MRAM HS4MANSQ1A-DS1用于固態(tài)硬盤（SSD）可延長壽命
2024-03-18 10:24:36
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MR25H256 MRAM 存儲器 mikroBUS? Click? 平臺評估擴展板
2024-03-14 22:03:11
瑞薩日前宣布，公司已基于STT-MRAM的電路技術開發(fā)出具有快速讀寫能力的測試芯片。該MCU 測試芯片采用 22 納米工藝制造，包括一個 10.8Mbit嵌入式 MRAM 存儲單元陣列。
2024-03-05 10:05:46194 
通過多級存儲器的設計，存儲器層次結構能夠在存儲容量和訪問速度之間找到一個平衡點。高速緩存存儲器和主存儲器提供了快速的訪問速度，而輔助存儲器則提供了大量的存儲空間。
2024-02-19 13:54:42121 
MRAM是以磁性隧道結（MTJ）儲存單元為基礎。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結便會顯現出低電阻特性;反之MTJ便會有高電阻。
2024-02-19 11:32:41367 
DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
1) 允許一個物理內存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數據存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數據存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數據的數據存儲器。
2024-01-30 08:18:12
臺積電近日宣布，與工研院合作開發(fā)出自旋軌道轉矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列芯片，該芯片具有極低的功耗，僅為其他類似技術的1%。這一創(chuàng)新技術為次世代存儲器領域帶來了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 MRAM的基本結構是磁性隧道結，研發(fā)難度高，目前主要分為兩大類：傳統(tǒng)MRAM和STT-MRAM，前者以磁場驅動，后者則采用自旋極化電流驅動。
2024-01-22 10:50:50123 
據報道，全球領先的半導體制造公司臺積電在次世代MRAM存儲器相關技術方面取得了重大進展。該公司成功開發(fā)出自旋軌道轉矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創(chuàng)新的運算架構，使其功耗僅為其他類似技術的1%。
2024-01-19 14:35:126646 臺積電在MRAM技術方面已經取得了顯著進展，成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產品線，并積累了大量內存和車用市場訂單。
2024-01-18 16:44:044838 鑒于AI、5G新時代的到來以及自動駕駛、精準醫(yī)療診斷、衛(wèi)星影像辨識等應用對更高效率、穩(wěn)定性和更低功耗的內存的需求愈發(fā)緊迫，如磁阻式隨機存取內存（MRAM）這樣的新一代內存技術已成為眾多廠商爭相研發(fā)的重點。
2024-01-18 14:44:00838 ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
隨著人們對計算機和電子設備的需求不斷增長，存儲器的種類也越來越多。其中，RAM（Random Access Memory，隨機訪問存儲器）是計算機中最常用的一種存儲器。RAM可以分為兩種類型，一種
2024-01-12 17:27:15513 MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結（1T-1MTJ）體系結構作為數據存儲元素。
2024-01-09 14:24:03208 
MRAM是以磁性隧道結（MTJ）儲存單元為基礎。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結便會顯現出低電阻特性;反之MTJ便會有高電阻。
2024-01-09 11:15:26200 
最近，Imec公布的超大規(guī)模自旋軌道轉移MRAM (SOT-MRAM) 器件已實現創(chuàng)紀錄的性能，每比特開關能量低于100飛焦耳，耐用性超過10的15次方。
2024-01-05 11:47:18428 
在數字電子設備中，存儲器是至關重要的部分。它負責存儲和檢索數據，以支持各種計算和數據處理任務。在存儲器市場中，有兩種主要的類型：隨機訪問存儲器 ( RAM ) 和只讀存儲器 ( ROM )。盡管都是存儲器，但它們之間存在一些關鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17732 
目前三星仍然是全球專利第一，2002年三星宣布研發(fā)MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對MRAM的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調。
2023-11-22 14:43:53213 
電表作為一個計量用電量的儀器，電表的精度不但與檢測芯片的精度有關，而且與其存儲方式有關，如果檢測到的電量數據不能隨機寫入存儲器或寫入存儲器過程出錯電表的精度就會大大降低。 在智能電表數據
2023-11-21 09:59:20
何謂半導體存儲器？ 半導體存儲器是指通過對半導體電路加以電氣控制，使其具備數據存儲保持功能的半導體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數據讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關閉電源
2023-11-15 10:20:01731 
隨著相變存儲器 (PCM)、STT-MRAM、憶阻器和英特爾的 3D-XPoint 等技術的快速發(fā)展，高速的、可字節(jié)尋址的新興 NVM 的產品逐漸涌現于市場中
2023-11-14 09:28:10418 
降低PLC的使用成本可以幫助提高項目的經濟效益。以下是一些方法來降低PLC的使用成本： （1）正確選擇PLC型號：在選擇PLC時，根據項目需求選擇適當的型號。避免過度投資，選擇性能和功能符合實際需求
2023-11-11 08:10:02208 
單片機的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了?。?？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
AT32 SPIM Application Note描述了怎么使用AT32 MCU的SPIM作為外部存儲器的擴展功能。
2023-10-24 08:03:56
mcs-8051單片機的程序存儲器是多少
2023-10-18 07:33:36
存儲領域發(fā)展至今，已有很多不同種類的存儲器產品。下面給大家介紹幾款常見的存儲器及其應用。
2023-10-17 15:45:50521 
內存地址空間是否一定大于所有物理存儲器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存儲器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應用。
