IGBT在二極管鉗位感性負(fù)載條件下的電路如圖1所示，該電路為IGBT常用電路，可作為IGBT開關(guān)特性的測試電路，評估IGBT的開通及關(guān)斷行為。
2024-03-15 10:25:51
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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種重要的功率電子器件，廣泛應(yīng)用于各種高壓高電流的電力電子設(shè)備中。IGBT選型是指根據(jù)特定應(yīng)用需求選擇合適的IGBT
2024-03-12 15:31:12254 IGBT應(yīng)用于變頻器逆變電路中，存在這么一種情況，IGBT先短路再開通，請問這是一種什么樣的過程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起來，然后啟動變頻器，此時這種過程就可以稱之為先短路再
2024-02-29 23:08:07
，在第二個尖峰達到最大點之后CE電壓快速下降至母線電壓的一半，因為是上下橋的IGBT各分擔(dān)一半電壓。請問CE的電壓波形為什么會有兩個尖峰，是由什么造成的，是驅(qū)動電壓的原因還是什么，如果是驅(qū)動電壓關(guān)斷時的原因，那么是關(guān)斷時的密勒效應(yīng)影響的嗎？
2024-02-25 11:31:12
常見的逆變電路的元件主要分為分立器件的IGBT和集成的IGBT模塊，這些又分為不同電壓等級和電流大小，那么IGBT的開通時間和關(guān)斷時間是否相同，如果不相同，哪個時間更長一些？并且，在設(shè)計IGBT
2024-02-25 11:06:01
在高壓600V，額定電流10A的壓縮機電機控制中，IGBT經(jīng)常燒壞，主要有哪些原因?qū)е滤鼡p壞。
2024-02-22 17:58:38
IGBT模塊或者單管應(yīng)用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實驗時，在IGBT開通時刻做出短路動作，IGBT的CE電壓會從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達到穩(wěn)定。
但是在具體波形時，IGBT
2024-02-21 20:12:42
什么是IGBT的退飽和？為什么IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象？ IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點。它在高電壓和高電流應(yīng)用中具有低開啟電阻、低導(dǎo)通壓降和高開關(guān)速度等優(yōu)點
2024-02-19 14:33:28475 出現(xiàn)過流和短路故障，導(dǎo)致設(shè)備損壞甚至發(fā)生火災(zāi)。 首先，需要了解過流和短路的概念。過流是指電流超過設(shè)備或電路所能承受的額定電流的情況，而短路是指電流繞過了正常的路徑，直接從一個節(jié)點到達另一個節(jié)點的情況。 IGBT過流故障是指在IGBT工作過
2024-02-18 11:05:32274 低導(dǎo)通壓降和高開關(guān)速度的特點，因此被廣泛應(yīng)用于各種功率電子系統(tǒng)。 IGBT驅(qū)動電路的主要功能是控制IGBT的開關(guān)狀態(tài)，并提供足夠的電流和電壓以確保IGBT的正常工作。IGBT驅(qū)動電路通常包括輸入電路、隔離電路、驅(qū)動邏輯電路和輸出電路等部分。 輸入電路用于接收輸入信
2024-01-23 13:44:51674 。IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，包括變頻器、電機驅(qū)動、電力電子設(shè)備等。 IGBT模塊是指將多個IGBT芯片和驅(qū)動電路封裝在一個模塊內(nèi)，使得IGBT能夠方便地進行安裝和維護。IGBT模塊通常由IGBT芯片、散熱器
2024-01-18 17:31:231080 不同的設(shè)計和功能，會影響 IGBT 的工作特性和性能。 第一部分：驅(qū)動板的作用和需求 IGBT 是一種高壓高功率開關(guān)器件，在許多領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，如變頻器、電機控制、電力電子等。IGBT 需要一個驅(qū)動板來提供適當(dāng)?shù)男盘柡碗娏鱽砜刂破溟_關(guān)行為。驅(qū)動板的主要功
2024-01-15 11:26:04355 了MOSFET和BJT的優(yōu)點，具備高電壓和高電流開關(guān)能力。 IGBT的工作原理可以分為四個階段：導(dǎo)通、關(guān)斷、過渡和飽和。 1. 導(dǎo)通階段：在導(dǎo)通階段，IGBT的門極電壓（V_GS）通過控制電壓源施加，使得MOSFET部分的導(dǎo)電層建立。這導(dǎo)致P型基區(qū)變窄，觸發(fā)NPN晶體管的導(dǎo)通。 2. 關(guān)斷階段
2024-01-12 14:43:521677 轉(zhuǎn)眼2024年的第一個周末了，也許只有到了隆冬，我們才會知道，我們身上有著一個不可戰(zhàn)勝的夏天。之前在聊到特斯拉減少75% SiC用量的話題時，我們聊了Hybrid(Si IGBT+SiC MOS
2024-01-07 09:35:17432 
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種電力開關(guān)裝置，常被用于控制大電流和高電壓的電力設(shè)備。IGBT軟開關(guān)和硬開關(guān)是兩種不同的IGBT工作模式，它們在開關(guān)
