MXIC 19nm SLC NAND 1Gb/2Gb/4Gb/8Gb 可滿足工控市場小容量FLASH短缺需求

MXIC 19nm? SLC NAND? 1Gb/2Gb/4Gb/8Gb 可滿足工控市場小容量FLASH短缺需求

一、MXIC? 19nm? SLC NAND 介紹：

MX30LF?/?MX60LF系列由3V?SLC?NAND閃存組成，密度從1Gb到8Gb。?MX30UF系列包含1.8V?SLC?NAND閃存，密度從1Gb到4Gb。?3V和1.8V?SLC?NAND閃存產(chǎn)品組合均具有高性能和高可靠性，這是數(shù)據(jù)和代碼存儲所必需的。?MX30LF?3V系列非常適合工業(yè)控制，醫(yī)療，運動控制，物聯(lián)網(wǎng)，通信設備。MX30UF?1.8V系列低功耗產(chǎn)品，非常適合近年來興起的穿戴式產(chǎn)品，凡事鋰電池供電類產(chǎn)品、需要超長待機的產(chǎn)品都非常合適。

二、MXIC? 19nm? SLC NAND 優(yōu)勢:

三、選型表及命名規(guī)則:

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NAND(134547) NAND(134547)
FlaSh(146586) FlaSh(146586)
slc(22620) slc(22620)

三星、海力士推出GDDR7顯存，最高時速48Gbps、64Gb

值得關(guān)注的是，新型GDDR7內(nèi)存提供的容量選項亦更加多樣化，本次展出的版本即包含16Gb與24Gb兩種款式，分別匹配2GB和3GB顯存容量。據(jù)JEDEC公布的數(shù)據(jù)顯示，未來GDDR7內(nèi)存的運行速度有望提高到48Gbps

2024-03-21 15:35:41

谷歌Pixel 8a手機預計將于今年面世，配置8GB內(nèi)存及降頻版Tensor G3處理器?

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2024-03-11 10:45:40

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英偉達、AMD新款顯卡或仍配備2GB GDDR7顯存

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什么是NAND 型 Flash 存儲器？

前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下

2024-03-01 17:08:45

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美光預計2025年車均搭載16GB DRAM和204GB NAND

和204GB的NAND閃存，相較于2021年的水平，分別增長3倍和4倍。這意味著汽車行業(yè)對存儲需求的大幅增長，將進一步推動車用存儲市場規(guī)模達到100億美元，復合年增長率高達28%。

2024-02-02 15:41:13

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江波龍推出首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash

江波龍，作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導體存儲企業(yè)，近日再次引發(fā)行業(yè)關(guān)注。繼自研SLC NAND Flash系列產(chǎn)品實現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)之后，江波龍又成功推出了首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash。這一

2024-02-01 15:04:05

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CS 創(chuàng)世SD NAND FLASH 存儲芯片，比TF卡更小巧輕便易用的大容量存儲，TF卡替代方案

巧。　　合適的容量，提供128MB和512MB容量，后續(xù)推出1GB和4GB容量，可根據(jù)需求選擇。　　簡單易用，內(nèi)置壞塊管理、平均讀寫、EDC/ECC等功能，降低CPU負擔，提高產(chǎn)品質(zhì)量和壽命。　　長壽命和穩(wěn)定性，SLC NAND具有最長的使用壽命和性能穩(wěn)定性，擦寫壽命達到10萬次。

2024-01-24 18:30:00

iPhone 16 配備 8GB 內(nèi)存，支持 Wi-Fi 6E

據(jù)分析師杰夫·普（Jeff Pu）公布的消息透露，即將來臨的新款iPhone 16及 iPhone 16 Plus均具備8GB運行內(nèi)存，相比iPhone 15與iPhone 15 Plus搭載

2024-01-16 13:40:03

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近日，海通國際技術(shù)分析師Jeff Pu透露，蘋果的下一代iPhone 16和iPhone 16 Plus機型將迎來重要的硬件升級，配備8GB RAM，較前代的6GB RAM有所提升。這一改進將進一步提升iPhone的多任務處理性能，為用戶帶來更流暢的多任務操作體驗。

2024-01-15 14:24:55

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為什么低端獨立顯卡通常都標配2GB的顯存？低端獨立顯卡通常都標配2GB的顯存，這是因為在低端市場中，2GB的顯存已經(jīng)能夠滿足絕大多數(shù)用戶的需求。下面詳細解釋一下為什么低端獨立顯卡通常都標配2GB

2024-01-09 14:14:45

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什么是SD NAND存儲芯片?

