使用。為什么可以把 TFTLCD 當(dāng)成 SRAM 設(shè)備用，這個(gè)首先要了解 NOR/PSRAM 存儲(chǔ)器控制器的接口信號(hào)，其接口信號(hào)功能如下：
從上圖中可以看出外部 SRAM 的控制一般有：地址線（如
2024-03-15 15:53:42
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過電容來存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36
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1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
：基于靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）的FPGA，其配置可以在每次上電時(shí)重新加載。這類FPGA具有較高的靈活性，但功耗較高。
Flash-based FPGA ：基于閃存的FPGA，其配置可以在斷電后保持。這類
2024-01-26 10:09:17
來實(shí)現(xiàn)分布式的算術(shù)結(jié)構(gòu)，就可以有效地實(shí)現(xiàn)這些乘和累加操作。
尤其是 Xilinx 公司的 FPGA 內(nèi)部集成了大量的適合通信領(lǐng)域的一些資源比如：基帶處理(通道卡)、接口和連接功能以及 RF(射頻卡)三
2024-01-17 17:03:05
是Volatile RAM（易失性存儲(chǔ)器），又稱為SRAM（Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲(chǔ)器），又稱
2024-01-12 17:27:15513 ，從基本原理到電路設(shè)計(jì)的細(xì)節(jié)。
SRAM是一種基于
存儲(chǔ)雙穩(wěn)態(tài)的
存儲(chǔ)器技術(shù)，它使用觸發(fā)器來
存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。一個(gè)典型的
SRAM單元由6個(gè)傳輸門（傳遞門）組成，其中包括兩個(gè)傳輸門用于
存儲(chǔ)和讀取數(shù)據(jù)，
以及兩個(gè)傳輸門用于寫入和刷新數(shù)據(jù)。
SRAM的讀取操作是通過將地址輸入到
SRAM中來完成的。當(dāng)?shù)刂份斎氲?/div>
2023-12-18 11:22:39496 SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來，SRAM一直是開發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動(dòng)力。
2023-12-06 11:15:31635 在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計(jì)算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲(chǔ)器市場中，有兩種主要的類型：隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器 ( RAM ) 和只讀存儲(chǔ)器 ( ROM )。盡管都是存儲(chǔ)器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17732 
內(nèi)部功能，這種產(chǎn)品也被稱作異步 DRAM 。 DRAM 的存儲(chǔ)單元的長寬比接近 1：1，為陣列（Array）形狀，存儲(chǔ)器的地址線則被分為行（Row）（地）址線和列（Column）（地）址線。行址線用來
2023-11-17 09:26:27378 ，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲(chǔ)器 ( Flash Memory，簡稱 Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失存儲(chǔ)器（Volatile Memory），存儲(chǔ)內(nèi)容不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作非易失存儲(chǔ)器（Non-Volatile Memory）。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類 1、按功能分為 （1）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:01731 
SRAM 的數(shù)量是任何人工智能處理解決方案的關(guān)鍵要素，它的數(shù)量在很大程度上取決于您是在談?wù)摂?shù)據(jù)中心還是設(shè)備，或者是訓(xùn)練還是推理。但我想不出有哪些應(yīng)用程序在處理元件旁邊沒有至少大量的 SRAM，用于運(yùn)行人工智能訓(xùn)練或推理。
2023-11-12 10:05:05452 UPS電源的應(yīng)用領(lǐng)域以及各自的特點(diǎn)與區(qū)別? UPS（Uninterruptible Power Supply）電源是一種用于提供電力備份的裝置，用于保護(hù)電子設(shè)備免受電力供應(yīng)中斷、電壓波動(dòng)或電力故障
2023-11-09 16:53:33555 單片機(jī)的存儲(chǔ)器主要有幾個(gè)物理存儲(chǔ)空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間，其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
隨著人工智能技術(shù)的不斷發(fā)展，聊天機(jī)器人成為了一個(gè)備受矚目的領(lǐng)域。在這個(gè)領(lǐng)域中，ChatGPT Plus是一款備受關(guān)注的產(chǎn)品。本文將詳細(xì)介紹ChatGPT Plus的功能，包括其可以聯(lián)網(wǎng)獲取實(shí)時(shí)信息
2023-10-26 09:49:204046 
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了啊？？AT89C52手??冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
AT32 SPIM Application Note描述了怎么使用AT32 MCU的SPIM作為外部存儲(chǔ)器的擴(kuò)展功能。
2023-10-24 08:03:56
設(shè)定啟動(dòng)存儲(chǔ)器為主存擴(kuò)展（AP模式）主要闡述有AP mode功能的MCU設(shè)定啟動(dòng)程序存儲(chǔ)區(qū)為主存擴(kuò)展的方法及范例程序。
