非易失性MRAM誕生過程

MRAM技術(shù)是以可沉積在標準邏輯制程上的磁性隧道結(jié) (MTJ)儲存單元為基礎(chǔ)，MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結(jié)便會顯現(xiàn)出低電阻特性。而當自由層被施予反方向的極化時，MTJ便會有高電阻。此一磁阻效應(yīng)可使MRAM不需改變內(nèi)存狀態(tài)，便能快速讀取數(shù)據(jù)。在MRAM存儲器中有一個富含創(chuàng)造性的設(shè)計，這也是EVERSPIN的專利。
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在MRAM的誕生過程中，設(shè)計的難點和關(guān)鍵節(jié)點，在于一個小電流通過“自由層”，并使之翻轉(zhuǎn)，與固定層的極化方向相反或者相同。但是MRAM操作窗口特別小，即使很小的電流擾動也會造成錯誤。為此MARM的產(chǎn)品化道路一度陷入低迷。
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在2004初一個俄裔的工程師公布他提出的新的MRAM結(jié)構(gòu)和寫入方法(TOGGLE MRAM)，人們才重新燃起了對MRAM的希望。SONY 和 MOTORALA 馬上拿出了第一手的實驗數(shù)據(jù). 實驗證明TOGGLE MRAM具有相當大的操作窗口。另一個重大突破是2004年末IBM 和日本一家公司同時宣布拿到了300%的MTJ信號。2004年在業(yè)界是非常激動人心的時刻，這一系列的突破暗示著MRAM的曙光就在眼前。
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現(xiàn)在MRAM有很多優(yōu)異的指標，但是并非完美。它的存儲密度和容量決定了它尚不能更大范圍的替代其他存儲器產(chǎn)品。但是根據(jù)摩爾定律，芯片尺寸會越來越小，這也是為什么很多人都認為DRAM快走到了它生命周期的盡頭。PCM存儲器的存儲密度遠遠高于MRAM和DRAM。在未來的五年里，它將是MRAM有力的競爭對手。MRAM想在未來新存儲的世界里稱王稱霸，還是需要一番突圍的。

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臺積電開發(fā)出SOT-MRAM陣列芯片

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殺手锏！臺積電開發(fā)SOT-MRAM陣列芯片

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2024-01-18 16:44:04

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鑒于AI、5G新時代的到來以及自動駕駛、精準醫(yī)療診斷、衛(wèi)星影像辨識等應(yīng)用對更高效率、穩(wěn)定性和更低功耗的內(nèi)存的需求愈發(fā)緊迫，如磁阻式隨機存取內(nèi)存（MRAM）這樣的新一代內(nèi)存技術(shù)已成為眾多廠商爭相研發(fā)的重點。

2024-01-18 14:44:00

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我在UG上看到說在一塊128K flash上擦除或?qū)懖僮鲿r，就無法從這塊flash上執(zhí)行程序，截圖如下。那么問題來了，按照ADI的做法，0-1FFFF只能放code，程序運行過程中需要修改的非易失

2024-01-11 06:34:29

MRAM（磁性只讀存儲器）和FRAM（鐵電RAM）有何區(qū)別

MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲元素。

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深入探索MRAM的原理與技術(shù)

2024-01-09 11:15:26

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2024-01-05 11:47:18

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我在使用LTC4353過程中發(fā)現(xiàn)電源切換過程中有周期性跌落現(xiàn)象，不知道和什么因素有關(guān)。下圖是我當前的電路，當3.6V18650電池在給負載（200mA）進行供電時，插入另一個4V電源，經(jīng)常出現(xiàn)電源

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【核桃派1B 開發(fā)板試用體驗】+初識篇

RAM來維持它的運行和使用，只有在保存相關(guān)文件時才會轉(zhuǎn)存到 microSD 卡。正是這種搭配才使得核桃派有了易失性和非易失性的記憶，RAM 是掉電不保存，而 microSD 卡則是掉電保存。核桃派

