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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>SRAM存儲(chǔ)器具有較高的性能,它的優(yōu)缺點(diǎn)分析

SRAM存儲(chǔ)器具有較高的性能,它的優(yōu)缺點(diǎn)分析

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2023-11-15 10:20:01731

SRAM,存儲(chǔ)器的新未來(lái)

SRAM 的數(shù)量是任何人工智能處理解決方案的關(guān)鍵要素,它的數(shù)量在很大程度上取決于您是在談?wù)摂?shù)據(jù)中心還是設(shè)備,或者是訓(xùn)練還是推理。但我想不出有哪些應(yīng)用程序在處理元件旁邊沒(méi)有至少大量的 SRAM,用于運(yùn)行人工智能訓(xùn)練或推理。
2023-11-12 10:05:05452

請(qǐng)問(wèn)Arduino與樹(shù)莓派相比各自有什么優(yōu)缺點(diǎn)

玩過(guò)arduino,想入手樹(shù)莓派了。想問(wèn)下這兩者的優(yōu)缺點(diǎn)
2023-11-07 07:53:32

請(qǐng)問(wèn)C語(yǔ)言和匯編語(yǔ)言在開(kāi)發(fā)單片機(jī)時(shí)各有哪些優(yōu)缺點(diǎn)?

C語(yǔ)言和匯編語(yǔ)言在開(kāi)發(fā)單片機(jī)時(shí)各有哪些優(yōu)缺點(diǎn)?
2023-10-30 06:32:30

XIP是什么?XIP運(yùn)行有什么要求?XIP的優(yōu)缺點(diǎn)

XIP是什么?XIP運(yùn)行有什么要求?XIP的優(yōu)缺點(diǎn)? XIP是指可執(zhí)行代碼在存儲(chǔ)器運(yùn)行的一項(xiàng)技術(shù),其全稱為eXecute In Place。XIP技術(shù)可以讓不需要額外讀取復(fù)制的代碼,直接在Flash
2023-10-29 16:28:321642

單電源的優(yōu)缺點(diǎn) 為什么我們?cè)趯?shí)際設(shè)計(jì)中會(huì)選擇單電源系統(tǒng)呢?

單電源的優(yōu)缺點(diǎn) 雙電源的優(yōu)缺點(diǎn) 為什么我們?cè)趯?shí)際設(shè)計(jì)中會(huì)選擇單電源系統(tǒng)呢? 單電源和雙電源是電子設(shè)計(jì)中常見(jiàn)的兩種電源架構(gòu)。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,我們選擇單電源系統(tǒng)還是雙電源系統(tǒng),需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)
2023-10-29 14:21:40874

大神就教:芯片焊線斜著打和豎著打有什么優(yōu)缺點(diǎn)

大神就教:芯片焊線斜著打和豎著打有什么優(yōu)缺點(diǎn)?
2023-10-27 16:59:06

請(qǐng)問(wèn)C語(yǔ)言和匯編語(yǔ)言在開(kāi)發(fā)單片機(jī)時(shí)各有哪些優(yōu)缺點(diǎn)?

C語(yǔ)言和匯編語(yǔ)言在開(kāi)發(fā)單片機(jī)時(shí)各有哪些優(yōu)缺點(diǎn)?
2023-10-26 07:47:46

對(duì)cortex m系列開(kāi)發(fā)來(lái)說(shuō),gnu系工具鏈和keil相比有哪些優(yōu)缺點(diǎn)?