2023-12-21 17:59:32658 和sinLO接到AD2S1200輸入端，再用示波器看波形，波形下端被截止一部分
這是為什么？一直沒有找到解決方法，輸入AD2S1200的波形符合3.6Vp-p，10HZ
2023-12-21 06:48:46
隨著新能源的爆火，IGBT缺貨成了近年來的“家常便飯”。根據(jù)富昌電子的數(shù)據(jù)，目前英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體等IGBT國際大廠的訂單整體處于相對飽滿的狀態(tài)，價格整體而言也比較穩(wěn)定，產(chǎn)品交期普遍在39周以上，尤其是風(fēng)光儲IGBT等部分緊缺料交期還在52周以上。
2023-12-14 12:25:36476 
IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動器中的對比測試
2023-12-14 11:31:08232 
在文件數(shù)據(jù)表中，按照IGBT 模塊（IGBT，二極管，殼體，溫度傳感器等）的各個組成部分別給出它們的極限值。
2023-12-01 09:12:31547 
IGBT的結(jié)構(gòu)中絕大部分區(qū)域是低摻雜濃度的N型漂移區(qū)，其濃度遠遠低于P型區(qū)，當(dāng)IGBT柵極施加正向電壓使得器件開啟后
2023-11-28 16:48:01591 
通過雙脈沖測試，可以得到IGBT的各項開關(guān)參數(shù)。
2023-11-24 16:36:421607 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《差分驅(qū)動ADC 第一部分.pdf》資料免費下載
2023-11-23 16:36:36
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用Σ-Δ轉(zhuǎn)換器——第一部分.pdf》資料免費下載
2023-11-23 14:31:420 功率電子器件是PCS的核心組成部分，主要實現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換和控制。而IGBT就是最為常用的功率器件，今天我們主要來學(xué)習(xí)IGBT。
2023-11-22 09:42:50513 
當(dāng)前電動汽車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成，如電池、VCU、BSM、電機等，但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品，國內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多，但是有一個模塊需要引起行業(yè)內(nèi)的重視，那就是電機驅(qū)動部分，則是電機
2023-11-20 16:44:431156 
和性能，動態(tài)測試是必不可少的。下面將詳細(xì)介紹IGBT動態(tài)測試的參數(shù)。 1. 開通特性測試（Turn-on Characteristics Test）： 開通特性測試是通過控制IGBT的輸入信號，來檢測
2023-11-10 15:33:51885 ： IGBT是一種晶體管結(jié)構(gòu)，由MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）控制Bipolar雙極晶體管的開關(guān)動作。IGBT主要由三個部分組成： - N型溝道區(qū)：
2023-11-10 14:26:281268 對比不同IGBT的參數(shù)及性能；
獲取IGBT開通和關(guān)斷過程的參數(shù)；
評估驅(qū)動電阻是否合適；
開通和關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩；
2023-11-10 09:12:32784 
開關(guān)器件，常用于控制高電壓和高電流的電力電子設(shè)備中。IGBT短路測試是在IGBT生產(chǎn)和維修過程中常用的一項關(guān)鍵測試，旨在檢測IGBT是否存在電路短路故障。 IGBT短路測試平臺是一種用于進行IGBT
2023-11-09 09:18:291042 各位大佬，請教一下 IGBT 模塊的絕緣耐壓如何測試？
2023-10-23 10:19:00
隨著新能源汽車（NEV）的崛起，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）已成為這一領(lǐng)域的核心元件。目前我國新能源汽車快速發(fā)展已經(jīng)使IGBT已成為我國最重要的應(yīng)用領(lǐng)域，占據(jù)約30%的市場份額。以特斯拉Model
2023-10-21 11:30:001085 
驅(qū)動電路對動態(tài)均流的影響：驅(qū)動電路對并聯(lián)均流的影響也是顯而易見的，如果并聯(lián)工作的IGBT驅(qū)動電路不同步，則先驅(qū)動的IGBT要承擔(dān)大得多的動態(tài)電流。
2023-10-20 10:31:551220 
igbt可以反向?qū)▎?？如何控?b class="flag-6" style="color: red">igbt的通斷？ IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 隔離柵雙極晶體管的縮寫，是一種功率半導(dǎo)體器件。IGBT 可以用