2024-01-01 21:58:36

RISC-V的誕生對行業(yè)有何影響？

RISC-V 是一款與眾不同的 ISA，不僅因為它年輕（它誕生于 2010 年，而其他 ISA 大多誕生于 20 世紀 70 年代或 80年代），而且因為它開放。

2023-12-18 14:47:04

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DSP芯片的誕生過程 DSP芯片的基本結(jié)構(gòu)及特點

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2023-12-15 16:48:17

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拍字節(jié)（舜銘）鐵電存儲器(VFRAM)SF25C128可兼容MB85RS128B

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2023-11-27 16:41:47

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該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)

2023-11-27 16:37:59

國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC(MB85RS2MT)用于明渠流量計

易失性存儲和精確的實時時鐘，本文推薦使用國產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲器用于該存儲系統(tǒng)中。鐵電存儲器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲和的實時時

2023-11-27 10:17:05

【PADAUK】應(yīng)廣PGS152單片機EEPROM芯片

單片機的一個重要組成部分，用于存儲非易失性數(shù)據(jù)。在本篇文章中，我們將深入探討PADAUK PGS152單片機EEPROM芯片的特點、應(yīng)用和使用注意事項。第

2023-11-23 21:16:37

電子學(xué)中的百科書-二極管的誕生計

2023-11-23 09:09:04

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RAM和NAND再遇強敵， MRAM被大廠看好的未來之星

目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對MRAM的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。

2023-11-22 14:43:53

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長虹美菱用40年跑出“新鮮之路”

11月9日，一場別開生面的馬拉松比賽在家電之都合肥上演，和其它以城市街道為主的賽事相比，這個賽道的沿途風(fēng)景獨具特色，不僅能看到高大靈活的機械臂、自動化的智造生產(chǎn)線，還能領(lǐng)略各種家電的誕生過程。

2023-11-10 17:34:59

398

PWM波的產(chǎn)生過程？如何觸發(fā)ADC呢？

PWM脈寬調(diào)制技術(shù)在控制領(lǐng)域中是非常常用的技術(shù)，電機控制、電源控制等都是通過PWM進行驅(qū)動IGBT或MOSFET等開關(guān)器件進行相關(guān)控制的。

2023-11-08 10:42:20

1439

EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器

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2023-10-24 15:38:16

STM32怎么實現(xiàn)一個非阻塞性的串口屏收發(fā)？

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2023-10-24 08:15:33

國產(chǎn)非易失性鐵電存儲器PB85RS2MC為工業(yè)4.0保駕護航

隨著工業(yè)4.0的出現(xiàn)，工廠的智能化和互聯(lián)性正在日益提高。智能工廠中的機械設(shè)備就能夠采用所連接的無線傳感器節(jié)點的實時數(shù)據(jù)，提前預(yù)測可能發(fā)生的故障，并通知控制系統(tǒng)采取糾正措施，以避免意外的系統(tǒng)停機。累積

2023-10-19 11:27:37

請問如何捕捉并重現(xiàn)稍縱即失的瞬時信號？

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2023-10-18 06:26:54

《天貓精靈誕生記——如何在互聯(lián)網(wǎng)公司做硬件》+ 理論結(jié)合實踐-難得的介紹硬件產(chǎn)品開發(fā)的好書(五星推薦)

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2023-10-11 22:26:56

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2023-10-11 07:30:23

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在嵌入式系統(tǒng)中，內(nèi)存是十分有限而且是十分珍貴的，用一塊內(nèi)存就少了一塊內(nèi)存，而在分配中隨著內(nèi)存不斷被分配和釋放，整個系統(tǒng)內(nèi)存區(qū)域會產(chǎn)生越來越多的碎片。

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BV百度風(fēng)投三輪加注，MRAM企業(yè)亙存科技再獲融資

亙存科技成立于2019年，是一家以mram技術(shù)為中心，致力于設(shè)計、開發(fā)和銷售相關(guān)產(chǎn)品的Fabless企業(yè)?？偣驹O(shè)在深圳，在上海、蘇州等地設(shè)有r&d中心和支持團隊。