標準驅(qū)動代碼，省去了驅(qū)動代碼編程環(huán)節(jié)。支持TF卡啟動的SOC都可以用SD NAND，提供STM32參考例程及原廠技術(shù)支持，主流容量：128MB/512MB/2GB/4GB/8GB，比TF卡穩(wěn)定，比

2024-01-05 17:54:39

兆易創(chuàng)新：NOR Flash和SLC Nand Flash價格已趨于平穩(wěn)

對于DRAM業(yè)務，這個公司的主要是低端市場，如小容量DDR4、DDR3等產(chǎn)品，且正在積極投入8Gb DDR4等新型DRAM研發(fā)，以便完善標準接口DRAM產(chǎn)品線，推動DRAM業(yè)務發(fā)展，滿足客戶需求。

2023-12-27 13:58:31

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飛騰派及各種類似派硬件參數(shù)對比

MP4@?MHz 內(nèi)存長鑫CXDQ3BFAM DDR4 1GB*4 海力士H5TQ4G63CFR DDR3 512MB*4 三星K4E8E324EBGCF LPDDR3 1GB*3(2+1) 佰維

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ESP32應用教程— SD NAND（記錄飛控LOG）

卡啟動的 SOC 都可以用 SD NAND，提供 STM32 參考例程及原廠技術(shù)支持，容量：4GB，比 TF 卡穩(wěn)定，比 eMMC 便宜。 2 代碼說明宏定義使能 SD 卡功能 #define

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兆易創(chuàng)新：前沿存儲技術(shù)與開創(chuàng)性Flash解決方案引領(lǐng)行業(yè)變革

起初，兆易創(chuàng)新的重點主要集中在NOR Flash上，但隨著技術(shù)的演進和市場的變化，其產(chǎn)品線逐漸從NOR擴展到了NAND Flash，提供了從小容量到8GB的豐富選擇，以滿足各種應用場景的需求。

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2023-10-27 08:06:19

CS SD NAND在STM32精英V2開發(fā)板的測試-是時候?qū)F卡換為SD NAND了

地址http://longsto.com/product/list-39.html,有1Gb,4Gb,32Gb,64Gb的容量可選,我這里申請到的是兩片32Gb的芯片和測試板. 焊接后如下：測試

2023-09-26 17:40:35

具有最大1Gb DDR2 SDRAM的SAMA5D2 SIP MPU

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有最大1Gb DDR2 SDRAM的SAMA5D2 SIP MPU.pdf》資料免費下載

2023-09-25 10:11:12

83495A Agilent 10 Gb/s 時鐘恢復模塊

83495A Agilent 10 Gb/s 時鐘恢復模塊連續(xù)數(shù)據(jù)速率：9.953 Gb/s至11.32 Gb/s 波長范圍：750-860 nm或1000-1600 nm 提供光、電兩種輸入

2023-09-15 14:12:40

三星發(fā)布容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品

在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍，功耗降低10%，且無需硅通孔(TSV)工藝即可生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組

2023-09-01 10:14:29

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SD NAND相對于NOR Flash的優(yōu)勢

一、SDNAND和NORFlashSDNAND和NORFlash在不同的方面都有著不同的優(yōu)劣勢，SDNANDNORFlash成本SDNAND相對較便宜NORFlash相對較昂貴容量1Gb

2023-08-28 14:12:04

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由于stm32的漲價，所以選擇了GB32f103替代，代碼基本可以套用，但是在操作flash上似乎有些區(qū)別，誰知道GB32庫函數(shù)或者例程在哪里可以下載嗎

2023-08-16 08:17:34

LightPulse HBA產(chǎn)品Line16Gb和8gb光纖通道HBA

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2023-08-15 10:29:04

LightPulse LPe15004 8gb光纖通道HBAs

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2023-08-15 10:15:46

SD NAND FLASH : 什么是pSLC?

pSLC模式后，僅保存1bit數(shù)據(jù)。二、各NAND FLASH的特點 MLC常用制程為15nm，擦寫次數(shù)約為3000次，改為pSLC模式后約為2萬次。三、pSLC的優(yōu)缺點 pSLC具有以下優(yōu)點

