SRAM市場與技術(shù)

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器SRAM由于是利用觸發(fā)器電路作為存儲單元，只要不切斷其供電電源，它就能永遠(yuǎn)保存所寄存的數(shù)據(jù)信息。因此. SRAM與通常的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM 不同.不需要刷新操作.控制相對簡單許多。
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鑒于SRAM這一獨(dú)列的特點(diǎn)，它廣泛地應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，諸如產(chǎn)業(yè)、民間、通信、測試、計(jì)算機(jī)以及網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)等領(lǐng)域。隨著移動(dòng)電話的普及應(yīng)用，在移動(dòng)通信領(lǐng)域里也急需大暈的SRAM器件。
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SRAM器件系列分類
SRAM用途不同，可把SRAM分成如下3大系列產(chǎn)品:①低消耗電流為主要特點(diǎn)的低消耗電力版SRAM(即所謂中速SRAM);②以高速工作為主要特點(diǎn)的高速版SRAM;③同步SRAM,顧名思義，使它與時(shí)鐘信號同步工作，追求更高速度，詳細(xì)情況可參閱SRAM產(chǎn)品，系列分類圖(圖1所示)。
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圖1 SRAM產(chǎn)品分類

為了使SRAM在低電壓工作并實(shí)現(xiàn)低消耗電流,存儲器單元電路(MemoryCl)也開始由大電阻作為負(fù)載電阻的4管MOS電路轉(zhuǎn)向利用有源負(fù)載的6管MOS電路，詳見圖2所示。但是6管MOS存儲單元因有源器件用6個(gè)，占用芯片面積較大。
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圖2 SRAM用存儲單元電路結(jié)構(gòu)

此外，隨著半導(dǎo)體精細(xì)加工工藝技術(shù)進(jìn)步，在SRAM內(nèi)部實(shí)際工作的電壓和外部施加的電壓之間形成電壓差值。為解決這一問題，今后必須引入降壓電路。由于要求低消耗電流，降壓電路里的電流也不允許過大.
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如何選擇SRAM
基于上述的介紹，現(xiàn)已了解到SRAM按照用途可以分為三大類系列。而且.在各個(gè)系列產(chǎn)品里，按照存儲容量、供電電壓、存取速度、消耗電流和封裝結(jié)構(gòu)又細(xì)分為各種各樣的具體產(chǎn)品。那么究竟如何從中選擇出適用的器件呢?作為SRAM器件用戶,首先要確認(rèn)這些器件的性能規(guī)范和能否穩(wěn)定的提供貨源(包括是否第二來源};在此基礎(chǔ)之上再根據(jù)實(shí)際應(yīng)用情況，選取適用的器件.
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SRAM器件規(guī)范按照多種用途向多樣化方向發(fā)展.今后這種傾向也將愈來愈明顯。從用戶方面觀察,如何從形形色色的SRAM產(chǎn)品中選購出所需要的最佳器件。然而從器件生產(chǎn)廠家觀察，諸如，確定適應(yīng)多樣化需要的器件產(chǎn)品規(guī)范、產(chǎn)品系列和如何調(diào)用新技術(shù)把器件產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)商品化。lw
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?VTI SRAM

型號	容量	位寬	電壓(V)	速度(MHz)	接口	包裝
VTI7064LSM	64Mbit	8M x 8	1.8	104	SQI	Tube，T&R
VTI7064LSM	64Mbit	8M x 8	1.8	20	SPI	Tube，T&R
VTI7064MSM	64Mbit	8M x 8	3	104	SQI	Tube，T&R
VTI7064MSM	64Mbit	8M x 8	3	20	SPI	Tube，T&R
VTI7032LSM	32Mbit	4M x 8	1.8	133	SQI	Tube，T&R
VTI7032LSM	32Mbit	4M x 8	1.8	20	SPI	Tube，T&R
VTI7016LSM	16Mbit	2M x 8	1.8	133	SQI	Tube，T&R
VTI7016LSM	16Mbit	2M x 8	1.8	20	SPI	Tube，T&R
VTI7001NSM	1Mbit	128K x 8	3.3	20	SPI	Tube，T&R
VTI7001LSM	1Mbit	128K x 8	1.8	20	SPI	Tube，T&R
VTI7512NSM	512Kbit	64K x 8	3.3	20	SPI	Tube，T&R
VTI7512LSM	512Kbit	64K x 8	1.8	20	SPI	Tube，T&R
VTI7256NSM	256Kbit	32K x 8	3.3	20	SPI	Tube，T&R
VTI7256LSM	256Kbit	32K x 8	1.8	20	SPI	Tube，T&R
VTI7128LSM	128Kbit	16K x 8	1.8	20	SPI	Tube，T&R
VTI7128NSM	128Kbit	16K x 8	3.3	20	SPI	Tube，T&R