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錫珠的產(chǎn)生過程??！

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DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍

2023-07-21 15:18:27

DS1265是一款芯片

DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍

2023-07-21 15:13:33

DS1249是一款芯片

DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出

2023-07-21 15:11:06

MXD1210是一款控制器

MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標準（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器。它還會持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護

2023-07-21 15:01:52

拍字節(jié)（舜銘）鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS2MC可兼容MB85RS2MT

2023-07-18 17:13:33

拍字節(jié)（舜銘）鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128可兼容MB85RS128B

2023-07-18 17:08:13

ADUC831是一款芯片

兼容12個內(nèi)核時鐘周期。片內(nèi)集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存儲器。片內(nèi)同時集成4 kB非易失性Flash/EE數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)RAM和2 kB擴

2023-07-14 17:15:06

linux內(nèi)核線程就這樣誕生了么？

線程是操作系統(tǒng)的重要組成部件之一，linux內(nèi)核中，內(nèi)核線程是如何創(chuàng)建的，在內(nèi)核啟動過程中，誕生了哪些支撐整個系統(tǒng)運轉(zhuǎn)的線程，本文將帶著這個疑問瞅一瞅內(nèi)核源碼，分析內(nèi)核線程的創(chuàng)建機制。

2023-07-10 10:45:28

434

芯片制造商Netsol推出STT-MRAM

Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要使用最少數(shù)量的引腳來快速存儲、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言，是最為理想的存儲器。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。

2023-07-07 17:06:59

262

數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用STT-MRAM芯片S3R1016

MRAM在數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中，數(shù)據(jù)記錄是如下持續(xù)、反復(fù)地將重要數(shù)據(jù)保存于設(shè)備的過程?？梢杂涗浵到y(tǒng)內(nèi)外部發(fā)生的事件；使用歷史；環(huán)境參數(shù) ；機器狀態(tài)；用于分析目的的其他數(shù)據(jù)。因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù)，內(nèi)存需要快速的寫入速度與高耐久性。

2023-06-20 17:06:22

219

1Mbit存儲MRAM芯片MR0A16A

Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片，組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序，續(xù)航時間無限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時間內(nèi)始終是非易失性的。

2023-05-31 17:23:08

403

非易失性內(nèi)存有寫入限制嗎？

我們正在構(gòu)建一個設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。

2023-05-30 08:48:06

行業(yè)首創(chuàng)！恩智浦攜手臺積電，推出汽車級16納米FinFET嵌入式MRAM

恩智浦和臺積電聯(lián)合開發(fā)采用臺積電16納米FinFET技術(shù)的嵌入式MRAM IP? 借助MRAM，汽車廠商可以更高效地推出新功能，加速OTA升級，消除量產(chǎn)瓶頸恩智浦計劃于2025年初推出采用該技術(shù)

2023-05-26 20:15:02

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兆易創(chuàng)新GD32F303替代STM32F103教程(02)CAN模塊及系統(tǒng)注意事項 #程序代碼#硬聲創(chuàng)作季

兆易創(chuàng)新

也許吧發(fā)布于 2023-05-24 10:55:36

色壞易折安瓿折斷力測試儀

色壞易折安瓿折斷力測試儀安瓿瓶折斷力測試儀是一種用于測試安瓿瓶的機械強度、可靠性和安全性能的專用試驗設(shè)備，通常由液壓系統(tǒng)、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、測試夾具等主要組成部分。在測試過程中，將待測安瓿瓶放置在測試

2023-05-23 16:42:10

存儲介質(zhì)的類型有哪些？

一種便攜式存儲設(shè)備，當插入計算機時，被解析為內(nèi)置硬盤設(shè)備。這也是一種非易失性閃存。與MMC和SD卡一樣，USB閃存驅(qū)動器是一種更受歡迎的可移動存儲形式。 5、RAM RAM是一個易失性內(nèi)存選項。一旦設(shè)備