對(duì)cortex m系列開(kāi)發(fā)來(lái)說(shuō),gnu系工具鏈和keil 相比有哪些優(yōu)缺點(diǎn)?
2023-10-20 06:28:27

電阻式觸摸屏的原理及優(yōu)缺點(diǎn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電阻式觸摸屏的原理及優(yōu)缺點(diǎn).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-08 10:16:071

SycoTec電動(dòng)主軸與氣動(dòng)主軸的優(yōu)缺點(diǎn)

電動(dòng)主軸和氣動(dòng)主軸各有優(yōu)缺點(diǎn)。電動(dòng)主軸轉(zhuǎn)速高、精度高、穩(wěn)定性好,但價(jià)格較高,發(fā)熱影響較大。氣動(dòng)主軸價(jià)格低廉、散熱好、噪音小,但轉(zhuǎn)速范圍窄、精度低、穩(wěn)定性差。選擇哪種主軸需根據(jù)加工要求和生產(chǎn)成本綜合考慮。
2023-10-08 09:30:10331

NAND Flash和NOR Flash存儲(chǔ)器的區(qū)別

摘要:本文主要對(duì)兩種常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討,以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490

SoC設(shè)計(jì)中常用的存儲(chǔ)器

在SoC中,存儲(chǔ)器是決定性能的另一個(gè)重要因素。不同的SoC設(shè)計(jì)中,根據(jù)實(shí)際需要采用不同的存儲(chǔ)器類型和大小。
2023-09-18 16:22:19325

單級(jí),共源共柵和調(diào)節(jié)型共源共柵型放大器的優(yōu)缺點(diǎn)是什么?

是電子電路設(shè)計(jì)中使用最廣泛的兩種放大器之一。這兩種放大器在不同的電子電路應(yīng)用中都有其優(yōu)缺點(diǎn)。本文將通過(guò)分析這兩種放大器的工作原理與特點(diǎn),對(duì)其優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行詳細(xì)的分析。 一、共源共柵放大器 共源共柵放大器是一種非線性放大
2023-09-18 15:08:231582

共源共柵Cascode以及級(jí)聯(lián)Cascade的優(yōu)缺點(diǎn)是什么?

共源共柵Cascode以及級(jí)聯(lián)Cascade的優(yōu)缺點(diǎn)是什么? 共源共柵Cascode以及級(jí)聯(lián)Cascade是常用的放大電路架構(gòu),它們?cè)诓煌瑧?yīng)用場(chǎng)合中具有不同的優(yōu)缺點(diǎn)。在本文中,我們將就這些架構(gòu)列舉
2023-09-18 15:08:104028

CML型比較器和StrongArm型比較器的優(yōu)缺點(diǎn)是什么?

Regeneration型比較器,CML型比較器和StrongArm型比較器的優(yōu)缺點(diǎn)是什么?? 比較器是數(shù)字電路中廣泛使用的關(guān)鍵組件,用于比較兩個(gè)輸入信號(hào)并輸出相應(yīng)的邏輯值。它是以數(shù)字方式實(shí)現(xiàn)模擬
2023-09-17 17:11:211569

存儲(chǔ)器的分類及其區(qū)別

存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類,前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù),后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668

STM32F2的存儲(chǔ)器和總線架構(gòu)

系統(tǒng)架構(gòu) ? 多層AHB總線矩陣 ? 存儲(chǔ)空間 ? 存儲(chǔ)器映射 ? 片上SRAM ? 位帶操作 ? 片上閃存 ? 自適應(yīng)閃存加速器(STM32F2新增) ? 啟動(dòng)模式 ? 代碼空間的動(dòng)態(tài)重映射(STM32F2新增) ? 內(nèi)嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58

鎖相環(huán)頻率合成器的優(yōu)缺點(diǎn)

的穩(wěn)定控制。本文將從以下幾個(gè)方面詳細(xì)介紹鎖相環(huán)頻率合成器的優(yōu)缺點(diǎn)。 優(yōu)點(diǎn): 1.頻率合成精度高 鎖相環(huán)頻率合成器具有較高的頻率合成精度。因?yàn)樵阪i相環(huán)中,電路通過(guò)反饋調(diào)節(jié)輸入信號(hào)的相位,使得輸出信號(hào)具有一個(gè)穩(wěn)定的頻率和相位。在實(shí)際應(yīng)用中,當(dāng)輸入信
2023-09-02 14:59:331212