2023-09-27 17:46:06490 與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 由于車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
亙存科技成立于2019年，是一家以mram技術為中心，致力于設計、開發(fā)和銷售相關產品的Fabless企業(yè)?？偣驹O在深圳，在上海、蘇州等地設有r&d中心和支持團隊。
2023-09-20 10:27:21660 在SoC中，存儲器是決定性能的另一個重要因素。不同的SoC設計中，根據實際需要采用不同的存儲器類型和大小。
2023-09-18 16:22:19325 
存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數據，后者即使在切斷電源也可以保持數據。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
存儲器是計算機中的重要組成部分，用于存儲程序、數據和控制信息等。根據存儲信息的介質和訪問方式的不同，存儲器可以分為隨機存儲器（RAM）、只讀存儲器（ROM）和硬盤存儲器等幾類。本文將介紹存儲器的工作原理、分類及結構。
2023-09-09 16:18:272105 STM32 F7 概述? STM32總線架構和存儲器映射? 總線架構? 存儲器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復位和時鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
根據專利要點，提供本申請的一種存儲器是檢測方法及存儲半導體相關技術領域中存儲單位與上線之間漏電測定的復雜技術問題，該存儲器的檢測方法如下：選通字線，通過位線在所有存儲單元中寫設定存儲。
2023-09-07 14:27:24523 
盧東暉表示，由于整體存儲器產業(yè)尚處于庫存調整階段，市場需求端除了應用在AI及服務器等應用的高寬帶存儲器（HBM）需求非常強勁，不過目前HBM占美光比重仍低，整體DRAM景氣還得手機、個人計算機等需求回升，才能確立整體景氣復甦。
2023-09-05 16:07:56440 作為一種磁性技術，MRAM本質上是抗輻射的。這使得獨立版本在航空航天應用中很受歡迎，而且這些應用對價格的敏感度也較低。它相對較大，在內存領域，尺寸意味著成本。
2023-08-30 15:28:50407 庫的慢-慢工藝點對塊進行合成，以200 MHz的目標速度確認時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術生產的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
存儲器子系統(tǒng)的主要功能是在云計算和人工智能 (AI)、汽車和移動等廣泛應用中盡可能快速可靠地為主機（CPU 或 GPU）提供必要的數據或指令。片上系統(tǒng) (SoC) 設計人員可以選擇多種類型的存儲器
2023-08-17 09:54:20414 
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結構（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的動態(tài)存儲器控制器（DMC）和靜態(tài)存儲器控制器
2023-08-02 06:26:35
TBW（Total Bytes Written）是衡量閃存存儲器壽命和耐用性的重要指標。但由于寫入放大的影響，實際TBW值可能會偏離理論值。本文將介紹TBW的概念以及寫入放大系數，并探討如何降低寫入放大對存儲器的影響。
2023-07-25 14:19:39253 何謂半導體存儲器？ 半導體存儲器是指通過對半導體電路加以電氣控制，使其具備數據存儲保持功能的半導體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數據讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關閉電源
2023-07-12 17:01:131098 
Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要使用最少數量的引腳來快速存儲、檢索數據和程序的應用程序而言，是最為理想的存儲器。適用于工業(yè)設備中的代碼存儲、數據記錄、備份和工作存儲器?？商娲鶩lash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262 易失性存儲器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關于存儲器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史，本期內容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計算機開機時存儲數據，但在關閉時將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 PLC系統(tǒng)中的存儲器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數據。PLC的存儲器包括系統(tǒng)存儲器和用戶存儲器。
2023-06-26 14:02:453775 半導體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數據信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數據會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
該控制器訪問連接到外部存儲器總線的SDRAM器件。程序和數據存儲器共用地址空間；使用單獨的總線分別訪問這兩個存儲器，從而提高性能并允許在同一個周期訪問程序和數據。存儲器映射中包含片上RAM、外設
2023-06-21 12:15:03421 
MRAM在數據記錄應用中，數據記錄是如下持續(xù)、反復地將重要數據保存于設備的過程?？梢杂涗浵到y(tǒng)內外部發(fā)生的事件；使用歷史；環(huán)境參數 ；機器狀態(tài)；用于分析目的的其他數據。因需要持續(xù)、反復地保存數據，內存需要快速的寫入速度與高耐久性。
2023-06-20 17:06:22219 RAID控制卡的日志存儲器存放重要數據，如日志和數據寫入完成、奇偶校驗寫入、錯誤日志等。在斷電的情況下，控制器查詢日志內存，以了解從哪里開始恢復。
2023-06-12 17:11:11323 Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片，組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序，續(xù)航時間無限制。數據在20年以上的時間內始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 為了進行性能比較，使用了三種不同的存儲芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR閃存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND閃存。
2023-05-31 17:14:24788 
的新一代S32區(qū)域處理器和通用汽車MCU首批樣品 ? ? ? 了解詳情 ? ? 全球領先汽車處理企業(yè)恩智浦半導體宣布與臺積電合作交付行業(yè)首創(chuàng)的采用16納米FinFET技術的汽車嵌入式MRAM（磁隨機存儲器）。在向軟件定義汽車（SDV）的過渡中，汽車廠商需要在單個硬件平臺上支持多代軟件