2023-10-19 17:08:051888 igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷？igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種晶體管，可以用作開關(guān)。IGBT由P型注入?yún)^(qū)、N型襯底
2023-10-19 17:08:028160 IGBT模塊具有良好的開關(guān)性能、高速度和高效率等特點。IGBT模塊廣泛應(yīng)用于工業(yè)、通信、軍事、醫(yī)療等各個領(lǐng)域，成為高功率控制領(lǐng)域的主流技術(shù)之一。 IGBT模塊的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗是其效率的兩個重要指標(biāo)。在傳導(dǎo)損耗方面，IGBT模塊具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，即
2023-10-19 17:01:221313 IGBT市場規(guī)模約為142.99億元。
伴隨著化石等不可再生能源數(shù)量的減少、對環(huán)境的持續(xù)破壞等問題凸顯，人們對于節(jié)能減排意識不斷加強，這在一定程度上促進了功率半導(dǎo)體和電子技術(shù)的迅速發(fā)展。目前，功率半導(dǎo)體器件
2023-10-16 11:00:14
多個子模塊，如何讓其中一個子模塊包含一部分子模塊
2023-10-16 06:12:28
IGBT是如今被廣泛應(yīng)用的一款新型復(fù)合電子器件，而IGBT測試也變的尤為重要，其中動態(tài)測試參數(shù)是IGBT模塊測試一項重要內(nèi)容，IGBT動態(tài)測試參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能的重要依據(jù)。其動態(tài)測試參數(shù)主要有：主要參數(shù)有開關(guān)參數(shù)、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
2023-10-09 15:14:35644 
通過目視檢查、測量電氣參數(shù)、評估柵極驅(qū)動和開關(guān)特性以及在應(yīng)力條件下進行測試，可以識別潛在故障。然而，這種萬用表測試只能提供有關(guān) IGBT 功能的有限信息。為了對 IGBT 進行更全面的評估，建議進行柵極驅(qū)動測試、開關(guān)性能分析等額外測試。
2023-10-09 14:20:02796 
了性能各異的IGBT產(chǎn)品。為了優(yōu)化和驗證組件性能以及對不同IGBT的性能驗證，我們引入了雙脈沖測試方法，借此工具我們可以實現(xiàn)以下具體功能:
2023-09-15 10:09:32484 
選型IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是電子設(shè)備設(shè)計中的重要任務(wù)，因為正確的IGBT選擇對于設(shè)備性能和可靠性至關(guān)重要。本文將介紹如何選擇適合您應(yīng)用的IGBT，并解釋IGBT的關(guān)鍵特性以及如何閱讀IGBT的數(shù)據(jù)表。
2023-09-13 15:47:56921 
它在半導(dǎo)體領(lǐng)域嶄露頭角，成為現(xiàn)代技術(shù)發(fā)展不可或缺的重要組成部分。為了更好地理解IGBT的發(fā)展歷程，讓我們深入探索這一激動人心的故事。
2023-09-05 10:15:39443 igbt測量好壞方法萬用表 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種應(yīng)用廣泛的半導(dǎo)體器件，可用于各種電氣設(shè)備中，如電力電子設(shè)備和汽車。對于一個電氣工程
2023-09-02 11:20:152222 igbt為什么要反并聯(lián)二極管 IGBT是一種功率器件，它是一種膜材料型結(jié)構(gòu)，它采用P型部分、N型部分、漂移區(qū)、隔離氧化層、金屬控制電極和保護結(jié)構(gòu)等元件組成，為集成化的功率MOSFET和雙極性晶體管
2023-08-29 10:25:592924 IGBT逆變電路詳解 IGBT逆變電路是一種高壓、高功率驅(qū)動電路，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、航空、船舶等領(lǐng)域。本文將為您詳細(xì)介紹IGBT逆變電路的原理、結(jié)構(gòu)、應(yīng)用以及注意事項等內(nèi)容。 一、IGBT逆變電
2023-08-29 10:25:543320 速度。然而，與任何其他電子設(shè)備一樣，IGBT也會經(jīng)歷性能退化，并可能因各種因素而失效。因此，在將IGBT用于電力電子電路之前，測試IGBT的良好或不良狀態(tài)至關(guān)重要，以防止對設(shè)備造成任何潛在的災(zāi)難性損壞，避免損失資金。 在這篇文章中，我們將討論
2023-08-25 15:03:352091 介紹IGBT的優(yōu)缺點。 優(yōu)點 1. 高效率：IGBT具有較低的導(dǎo)通電阻，因此可以實現(xiàn)高效率的功率調(diào)節(jié)，增加設(shè)備的效率。 2. 高速開關(guān)：IGBT可在短時間內(nèi)完成開關(guān)操作，因此可以在高頻電路中使用，提高系統(tǒng)的性能。 3. 大電流承受能力強：IGBT的電流承受能力較強，能夠承受較大