晶體管輸出和繼電器輸出的優(yōu)缺點(diǎn)

晶體管輸出和繼電器輸出的優(yōu)缺點(diǎn) 晶體管輸出和繼電器輸出是兩種常見(jiàn)的輸出方式,它們都有它們自己的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。在不同的電路方案中,選擇適當(dāng)?shù)妮敵龇绞娇蓭椭娐?b class="flag-6" style="color: red">性能更好的實(shí)現(xiàn)。 一、晶體管輸出 晶體管輸出
2023-08-25 15:35:251857

igbt的優(yōu)缺點(diǎn)介紹

介紹IGBT的優(yōu)缺點(diǎn)。 優(yōu)點(diǎn) 1. 高效率:IGBT具有較低的導(dǎo)通電阻,因此可以實(shí)現(xiàn)高效率的功率調(diào)節(jié),增加設(shè)備的效率。 2. 高速開(kāi)關(guān):IGBT可在短時(shí)間內(nèi)完成開(kāi)關(guān)操作,因此可以在高頻電路中使用,提高系統(tǒng)的性能。 3. 大電流承受能力強(qiáng):IGBT的電流承受能力較強(qiáng),能夠承受較大
2023-08-25 15:03:294009

淺談貼片安規(guī)Y電容的優(yōu)缺點(diǎn)

傳統(tǒng)的安規(guī)Y電容主要是插件形式的,現(xiàn)在又推出了一種新型的貼片式Y(jié)電容,而且使用量越來(lái)越大,貼片安規(guī)y電容有什么優(yōu)缺點(diǎn)?
2023-08-25 14:42:14376

石墨烯電池的優(yōu)缺點(diǎn)是什么?

石墨烯電池的優(yōu)缺點(diǎn)是什么?? 石墨烯是一種具有極高導(dǎo)電性、熱導(dǎo)性和物理可塑性的材料,可以被用于制造各種電子設(shè)備和材料。石墨烯電池是一種基于石墨烯技術(shù)的電池,與傳統(tǒng)的電池相比,具有一些獨(dú)特的優(yōu)缺點(diǎn)
2023-08-22 17:06:0526781

數(shù)字電源和開(kāi)關(guān)電源的優(yōu)缺點(diǎn)

電源的優(yōu)缺點(diǎn) 數(shù)字電源是一種基于數(shù)字信號(hào)處理的電源。它使用數(shù)字信號(hào)控制模擬電路的輸出,可以實(shí)現(xiàn)很高的精度和可編程性。數(shù)字電源有以下優(yōu)缺點(diǎn): 1. 優(yōu)點(diǎn): (1)高精度:數(shù)字電源使用數(shù)字信號(hào)控制模擬電路的輸出,具有高精度
2023-08-18 15:01:591327

dcdc電路和ldo電路的優(yōu)缺點(diǎn)

進(jìn)行詳盡的探討。 1. DC-DC電路 DC-DC電路是將輸入電源的電壓轉(zhuǎn)換為不同電平的輸出電壓的電路。它們通常具有高電效率和多種輸入/輸出電壓選項(xiàng),可以滿足各種功率需求。以下是DC-DC電路的優(yōu)缺點(diǎn): 優(yōu)點(diǎn): 1) 電效率高:DC-DC電路采用開(kāi)關(guān)器件和電感器件等元
2023-08-18 15:01:073987

開(kāi)關(guān)電源與線性電源的優(yōu)缺點(diǎn)

開(kāi)關(guān)電源和線性電源的優(yōu)缺點(diǎn)。 一、效率方面 開(kāi)關(guān)電源相對(duì)于線性電源而言,在效率方面具有明顯的優(yōu)勢(shì),因?yàn)殚_(kāi)關(guān)電源采用高頻調(diào)制技術(shù)來(lái)進(jìn)行電源變換,相比于線性電源的雙循環(huán)電源變換,高頻調(diào)制將交流電源轉(zhuǎn)化為高頻脈沖,達(dá)到
2023-08-18 14:06:203507