2023-08-11 10:48:34

RK3568核心板B版上新，多種配置可選

+16） TMC3568CBV1G RK3568B2 2GB LPDDR4 16GB eMMC TQ3568_COREB_V1.0核心板（商業(yè)級，4+16） TMC3568CB1G1 RK3568B2 4GB LPDDR4 16GB

2023-08-10 16:52:37

LightPulse LPe1250 8gb光纖通道主機總線適配器的數(shù)據(jù)表

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2023-08-09 11:10:08

LightPulse 8Gb光纖通道固件發(fā)行說明

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2023-08-09 11:02:25

三星或提高512Gb NAND閃存晶圓報價漲幅為15%

據(jù)《電子時報》報道，三星提出的512gb nand閃存晶片單價為1.60美元，比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示，由于上下nand閃存的庫存緩慢，很難說服上調(diào)價格。

2023-08-02 11:56:24

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Banana Pi 推出帶有 2 個 2.5GbE 端口的迷你路由器開源硬件開發(fā)板

單一配置，包括 2GB DDR4 SDRAM、128MB SPI NAND 和 8GB eMMC 用于存儲。此外，該板還包含一個開關(guān)，因此設備可以從 NAND 或 eMMC 啟動。 BPI-R3 迷你

2023-07-29 12:42:32

RTX 4060 Ti 16GB閃電降價

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P9243-GB 數(shù)據(jù)表

2023-07-04 20:38:04

電池擠壓針刺試驗機GB 31241-2022

電池擠壓針刺試驗機用途：用于檢測針刺擠壓試驗項目技術(shù)規(guī)格要求：1 適用范圍、設備規(guī)格及要求1.1 適用標準電池擠壓試驗裝置符合GB 36267-2018、GB

2023-05-31 14:06:35

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主板：帶 1GB RAM 的 iMX6 Quad 構(gòu)建環(huán)境：Yocto-Zeus 內(nèi)核：5.4 我正在使用帶有 x-wayland 的 iMX6 Quad 1GB 板。我在啟動時觀察到 220MB RAM 使用情況而沒有啟動任何應用程序。我想減少 RAM 消耗。可能的方法是什么？

2023-05-31 07:47:53

國內(nèi)首款低功耗超寬電壓FM24LN系列I2C串行EEPROM存儲器

SPI系列（FM25）容量覆蓋512Mb~4Gb，溫度覆蓋-40℃~+105℃。PPI系列為（FM29）容量覆蓋2Gb~8Gb，溫度覆蓋-40℃~+105℃。

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求助，用于LPDDR4 6GB的imx8m-plus替代選項

我需要幫助尋找用于 imx8m-plus 的替代可用 LPDDR4 6GB，因為用于開發(fā)板的 LPDDR4 不可用。

2023-05-09 07:33:34

基于RK3566設計的樹莓派3B+(Raspberry Pi 3 Model B+)替代方案

Cortex-A53 64-bit SoC @ 1.4GHz 制程 22nm 28nm GPU ARM G52 2EE Videocore-IV NPU 1TOPS 無運行內(nèi)存 2GB/4GB

2023-05-06 15:48:19

請幫助檢查MCIMX8DXL是否可以支持2GB LPDDR4解決方案？

請幫助檢查MCIMX8DXL是否可以支持2GB LPDDR4解決方案？

2023-05-06 08:09:49

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4GB。我的問題： 1 - 我做錯了什么嗎？ 2 - 是否可以查看我的 RPA 電子表格？（壓力測試應用程序日志、RPA 電子表格和示意圖隨附） 3 - MT53E1G32D2 是否已經(jīng)過 NXP 在 i.MX8QM 上的驗證？ 4 - 是否有任何其他經(jīng)過驗證的 1Gb LPDDR4 部件號建議？

2023-05-04 06:39:14

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地址http://longsto.com/product/list-39.html,有1Gb,4Gb,32Gb,64Gb的容量可選,我這里申請到的是兩片32Gb的芯片和測試板.焊接后如下測試過程申請樣品

2023-04-18 23:03:42

6GB SDRAM在i.MX Windows 10 IoT 1.4.0中不可用的原因？

windows10.0-kb5019275-arm64_c6c2abc31137d43e762304bd1542ba413d2b8b9e.msu。評估時有什么注意事項嗎？否則請在 8MPLUSLPD4-EVK 中提供 BINARY 可用的 6GB。

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ls1043a使用 (0-2GB) DDR 數(shù)據(jù)顯示不正確怎么解決？

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2023-04-07 06:44:48