2023-10-24 07:49:44
mcs-8051單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器是多少
2023-10-18 07:33:36
存儲(chǔ)領(lǐng)域發(fā)展至今，已有很多不同種類的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲(chǔ)器及其應(yīng)用。
2023-10-17 15:45:50521 
內(nèi)存地址空間是否一定大于所有物理存儲(chǔ)器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存儲(chǔ)器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
的FSMC配置的存儲(chǔ)器接口實(shí)例，以及時(shí)序計(jì)算和硬件連接方法。本應(yīng)用筆記的實(shí)例是基于STM3210E-EVAL評(píng)估版上的存儲(chǔ)器，這是大容量STM32F10xxx的評(píng)估版。使用的存儲(chǔ)器是一個(gè)16位的異步NOR閃存存儲(chǔ)器，一個(gè)8位的NAND閃存存儲(chǔ)器和一個(gè)16位的異步SRAM存儲(chǔ)器。
2023-10-10 07:45:10
單片機(jī)功能強(qiáng)大，我想它可以完成存儲(chǔ)器6116的數(shù)據(jù)存取功能吧？這或許是認(rèn)識(shí)單片機(jī)比較容易的一步？討厭我這個(gè)問題的朋友您就別看了，我真的不是想愚弄您。
2023-10-07 08:16:39
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 如何檢測24c存儲(chǔ)器容量
2023-09-25 06:48:32
存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類，前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
MCU（Microcontroller Unit）是一種集成了處理器、存儲(chǔ)器和輸入/輸出接口的微型計(jì)算機(jī)芯片。它可以廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，如汽車電子、工業(yè)自動(dòng)化、智能家居等。本文將介紹MCU的基本原理、分類、特點(diǎn)以及應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-09-14 18:24:531745 PWM（Pulse Width Modulation）是一種常見的信號(hào)調(diào)制技術(shù)，用于控制電路中的電壓和電流。它通過改變脈沖的寬度來控制電路中的信號(hào)強(qiáng)度和頻率。本文將介紹PWM的基本原理、分類、特點(diǎn)以及應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-09-14 17:29:405391 FPGA（Field Programmable Gate Array）是一種可編程邏輯器件，它可以通過編程實(shí)現(xiàn)各種數(shù)字電路功能。FPGA技術(shù)以其靈活性、高性能和低功耗等特點(diǎn)而受到廣泛關(guān)注和應(yīng)用。本文將介紹FPGA的基本原理、分類、特點(diǎn)以及應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-09-14 17:28:451788 FSMC特性簡介和FSMC框圖外掛存儲(chǔ)器地址映射
AHB接口
NOR/PSRAM控制器
接口信號(hào)
支持的存儲(chǔ)器和訪問方式異步傳輸
同步突發(fā)傳輸
NAND/PC card控制器
接口信號(hào)
·支持的存儲(chǔ)器和訪問方式NAND操作
.ECC計(jì)算
.PC card/Compact Flash操作
2023-09-13 06:54:41
系統(tǒng)架構(gòu)
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲(chǔ)空間
? 存儲(chǔ)器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應(yīng)閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動(dòng)模式
? 代碼空間的動(dòng)態(tài)重映射（STM32F2新增）
? 內(nèi)嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
等主要功能都集成在一個(gè)芯片上，構(gòu)成了一個(gè)完整的微型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。由于其體積小、功耗低、成本低、性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、家電、通信、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。本文將對(duì)單片機(jī)的技術(shù)特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及發(fā)展趨勢進(jìn)行簡要介紹。
2023-09-12 17:00:312533 存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中的重要組成部分，用于存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲(chǔ)信息的介質(zhì)和訪問方式的不同，存儲(chǔ)器可以分為隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）、只讀存儲(chǔ)器（ROM）和硬盤存儲(chǔ)器等幾類。本文將介紹存儲(chǔ)器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。
2023-09-09 16:18:272106 本文檔介紹了 STM32H7 系列微控制器上糾錯(cuò)碼（ECC）的管理和實(shí)現(xiàn)。本應(yīng)用筆記針對(duì)保護(hù)內(nèi)部存儲(chǔ)器內(nèi)容的 ECC 機(jī)制，描述了與之相關(guān)的硬件、軟件信息。除此之外，也可使用外部存儲(chǔ)器進(jìn)行 ECC
2023-09-08 07:31:20
STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲(chǔ)器映射? 總線架構(gòu)? 存儲(chǔ)器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時(shí)鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
根據(jù)專利要點(diǎn)，提供本申請(qǐng)的一種存儲(chǔ)器是檢測方法及存儲(chǔ)半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲(chǔ)單位與上線之間漏電測定的復(fù)雜技術(shù)問題，該存儲(chǔ)器的檢測方法如下：選通字線，通過位線在所有存儲(chǔ)單元中寫設(shè)定存儲(chǔ)。
2023-09-07 14:27:24523 
汽車?yán)锩總€(gè)SoC和高端MCU都需要存儲(chǔ)器配合，用量最大的是座艙SoC和智能駕駛SoC，其次是T-Box和儀表，再次是網(wǎng)關(guān)和底盤。
2023-09-05 10:11:32788 
庫的慢-慢工藝點(diǎn)對(duì)塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。
接口存儲(chǔ)器端口上的信號(hào)符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲(chǔ)器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33
存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的主要功能是在云計(jì)算和人工智能 (AI)、汽車和移動(dòng)等廣泛應(yīng)用中盡可能快速可靠地為主機(jī)（CPU 或 GPU）提供必要的數(shù)據(jù)或指令。片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)計(jì)人員可以選擇多種類型的存儲(chǔ)器
2023-08-17 09:54:20414 
AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制器（DMC）和靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器
2023-08-02 14:51:44
AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器（SMC）。AHB MC有一個(gè)
2023-08-02 07:14:25
到嵌入式系統(tǒng)中，并使用兩個(gè)Arm連接到嵌入式或外部存儲(chǔ)器AMBA 5 AXI接口，M0和M1。
?為了優(yōu)化Ethos-U NPU的性能，AXI接口M0應(yīng)連接到高速、低延遲存儲(chǔ)器，如SRAM。內(nèi)存用于
2023-08-02 06:37:01
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)镈RAM使用電容來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032204 FSMC稱為靈活的靜態(tài)存儲(chǔ)器，它能夠與同步或異步存儲(chǔ)器和16位PC存儲(chǔ)器卡連接，STM32F4的FSMC接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和PSRAM等存儲(chǔ)器。
2023-07-22 14:46:531961 
iButton?溫度記錄器(DS1922L/T)是堅(jiān)固耐用的自供電系統(tǒng)，能夠測量溫度并將測量結(jié)果記錄在受保護(hù)的存儲(chǔ)器內(nèi)。記錄溫度的頻率由用戶定義?？偣部梢员４?192個(gè)8位數(shù)據(jù)記錄或4096個(gè)16
2023-07-14 09:24:23
iButton?溫度/濕度記錄器(DS1923)是堅(jiān)固耐用的自供電系統(tǒng)，能夠測量溫度與/或濕度，并將測量結(jié)果記錄在受保護(hù)的存儲(chǔ)器內(nèi)。記錄頻率由用戶定義。總共可以保存8192個(gè)8位讀數(shù)或4096個(gè)16
2023-07-14 09:18:41
何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器？ 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:131098 
，非易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)關(guān)閉后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)仍保留在計(jì)算機(jī)中。易失性存儲(chǔ)器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲(chǔ)狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28874 PLC系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲(chǔ)器包括系統(tǒng)存儲(chǔ)器和用戶存儲(chǔ)器。
2023-06-26 14:02:453775 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:181959 
什么是測量光幕？主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？
2023-06-24 10:15:10602 
I/O寄存器、程序ROM、數(shù)據(jù)閃存和外部存儲(chǔ)器區(qū)域。 圖16. RA6M3存儲(chǔ)器映射 8.1 SRAM RA6 MCU提供帶
2023-06-21 12:15:03421 
ROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在斷電后依然存在，不會(huì)丟失，因此也被稱為非易失性存儲(chǔ)器。而RAM是易失性存儲(chǔ)器，當(dāng)斷電時(shí)，其中的數(shù)據(jù)將會(huì)丟失。
2023-06-20 16:38:442016
概述：
? SB-FSS09 是一款基于C2M低代碼核心模組開發(fā)的《4G_Lora遠(yuǎn)程土壤氮磷鉀存儲(chǔ)監(jiān)測器》設(shè)備，可實(shí)現(xiàn)4G或Lora遠(yuǎn)程獲取土壤氮磷鉀存儲(chǔ)信息的功能。該設(shè)備的配置方式極其簡單
2023-06-16 10:09:26
嗨會(huì)員，
我想 在每次使用手機(jī)（啟用 NFC）或任何其他 NFC 閱讀器點(diǎn)擊 NTAG 424 DNA 卡時(shí)生成一個(gè)不同的 URL（具有已知的靜態(tài) URL，如。