新能源高頻變壓器的優(yōu)缺點(diǎn)

新能源高頻變壓器的優(yōu)缺點(diǎn) 隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染問(wèn)題的日益加劇,新能源技術(shù)受到了越來(lái)越多的關(guān)注。其中,新能源高頻變壓器作為一種重要的新能源技術(shù),具有一系列的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。 優(yōu)點(diǎn): 1.高效性:新能源
2023-08-18 10:54:12717

不同的存儲(chǔ)器技術(shù)介紹 如何選擇正確的存儲(chǔ)器技術(shù)

技術(shù),每種技術(shù)都具有不同的特性和高級(jí)功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲(chǔ)器最主流的存儲(chǔ)器技術(shù),因?yàn)樗褂秒娙萜髯鳛?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)元件來(lái)實(shí)現(xiàn)高密度和簡(jiǎn)單架構(gòu)、低延遲和高性能、無(wú)限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20414

球閥,蝶閥,止回閥,閘閥四種閥門(mén)的優(yōu)缺點(diǎn)

閥門(mén)的類型有很多種,每種都有各自的優(yōu)缺點(diǎn),下面小編就列舉五大閥門(mén)優(yōu)缺點(diǎn),包括閘閥、蝶閥、球閥、截止閥和旋塞閥,希望對(duì)您有所幫助。
2023-08-11 11:47:59543

PrimeCell AHB SDR和SRAM/NOR存儲(chǔ)器控制器(PL243)技術(shù)參考手冊(cè)

AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線體系結(jié)構(gòu)(AMBA)的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設(shè)備。由ARM有限公司開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。 AHB MC利用了新開(kāi)發(fā)的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制器(DMC)和靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器
2023-08-02 14:51:44

基于磁貼的GPU架構(gòu)優(yōu)缺點(diǎn)

本指南介紹了基于磁貼的GPU架構(gòu)的優(yōu)缺點(diǎn)。它還將ARM馬里基于瓷磚的GPU架構(gòu)設(shè)計(jì)與臺(tái)式PC或控制臺(tái)中常見(jiàn)的更傳統(tǒng)的即時(shí)模式GPU進(jìn)行了比較。 馬里GPU使用基于平鋪的渲染體系結(jié)構(gòu)。這意味著GPU
2023-08-02 12:54:29

PrimeCell AHB SRAM/NOR存儲(chǔ)器控制器(PL241)技術(shù)參考手冊(cè)

AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線體系結(jié)構(gòu)(AMBA)的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設(shè)備。由ARM有限公司開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。 AHB MC利用了新開(kāi)發(fā)的靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器(SMC)。AHB MC有一個(gè)
2023-08-02 07:14:25

dram存儲(chǔ)器斷電后信息會(huì)丟失嗎 dram的存取速度比sram快嗎

DRAM(Dynamic Random Access Memory)存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器,意味著當(dāng)斷電時(shí),存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)镈RAM使用電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),電容需要持續(xù)地充電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電,電容會(huì)迅速失去電荷,導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032204

雙軸傾角傳感器具有較高的防護(hù)等級(jí)

濟(jì)南祥控自動(dòng)化研制的傾角傳感器為雙軸高精度傾角傳感器,具有較高的防護(hù)等級(jí),防護(hù)等級(jí)為IP66,防水防塵,具有防爆認(rèn)證,適用于各種惡劣環(huán)境,使用環(huán)境溫度范圍為-40°C至125°C;內(nèi)置高精度檢測(cè)儀芯片,采集角度值更精確、更穩(wěn)定;其傳感原件的過(guò)阻尼頻率響應(yīng)控制,穩(wěn)健設(shè)計(jì),具有高沖擊性。
2023-07-20 10:52:50935