2023-05-18 14:13:37

Netsol并口STT-MRAM非易失存儲S3R8016

其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。

2023-05-12 16:31:39

268

有人可以提供caam-keygen實用程序的來源嗎？

targets”列出了 crypt。我可以成功地按照 i.MX Linux 用戶指南中的說明使用 CAAM 可信純密鑰加密/解密非易失性存儲上的數(shù)據(jù)，但 bsp 不包括使用 CAAM 標記密鑰加密所需

2023-05-09 08:45:33

Netsol SPI MRAM芯片S3A1604

S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)性能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護系統(tǒng)?？梢匀〈哂邢嗤δ芎头且资缘拈W存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允許帶寬擴展選項。

2023-04-27 17:33:44

420

一文了解新型存儲器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器

2023-04-19 17:45:46

2542

如何使用SEMC將iMX RT1024連接到MRAM？

我想將 iMX RT1024 連接到 MR5A16A MRAM MR5A16A MRAM 數(shù)據(jù)表聲明它與 SRAM 接口兼容但是，通過比較 MR5A16A 數(shù)據(jù)表和 iMX RT1024 參考手冊

2023-04-17 07:52:33

IMX6UL如何從安全非易失性存儲 (SNVS) 讀取或?qū)懭耄?/a>

我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域

2023-04-14 07:38:45

兆易創(chuàng)新全系列車規(guī)級存儲產(chǎn)品累計出貨1億顆

中，車載電子系統(tǒng)設(shè)計的復(fù)雜度顯著提升，對于存儲產(chǎn)品而言，大容量、實時響應(yīng)、高可靠性和安全性必不可少，兆易創(chuàng)新車規(guī)級GD25/55 SPI NOR Flash和GD5F SPINAND Flash具有豐富

2023-04-13 15:18:46

求助，如何使用非易失性密鑰生成CMAC？

我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM

2023-04-10 06:34:32

NETSOL串行MRAM產(chǎn)品介紹

STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執(zhí)行）功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護機制。SPl（串行外圍接口）是一個帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號的同步串行通信接口。

2023-04-07 17:02:07

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MRAM實現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代

具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需

2023-04-07 16:41:05

與FRAM相比Everspin MRAM具有哪些優(yōu)勢？

據(jù)保留?無限的讀/寫耐力?無磨損?有競爭力的定價?穩(wěn)定的制造業(yè)供應(yīng)鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標稱電源供電

2023-04-07 16:26:28

非易失性存儲器FM33256B-G特征介紹

可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲器容量?？焖俚膶懭胨俣群蜔o限的耐用性使該存儲器可以用作額外

2023-04-07 16:23:11

關(guān)于CH573的存儲映射結(jié)構(gòu)

在CH573存儲中，分為用戶應(yīng)用程序存儲區(qū)CodeFlash，用戶非易失數(shù)據(jù)存儲區(qū)DataFlash,系統(tǒng)引導(dǎo)程序存儲區(qū)Bootloader，系統(tǒng)非易失配置信息存儲區(qū)InfoFlash。一般在使用時

2023-04-07 11:46:50

AD21487WBSWZ4B04

SHARCVW/5MRAM;AUDIODECODERS

2023-04-06 11:21:52

MRAM芯片應(yīng)用于PLC產(chǎn)品上的特性

在PLC(可編程邏輯控制器)產(chǎn)品中，MRAM芯片的應(yīng)用也日漸普及，本文將介紹MRAM芯片應(yīng)用于PLC產(chǎn)品上的特性。--代理商：吉芯澤科技

2023-03-29 16:31:22

1169

請教一下大神伺服電機失步時是怎樣得到補償?shù)模?/a>

請教一下大神伺服電機失步時是怎樣得到補償?shù)模?/div>

2023-03-23 15:34:44

如何通過與隨機非持久處理器寄存器進行異或來保護瞬態(tài)對稱密鑰？

我目前正在嘗試防止臨時對稱密鑰在重新啟動后保留在內(nèi)存中。我的巧妙計劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器（保證在重啟時歸零）對它們進行異或，我在重啟時將其設(shè)置為隨機數(shù)。（這與非易失性寄存器

2023-03-23 07:07:21

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