻收發(fā)芯片。該芯片符合HINOC2.0的規(guī)范，支持700MHz~1.1GHz頻段和128MHz信道帶寬，集成了頻率綜合器，發(fā)射器和高靈敏度接受器等關(guān)鍵模塊。發(fā)射器支持高達(dá)9dBm的發(fā)射功率，無(wú)需外接功放即可滿足千兆接入要求。

YDS6501/YDS6601 是一款高集成低功耗的高速基帶SoC。該芯片符合HINOC2.0 規(guī)范，支持128MHz信道帶寬和高達(dá)4096QAM的調(diào)制方式，可輕松實(shí)現(xiàn)1Gbps的高速接入。芯片集成了TDMA的調(diào)度器、高性能的物理層OFDM收發(fā)器、以太網(wǎng)接口等關(guān)鍵模塊，并可滿足DBA，802.1q等QoS要求。YDS6501/YDS6601與YD6901配合使用，可支持千兆上網(wǎng)，4K高清視頻傳輸和VoIP等全方位通訊業(yè)務(wù)，給用戶帶來(lái)完美的體驗(yàn)。

YD9601不光覆蓋700MHz廣電頻段，也兼容了工信部2月初剛剛頒發(fā)許可的3.3-3.4GHz的電信/聯(lián)通/廣電共享室內(nèi)頻段，可以說(shuō)是為5G時(shí)代室內(nèi)共享微基站量身定做的芯片。