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的介紹與分類

何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤(pán)和光盤(pán)裝置等相比,具有 數(shù)據(jù)讀寫(xiě)快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:131098

回顧易失性存儲(chǔ)器發(fā)展史

,非易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)關(guān)閉后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)仍保留在計(jì)算機(jī)中。易失性存儲(chǔ)器的主要特征是它們需要電源來(lái)維持其存儲(chǔ)狀態(tài)。主要分為兩種類型:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。 1963年,F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28874

共地和分地的優(yōu)缺點(diǎn)

共地與分地并沒(méi)有硬性規(guī)定,可以按需求自己設(shè)計(jì)。這里歸納一下他們的優(yōu)缺點(diǎn)。 分地不容易短路。但是地與地與正極與負(fù)載之間容易形成電壓差。形成奇怪的故障現(xiàn)象。 共地,擁有穩(wěn)定的二進(jìn)制表現(xiàn),即穩(wěn)定的直流表現(xiàn)
2023-06-27 16:48:00

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介

靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:181959

RA6快速設(shè)計(jì)指南 [9] 存儲(chǔ)器 (1)

該控制器訪問(wèn)連接到外部存儲(chǔ)器總線的SDRAM器件。程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共用地址空間;使用單獨(dú)的總線分別訪問(wèn)這兩個(gè)存儲(chǔ)器,從而提高性能并允許在同一個(gè)周期訪問(wèn)程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器映射中包含片上RAM、外設(shè)
2023-06-21 12:15:03421

雙電芯電池的優(yōu)缺點(diǎn)

雙電芯電池是一種由兩個(gè)電池單元組成的電池。這種電池通常由兩個(gè)相同的電池單元并聯(lián)而成,以提供更高的電壓和/或更長(zhǎng)的使用時(shí)間。與單電池相比,雙電芯電池具有許多優(yōu)點(diǎn)和一些缺點(diǎn)。本文將介紹雙電芯電池的優(yōu)缺點(diǎn)。
2023-06-20 17:29:377557

如何保存數(shù)據(jù)在SRAM存儲(chǔ)器中通過(guò)SW?

************************************************* ************************************* * 詳細(xì)說(shuō)明: * 這個(gè)例子的目的是展示如何保存數(shù)據(jù)在 SRAM 存儲(chǔ)器中通過(guò)
2023-06-05 09:47:48

存儲(chǔ)器集成電路測(cè)試

存儲(chǔ)器是集成電路領(lǐng)域的通用器件,其市場(chǎng)用量巨大,從類型上分為 ROMEPROM、E2PROM、SRAM、DRAM、FLASH 等。
2023-05-30 09:56:44251

單板硬件設(shè)計(jì):存儲(chǔ)器( NAND FLASH)

,并把電容放電,藉此來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。 SRAMSRAM利用寄存器來(lái)存儲(chǔ)信息,所以一旦掉電,資料就會(huì)全部丟失,只要供電,的資料就會(huì)一直存在,不需要?jiǎng)討B(tài)刷新,所以叫靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。 3.產(chǎn)品應(yīng)用
2023-05-19 15:59:37

SRAM不需要刷新電路即能保存內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)嗎?

SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)?其中的“刷新電路”什么意思?謝謝~
2023-05-10 14:56:06

航空用電源系統(tǒng)優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)比

目前,航空用電源系統(tǒng)的種類很多。此次,吉事勵(lì)電源廠家詳細(xì)介紹了這幾種飛機(jī)電源系統(tǒng)的基本概況和發(fā)展歷史,并結(jié)合代表機(jī)型分析了各自的特點(diǎn),探討和比較了各自的優(yōu)缺點(diǎn)。
2023-05-06 17:14:301283

國(guó)產(chǎn)512kbit串行SRAM----SCLPSRAC1

EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM,外擴(kuò)SRAM可以通過(guò)使用SPI的接口來(lái)將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問(wèn)的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造,以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615