如何在 NTAG 424 DNA 卡上啟用隨機(jī) ID 功能以及如何為其附加固定 URL？
2023-06-07 06:56:35
************************************************* *************************************
* 詳細(xì)說明：
* 這個(gè)例子的目的是展示如何保存數(shù)據(jù)在 SRAM 存儲(chǔ)器中通過
2023-06-05 09:47:48
存儲(chǔ)器是集成電路領(lǐng)域的通用器件，其市場用量巨大，從類型上分為 ROMEPROM、E2PROM、SRAM、DRAM、FLASH 等。
2023-05-30 09:56:44251 
磁表面存儲(chǔ)器——磁表面存儲(chǔ)器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。
存儲(chǔ)密度——磁表面存儲(chǔ)器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲(chǔ)的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:061409 ，并把電容放電，藉此來保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。
SRAM：
SRAM利用寄存器來存儲(chǔ)信息，所以一旦掉電，資料就會(huì)全部丟失，只要供電，它的資料就會(huì)一直存在，不需要?jiǎng)討B(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。
3.產(chǎn)品應(yīng)用
2023-05-19 15:59:37
單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
首個(gè)非易失性存儲(chǔ)器是PROM（可編程只讀存儲(chǔ)器），以及與之密切相關(guān)的EPROM（可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器）。最初的PROM產(chǎn)品在1967年由貝爾實(shí)驗(yàn)室提出，并于1971年由英特爾進(jìn)一步開發(fā)。
2023-05-10 11:03:57408 通過quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí)，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
IMXRT1064 外部 SRAM - 同步和異步模式的 CLK 使用差異
2023-04-21 08:31:29
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器傳輸方式以及存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式，本章將講解DMA外設(shè)到存儲(chǔ)器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè)，通過串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)會(huì)被返回給開發(fā)板并通過串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。前面已講解過關(guān)于存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸方式，本章將講解存儲(chǔ)器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會(huì)講解外設(shè)到存儲(chǔ)器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462544 本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
存儲(chǔ)設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
及SRAM相當(dāng),大大超出了閃存的105次。在功能及性能方面均超過現(xiàn)有存儲(chǔ)器的自旋注入MRAM,很有可能將會(huì)取代在設(shè)備中使用的多種存儲(chǔ)器(見圖1)。如果關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)工作進(jìn)展順利，自旋注入MRAM今后
2023-04-07 16:41:05
這兩個(gè)存儲(chǔ)器，從而提高性能并允許在同一個(gè)周期訪問程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器映射中包含片上RAM、外設(shè)I/O寄存器、程序ROM、數(shù)據(jù)閃存和外部存儲(chǔ)器區(qū)域。 圖13. RA2A1存儲(chǔ)器映射 7.1 SRAM
2023-04-06 16:45:03466 Interface ( DDR：double data rate ，之所以設(shè)計(jì)成Asynchronous是因?yàn)樽铋_始傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器用的就是異步設(shè)計(jì)方法)，雖然數(shù)據(jù)的傳輸速率得到了大大提升(使用DDR設(shè)計(jì)方法)，但是確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性的設(shè)計(jì)卻較為復(fù)雜。
2023-04-04 15:16:19764 
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
我知道當(dāng)HSM工作或像S32R45這樣的MCU工作時(shí)時(shí)鐘是不同的。所以加密的功能正常工作。但是不能從外部存儲(chǔ)器讀取任何數(shù)據(jù)。解決此問題的解決方案是什么？
2023-04-03 08:34:09
存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲(chǔ)器，一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看，易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
說到GPS模塊應(yīng)用領(lǐng)域，有必要先了解下GPS北斗模塊的功能。GPS模塊一般可以做定位，獲取位置功能，還有授時(shí)功能，可以獲得精準(zhǔn)的時(shí)間信息。
2023-03-23 17:46:57862 
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