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sram讀寫電路設(shè)計(jì)

，從基本原理到電路設(shè)計(jì)的細(xì)節(jié)。 SRAM是一種基于存儲雙穩(wěn)態(tài)的存儲器技術(shù)，它使用觸發(fā)器來存儲數(shù)據(jù)。一個(gè)典型的SRAM單元由6個(gè)傳輸門（傳遞門）組成，其中包括兩個(gè)傳輸門用于存儲和讀取數(shù)據(jù)，以及兩個(gè)傳輸門用于寫入和刷新數(shù)據(jù)。 SRAM的讀取操作是通過將地址輸入到SRAM中來完成的。當(dāng)?shù)刂份斎氲?/div>

2023-12-18 11:22:39

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西門子 EDA的內(nèi)存技術(shù)專家Jongsin Yun說， SRAM 的微縮滯后于邏輯收縮，主要是由于最新技術(shù)中嚴(yán)格的設(shè)計(jì)規(guī)則。過去，我們對 SRAM 有單獨(dú)的設(shè)計(jì)規(guī)則，這使我們能夠比基于邏輯晶體管

2023-12-15 09:43:42

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2023-12-06 11:15:31

635

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ADSP-BF533執(zhí)行完BOOT-ROM中的加載程序后，將復(fù)位的程序起始地址設(shè)為 0ffa08000 ，即內(nèi)部L1 Instruction SRAM的起始地址，那么是不是就意味著必須將main函數(shù)文件放置在L1 Instruction SRAM中？如果想要將所有程序放置在外部擴(kuò)展的SRAM怎么辦？

2023-11-29 07:12:04

變頻器市場淺析及選型參考

市場供求變化或采購價(jià)格異常波動(dòng)，將對公司經(jīng)營業(yè)績帶來較大影響。目前，主要原材料中IGBT和芯片主要采用國外品牌，雖然國內(nèi)已有部分企業(yè)研發(fā)并生產(chǎn)IGBT功率模塊與芯片，且近年來技術(shù)進(jìn)步較大，但市場上用戶

2023-11-27 10:18:22

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SRAM，存儲器的新未來

SRAM 的數(shù)量是任何人工智能處理解決方案的關(guān)鍵要素，它的數(shù)量在很大程度上取決于您是在談?wù)摂?shù)據(jù)中心還是設(shè)備，或者是訓(xùn)練還是推理。但我想不出有哪些應(yīng)用程序在處理元件旁邊沒有至少大量的 SRAM，用于運(yùn)行人工智能訓(xùn)練或推理。

2023-11-12 10:05:05

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。在全球市場中，Xilinx、Altera兩大公司對FPGA的技術(shù)與市場仍然占據(jù)絕對壟斷地位。兩家公司占有將近90%市場份額，專利達(dá)6000余項(xiàng)之多，而且這種壟斷仍在加強(qiáng)。同時(shí)，美國政府對我國

2023-11-08 17:19:01

STM32需要外接一個(gè)SRAM一般都是用什么型號的？

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AT32F系列使用DMA將數(shù)據(jù)從FLASH傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">SRAM的使用方法

AT32F系列使用DMA將數(shù)據(jù)從FLASH傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">SRAM

2023-10-27 07:58:50

請問AVR對片內(nèi)SRAM的訪問需要多久？

AVR對片內(nèi)SRAM的訪問需要多久？

2023-10-24 07:49:15

如何查看MDK編譯后程序所占用的Flash和SRAM的大??？

如何查看MDK編譯后程序所占用的Flash和SRAM資源的大??？另外在.s啟動(dòng)文件中堆和棧的大小又該如何分配？

2023-10-24 07:25:10

PSRAM/SRAM與XMC硬件連接的推薦方法

PSRAM/SRAM與XMC硬件連接的推薦方法描述了在AT32系列100引腳封裝芯片上以XMC連接PSRAM的硬件推薦方法，達(dá)到器件容易取得及價(jià)格合理的目標(biāo)。

2023-10-24 06:17:32

如何修改AT32的SRAM空間大小

如何修改AT32的SRAM空間大小如何修改SRAM大?。?/div>

2023-10-20 07:39:21

將函數(shù)加載到Flash或SRAM指定地址的方法

AT32 部分型號有零等待閃存和非零等待閃存，程序在零等待閃存執(zhí)行速度比在非零等待閃存執(zhí)行速度快，如果有函數(shù)對執(zhí)行速度有要求，可以將該函數(shù)加載到零等待區(qū)執(zhí)行。當(dāng)零等待閃存使用完后，如果還有函數(shù)對執(zhí)行速度有要求，可以將該函數(shù)加載到 SRAM 執(zhí)行，前提是SRAM 還有足夠的空間存放該函數(shù)代碼。