一文了解新型存儲(chǔ)器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462542

火電、水電、風(fēng)電和光伏等發(fā)電技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)

隨著人類對(duì)能源需求的不斷增加,各種發(fā)電技術(shù)也在不斷發(fā)展和完善。本文將對(duì)火電、水電、風(fēng)電和光伏等發(fā)電技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行分析,以幫助讀者了解各種能源的特點(diǎn)和價(jià)值。
2023-04-18 11:30:345608

機(jī)床編碼器優(yōu)缺點(diǎn)

機(jī)床編碼器優(yōu)缺點(diǎn):優(yōu)點(diǎn):體積小,精密,本身分辨度可以很高,無(wú)接觸無(wú)磨損;同一品種既可檢測(cè)角度位移,又可在機(jī)械轉(zhuǎn)換裝置幫助下檢測(cè)直線位移;多圈光電對(duì)編碼器可以檢測(cè)相當(dāng)長(zhǎng)量程的直線位移(如25位多圈
2023-04-17 15:52:391060

CH32V103基礎(chǔ)教程13-DMA(存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器

本章教程講解DMA存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中,首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上(內(nèi)部SRAM),最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08

箱式變壓器的優(yōu)缺點(diǎn)和使用年限

 箱式變壓器作為一種基礎(chǔ)性設(shè)備,在電力傳輸和配電系統(tǒng)中發(fā)揮著重要的作用,具有結(jié)構(gòu)緊湊、保護(hù)性能好等優(yōu)點(diǎn),但功率較小、成本較高缺點(diǎn)同時(shí)也值得我們注意。
2023-04-14 17:55:234699

非易失性存儲(chǔ)器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點(diǎn)

存儲(chǔ)設(shè)備,包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無(wú)需持續(xù)供電,即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42

MRAM實(shí)現(xiàn)對(duì)車(chē)載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代

具有非易失性,即使切斷電源,信息也不會(huì)丟失,而且和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面,自旋注入MRAM的讀取1擦寫(xiě)時(shí)間都很短,均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05

隔離電源與非隔離電源的優(yōu)缺點(diǎn)

直觀上就可得出它們的一些優(yōu)缺點(diǎn),如表1和表2所示,兩者的優(yōu)缺點(diǎn)幾乎是相反的。  對(duì)于上述的優(yōu)缺點(diǎn),大部分我們都很好理解,由于電源發(fā)生異常后,電源隔離與否對(duì)負(fù)載的危害大小,我們以Buck和它對(duì)應(yīng)的隔離電路
2023-04-06 17:03:41

RA2快速設(shè)計(jì)指南 [6] 存儲(chǔ)器

這兩個(gè)存儲(chǔ)器,從而提高性能并允許在同一個(gè)周期訪問(wèn)程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器映射中包含片上RAM、外設(shè)I/O寄存器、程序ROM、數(shù)據(jù)閃存和外部存儲(chǔ)器區(qū)域。 圖13. RA2A1存儲(chǔ)器映射 7.1 SRAM
2023-04-06 16:45:03466

我們常用存儲(chǔ)器知道有哪些嘛

存儲(chǔ)器存儲(chǔ)介質(zhì)特性來(lái)說(shuō),可以分為兩類,一類就是易失性存儲(chǔ)器,一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看,易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤(pán)。
2023-03-30 14:22:431551

WiFi與 ZigBee的優(yōu)缺點(diǎn)

WiFi與 ZigBee有何優(yōu)缺點(diǎn)? 先來(lái)談一下WiFi,這種無(wú)線技術(shù)的優(yōu)勢(shì)是技術(shù)研發(fā)門(mén)檻低,產(chǎn)品成本低。由于技術(shù)開(kāi)發(fā)難度小,很多初創(chuàng)企業(yè)均以WiFi為基礎(chǔ)開(kāi)發(fā)智慧家居產(chǎn)品,但 其缺點(diǎn)也非常明顯。
2023-03-23 10:55:561443

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