倍思Baseus 65W氮化鎵GaN充電器 帶給我的幾點啟示

19年12月份，購買了一款 明星產(chǎn)品：倍思的雙C＋A口 65W 氮化鎵GaN充電器產(chǎn)品。

京東上售價 ￥ 268 元；

購買的目的就是想看看 氮化鎵GaN 是個啥？

收到實物，內(nèi)心還是有點小激動；外觀小巧，同早期聯(lián)想推出的一款 “口紅”充電器類似。

（因早些年，本人設(shè)計一款33mm＊66mm＊22mm 90W適配器，對于該尺寸大小PCB，極有印象；） ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?

該產(chǎn)品65W 倍思Baseus氮化鎵GaN?雙C＋A口 ，是有深圳市時商創(chuàng)展科技設(shè)計，由深圳市新斯寶科技代工。

對其進行了拆解；內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計非常巧妙。生產(chǎn)工藝加工是在設(shè)計電源之初就進行了設(shè)計。

帶給我的幾點啟示。具體如下：

1，整體外觀65W；方形；從插口入手拆解；

2.AC輸入 L／N 線，采用了一端輸入設(shè)計成PCB卡槽結(jié)構(gòu)，這個在生產(chǎn)上是便捷的（生產(chǎn)中焊接線越少越好）。

出于安規(guī)距離的考慮，另一段采用了焊線。［啟示一］
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　　3.采用銅片包裹—周，充分利用結(jié)構(gòu)空間，插拔到殼體方便容易；將PCBA包裹—圈，直接焊接到次級GNDB上，符合EMC/EMI的設(shè)計；［啟示二］

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　　4.電路板底部，增加了—片導(dǎo)入硅脂。［啟示三］特別注意的是 底部電路板是 4層板。中間增加—層GND的電氣設(shè)計，增加對EMC的保障。

　　5.如下電路板所示，白色框部分 主控芯片+氮化稼GaN功率器件。周圍電阻電容采用了0402封裝，這對生產(chǎn)加工提出了極大考驗；

　　封裝?。ㄈ?402），采用錫膏工藝；封裝大（1206），可采用紅膠工藝； 該電路板2種工藝都采用了；

　　白色框內(nèi)即錫膏工藝，應(yīng)該采用了與白色框大小的特定治具， 保證了錫膏+紅膠的雙生產(chǎn)工藝；［啟示四］

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　　6.高壓輸入部分，采用 整流器+電容部分小板子的插板設(shè)計； 充分利用了殼體機構(gòu)，既滿足電氣設(shè)計規(guī)則；

　　輸入電容采用了 5顆 高壓電解電容，組成π型濾波；

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　　7.高壓輸入部分，采用2顆 高頻磁環(huán)共模電感；加—路差模電感。滿足氮化稼GaN電源電氣設(shè)計規(guī)則；［啟示五］此設(shè)計，贊！

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　　8.變壓器采用RM8的骨架設(shè)計；對變壓器進行了解剖， 變壓器次級采用了 Φ0.1*100P的絲包線；

　　此絲包線價格較高，導(dǎo)通內(nèi)阻低，對千GaN電源高頻設(shè)計減少損耗，提高效率；啟示六

　　9.主控方案NCP1342+NV6115；NCP1342 提供高頻PWM驅(qū)動NV6115 氮化稼GaN 功率器件； “無散熱片”設(shè)計，電路簡潔。次級采用的 MP6908 同步整流IC；

　　10.次級Tybe-C和Tybe-A口均采用了子卡板設(shè)計；該子卡可以通用到PD電源產(chǎn)品中；［啟示七］此設(shè)計，贊！ 。

　　在功能選擇上，更換插拔TybeC/A子卡，來實現(xiàn)PD，PE，QC的參數(shù)需求。

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　　10. 該產(chǎn)品設(shè)計輸出Tybe-C1口，滿足：65W PD 快充，Tybe-C2滿足：30W PD

　　快充，USB-A滿足 ：30W 快充。

　　在雙口輸入時：C1 +C2/A ，C1：45W PD 快充，C2/A ：18W PD 快充。在C2 +A時，兩者共享 5V3A 充電模式；

　　從電路板設(shè)計上，Tybe-C2同USB-A 是并聯(lián)的關(guān)系；［啟示八］此設(shè)計可以說是該產(chǎn)品的—個缺陷；

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　　至此，該產(chǎn)品具體的電路原理圖，PCB文檔，Bom參數(shù)，本文作者均整理完成。如深入溝通交流可以聯(lián)系本文作者。

　　由作者水平能力有限，存在不足和不正確的地方，還請業(yè)界資深同仁加以指正和交流子習(xí)。