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首先根據(jù)蘇州萊科斯多年對(duì)電站檢測(cè)的經(jīng)驗(yàn)來(lái)帶大家了解下什么是光伏組件EL檢測(cè)設(shè)備：el缺陷檢測(cè)儀用于檢測(cè)太陽(yáng)能組件的隱裂缺陷，如沒(méi)有是無(wú)法檢測(cè)出內(nèi)部缺陷問(wèn)題的，這個(gè)設(shè)備無(wú)論實(shí)在流水線生產(chǎn)還是光伏電站現(xiàn)場(chǎng)，都是必備設(shè)備。
組件中的破片多出現(xiàn)在組件封裝過(guò)程的焊接和層壓工序，在EL測(cè)缺陷試儀中表現(xiàn)為電池片中有黑塊，因?yàn)殡姵仄屏押笤陔姵仄屏巡糠譀](méi)有電流注入，從而導(dǎo)致該部分在EL測(cè)試中不發(fā)光。
晶體硅太陽(yáng)電池所采用的硅材料本身易碎，因此在電池片生產(chǎn)和組件封裝過(guò)程中很容易產(chǎn)生裂片。裂片分兩種一種是顯裂，另一種是隱裂。顯裂是肉眼可以直接看到 的，在組件生產(chǎn)過(guò)程中的分選工序就可以剔除；而隱裂是肉眼無(wú)法直接看到的，并且在組件的制作過(guò)程中更容易產(chǎn)生破片等問(wèn)題。由于單晶硅的解離面具有一定的規(guī) 則，通過(guò)EL測(cè)試圖可以清晰地看到單晶硅電池片的隱裂紋一般是沿著電池片對(duì)角線方向的“x”狀圖形；多晶硅電池片由于晶界的影響有時(shí)很難區(qū)分是多晶硅的晶 界還是電池片中的隱裂紋。
電池片的斷柵主要是由于電池片本身柵線印刷不良或電池片不規(guī)范焊接造成的。從EL測(cè)試圖中表現(xiàn)為沿電池片主柵線的暗線，這是因?yàn)殡姵仄母睎啪€斷掉 后，EL測(cè)試過(guò)程中從電池片主柵線上注入的電流在斷柵附近處的電流密度很小甚至沒(méi)有，從而導(dǎo)致電池片的斷柵處發(fā)光強(qiáng)度較弱或不發(fā)光。
在電池片生產(chǎn)過(guò)程中，燒結(jié)工序工藝參數(shù)不佳或燒結(jié)設(shè)備存在缺陷時(shí)，生產(chǎn)出來(lái)的電池片在EL測(cè)試過(guò)程中會(huì)顯示為大面積的履帶印。實(shí)際生產(chǎn)中通過(guò)有針對(duì) 性的工裝改造就可以有效的消除履帶印的問(wèn)題。例如采用頂針式履帶生產(chǎn)出來(lái)的電池片在EL測(cè)試圖只能看到若干個(gè)黑點(diǎn)而沒(méi)有大面積的履帶印。
黑芯片在EL測(cè)試圖中我們可以清晰的看到從電池片中心到邊緣逐漸變亮的同心圓，它們產(chǎn)生于硅材料生產(chǎn)階段，與硅棒制作過(guò)程中氧的溶解度和分凝系數(shù)大 有關(guān)系。此種材料缺陷勢(shì)必導(dǎo)致晶體硅電池片的少數(shù)載流子濃度降低，從而導(dǎo)致電池片中有此類缺陷的部分在EL測(cè)試過(guò)程中表現(xiàn)為發(fā)光強(qiáng)度較弱或不發(fā)光。
一塊組件的EL測(cè)試圖中有部分電池片發(fā)光強(qiáng)度與該組件中的大部分電池片相比較弱，這是由于這部分電池片的電流或電壓分檔與該組件中大部分電池片的電流或電壓分檔不一致造成的。
EL測(cè)試單個(gè)電池片表面發(fā)光強(qiáng)度不均勻，這是由于電池片電阻不均勻造成的, 較暗區(qū)域一般串聯(lián)電阻較大。這種缺陷也能反應(yīng)電池片少子壽命的分布狀況，缺陷部位少子躍遷機(jī)率降低，在EL測(cè)試過(guò)程中表現(xiàn)為發(fā)光強(qiáng)度較弱。
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