2023-10-20 06:10:59

SRAM的的數(shù)據(jù)在掉電后還能保存嗎？

掉電后還能讀取到SRAM的數(shù)據(jù)嗎

2023-10-15 09:24:03

STM8可以實(shí)現(xiàn)從SRAM啟動(dòng)程序嗎？

STM8可以實(shí)現(xiàn)從SRAM啟動(dòng)程序嗎

2023-10-09 07:38:29

SRAM的基礎(chǔ)電路及原理分析

硬件面試的時(shí)候，看到應(yīng)聘者簡歷上寫著，有過AMD工作或?qū)嵙?xí)經(jīng)歷，熟悉CPU和內(nèi)存。于是我問，那請你畫一下SRAM和DRAM的基本cell出來，然后簡要說一下工作原理及特點(diǎn)，但是沒能說出來。

2023-10-01 14:08:00

2375

如何提高SRAM的讀取速度？

如何提高SRAM的讀取速度

2023-09-28 06:28:57

請問FSMC外擴(kuò)SRAM數(shù)據(jù)之間是怎么傳送的？

FSMC外擴(kuò)SRAM數(shù)據(jù)之間是怎么傳送的？先保存在FSMC再傳送外擴(kuò)SRAM

2023-09-27 06:03:22

使用SRAM來代指對SRAM和PSRAM芯片的支持

使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動(dòng)SRAM

2023-09-18 16:29:50

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14 10.01SRAM結(jié)構(gòu)與控制 - 第5節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

fpga電路sram開發(fā)編程代碼

充八萬發(fā)布于 2023-08-31 20:32:13

14 10.01SRAM結(jié)構(gòu)與控制 - 第4節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

fpga電路sram開發(fā)編程代碼

充八萬發(fā)布于 2023-08-31 20:31:22

14 10.01SRAM結(jié)構(gòu)與控制 - 第3節(jié) #硬聲創(chuàng)作季

fpga電路sram開發(fā)編程代碼

充八萬發(fā)布于 2023-08-31 20:30:31

使用M032在SRAM中運(yùn)行ISR

應(yīng)用程序: 此示例代碼使用 M032 在 SRAM 中運(yùn)行 ISR 。 BSP 版本: M031_Series_BSP_CMSIS_V3.03.000 硬件: NuMaker-M032SE

2023-08-31 09:21:19

使用M032 ISP函數(shù)將UART處理器映射為SRAM

應(yīng)用程序: 此示例代碼使用 M032 在 SRAM 中運(yùn)行 ISR 。 BSP 版本: M031_Series_BSP_CMSIS_V3.03.000 硬件: NuMaker-M032SE

2023-08-31 08:33:51

使用M487 SPIM接口訪問DMM模式的外部SRAM

應(yīng)用程序: 此示例使用 M487 SPIM 接口訪問 DMM 模式的外部 SRAM 。 BSP 版本: M480_BSP_CMSIS_V3.05.001 硬件: NuMaker-PFM-M487

2023-08-29 07:42:17

如何使用mermoc () 從堆中分配EBI SRAM

應(yīng)用: EBI SRAM 上的高空空間 BSP 版本: NUC472/NUC442系列BSP CMSIS v3.03.000 硬件: nuvoton 核 NUC472 演示委員會V1.0

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2023-08-15 10:36:08

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2023-05-26 06:12:06

sram內(nèi)存塊不適合mcal_bss段怎么解決？

對于我的項(xiàng)目，我使用帶有 EBTresos 的 S32K342 進(jìn)行配置和 Autosar OS。我面臨如下 sram內(nèi)存塊不適合 mcal_bss 段問題。鏈接 main.elf

2023-05-19 08:31:12

什么是UWB技術(shù)？UWB技術(shù)有哪些應(yīng)用場景？

帶技術(shù)、UWB 技術(shù)的應(yīng)用場景還有哪些，以及 UWB 技術(shù)的市場有多大，今天我愛音頻網(wǎng)就來跟大家詳細(xì)聊聊。　　一、什么是 UWB 技術(shù)？　　UWB（Ultra Wide Band）超寬帶技術(shù)是一種

2023-05-11 11:45:42

【正點(diǎn)原子STM32戰(zhàn)艦V4開發(fā)板免費(fèi)試用】使用外部 SRAM 存放顯示緩存

800*480分辨率的屏幕需要的緩存較大，放在外部的SRAM里面更為方便用cubemx配置FSMC驅(qū)動(dòng)SRAM 先打開戰(zhàn)艦V4的原理圖查看開發(fā)板上外部SRAM的接口。片選管腳連接