2023-08-25 15:03:294009 igbt的應(yīng)用領(lǐng)域有哪些? IGBT是一種檢測電壓的器件，它可以用于許多應(yīng)用領(lǐng)域。本文將介紹IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域，并對每個領(lǐng)域進行詳盡的探討。 1. 電力電子設(shè)備 IGBT被廣泛應(yīng)用于電力電子設(shè)備
2023-08-25 15:03:263059 ) 。采用深槽刻
蝕和回填工藝制備了 p 柱和 p 體區(qū)分離的超結(jié) IGBT 器件。測試結(jié)果表明，該器件擊穿電壓高于
660 V，在導(dǎo)通電流 20 A 時，其飽和導(dǎo)通壓降為 1. 7 V，相比于傳統(tǒng)超結(jié) IGBT 器件更低，關(guān)斷
能量為 0. 23 mJ，遠低于傳統(tǒng)超結(jié) IGBT 器件的 3. 3 m
2023-08-08 10:20:000
重要意義。為了全面獲得電-熱-力綜合影響下壓接型 IGBT 芯片的動態(tài)特性，該文結(jié)合雙脈沖測試
電路原理，研制出具備電-熱-力靈活調(diào)節(jié)的壓接型 IGBT 芯片動態(tài)特性實驗平臺。通過對動態(tài)特性
實驗平臺關(guān)鍵問題進行有限元仿真計算，實現(xiàn)平臺回路寄生電感、IGBT 芯片表面壓力分布
2023-08-08 09:58:280 IGBT芯片是IGBT器件的主要部分，通常由硅制成。它由四個區(qū)域組成：N+型集電極、P型漏極、N型溝道和P+型柵極。
2023-08-08 09:45:12619 
IGBT模塊動態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時間、驅(qū)動功率等的重要依據(jù)，本文重點討論以下動態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543287 
根據(jù)IGBT的產(chǎn)品分類來看，按照其封裝形式的不同，可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:301502 
在今天的電力電子世界中，絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是至關(guān)重要的一部分。由于其在高壓和大電流應(yīng)用中的優(yōu)秀性能，IGBT在許多行業(yè)中都得到了廣泛的應(yīng)用，包括電力轉(zhuǎn)換、電動車、電網(wǎng)以及可再生能源
2023-07-03 10:15:39380 
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2023-06-29 09:27:060 關(guān)注新能源車的朋友應(yīng)該都知“IGBT”這個詞，如果你去4S店買新能源車在談到提車時間時，銷售可能都會說由于芯片產(chǎn)能的不足，缺“芯片”導(dǎo)致整車的交付時間加長。這個“缺芯片”中也包含新能源汽車上必不可少IGBT。
2023-06-19 16:33:07933 
未來的人工智能將成為游戲中不可缺少的一部分，讓游戲變得多樣多樣，讓玩家在游戲中獲得個性化的體驗。游戲開發(fā)的各產(chǎn)業(yè)階段和ai的結(jié)合度很高。
2023-06-01 14:20:09759 IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個芯片之間通過鋁導(dǎo)線實現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:52555 
IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分
2023-05-26 11:21:231253 
占用了 4K 的關(guān)鍵 RAM，維護人員努力工作以使其成為標(biāo)準(zhǔn)核心的一部分。
這是一個大問題，因為 ESP8266 的大多數(shù)重要用途（例如使用 BearSSL）需要大量可用 RAM，而 4K 是其中的很大一部分
2023-05-19 10:10:25
的一部分是否支持混合反交錯？
作為函數(shù) mxc_isi_channel_set_deinterlace 的一部分，我們可以看到混合去隔行方法被標(biāo)記為 TODO。
/* de-interlacing
2023-04-28 06:39:16
自 20 世紀(jì) 80 年代發(fā)展至今，IGBT 芯片經(jīng)歷了 7 代技術(shù)及工藝的升級，從平面穿通型（PT）到微溝槽場截止型，IGBT 從芯片面積、工藝線寬、通態(tài)飽和壓降、關(guān)斷時間、功率損耗等各項指標(biāo)
2023-04-12 12:02:051874 通用型集成運放一般由幾部分電路組成？每一部分電路的作用是什么？
2023-03-31 11:49:19
TPP1000 是泰克的新型電壓探頭。使用電探頭測試設(shè)備并測量電流和電壓。探頭是任何電力測試工具箱中不可或缺的一部分，以確保準(zhǔn)確的測量、可靠性和安全性。對于 0 到 40,000 直流 (VDC) 的電壓，請使用高壓探針表。附加的功能：1 GHz 探頭帶寬
2023-03-24 09:06:34
與驅(qū)動板進行連接，組合成為一個完整的整體?！ ≡谶\行過程中有開損耗、關(guān)損耗等，會造成IGBT會發(fā)熱，溫度升高，影響性能，因此，需要散熱系統(tǒng)為IGBT模塊提供散熱，IGBT模塊配備用于冷卻液的針狀散熱翅片
2023-03-23 16:01:54
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