2023-05-26 20:15:02396 磁表面存儲器——磁表面存儲器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質。
存儲密度——磁表面存儲器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲的二進制信息量
2023-05-26 11:27:061409 MRAM是一種新型的非易失性存儲器技術，與傳統(tǒng)的存儲器技術相比，MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長的壽命。
2023-05-23 17:34:15395 對管網的實時監(jiān)測和漏損處理，減少非計量用水和漏損用水，提高水務收入。
水資源節(jié)約和循環(huán)利用技術推廣：推廣水資源節(jié)約和循環(huán)利用技術，如雨水收集利用、污水處理再利用等，降低水務成本，提高水資源利用效率。
水務
2023-05-23 15:03:25
上的電荷來存儲信息，一旦掉電信息會全部的丟失，由于柵極會漏電，所以每隔一定的時間就需要一個刷新機構給這些柵電容補充電荷，并且每讀出一次數據之后也需要補充電荷，這個就叫動態(tài)刷新，所以稱其為動態(tài)隨機存儲器
2023-05-19 15:59:37
X-ray無損檢測設備作為一種重要的檢測設備，其使用成本的降低不僅對企業(yè)的發(fā)展有著顯著的價值，同時也有利于提高整個行業(yè)的經濟效益。因此，如何有效降低X-ray無損檢測設備的使用成本，成為企業(yè)關注
2023-05-19 09:45:43338 
其數據始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設計中的代碼存儲、數據記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39268 單片機的程序存儲器和數據存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
80C51單片機中存儲器是RAM和ROM分開編址的嗎？求解答
2023-05-09 16:04:22
S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)性能和基于硬件/軟件的數據保護系統(tǒng)?？梢匀〈哂邢嗤δ芎头且资缘拈W存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允許帶寬擴展選項。
2023-04-27 17:33:44420 通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應該將其設置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
關于DMA，具有三種數據傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設、外設到存儲器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲器到存儲器傳輸方式以及存儲器到外設傳輸方式，本章將講解DMA外設到存儲器傳輸方式。使用串口1作為外設，通過串口調試助手等向開發(fā)板發(fā)送數據，數據會被返回給開發(fā)板并通過串口調試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
關于DMA，具有三種數據傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設、外設到存儲器。前面已講解過關于存儲器到存儲器數據傳輸方式，本章將講解存儲器到外設的傳輸方式以及在下一章將會講解外設到存儲器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462542 51單片機外擴數據存儲器最大的容量是多少？可以達到50MB嗎？用的是什么芯片？
2023-04-19 16:34:36
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現數據在兩個內存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數據，存放在內部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數據拷貝到目標地址上（內部SRAM），最后對比源數據和目標地址的數據，判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
我想將 iMX RT1024 連接到 MR5A16A MRAM MR5A16A MRAM 數據表聲明它與 SRAM 接口兼容但是，通過比較 MR5A16A 數據表和 iMX RT1024 參考手冊
2023-04-17 07:52:33
STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執(zhí)行）功能和基于硬件/軟件的數據保護機制。SPl（串行外圍接口）是一個帶有命令、地址和數據信號的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758 存儲設備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設備能夠保存數據且無需持續(xù)供電，即使關閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
的可擦寫次數多，并且性能有所提高。如果這兩種存儲器的成本一樣，肯定會選擇MRAM。當采用65nm工藝的自旋注入MRAM量產時,將有可能實現對車載MCU中嵌入式存儲器的取代。原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:41:05
/寫存儲器，在斷電時無需外部電池即可保留數據。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:26:28
SHARCVW/5MRAM;AUDIODECODERS
2023-04-06 11:21:52
MRAM磁性隨機存儲器 2.7V~3.6V 256Mb
2023-04-06 11:14:58
MRAM磁性隨機存儲器 UDFN8_2X3MM_EP VCC=1.8V~5.5V
2023-04-06 11:13:38
我們正在嘗試將內部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們如何使用。請指導我們實現這一目標
2023-04-04 08:16:50
存儲器按存儲介質特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看，易失性存儲器可以理解為內存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
在PLC(可編程邏輯控制器)產品中，MRAM芯片的應用也日漸普及，本文將介紹MRAM芯片應用于PLC產品上的特性。--代理商：吉芯澤科技
2023-03-29 16:31:221169 
MRAM磁性隨機存儲器 4.5V~5.5V 140mA TQFP52_10X10MM
2023-03-27 13:44:37
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工商網監(jiān)
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