2023-05-08 20:01:14

如何才能使用iMXRT1176片上的SRAM和QSPI flash？

我們正在使用 iMXRT1176。我們的要求是使用片上SRAM和QSPI flash。我們在 SDK 中使用 sd_jpeg 示例并且它運(yùn)行完美。給出了兩個(gè) icf 文件： 1) 內(nèi)存

2023-05-05 06:38:08

新能源時(shí)代來臨，車用電阻市場機(jī)遇顯現(xiàn)

收，占電阻總營收的比例會越來越多；因此未來市場，貼片電阻在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用需求會越來越高。在新能源汽車的電池保護(hù)系統(tǒng)中，大部分客戶會采用被動(dòng)均衡技術(shù)將電池中多余的電能透過被動(dòng)組件消耗，由于各電池

2023-04-28 11:40:22

能否幫忙介紹一下FreeRTOS分配SRAM和DDR的功能是什么，是如何工作的？

能否幫忙介紹一下FreeRTOS分配SRAM和DDR的功能是什么，是如何工作的？

2023-04-28 07:00:20

如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊

如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊

2023-04-27 20:25:40

國產(chǎn)512kbit串行SRAM----SCLPSRAC1

EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。

2023-04-27 17:37:44

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激光焊接技術(shù)在電機(jī)市場中的應(yīng)用有哪些？

從世界電機(jī)市場的規(guī)模分工來看，中國是電機(jī)的制造地區(qū)，歐美發(fā)達(dá)國家是電機(jī)的技術(shù)研發(fā)區(qū)。

2023-04-26 09:29:13

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用FPGA往SRAM芯片中寫數(shù)據(jù)重復(fù)寫多次才能寫是怎么回事呢？

用FPGA往SRAM芯片中寫數(shù)據(jù)重復(fù)寫多次才能寫是怎么回事呢？

2023-04-23 11:46:44

是否可以禁用SRAM2的數(shù)據(jù)緩存并保留SRAM 0和SRAM1的數(shù)據(jù)緩存？

我正在使用 S32k358 uC，我想禁用內(nèi)存區(qū)域的數(shù)據(jù)緩存。在框圖中，我看到樹形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數(shù)據(jù)緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數(shù)據(jù)緩存？

2023-04-23 08:01:09

IMXRT1064外部SRAM，同步和異步模式的CLK使用差異是什么？

IMXRT1064 外部 SRAM - 同步和異步模式的 CLK 使用差異

2023-04-21 08:31:29

設(shè)置外圍模塊后MCUXPRESSO溢出SRAM怎么解決？

[Build 9221] [2023-03-28] SDK 是 SDK_2.x_LPC55S06 2.13.0.201911251446如果我啟動(dòng)并設(shè)置一個(gè)新項(xiàng)目，編譯后，我沒有任何錯(cuò)誤，SRAM

2023-04-20 09:06:04

如何在MCUXpresso IDE上使用芯片上的所有SRAM？

芯片：MIMXRT1176DVMAA芯片上有幾個(gè)SRAM。但是當(dāng)SRAM_ITC_cm7用完時(shí)它不會使用下一個(gè)SRAM。我如何在不使用“__attribute__”的情況下使用所有8個(gè)SRAM，而是

2023-04-14 08:01:47

M7-0如何訪問SRAM區(qū)域34A00000~353FFFFF？

S32G399A M7-0軟件可以訪問SRAM區(qū)域3400000~349FFFFF，但是不能訪問SRAM區(qū)域34A00000~353FFFFF，為什么？

2023-04-11 07:48:58

SRAM使用總結(jié)

SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================16位寬的SRAM//16BITSRAM指針

2023-04-06 15:13:03

554

科普Register file和SRAM

前兩期，我們分別對OTP和MTP，RAM和ROM進(jìn)行了比較。這一次，我們來談?wù)凪emory Compiler，以及通過它生成的Register file和SRAM。

2023-03-31 10:56:37

8516

為什么應(yīng)該將SRAM 0x3400000置零？

是：0x34100000~0x341FFFFF: A53(linux)使用0x34200000~0x342FFFFF：M7使用。那么，地址從0x34000000開始，長度等于0x100000字節(jié)的SRAM是干什么用的呢？為什么我應(yīng)該將 SRAM 置零？

2023-03-31 06:52:33

是否沒有必要初始化SRAM_L因?yàn)樗皇蹺CC保護(hù)？

我注意到在S32K116的啟動(dòng)文件中有一個(gè)ECC RAM initial。(startup_S32K116.S)我認(rèn)為這與 AN12522 有關(guān)。我的問題，初始化似乎只應(yīng)用了 SRAM_U。(0x2000_0000 到 0x2000_3800)是否沒有必要初始化SRAM_L因?yàn)樗皇蹺CC保護(hù)？

2023-03-31 06:05:14